JPH02170124A - アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動回路 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動回路Info
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- JPH02170124A JPH02170124A JP32684488A JP32684488A JPH02170124A JP H02170124 A JPH02170124 A JP H02170124A JP 32684488 A JP32684488 A JP 32684488A JP 32684488 A JP32684488 A JP 32684488A JP H02170124 A JPH02170124 A JP H02170124A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非線形抵抗素子を用いたアクティブマトリク
ス液晶表示装置の駆動回路に関する。
ス液晶表示装置の駆動回路に関する。
近年、ツイスト・ネマティック型(TN型)を中心とし
た液晶表示装置(LCD) の応用が発展し、腕時計
や電卓の分野で大量に用いられている。
た液晶表示装置(LCD) の応用が発展し、腕時計
や電卓の分野で大量に用いられている。
それに加え、近年、文字2図形等の任意の表示が可能な
マトリクス型も使われ始めている。このマトリクス型L
CDの応用分野を広げるためには、表示容量の増大が必
要である。しかし、従来のLCDの電圧−透過率変化特
性の立上りはあまり急峻ではないので、表示容量を増加
させるためにマルチプレックス駆動の走査本数を増加さ
せると、選択画素と非選択画素との各々にががる実効電
圧比は低下するので、選択画素の透過率増加と非選択画
素の透過率低下というクロストークが生じる。
マトリクス型も使われ始めている。このマトリクス型L
CDの応用分野を広げるためには、表示容量の増大が必
要である。しかし、従来のLCDの電圧−透過率変化特
性の立上りはあまり急峻ではないので、表示容量を増加
させるためにマルチプレックス駆動の走査本数を増加さ
せると、選択画素と非選択画素との各々にががる実効電
圧比は低下するので、選択画素の透過率増加と非選択画
素の透過率低下というクロストークが生じる。
その結果、表示コントラストが著しく低下し、ある程度
のコントラストが得られる視野角も著しく狭くなる。従
って、従来のLCDでは走査本数は、60本ぐらいが限
界である。このような従来のLCDを、次に述べるアク
ティブマトリクスLCDと比較して、単純マトリクスL
CDと称する。
のコントラストが得られる視野角も著しく狭くなる。従
って、従来のLCDでは走査本数は、60本ぐらいが限
界である。このような従来のLCDを、次に述べるアク
ティブマトリクスLCDと比較して、単純マトリクスL
CDと称する。
マトリクス型LCDの表示容量を大幅に増加させるため
に、LCDの各画素にスイッチング素子を直列に配置し
たアクティブマトリクスLCDが考案されている。これ
までに発表されたアクティブマトリクスLCDの試作品
のスイッチング素子には、アモルファスシリコンやポリ
シリコンを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子(T
PT)が多く用いられている。また一方では、製造法及
び構造が比較的単純であるため、製造工程が簡略化でき
、高歩留り、低コスト化が期待される薄膜二端子素子(
以下TFDと略す)を用いたアクティブマトリクスLC
Dも注目されている。
に、LCDの各画素にスイッチング素子を直列に配置し
たアクティブマトリクスLCDが考案されている。これ
までに発表されたアクティブマトリクスLCDの試作品
のスイッチング素子には、アモルファスシリコンやポリ
シリコンを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子(T
PT)が多く用いられている。また一方では、製造法及
び構造が比較的単純であるため、製造工程が簡略化でき
、高歩留り、低コスト化が期待される薄膜二端子素子(
以下TFDと略す)を用いたアクティブマトリクスLC
Dも注目されている。
このような薄膜二端子素子型アクティブマトリクスLC
D (以下TFD−LCDと略す)において、一番実用
化に近いと考えられているLCDは、TFDに金属−絶
