JPH02168548A - 荷電粒子ビーム照射型ｘ線分析装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム照射型ｘ線分析装置Info
- Publication number
- JPH02168548A JPH02168548A JP63322915A JP32291588A JPH02168548A JP H02168548 A JPH02168548 A JP H02168548A JP 63322915 A JP63322915 A JP 63322915A JP 32291588 A JP32291588 A JP 32291588A JP H02168548 A JPH02168548 A JP H02168548A
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- JP
- Japan
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- ray
- charged particle
- particle beam
- hole
- sample
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- Pending
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＸＭマイクロアリ−ライザのような荷電粒子（
電子、イオン）ビームで試料を照射し、試料から放射さ
れるＸ線を分光して試料の元素分析とか構造解析を行う
Ｘ線分析装置のＸ！ｌ！ｉ１分光検出手段に関する。
電子、イオン）ビームで試料を照射し、試料から放射さ
れるＸ線を分光して試料の元素分析とか構造解析を行う
Ｘ線分析装置のＸ！ｌ！ｉ１分光検出手段に関する。
（従来の技術）
上述したような分析装置においてはＸ線分光法として分
光結晶を用いる波長分散方式或は入射Ｘ線の光子エネル
ギーに比例した波高のパルスを出力する比例計数管或は
半導体検出器を用いるエネルギー分散方式が用いられて
いるが、従来は何れの方式による場合ではも、Ｘ線分光
検出手段は試料照射ビームとは異る方向から試料のビー
ム照射点を望むように設置されていた。
光結晶を用いる波長分散方式或は入射Ｘ線の光子エネル
ギーに比例した波高のパルスを出力する比例計数管或は
半導体検出器を用いるエネルギー分散方式が用いられて
いるが、従来は何れの方式による場合ではも、Ｘ線分光
検出手段は試料照射ビームとは異る方向から試料のビー
ム照射点を望むように設置されていた。
このような従来のＸ線分光検出手段は試料のビーム照射
点から離れていて、試料のビーム照射点に対して張る立
体角が小さくそのためＸ線の入射効率が低くなっており
、また試料から放射される特性Ｘ線を測定する場合バッ
クグラウンドとなる試料照射粒子の制動輻射による連続
Ｘ線強度に対する特性Ｘ線の強度の比は照射ビームの照
射方向と反対方向で最大であり、垂直から離れるに従い
小さくなるが、従来方法ではこの照射ビームからかなり
離れた方向でＸ線を検出しているので、測定のＳ／Ｎ比
が低くなっていた。
点から離れていて、試料のビーム照射点に対して張る立
体角が小さくそのためＸ線の入射効率が低くなっており
、また試料から放射される特性Ｘ線を測定する場合バッ
クグラウンドとなる試料照射粒子の制動輻射による連続
Ｘ線強度に対する特性Ｘ線の強度の比は照射ビームの照
射方向と反対方向で最大であり、垂直から離れるに従い
小さくなるが、従来方法ではこの照射ビームからかなり
離れた方向でＸ線を検出しているので、測定のＳ／Ｎ比
が低くなっていた。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は荷電粒子ビームで試料面を照射し、試料から放
射されるＸ線を分光検出する装置において、Ｘ線の入射
効率を高め、Ｓ／Ｎ比の良好ならしめたＸ線の分光検出
装置を提供しようとするものである。
射されるＸ線を分光検出する装置において、Ｘ線の入射
効率を高め、Ｓ／Ｎ比の良好ならしめたＸ線の分光検出
装置を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
Ｘ線入射面の中央に透孔を有するＸ線検出素子を試料を
照射する荷電粒子ビームが上記透孔を通過するようにし
、Ｘ線入射面を試料面に向けて配置した。
照射する荷電粒子ビームが上記透孔を通過するようにし
、Ｘ線入射面を試料面に向けて配置した。
（作用）
本発明によればＸ線検出素子は試料を照射する荷電粒子
ビームを囲んで配置され、Ｘ線入射面を試料に向けてい
るから、試料面からのＸ線取出し角は９０°に近（、従
ってＳ／Ｎ比の良い特性Ｘ線検出ができ、従来のように
斜めから試料を望むのに比し、Ｘ線検出素子の配直に構
造的な制約が少（、Ｘ線入射面の試料のビーム照射点に
対して張る立体角を従来より容易に大きくできて、Ｘ線
入射効率が高められる。
ビームを囲んで配置され、Ｘ線入射面を試料に向けてい
るから、試料面からのＸ線取出し角は９０°に近（、従
ってＳ／Ｎ比の良い特性Ｘ線検出ができ、従来のように
斜めから試料を望むのに比し、Ｘ線検出素子の配直に構
造的な制約が少（、Ｘ線入射面の試料のビーム照射点に
対して張る立体角を従来より容易に大きくできて、Ｘ線
入射効率が高められる。
（実施例）
図は本発明の一実施例装置を示す。図でＢは試料を照射
する荷電粒子ビーム、Ｌは対物レンズでＳは試料である
。Ｄが本発明に係るＸ線検出素子で円板状に形成された
半導体Ｘ線検出素子であり、中央に透孔りが設けられて
いて荷電粒子ビームＢが通過するようになっている。試
料から放射されるＸ線は図に矢印Ｘで示すようにＸ線検
出素子りに入射する。半導体Ｘ線検出素子では入射した
Ｘ線光子に対し、そのエネルギーに比例した強さのパル
