JPH0216869B2 - - Google Patents
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- JPH0216869B2 JPH0216869B2 JP1626282A JP1626282A JPH0216869B2 JP H0216869 B2 JPH0216869 B2 JP H0216869B2 JP 1626282 A JP1626282 A JP 1626282A JP 1626282 A JP1626282 A JP 1626282A JP H0216869 B2 JPH0216869 B2 JP H0216869B2
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/045—Circuits
- G01N27/046—Circuits provided with temperature compensation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気抵抗式水分計の温度補償方法に関
する。
する。
電気式水分計は被測定物（以下試料という）の
含有水分率とその電気特性即ち電気容量、電気抵
抗等との相関性を利用したものである。しかしな
がら、試料の電気特性は含有水分率の多少で変化
すると共に、試料の温度によつても変化する。
含有水分率とその電気特性即ち電気容量、電気抵
抗等との相関性を利用したものである。しかしな
がら、試料の電気特性は含有水分率の多少で変化
すると共に、試料の温度によつても変化する。
温度による電気特性の変化の大きさは、電気抵
抗式で穀物の水分を測定する場合で、±10℃の温
度変化に対して水分変化換算でおよそ±1.0％で
あり、通常は〓0.1％／±１℃の水分温度補正を
行つている。この温度補正を正確に行う為には試
料の温度を検出する必要があるが、試料粉砕を行
い加圧して水分を測定する電気水分計の場合、小
量の試料を狭い電極間で測定する為、試料温度を
検出するセンサを電極間の試料の中に挿入するの
が困難であり、通常電極近傍に温度検出センサを
置き、その検出温度で水分温度補正を行つてい
る。この方法は、試料を粉砕し電極間で加圧して
水分測定を行う際、試料と電極金属間で熱の授受
があり、水分測定時点では試料温度は電極温度に
近づき、当初の試料温度と電極温度との差の1/3
程度の大きさの差になることから大きな誤差には
ならないものとして使われている。即ち、当初試
料温度と電極温度の差が10℃であれば、試料粉砕
後の水分測定時点では３℃位の差となり、電極近
傍の温度で水分温度補正を行つても0.3％位の誤
差である。またとくに、試料温度と電極温度との
差が大きい場合は試料を放置して電極温度に馴じ
ませてから測定している。
抗式で穀物の水分を測定する場合で、±10℃の温
度変化に対して水分変化換算でおよそ±1.0％で
あり、通常は〓0.1％／±１℃の水分温度補正を
行つている。この温度補正を正確に行う為には試
料の温度を検出する必要があるが、試料粉砕を行
い加圧して水分を測定する電気水分計の場合、小
量の試料を狭い電極間で測定する為、試料温度を
検出するセンサを電極間の試料の中に挿入するの
が困難であり、通常電極近傍に温度検出センサを
置き、その検出温度で水分温度補正を行つてい
る。この方法は、試料を粉砕し電極間で加圧して
水分測定を行う際、試料と電極金属間で熱の授受
があり、水分測定時点では試料温度は電極温度に
近づき、当初の試料温度と電極温度との差の1/3
程度の大きさの差になることから大きな誤差には
ならないものとして使われている。即ち、当初試
料温度と電極温度の差が10℃であれば、試料粉砕
後の水分測定時点では３℃位の差となり、電極近
傍の温度で水分温度補正を行つても0.3％位の誤
差である。またとくに、試料温度と電極温度との
差が大きい場合は試料を放置して電極温度に馴じ
ませてから測定している。
しかしながら、近年穀物の火力乾燥が普及し、
乾燥中の穀物を取り出して含有水分率を測定する
ことが行われており、このような場合の当初の穀
物と電極近傍の温度の差は10℃〜20℃ある場合が
多く、迅速な測定が要求されるため乾燥機から取
り出した試料を直ぐ水分測定することになるがそ
の水分温度補正誤差を無視することはできない。
乾燥中の穀物を取り出して含有水分率を測定する
ことが行われており、このような場合の当初の穀
物と電極近傍の温度の差は10℃〜20℃ある場合が
多く、迅速な測定が要求されるため乾燥機から取
り出した試料を直ぐ水分測定することになるがそ
の水分温度補正誤差を無視することはできない。
本発明は試料温度を検出して温度補正精度を向
上させる温度補正方法を提供することを目的とし
たものであり、その原理は試料の電気抵抗値には
含有水分率と試料温度との２つの情報を含んでい