縁体−金属素子(以下MIM素子又はMIMと略す)を
用いたLCDである。
D (以下TFD−LCDと略す)において、一番実用
化に近いと考えられているLCDは、TFDに金属−絶
縁体−金属素子(以下MIM素子又はMIMと略す)を
用いたLCDである。
TFDとして、MIMの他にはアモルファスSiのpi
nダイオード2個を極性逆向きに並列接続したダイオー
ドリング、pinダイオード2個を極性逆向きに直列接
続したバック・ツー・バック・ダイオード等が知られて
いる。
nダイオード2個を極性逆向きに並列接続したダイオー
ドリング、pinダイオード2個を極性逆向きに直列接
続したバック・ツー・バック・ダイオード等が知られて
いる。
以上のTFDは、回路的には全て非線形抵抗素子であり
、素子両端への印加電圧の増加に伴い電流が非線形的に
急激に増加する。このようなTFDを液晶と直列に接続
することにより、電圧−透過率変化特性の立上りは急峻
になり、走査本数を大幅に増やすことが可能になる。
、素子両端への印加電圧の増加に伴い電流が非線形的に
急激に増加する。このようなTFDを液晶と直列に接続
することにより、電圧−透過率変化特性の立上りは急峻
になり、走査本数を大幅に増やすことが可能になる。
このようなMIMを用いたLCDの従来例は、論文では
デイ・アールバラフ、他、著「ジ・オプディマイゼーシ
ョン會オプ・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリ
ニア・デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチブレ
ツクスト・リキッド・クリスタル・ディスプレイズ」、
アイ・イー・イー・イーのトランサクションeオン拳エ
レクトロン・テバイシーズ、28巻、6号、頁736−
739(1981年発行) (:D、R,Baraff
、 et al、。
デイ・アールバラフ、他、著「ジ・オプディマイゼーシ
ョン會オプ・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリ
ニア・デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチブレ
ツクスト・リキッド・クリスタル・ディスプレイズ」、
アイ・イー・イー・イーのトランサクションeオン拳エ
レクトロン・テバイシーズ、28巻、6号、頁736−
739(1981年発行) (:D、R,Baraff
、 et al、。
” The Optimization of Met
al−Insulator−Metal Non1in
ear DevIces for Use inMul
tiplexed Liquid Crystal D
isplays。
al−Insulator−Metal Non1in
ear DevIces for Use inMul
tiplexed Liquid Crystal D
isplays。
IEEE Trans、 Electron Dev
ices vol。
ices vol。
ED−2s、pp、 736−739(19sx)]、
及び両角伸治、他、著r250X240画素のラテラル
MIM−LCDjテレビジョン学会技術報告(IPD8
3−8)、pp39−44.(1983年12月発行)
に代表的に示され、特許公開公報では特開昭52−14
9090号公報、及び特開昭55161273号公報中
に代表的に示され、その動作原理についても詳細に述べ
られている。
及び両角伸治、他、著r250X240画素のラテラル
MIM−LCDjテレビジョン学会技術報告(IPD8
3−8)、pp39−44.(1983年12月発行)
に代表的に示され、特許公開公報では特開昭52−14
9090号公報、及び特開昭55161273号公報中
に代表的に示され、その動作原理についても詳細に述べ
られている。
MIMにおいて、最も重要な材料は、絶縁体層の材料で
ある。従来の論文、特許公開公報等に記載のMIMでは
、絶縁体層の材料にタンタル(Ta)又はシリコンの酸
化物又は窒化物が主として用いられるが、これに限定さ
れない。又、金属は殆んど全ての金属を用いることが可
能であるが、主としてクロムかタンタルが用いられる。
ある。従来の論文、特許公開公報等に記載のMIMでは
、絶縁体層の材料にタンタル(Ta)又はシリコンの酸
化物又は窒化物が主として用いられるが、これに限定さ
れない。又、金属は殆んど全ての金属を用いることが可
能であるが、主としてクロムかタンタルが用いられる。
非線形抵抗素子の電流−電圧(I−V)特性は、種々の
