JPH02170512A - 粒界絶縁型半導体磁器基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、２種以上の誘電率を有し、複数個のコンデン
サを内蔵する種々の電子回路用基板あるいは基体に用い
ることができる粒界絶縁型半導体磁器基板およびその製
造方法に関するものである。

（従来の技術） 近年、電子機器の小型化の動きが活発である。

このなかで、磁器基板は、その表面上に厚膜法または薄
膜法によって形成された導体回路、抵抗などを有し、さ
らにチップ形態のコンデンサおよびインダクタンスなど
を実装している。しかし、この基板はその役割がただ単
に前記電子部品類を載せることにあるため、いわば電気
機能的には空間となっており、この空間内すなわち基板
内に前記電子部品の一部を移すことによって、さらに小
型化を計る試みが行われている。具体的な例として、誘
電体シートを多層化することによりコンデンサを基板内
に内蔵させて小型化する技術が提案されている。

しかし、誘電体シートを多層化したタイプのコンデンサ
内蔵基板は、誘電体シートと電極材料とを交互に積層し
て多層化するため、工程が煩雑になるとともに、内蔵コ
ンデンサ相互間の容Ｎ（以下クロス容量という）が大き
いため信号の漏洩量を無視出来ないという問題点を有す
る。すなわち、コンデンサ内蔵基板を、基板内□に複数
個のコンデンサがそれぞれ電気的に十分に分離された状
態で、しかも簡便な方法で形成することは、従来全く困
難であった。

一方、特願昭６２−１５６４１号に記載されているよう
に、チタン酸ストロンチウムを主成分とし、原子価制御
剤としてＹ２Ｏ３、その他の添加剤としてＭｎＯ２を含
有してなる成形体の表面にＡ１．ｔ０３およびＳｉＯ□
からなる混合物を供給し、前記成形体の内部に拡散させ
て誘電率の異なるセラミックを製造する方法がある。こ
れは、Ａ　ｊ２　ｔ’ｓおよび５ｉｆｔが拡散した領域
は低誘電率化し、拡散のない領域は、チタン酸ストロン
チウム系の粒界絶縁型半導体磁器本来の高い誘電率を呈
し、かつ、前記誘電率化領域の存在によりクロス容量の
小さい単層からなるコンデンサ内蔵基板を提供するもの
である。

しかし、Ａ　ｆｆｉ　ｚＯ，およびＳｉｎｇからなる混
合物を成形体の上に供給し拡散させる方法においては、
高誘電率領域、低誘電率領域の焼結後の収縮率が実用上
無視できない程度に異なる（低誘電率領域の方が高誘電
率領域よりも収縮が小さい）ため、形状的なゆがみを生
じ、後工程での位置決め精度や、スルーホールの位置精
度を確保するため、低誘電率領域の設置を考える際には
、これらの弊害を軽減するよう特別の配慮を必要とし、
設計の自由を著しく損なうものであった。

これに対し、特願昭６３−１９３５１４に記載されたよ
うに、成形体の供給後拡散し、低誘電率領域を形成する
成分または組成物として、ＶｚＯｓ＋Ｃｒｚ０３等から
なる群から選ばれた少なくとも１種の成分または、Ｖｚ
Ｏｓ＋Ｃｒｚ（ｈ等からなる群から選ばれた少なくとも
１種の成分とＳｉｎｇ、　ＴｉＯ２等からなる群から選
ばれた少なく１種の成分とからなる組成物を用いる方法
がある。この方法によれば、前記Ａｆｚ（ｈおよび５ｉ
ｎ２の場合の欠点である収縮率の差による形状的なゆが
みは実用上問題のない程度にまで改善される。

このように特願昭６３−１９３５１４号に記載された方
法は、多くの利点を有するが、クロス容量を十分に低減
させる、例えば、低誘電率領域を形成しない場合のクロ
ス容量値のおよそ１７２０以下にするには、成形体への
供給幅は少なくとも１　ｍｍを必要とし、これが、更に
小型化を計る際の障害となっていた。

本発明の目的は、誘電率の高い粒界絶縁型半導体磁器か
らなる複数個のコンデンサを、０．３〜０．５　ｗ幅の
低誘電率領域の形成でそれぞれ電気的に十分に分離して
小型化を推進し、さらに機械的強度の低下がな（、かつ
形状的なゆがみのない状態で内蔵させることのできる磁
器基板およびその製造方法を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 上記第１の目的は５ｒＴｉＯ＝を主成分とし、原子価制
御剤を含有されている半導体磁器の結晶粒界に絶縁層を
有する高誘電率の磁器からなる第１の領域と、該第１の
領域の組成に、＾ｌ　ｔ（１３＋Ｃｒ！Ｏ：ｌ＋Ｃｏｏ
、ＮｉＯおよびＳｎＯ□からなる群から選ばれた少なく
とも１種の成分が更に含有された組成で、低誘電率の磁
器からなる第２の領域とを具備することを特徴とする粒
界絶縁型半導体磁器基板または５ｒＴｉ０３を主成分と
し、原子価制御剤が含有されている半導体磁器の結晶粒
界に絶縁層を有する高誘電率の磁器からなる第１の領域
の組成に、Ａｊ！ｚＯ＋。