ることを利用している。即ち試料の電気抵抗値
は、温度が一定であれば含有水分率と１：１の対
応をし、含有水分率が一定であれば試料温度と
１：１に対応をする。
上させる温度補正方法を提供することを目的とし
たものであり、その原理は試料の電気抵抗値には
含有水分率と試料温度との２つの情報を含んでい
ることを利用している。即ち試料の電気抵抗値
は、温度が一定であれば含有水分率と１：１の対
応をし、含有水分率が一定であれば試料温度と
１：１に対応をする。
しかしながら、試料の含有水分率と温度の組み
合わせは固定されない為、試料の電気抵抗値のみ
から試料の含有水分率と試料温度を分離すること
はできない。本発明に於ては、試料の電気抵抗値
とその時間的変化から試料温度と電極温度の差を
知り、電極温度は電極近傍の温度センサで測定
し、実質的に試料温度を知り、試料温度に基づい
た水分温度補正を行う。
合わせは固定されない為、試料の電気抵抗値のみ
から試料の含有水分率と試料温度を分離すること
はできない。本発明に於ては、試料の電気抵抗値
とその時間的変化から試料温度と電極温度の差を
知り、電極温度は電極近傍の温度センサで測定
し、実質的に試料温度を知り、試料温度に基づい
た水分温度補正を行う。
以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
第１図イ〜ハは電気抵抗式水分計の電極構造の
例であり第１図イは試料を電極間で粉砕しながら
加圧するタイプ、第１図ロは予め粉砕した試料を
電極間で加圧するタイプ。第１図ハはローラ電極
で粉砕加圧しながら水分測定するタイプである。
第１図イ，ロの電極構造の場合、試料が電極間で
加圧されると試料と電極間で熱の授受があるが、
電極と試料の熱容量の違いで、電極の温度は殆ん
ど変化しないが、試料の温度は電極の温度へと近
づいていく。その特性を第２図に示す。
例であり第１図イは試料を電極間で粉砕しながら
加圧するタイプ、第１図ロは予め粉砕した試料を
電極間で加圧するタイプ。第１図ハはローラ電極
で粉砕加圧しながら水分測定するタイプである。
第１図イ，ロの電極構造の場合、試料が電極間で
加圧されると試料と電極間で熱の授受があるが、
電極と試料の熱容量の違いで、電極の温度は殆ん
ど変化しないが、試料の温度は電極の温度へと近
づいていく。その特性を第２図に示す。
第２図に於て電極温度は20℃で試料の初期温度
T0はA1では30℃、B1では20℃、C1では10℃のグ
ラフで、試料温度は時間と共に電極温度に近づく
が、数秒の間に、試料温度と電極温度の差は初期
の差の1/3程度となつている。試料温度の変化量
は試料の初期温度T0と電極温度との間に差があ
るほど大きく、第２図のB1のように、試料温度
と電極温度が最初から等しければ試料温度の変化
はない。
T0はA1では30℃、B1では20℃、C1では10℃のグ
ラフで、試料温度は時間と共に電極温度に近づく
が、数秒の間に、試料温度と電極温度の差は初期
の差の1/3程度となつている。試料温度の変化量
は試料の初期温度T0と電極温度との間に差があ
るほど大きく、第２図のB1のように、試料温度
と電極温度が最初から等しければ試料温度の変化
はない。
第３図のA2，B2，C2は、一定水分の試料を第
２図のA1，B1，C1と同一条件で測定した場合の
温度未補正の水分計出力が時間と共に変化する特
性を示す。この温度未補正水分計出力の時間変化
は、試料の抵抗値の変化を表わし、初期の粉砕圧
力の変化による抵抗値変化の後は、試料の温度変
化による抵抗値の変化を表わしている。第３図の
初期の試料印加圧力変動部分を除いた温度未補正
水分出力は第２図の試料温度変化に対応するもの
で、試料温度１℃の変化は水分計出力の0.1％変
化となる。従つて、温度未補正の水分計出力信号
の変化から試料温度の変化を知ることができる。
２図のA1，B1，C1と同一条件で測定した場合の
温度未補正の水分計出力が時間と共に変化する特
性を示す。この温度未補正水分計出力の時間変化
は、試料の抵抗値の変化を表わし、初期の粉砕圧
力の変化による抵抗値変化の後は、試料の温度変
化による抵抗値の変化を表わしている。第３図の
初期の試料印加圧力変動部分を除いた温度未補正
水分出力は第２図の試料温度変化に対応するもの
で、試料温度１℃の変化は水分計出力の0.1％変
化となる。従つて、温度未補正の水分計出力信号
の変化から試料温度の変化を知ることができる。
第４図は試料が電極間に装填又は狭まれた時刻
t0を開始点としてt1時、t1′時、t2時（t1＜t1′＜t2）
に於ける温度未補正の水分計出力をM1，M1′，
M2とした特性図である。第４図において、A3，
B3，C3は試料温度が電極温度より大の場合の例
を表わし、それぞれ試料温度と電極温度の差が
大、小、ゼロの場合を示し、M1−M2の値は試料
の温度変化に対応し、初期の試料温度Ｔと電極温