形で数式化されるが、代表的なものとして、次の式が知
られている。
形で数式化されるが、代表的なものとして、次の式が知
られている。
I=A −V”
ここで、■は電流、■は電圧、αは非線形係数、AI−
j:比例定数である。既に述べたMIM素子等において
は、αは6以上の値をもつ。
j:比例定数である。既に述べたMIM素子等において
は、αは6以上の値をもつ。
以上述べたTFI)−LCD において、従来は、T
N型単純マInクスLCDに用いられている駆動方法と
実質的には同一の駆動方法が用いられている。従来の駆
動方法については、エレクトロニクス昭和63年4月号
pp42−46に詳述されている。
N型単純マInクスLCDに用いられている駆動方法と
実質的には同一の駆動方法が用いられている。従来の駆
動方法については、エレクトロニクス昭和63年4月号
pp42−46に詳述されている。
第5図は、注目している画素が選択画素であり、データ
信号ライン上、選択画素と非選択画素が交互に存在する
場合の駆動信号である。走査信号、データ信号は、負・
正の各フレームで第1表のような値をとる。負・正の各
1フレームでlfJ面の走査を行い、表示内容を書き込
む。アドレス時が各画素への書き込み区間、非アドレス
時が各画素の電荷保持区間である。■oとAlPの比(
■D/■P)は通常一定でありバイアス比と工ばれる。
信号ライン上、選択画素と非選択画素が交互に存在する
場合の駆動信号である。走査信号、データ信号は、負・
正の各フレームで第1表のような値をとる。負・正の各
1フレームでlfJ面の走査を行い、表示内容を書き込
む。アドレス時が各画素への書き込み区間、非アドレス
時が各画素の電荷保持区間である。■oとAlPの比(
■D/■P)は通常一定でありバイアス比と工ばれる。
TFD−LCD1画素の等節回路は、第7図のととく、
非線形抵抗素子13と液晶素子14とが直列に接続され
、データ信号線15と走看信+f3線16が両端に接続
される。これが逆でも、全く間題ない。
非線形抵抗素子13と液晶素子14とが直列に接続され
、データ信号線15と走看信+f3線16が両端に接続
される。これが逆でも、全く間題ない。
画素印加電圧は、(データ信号)−(走査信号)であり
、第2表の値をとる。それに対応して、液晶電圧が変化
し、表示コントラストとなる。理想的には、非線形素子
のI−V特性は、電圧の正負に対して対称のはずである
が、実際のMIM素子は非対称性が太きい。即ち、(1
)式で、αは同じでも■〉0の時のAの値A と■〈0
の時の人の値A−とは異なる。A )A+の時、液晶
電圧は、負フレームの方が絶対値が大きくなる。液晶の
コントラストは、液晶電圧の実効値で決まるため、この
ような場合は、画面のチラッキ、即ち、フリッカが目に
つきやすくなる。
、第2表の値をとる。それに対応して、液晶電圧が変化
し、表示コントラストとなる。理想的には、非線形素子
のI−V特性は、電圧の正負に対して対称のはずである
が、実際のMIM素子は非対称性が太きい。即ち、(1
)式で、αは同じでも■〉0の時のAの値A と■〈0
の時の人の値A−とは異なる。A )A+の時、液晶
電圧は、負フレームの方が絶対値が大きくなる。液晶の
コントラストは、液晶電圧の実効値で決まるため、この
ような場合は、画面のチラッキ、即ち、フリッカが目に
つきやすくなる。
第2表
ここで、第5図に示された駆動方法では、走査信号もデ
ータ信号もOVを中心に信号がふれている(との電圧を
中心電圧とよぶ)。しかし、この方法では、正負両型源
が必要であるので、複雑になる。又、通常、TN型単純
マトリクスLCD駆動方法においては、第5図の液晶印
加信号を電位差としては変えないようにして、フレーム
ごとに走査信号、データ信号釜々の中心電圧をかえるこ
とにより、必要な電源の数を減らしている(いわゆる位
相差駆動法)。このような駆動方法の一例を第3表に示
す。通常は、Vs をoV(GND)とすることが多
いが、他の任意の電圧に設定することが可能である。第
5図と第1表に示された駆動方法を実現するには、■L
CD−■P+ Vt−Vp ’I)+V2=VP−2V
D、 Vs = 2VD 、 V4 ””VD IV
5−0 とすればよい。
ータ信号もOVを中心に信号がふれている(との電圧を
中心電圧とよぶ)。しかし、この方法では、正負両型源
が必要であるので、複雑になる。又、通常、TN型単純
マトリクスLCD駆動方法においては、第5図の液晶印
加信号を電位差としては変えないようにして、フレーム
ごとに走査信号、データ信号釜々の中心電圧をかえるこ
とにより、必要な電源の数を減らしている(いわゆる位