ス電流を発生する。このパルス電流信号はプリアンプＰ
Ａ比例アンプＬＡで増幅された後、波高分析器ＰＩＣＡ
により測定しようとする特１１Ｘ線のエネルギーに相当
する波高範囲のパルス信号が取出されてカウンタＣによ
り計数される。
する荷電粒子ビーム、Ｌは対物レンズでＳは試料である
。Ｄが本発明に係るＸ線検出素子で円板状に形成された
半導体Ｘ線検出素子であり、中央に透孔りが設けられて
いて荷電粒子ビームＢが通過するようになっている。試
料から放射されるＸ線は図に矢印Ｘで示すようにＸ線検
出素子りに入射する。半導体Ｘ線検出素子では入射した
Ｘ線光子に対し、そのエネルギーに比例した強さのパル
ス電流を発生する。このパルス電流信号はプリアンプＰ
Ａ比例アンプＬＡで増幅された後、波高分析器ＰＩＣＡ
により測定しようとする特１１Ｘ線のエネルギーに相当
する波高範囲のパルス信号が取出されてカウンタＣによ
り計数される。
（発明の効果）
従来のこの種装置では図で鎖線で示すような方向にＸ線
を取出していたが、本発明では図から明らかなように試
料照射ビームの入射方向と反対方向に放射されるＸ線を
検出するので、連８％ Ｘ Ｍバックグラウンドに対す
る試料の特性Ｘ線強度の比が従来例より高くなり、Ｓ／
Ｎ比の良好な測定ができ、ｘｖＡ検出素子は試料照射ビ
ームを囲んで、同ビームに近接して配置されるので、Ｘ
線検出素子の配置についての構造的制約が少く、Ｘ線検
出面を試料面に近付づけ、試料面のビーム照射点Ｏに対
して張る立体角を容易に大きくすることが太き（するこ
とができるからＸ線入射効率が良く、従来より分析感度
９分析器度が向」二し、しかも構造的に簡単なものとな
る。
を取出していたが、本発明では図から明らかなように試
料照射ビームの入射方向と反対方向に放射されるＸ線を
検出するので、連８％ Ｘ Ｍバックグラウンドに対す
る試料の特性Ｘ線強度の比が従来例より高くなり、Ｓ／
Ｎ比の良好な測定ができ、ｘｖＡ検出素子は試料照射ビ
ームを囲んで、同ビームに近接して配置されるので、Ｘ
線検出素子の配置についての構造的制約が少く、Ｘ線検
出面を試料面に近付づけ、試料面のビーム照射点Ｏに対
して張る立体角を容易に大きくすることが太き（するこ
とができるからＸ線入射効率が良く、従来より分析感度
９分析器度が向」二し、しかも構造的に簡単なものとな
る。
図面は本発明の一実施例装置の側面図である。
Ｂ・・・荷電粒子ビーム、Ｌ・・・対物レンズ、Ｓ・・
・試料、Ｄ・・・Ｘ線検出器、ｈ・・・透孔、ＰＨＡ・
・・波高分析器、Ｃ・・・カウンタ。 代理人 弁理士 縣 浩 介
・試料、Ｄ・・・Ｘ線検出器、ｈ・・・透孔、ＰＨＡ・
・・波高分析器、Ｃ・・・カウンタ。 代理人 弁理士 縣 浩 介
Claims (1)
- Ｘ線入射面の中央に透孔を有するＸ線検出素子をそのＸ
線入射面を試料に向け、試料面を照射する荷電粒子ビー
ムが上記透孔を通過するように配置したことを特徴とす
る荷電粒子ビーム照射型Ｘ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322915A JPH02168548A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 荷電粒子ビーム照射型ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322915A JPH02168548A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 荷電粒子ビーム照射型ｘ線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168548A true JPH02168548A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=18149048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322915A Pending JPH02168548A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 荷電粒子ビーム照射型ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02168548A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS553129A (en) * | 1978-06-21 | 1980-01-10 | Jeol Ltd | X-ray analyzer for scanning electron microscope or the like |
| JPS6136955B2 (ja) * | 1978-02-28 | 1986-08-21 | Yaskawa Denki Seisakusho Kk |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP63322915A patent/JPH02168548A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136955B2 (ja) * | 1978-02-28 | 1986-08-21 | Yaskawa Denki Seisakusho Kk | |
| JPS553129A (en) * | 1978-06-21 | 1980-01-10 | Jeol Ltd | X-ray analyzer for scanning electron microscope or the like |
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