度T0との差が大である程大であるから、Ｔ−T0
に比例すると１次近似できる。
t0を開始点としてt1時、t1′時、t2時（t1＜t1′＜t2）
に於ける温度未補正の水分計出力をM1，M1′，
M2とした特性図である。第４図において、A3，
B3，C3は試料温度が電極温度より大の場合の例
を表わし、それぞれ試料温度と電極温度の差が
大、小、ゼロの場合を示し、M1−M2の値は試料
の温度変化に対応し、初期の試料温度Ｔと電極温
度T0との差が大である程大であるから、Ｔ−T0
に比例すると１次近似できる。
即ちＴ−T0∝M1−M2でK′を比例定数とする
と Ｔ＝T0＋K′（M1−M2） ……(1) となる。
と Ｔ＝T0＋K′（M1−M2） ……(1) となる。
第５図は試料温度が時間と共に変化する様子を
示した特性図である。第５図において、試料の初
期温度Ｔと電極温度T0の差が大の場合が特性A4
であり、小の場合が特性B4であり、Ｔ−T0が大
なる程、試料温度の変化は大である。
示した特性図である。第５図において、試料の初
期温度Ｔと電極温度T0の差が大の場合が特性A4
であり、小の場合が特性B4であり、Ｔ−T0が大
なる程、試料温度の変化は大である。
従つて、時刻t2における試料温度T2と電極温度
T0との差は初期の試料温度Ｔと電極温度T0との
差が大きい程大であるから、T2−T0はＴ−T0に
比例すると１次近似できる。
T0との差は初期の試料温度Ｔと電極温度T0との
差が大きい程大であるから、T2−T0はＴ−T0に
比例すると１次近似できる。
即ちT2−T0∝Ｔ−T0となる。これに上記第１
式を代入すると、 T2−T0∝K′（M1−M2） ……(2) 従つて、第２式は T2＝T0＋Ｋ（M1−M2） ……(3) と近似できる。
式を代入すると、 T2−T0∝K′（M1−M2） ……(2) 従つて、第２式は T2＝T0＋Ｋ（M1−M2） ……(3) と近似できる。
ここでＫは電極の構造、材質、被測定試料の種
類等により定まる比例定数である。更に正確な試
料温度T2を求めるには、T2をM1−M2の高次式
で与える。なお、電極温度T0は電極近傍に感温
素子を設置して検出する。
類等により定まる比例定数である。更に正確な試
料温度T2を求めるには、T2をM1−M2の高次式
で与える。なお、電極温度T0は電極近傍に感温
素子を設置して検出する。
第４図C3のように試料温度と電極温度が一致
していて温度未補正水分計出力の時間変動がない
場合も、t2時まで待つことは不要である。従つて
t1′時（t1＜t1′＜t2）の温度未補正水分計出力
M1′を測定し、このM1′をt1時の温度未補正水分
計出力M1とを比較してある幅以内の差であれば
試料温度と電極温度が一致していると判断し、電
極近傍温度T0で温度未補正水分信号M1又は
M1′を補正し含水率値を得る。この際温度未補正
水分信号は0.01％のオーダーで一致すれば試料温
度と電極温度が一致していると判断しても測定確
度上充分である。
していて温度未補正水分計出力の時間変動がない
場合も、t2時まで待つことは不要である。従つて
t1′時（t1＜t1′＜t2）の温度未補正水分計出力
M1′を測定し、このM1′をt1時の温度未補正水分
計出力M1とを比較してある幅以内の差であれば
試料温度と電極温度が一致していると判断し、電
極近傍温度T0で温度未補正水分信号M1又は
M1′を補正し含水率値を得る。この際温度未補正
水分信号は0.01％のオーダーで一致すれば試料温
度と電極温度が一致していると判断しても測定確
度上充分である。
第６図は本発明の温度補正を実現するための電
気水分計の１実施例のブロツク図であり、電極に
試料が入つたことを知らせる試料セツトスイツチ
手段４でマイクロプロセツサ部６のタイマが始動
して△ｔ時間後のt1時に転送スイツチ８Ａを閉じ
て電極部１からの信号を変換部２で直線化・レベ
ル調整等の処理を行いＡ／Ｄコンバータ５の入力
とし、Ａ／Ｄ変換を開始させ、その変換デイジタ
ル信号をマイクロプロセツサ６で読み込みデータ
D1とする。更にt1′時に同じく電極からの信号を
読み込みD1′とする。このデータD1，D1′が温度未
補正水分信号M1，M1′を表わすように信号変換
部２が設計されていれば直接に、そうでなければ
マイクロプロセツサ６がD1，D1′を所定の水分換
算式で演算して温度未補正信号M1，M1′を得る。
また転送スイツチ８Ｂを閉じて、温度検出部３か
らの電極温度信号をＡ／Ｄ変換部５の入力とし、
その出力をマイクロプロセツサ６で読み込んで電
極温度データT0を得る。M1とM1′の差が設定し
たある幅以内であれば試料温度と電極温度は等し
いと判断し、電極温度T0で温度未補正水分信号
M1又はM1′を補正して含水率値を計算する。M1
とM1′の差が上記設定幅より大であればt2時に温
度未補正信号M2を測定する。ここでマイクロプ