相差駆動法)。このような駆動方法の一例を第3表に示
す。通常は、Vs をoV(GND)とすることが多
いが、他の任意の電圧に設定することが可能である。第
5図と第1表に示された駆動方法を実現するには、■L
CD−■P+ Vt−Vp ’I)+V2=VP−2V
D、 Vs = 2VD 、 V4 ””VD IV
5−0 とすればよい。
このような駆動波形をつくる従来の駆動回路は、第6図
に示されるように、コントロール部、データドライバ部
、走査ドライバ部と駆動電圧発生部とから通常構成され
る。この回路は、TN型単純マトリクスLCI)に用い
られているものと同一である。
に示されるように、コントロール部、データドライバ部
、走査ドライバ部と駆動電圧発生部とから通常構成され
る。この回路は、TN型単純マトリクスLCI)に用い
られているものと同一である。
第3表に示すように、負・正フレームに対応して、フレ
ーム信号が、コントロール部からデータドライバ部、走
査ドライバ部に出力さ扛る。この信号は論理レベルであ
り、第3表に示すL(ロウレベル)、H(ハイレベル)
は、もちろん、逆でもよい。
ーム信号が、コントロール部からデータドライバ部、走
査ドライバ部に出力さ扛る。この信号は論理レベルであ
り、第3表に示すL(ロウレベル)、H(ハイレベル)
は、もちろん、逆でもよい。
前記の従来の駆動回路を用いて、TFD−LCDを駆動
した場合は、フリッカが拙著に見えるという欠点があっ
た。
した場合は、フリッカが拙著に見えるという欠点があっ
た。
本発明は、TFD−LCDにおいてフリッカの無い表示
を実現する駆動回路を得ることを目的としている。
を実現する駆動回路を得ることを目的としている。
本発明の非線形抵抗素子を用いたアクティブマトリクス
液晶表示装置の駆動回路は、コントロール部と、データ
ドライバ部と、走査ドライバ部と、駆動電圧発生部から
構成され、前記駆動電圧発生部か電源フレーム切替回路
、電圧分割回路と増幅回路から構成されることを特徴と
した構成になっている。
液晶表示装置の駆動回路は、コントロール部と、データ
ドライバ部と、走査ドライバ部と、駆動電圧発生部から
構成され、前記駆動電圧発生部か電源フレーム切替回路
、電圧分割回路と増幅回路から構成されることを特徴と
した構成になっている。
第1図は本発明による駆動回路の概念図の一例、第2図
は前記概念図中の駆動電圧発生部の一例、第3図は前記
駆動電圧発生部中の電源フレーム切替回路の一例、第4
図は本発明による駆動回路による駆動波形と液晶電圧の
一例である。
は前記概念図中の駆動電圧発生部の一例、第3図は前記
駆動電圧発生部中の電源フレーム切替回路の一例、第4
図は本発明による駆動回路による駆動波形と液晶電圧の
一例である。
笛1図に示された本発明による駆動回路は、第6図に示
された従来の駆動回路と同じく、概念的にはコントロー
ル部、データドライバ部、走査ドライバ部、駆動電圧発
生部から構成される。本体トハ、パーソナル・コンピュ
ータ等のOA機器、もしくはテレビ回路である。コント
ロール部は本体から表示信号を受け、それをTFD−L
CDのドライバのコントロール信号に変換し、データド
ライバ部、及び走査ドライバ部に送る。データドライバ
部、走査ドライバ部は、コントロール部からの信号によ
り、駆動電圧部からの■LCD I V+ 、 V2
。
された従来の駆動回路と同じく、概念的にはコントロー
ル部、データドライバ部、走査ドライバ部、駆動電圧発
生部から構成される。本体トハ、パーソナル・コンピュ
ータ等のOA機器、もしくはテレビ回路である。コント
ロール部は本体から表示信号を受け、それをTFD−L
CDのドライバのコントロール信号に変換し、データド
ライバ部、及び走査ドライバ部に送る。データドライバ
部、走査ドライバ部は、コントロール部からの信号によ
り、駆動電圧部からの■LCD I V+ 、 V2
。
V3 、 V4の電圧を、第3表に従って印加する。
以上の動作は、第6図に示した従来の駆動回路と同じ動
作であるが、本発明による駆動回路は、コントロール部
からのフレーム信号により、駆動電圧部からの■LCD
I Vll ■21 V3+ V4 の電圧が正負フレ
ームで変わる点が特徴である。
作であるが、本発明による駆動回路は、コントロール部
からのフレーム信号により、駆動電圧部からの■LCD
I Vll ■21 V3+ V4 の電圧が正負フレ
ームで変わる点が特徴である。
このような動作は、第2図に示される駆動電圧発生部の
中の電諒フレーム切替回路により実現される。
中の電諒フレーム切替回路により実現される。
このような駆動波形を用いると、走査信号とデータ信号
の差である画素印加電圧信号の絶対値が、フレーム毎に
独立に設定可能となり、液晶電圧VLCDの実効値をフ
レーム間で一定にすることが可能になる。これにより、
フリッカのないTFDLCDが可能になる。
の差である画素印加電圧信号の絶対値が、フレーム毎に
独立に設定可能となり、液晶電圧VLCDの実効値をフ
レーム間で一定にすることが可能になる。これにより、
フリッカのないTFDLCDが可能になる。
本発明による圓1素印加電圧を第4表に示す。
第4表
正負フレーム間の画素印加電圧の絶対値の比である”P
/VP’+ (VP 2VD)/(VP’−2VD’
)を各々調整することにより、フリッカが無くなる比が
みつけられる。この比を表示最適比値とよぶ。バイアス
比が一定の場合は、■P/■2′を表示最適比値に設定
すればよい。ダイオード特性で、A−)Ai仮定スルと
、■や〉vP′、■o>vD′と設定すると、正・負フ
レーム間の液晶電圧の絶対値は等しくすることが可能に
なる。このように設定された例を第4図に示す。ただし
、この図中、走査信号とデータ信号は、便宜上、oVを
中心にしてふれているように示した(即ち、中心電圧が
oV)。
/VP’+ (VP 2VD)/(VP’−2VD’
)を各々調整することにより、フリッカが無くなる比が
みつけられる。この比を表示最適比値とよぶ。バイアス
比が一定の場合は、■P/■2′を表示最適比値に設定
すればよい。ダイオード特性で、A−)Ai仮定スルと
、■や〉vP′、■o>vD′と設定すると、正・負フ
レーム間の液晶電圧の絶対値は等しくすることが可能に
なる。このように設定された例を第4図に示す。ただし
、この図中、走査信号とデータ信号は、便宜上、oVを
中心にしてふれているように示した(即ち、中心電圧が
oV)。
第1図〜第3図に示された本発明による駆動回路によれ
ば、バイアス比は正負フレーム間で一定である(VD/
V、−V、’/V、’)。
ば、バイアス比は正負フレーム間で一定である(VD/
V、−V、’/V、’)。
以下、実施例に基づいて説明する。代表的なMIM−L
CDの構造、作製法は以下のとうりである。
CDの構造、作製法は以下のとうりである。
まず、下部ガラス基板l上の膜形成、MIM素子の製作
について述べる。第8図において、下部ガラス基板lを
Ta205,5iOz等のガラス保護膜2で被覆する。
について述べる。第8図において、下部ガラス基板lを
Ta205,5iOz等のガラス保護膜2で被覆する。
この保護膜2は、不可欠なものではないので、被覆を省
略することもできる。次にこの上にリード電極を形成後
、絶縁体層4を形成する。
略することもできる。次にこの上にリード電極を形成後
、絶縁体層4を形成する。
絶縁体層4の窒化シリコンは、種々の方法で形成するこ
とが可能であるが、本実施例においては、窒素ガス、シ
ランガス、水素ガスなどの混合ガスによるプラズマCV
D法を用いて約100OA に形成した。
とが可能であるが、本実施例においては、窒素ガス、シ
ランガス、水素ガスなどの混合ガスによるプラズマCV
D法を用いて約100OA に形成した。
上部電極5はCrとし、抵抗加熱法により絶縁体層上に
形成し、通常のフォトリングラフィによりパターン化し
た。下部透明電極6は、酸化インジウム−酸化スズ(通
称ITO) とし、マグネティック・スパッタリング
により絶縁体層上に形成し、通常のフォトリングラフィ
法によりパターン化した。
形成し、通常のフォトリングラフィによりパターン化し
た。下部透明電極6は、酸化インジウム−酸化スズ(通
称ITO) とし、マグネティック・スパッタリング
により絶縁体層上に形成し、通常のフォトリングラフィ
法によりパターン化した。
上部ガラス基板7上の膜形成、パターン化は通常の単純
マルチプレックスLCDとほとんど同一である。上部ガ
ラス基板7は、5I02等のガラス保護膜8で被覆され
ているか、この保護膜8は不可欠ではない。上部透明電
極9も、下部透明電極6と同じく酸化インジウム−酸化
スズであり、マグネティック・スパッタリングにより形
成し通常のフォトリソグラフィ法によりパターン化した
。
マルチプレックスLCDとほとんど同一である。上部ガ
ラス基板7は、5I02等のガラス保護膜8で被覆され
ているか、この保護膜8は不可欠ではない。上部透明電
極9も、下部透明電極6と同じく酸化インジウム−酸化
スズであり、マグネティック・スパッタリングにより形
成し通常のフォトリソグラフィ法によりパターン化した
。