ロセツサ６は広義のもので入出力ポート、
ROM，RAM等を含む。又時刻t1は測定開始後
0.5秒程度、t1′は更に0.5秒後、t2は更に１〜２秒
後とすれば水分測定時間は数秒ですみ、試料温度
と電極温度が近い場合には１秒程度で測定ができ
ることになる。スイツチ８Ａ，８Ｂはゲートを有
するアナログスイツチを使用する。マイクロプロ
セツサ６はこれらのデータM1，M2，T0と前もつ
て定められている定数Ｋを用いて第３式のT2＝
T0＋Ｋ（M1−M2）を演算する。
気水分計の１実施例のブロツク図であり、電極に
試料が入つたことを知らせる試料セツトスイツチ
手段４でマイクロプロセツサ部６のタイマが始動
して△ｔ時間後のt1時に転送スイツチ８Ａを閉じ
て電極部１からの信号を変換部２で直線化・レベ
ル調整等の処理を行いＡ／Ｄコンバータ５の入力
とし、Ａ／Ｄ変換を開始させ、その変換デイジタ
ル信号をマイクロプロセツサ６で読み込みデータ
D1とする。更にt1′時に同じく電極からの信号を
読み込みD1′とする。このデータD1，D1′が温度未
補正水分信号M1，M1′を表わすように信号変換
部２が設計されていれば直接に、そうでなければ
マイクロプロセツサ６がD1，D1′を所定の水分換
算式で演算して温度未補正信号M1，M1′を得る。
また転送スイツチ８Ｂを閉じて、温度検出部３か
らの電極温度信号をＡ／Ｄ変換部５の入力とし、
その出力をマイクロプロセツサ６で読み込んで電
極温度データT0を得る。M1とM1′の差が設定し
たある幅以内であれば試料温度と電極温度は等し
いと判断し、電極温度T0で温度未補正水分信号
M1又はM1′を補正して含水率値を計算する。M1
とM1′の差が上記設定幅より大であればt2時に温
度未補正信号M2を測定する。ここでマイクロプ
ロセツサ６は広義のもので入出力ポート、
ROM，RAM等を含む。又時刻t1は測定開始後
0.5秒程度、t1′は更に0.5秒後、t2は更に１〜２秒
後とすれば水分測定時間は数秒ですみ、試料温度
と電極温度が近い場合には１秒程度で測定ができ
ることになる。スイツチ８Ａ，８Ｂはゲートを有
するアナログスイツチを使用する。マイクロプロ
セツサ６はこれらのデータM1，M2，T0と前もつ
て定められている定数Ｋを用いて第３式のT2＝
T0＋Ｋ（M1−M2）を演算する。
この試料温度T2と温度未補正水分信号M2と予
め定められている温度補正係数（0.1％／１℃）
を用いて試料の温度補正された水分Ｍを Ｍ＝M2−α（T2−20） ……(4) の演算式で計算する。αは試料の種類等によつて
決まる定数である。
め定められている温度補正係数（0.1％／１℃）
を用いて試料の温度補正された水分Ｍを Ｍ＝M2−α（T2−20） ……(4) の演算式で計算する。αは試料の種類等によつて
決まる定数である。
ここで温度補正は20℃を基準としてあり、温度
未補正水分信号M2は、試料温度20℃の場合はそ
のまま試料の含有水分率を示すよう信号変換器２
の出力レベル又はマイクロプロセツサ６での読込
みデータD2からの水分未補正信号M2の演算式が
設計されている。この温度補正された試料の含有
水分率Ｍを水分表示装置７に出力する。
未補正水分信号M2は、試料温度20℃の場合はそ
のまま試料の含有水分率を示すよう信号変換器２
の出力レベル又はマイクロプロセツサ６での読込
みデータD2からの水分未補正信号M2の演算式が
設計されている。この温度補正された試料の含有
水分率Ｍを水分表示装置７に出力する。
第７図は以上の動作を流れ図で例示したもので
ある。ここでtA，tB，tC秒の遅延はそれぞれ0.5秒
程度でよい。
ある。ここでtA，tB，tC秒の遅延はそれぞれ0.5秒
程度でよい。
本発明の温度補正法によれば、試料温度による
真水分率の温度補正が可能であり、火力乾燥時の
高温の穀物に対して誤差が少ない水分測定をする
ことができ、穀物が過乾燥、未乾燥等のない適正
な含有水分を有するように仕上げできるという大
なる効果が得られる。
真水分率の温度補正が可能であり、火力乾燥時の
高温の穀物に対して誤差が少ない水分測定をする
ことができ、穀物が過乾燥、未乾燥等のない適正
な含有水分を有するように仕上げできるという大
なる効果が得られる。
同様に試料と電極の温度が異なる場合にも、直
ちに測定が可能であり、試料と電極の温度がほぼ
等しい場合には迅速な水分測定ができ、従来の時
間感覚とも大差のない測定ができる。
ちに測定が可能であり、試料と電極の温度がほぼ
等しい場合には迅速な水分測定ができ、従来の時
間感覚とも大差のない測定ができる。
第１図イ〜ハはそれぞれ、水分計の試料電極構
造の例を示す図、第２図は、時間対試料温度の特
性図、第３図と第４図は、実験データに基づく時
間対温度未補正水分計出力の特性図、第５図は、
時間対試料温度の特性図、第６図は本発明を実施
するための水分計の温度補正装置の実施例のブロ