下部ガラス基板1と上部ガラス基板7とは、ガラスファ
イバー等のスペーサを介して張り合わされ、通常のエポ
キシ系接着剤によりシールした。
イバー等のスペーサを介して張り合わされ、通常のエポ
キシ系接着剤によりシールした。
セル厚は8μmとした。
両ガラス基板1,7はラビングにより配向処理をした。
この場合、ポリイミド等の配向処理膜を塗布することが
多いが不可欠ではないので、第1図では省略した。
多いが不可欠ではないので、第1図では省略した。
上記のセルに、ツイスト・ネマティック型液晶であるZ
LI−1565(メルク製)を注入孔より注入して、液
晶Nloとした。注入孔を接着剤で封止することにより
TFI)−LCDを完成した。
LI−1565(メルク製)を注入孔より注入して、液
晶Nloとした。注入孔を接着剤で封止することにより
TFI)−LCDを完成した。
第9図に、下部ガラス基板l上の1画素の素子パターン
を示す。このように下部透明電極6は、1画素毎に分離
されている。リード電極3は陽極酸化により前面が絶縁
体層4で覆われており、又、リード電極3からは各画素
に対応して小さな突起がでている。この突起状の電極1
1は、上部電極5と交差しており、この交差部がMIM
素子になっている。
を示す。このように下部透明電極6は、1画素毎に分離
されている。リード電極3は陽極酸化により前面が絶縁
体層4で覆われており、又、リード電極3からは各画素
に対応して小さな突起がでている。この突起状の電極1
1は、上部電極5と交差しており、この交差部がMIM
素子になっている。
第1O図に、本実施例TFD−LCDの構造の一部を示
す。このように、下部ガラス基板l上の各画素が格子状
に並び、リード電極3は横にっながり、端部で端子部1
2を構成している。第8図における上部ガラス基板7上
の上部透明電極9は、図示のように各画素を縦にりなげ
た形で帯状に形成されている。この上部透明電極9の形
状は、単純マルチプレックス駆動のLCDの電極形状と
ほぼ同一である。
す。このように、下部ガラス基板l上の各画素が格子状
に並び、リード電極3は横にっながり、端部で端子部1
2を構成している。第8図における上部ガラス基板7上
の上部透明電極9は、図示のように各画素を縦にりなげ
た形で帯状に形成されている。この上部透明電極9の形
状は、単純マルチプレックス駆動のLCDの電極形状と
ほぼ同一である。
本実施例による駆動回路の概念図は、第1図に示すとう
りである。本図中の駆動電圧発生部の詳細図を第2図に
示す。
りである。本図中の駆動電圧発生部の詳細図を第2図に
示す。
本回路は、電圧■、。。を、電圧分割回路中の抵抗R1
,R2,R3,R4,lR5,R6により、分割し、電
圧Vl、 V2. V3. V4を得る。これらの電圧
レベルを増幅回路により電流増幅して、データドライバ
部、走査ドライバ部に印加する。以上の回路、及び動作
は、従来の回路と同様であるが、電圧■LoDを、コン
トロール部からのフレーム信号により、正・負フレーム
で異なる値に設定するところが、本発明の特徴である。
,R2,R3,R4,lR5,R6により、分割し、電
圧Vl、 V2. V3. V4を得る。これらの電圧
レベルを増幅回路により電流増幅して、データドライバ
部、走査ドライバ部に印加する。以上の回路、及び動作
は、従来の回路と同様であるが、電圧■LoDを、コン
トロール部からのフレーム信号により、正・負フレーム
で異なる値に設定するところが、本発明の特徴である。
このような機能を行う回路が、電源フレーム切替回路で
ある。
ある。
通常、R1,R2,R3,R5,R6は同じ値の固定抵
抗、R4は半固定抵抗が用いられるが、このような設定
には限定されない。−例としては、固定抵抗が3 k<
2であり、半固定抵抗が50にΩである。
抗、R4は半固定抵抗が用いられるが、このような設定
には限定されない。−例としては、固定抵抗が3 k<
2であり、半固定抵抗が50にΩである。
まだ、増幅回路には、IC演算増幅器(いわゆるオペ・
アンプ)を用いたボルテージ・フォロワー回路が用いら
れるが、これに限定されるものではない。オペ・アンプ
は高入力インピーダンス、高ゲインの差動アンプである
。
アンプ)を用いたボルテージ・フォロワー回路が用いら
れるが、これに限定されるものではない。オペ・アンプ
は高入力インピーダンス、高ゲインの差動アンプである
。
本実施例による電源フレーム切替回路を第3図に示す。
OPI、OF2.OF2.OF2はオペ・アンプ、VR
I、VH2,VH21’j半固定1.lf:可変抵抗器
、R11,R12,R13は固定抵抗器である。
I、VH2,VH21’j半固定1.lf:可変抵抗器
、R11,R12,R13は固定抵抗器である。
V LCDは、正・負フレームにより、Vll又は■2
の値をとるとする( Vlt ) V12 )。VRI
により、Vllの値が設定される。この電圧レベルV2
1は、第2図中の増幅回路と同様に、オペ・アンプOP
Iにより、電流増幅される。V21f V R2と1口
1で分割することにより、V22の値が設定される。
の値をとるとする( Vlt ) V12 )。VRI
により、Vllの値が設定される。この電圧レベルV2
1は、第2図中の増幅回路と同様に、オペ・アンプOP
Iにより、電流増幅される。V21f V R2と1口
1で分割することにより、V22の値が設定される。
V22はOF2により電流増幅される。V21とV22
は、フレーム信号に従い、アナログスイッチで切替られ
る。このようなフレーム毎にV21とV22をとる信号
をOF2により電圧増幅し、OF2により電流増幅する
。
は、フレーム信号に従い、アナログスイッチで切替られ
る。このようなフレーム毎にV21とV22をとる信号
をOF2により電圧増幅し、OF2により電流増幅する
。
代表的な各回路定数は以下のとうりである。
VR]、、=10にΩ、VR2=10にΩ、VR3=5
0にΩ、R11=4.7にΩ、R12=47にΩ、R1
3= 10 kUである。OPI、OF2.OF2.O
F2は通常のICのオペアンプが用いられるが、OF2
゜OF2は高耐圧のものが望ましい。VHHは、5V程
度が適当である。
0にΩ、R11=4.7にΩ、R12=47にΩ、R1
3= 10 kUである。OPI、OF2.OF2.O
F2は通常のICのオペアンプが用いられるが、OF2
゜OF2は高耐圧のものが望ましい。VHHは、5V程
度が適当である。
第3図中で、OF2.OF2は必要不可欠のものではな
いが、高耐圧のアナログスイッチが高価格であるため、
本実施例では用いた。
いが、高耐圧のアナログスイッチが高価格であるため、
本実施例では用いた。
第8図の構造のLCDに第7図の電圧印加方法をとる場
合、上部透明電極9が走査信号線となり、リード電極3
がデータ信号線となる。
合、上部透明電極9が走査信号線となり、リード電極3
がデータ信号線となる。
本実施例で用いたTFD−LCDは、第5図の駆動法を
用いた場合、V、=19V、バイアス比−9で最大コン
トラストの表示がでたが、フリッカが存在した。VP=
15〜17■とし、中間調の表示でフリッカが顕著にな
るようにしだ後、第4図の駆動法ノごとく、フレーム間
で■1をかえ(即ち、■やと■2′)、フリッカが完全
に無くなるように調整するのは、容易であった。この時
、VP=14.3V。
用いた場合、V、=19V、バイアス比−9で最大コン
トラストの表示がでたが、フリッカが存在した。VP=
15〜17■とし、中間調の表示でフリッカが顕著にな
るようにしだ後、第4図の駆動法ノごとく、フレーム間
で■1をかえ(即ち、■やと■2′)、フリッカが完全
に無くなるように調整するのは、容易であった。この時
、VP=14.3V。
V、’−17V であり、表示最適比値(−’VP/
■2′)は0.842であった。ここで、バイアス比は
正・負フレームともに9で一定である。特に、画面全体
が選択画素(即ち全面ON)の表示にすると特に容易で
あった。
■2′)は0.842であった。ここで、バイアス比は
正・負フレームともに9で一定である。特に、画面全体
が選択画素(即ち全面ON)の表示にすると特に容易で
あった。
■やと■、 の比、及びバイアス比を変えずに駆動電圧
を上げ、Vp=16V、v、’−19vでコントラスト
比20以上、クロストーク無、フリッカも全く無い高コ
ントラスト表示が得られた。
を上げ、Vp=16V、v、’−19vでコントラスト
比20以上、クロストーク無、フリッカも全く無い高コ
ントラスト表示が得られた。
このように、本発明の駆動回路を用いることにより、容
易に、フリッカの無い表示が得られた。
易に、フリッカの無い表示が得られた。
第1図は、本発明による駆動回路の概念図の一例を示す
図、第2図は、第1図中の駆動電圧発生部の一例を示す
図、箕3図は、第2図中の電源フレーム切替回路の一例
を示す図、第4図は、本発明による駆動回路により発生
せしめられた駆動波形と液晶電圧の一例を示す図、第5
図は、従来の駆動法の一例を示す図、第6図は、従来の
駆動回路の一例を示す図、第7図は、TFD−LCD
1画素の等価回路、第8図は、実施例に用いたMIJ
、1.−LCDの断面図、第9図は、実施例に用いたM