ツク図、第７図は本発明の実施例を説明するため
の流れ図である。 Ｅ……試料電極、Ｇ……試料、１……試料電
極、３……温度検出素子、４……試料セツトスイ
ツチ、８Ａ，８Ｂ……転送スイツチ、６……マイ
クロプロセツサ、７……水分表示装置。
造の例を示す図、第２図は、時間対試料温度の特
性図、第３図と第４図は、実験データに基づく時
間対温度未補正水分計出力の特性図、第５図は、
時間対試料温度の特性図、第６図は本発明を実施
するための水分計の温度補正装置の実施例のブロ
ツク図、第７図は本発明の実施例を説明するため
の流れ図である。 Ｅ……試料電極、Ｇ……試料、１……試料電
極、３……温度検出素子、４……試料セツトスイ
ツチ、８Ａ，８Ｂ……転送スイツチ、６……マイ
クロプロセツサ、７……水分表示装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被測定物の温度が測定電極部の温度と平衡し
ていく型式の電気抵抗式水分計の温度補正方法に
おいて、被測定物を電極部に装填又は挾持した時
点t0から、それぞれ異なる一定時間後のt1，t1′，
t2（t1＜t1′＜t2）とに複数回被測定物の電気抵抗を
測定して温度未補正水分信号とし、t1時とt1′時の
温度未補正水分信号の差が所定値以下である場合
上記温度平衡の状態と判定してその電極部温度で
温度補正を行ない、それ以外の場合には、更にt2
時で被測定物の電気抵抗を測定し、温度未補正信
号を得、t1時とt2時との温度未補正水分信号の差
M1−M2と電極部温度T0を予め求めれた時間対温
度未補正水分信号特性データに基づく推定式T2
に与え、 T2＝T0＋Ｋ（M1−M2）t2時における被測定物
の温度を求め、それらの温度に基づいて、t1時又
はt2時の温度未補正水分信号の温度補正をする電
気抵抗式水分計の温度補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1626282A JPS58135444A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 電気抵抗式水分計の温度補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1626282A JPS58135444A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 電気抵抗式水分計の温度補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135444A JPS58135444A (ja) | 1983-08-12 |
| JPH0216869B2 true JPH0216869B2 (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=11911635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1626282A Granted JPS58135444A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 電気抵抗式水分計の温度補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58135444A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4592002A (en) * | 1983-12-13 | 1986-05-27 | Honeywell Inc. | Method of digital temperature compensation and a digital data handling system utilizing the same |
| JPS6156566U (ja) * | 1984-09-18 | 1986-04-16 | ||
| JPH0454700A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-21 | Hitachi Ltd | センサ入力回路 |
| CN115144539B (zh) * | 2022-06-29 | 2024-09-24 | 西安元智系统技术有限责任公司 | 一种含水率测量的温度补偿方法 |
-
1982
- 1982-02-05 JP JP1626282A patent/JPS58135444A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58135444A (ja) | 1983-08-12 |
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