IM−LCDの1画素の構造平面図、第10図は、実施
例に用いたMIM−LCD一部分の透視構造平面図であ
る。 1・・・・・・下部ガラス基板、2,8・・・・・・ガ
ラス保護膜、3・・・・・・リード電極、4・・・・・
・絶縁体層、5・・・・・・上部電極、6・・・・・・
下部透明電極、7・・・・・・上部ガラス基板、9・・
・・・・上部透明電極、10・・・・・・液晶層、11
・・・・・・突起状の電極、12・・・・・・端子部、
13・・・・・・非線形抵抗素子、工4・・・・・・液
晶素子、15・・・・・・データ信号線、16・・・・
・・走査信号線。 代理人 弁理士 内 原 晋 第1区 第6図 第7図
図、第2図は、第1図中の駆動電圧発生部の一例を示す
図、箕3図は、第2図中の電源フレーム切替回路の一例
を示す図、第4図は、本発明による駆動回路により発生
せしめられた駆動波形と液晶電圧の一例を示す図、第5
図は、従来の駆動法の一例を示す図、第6図は、従来の
駆動回路の一例を示す図、第7図は、TFD−LCD
1画素の等価回路、第8図は、実施例に用いたMIJ
、1.−LCDの断面図、第9図は、実施例に用いたM
IM−LCDの1画素の構造平面図、第10図は、実施
例に用いたMIM−LCD一部分の透視構造平面図であ
る。 1・・・・・・下部ガラス基板、2,8・・・・・・ガ
ラス保護膜、3・・・・・・リード電極、4・・・・・
・絶縁体層、5・・・・・・上部電極、6・・・・・・
下部透明電極、7・・・・・・上部ガラス基板、9・・
・・・・上部透明電極、10・・・・・・液晶層、11
・・・・・・突起状の電極、12・・・・・・端子部、
13・・・・・・非線形抵抗素子、工4・・・・・・液
晶素子、15・・・・・・データ信号線、16・・・・
・・走査信号線。 代理人 弁理士 内 原 晋 第1区 第6図 第7図
Claims (1)
- コントロール部と、データドライバ部と、走査ドライバ
部と、駆動電圧発生部とから構成された非線形抵抗素子
を用いたアクティブマトリクス液晶表示装置の駆動回路
において、前記駆動電圧発生部が電源フレーム切替回路
、電圧分割回路と増幅回路から構成されることを特徴と
したアクティブマトリクス液晶表示装置の駆動回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32684488A JPH02170124A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動回路 |
| US07/407,429 US5117298A (en) | 1988-09-20 | 1989-09-14 | Active matrix liquid crystal display with reduced flickers |
| DE68920935T DE68920935T2 (de) | 1988-09-20 | 1989-09-18 | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix mit reduziertem Flimmern. |
| EP89309439A EP0360523B1 (en) | 1988-09-20 | 1989-09-18 | Active matrix liquid crystal display with reduced flicker |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32684488A JPH02170124A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170124A true JPH02170124A (ja) | 1990-06-29 |
Family
ID=18192345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32684488A Pending JPH02170124A (ja) | 1988-09-20 | 1988-12-23 | アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170124A (ja) |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32684488A patent/JPH02170124A/ja active Pending
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