Ｃｒｚ（ｈ＋　Ｎｉｐ、およびＳｎＯ□からなる群から
選ばれた少なくとも１種の成分５５．０〜９９．９モル
％とＳｉｎｇ。

ＴｉＯ２，Ｍｎ０１．　ＣｕＯおよびＺｎＯからなる群
から選ばれた少なくとも１種の成分４５．０〜０．１モ
ル％とからなる組成物が更に含有された組成で、低誘電
率の磁器からなる第２の領域とを具備することを特徴と
する粒界絶縁型半導体磁器基板によって達成される。

また上記第１の目的の基板は本発明は、第１段階として
、５ｒＴｉＯ，を主成分とし原子価制御剤を含有する高
誘電率組成物からなる焼結体の主表面上に、Ａ　ｌ　！
０！＋　ｖｚｏｓ＋　Ｃｒｚ（ｈ＋　Ｃｏｏ、　ＮｉＯ
およびＳｎｏｗからなる群から選ばれた少なくとも１種
の低誘電率用成分を、あるいはＡ　ｌ　ｔｃｈ＋　Ｖｚ
Ｏｓ、　ＣｒｚＯｓ＋　ＣｏＯ＋ＮｉＯおよび５ｎＯｚ
から選ばれた少なくとも１種の成分５５．０〜９９．９
モル％とＳｔａｇ、　ＴｓＯｔ＋　Ｍｎ０ｚ、　ＣｕＯ
およびＺｎＯからなる群から選ばれた少なくとも１種の
成分４５．０〜０．１モル％とからなる低誘電率用組成
物を、複数個の領域が画成されるように供給し：第２段
階として前記低誘電率用成分を前記成形体の内部°に拡
散させるとともに該焼結体を反動体化させ；第３段階と
して結晶粒界を絶縁することを特徴とする粒界絶縁型半
導体磁器の製造方法によって達成される。

本発明方法の好適例では、中性または還元雰囲気中ての
拡散を焼成により行う。この場合には拡散に特別な工程
を必要とせず、通常粒界絶縁型磁器基板の製造上必要と
される中性または還元雰囲気中での焼成工程の中で拡散
が実現されるという利点がある。

ここに「低誘電率用成分」または「低誘電率用組成物」
とは、高誘電率成形体を低誘電率に変えるために加えら
れる成分または組成物を意味するせのとする。また「組
成物」とは、混合物のほかに化合物を包含するものとす
る。

次に本発明を図面を参照して例について説明する。

第１図は本発明方法によって製造した複数の誘電率を有
する粒界絶縁型半導体磁器基板の断面図であり、第２図
は第１図の磁器基板においてコンデンサとして用いる部
分に電極が形成されているコンデンサ内蔵磁器基板の断
面図である。第１図および第２図において、１はコンデ
ンサとして用いられる高誘電率領域であり、２は内蔵コ
ンデンサ相互間の容量を低下させるための低誘電率領域
であり、３はコンデンサの電極であり、６は粒界絶縁型
半導体磁器基板である。

コンデンサとして用いられる高誘電率領域１において、
その誘電率は１５０００以上とするのが好ましい。この
場合にはセラミックの厚さが変化したとしても、コンデ
ンサ容量として１０００ｐＰ以上のものを形成すること
ができ、汎用されているセラミックチップコンデンサの
内のかなり多くの種類のコンデンサを磁器内に形成する
ことができる。

また、コンデンサを構成する磁器としては誘電率のほか
に誘電損失（ｔａｎδ）、温度特性などの性能が良好な
ものが求められている。それらを９−−６ものとして５
ｒＴｉＯ，を主成分とする粒界絶縁型半導体磁器が知ら
れている。

５ｒＴｉ０３を主成分とする粒界絶縁型半導体磁器の構
成成分として、ＹｚＯ：＋＋ＮｂｚＯｓ＋ＴａｚＯｓ＋
ＷＯｚおよびＬａ、０．をはじめとするランタン系列元
素酸化物からなる群から選ばれた少なく１種の原子価制
御剤が用いられる。さらに、高誘電率を得るには、磁器
の結晶粒子径を大きくする必要があるが、そのために適
当な添加剤を加えることも行われる。

Ｍｎ０ｚ＋ＣｕＯ，５ｉＯｚ＋Ｚｒ０ｚなどの添加剤は
その例である。

一方、主成分の５ｒＴｉ０３については、その温度特性
、誘電率、誘電損失などの大きさを調整するために、Ｓ
ｒ対ＴｉＯ比を１：１から若干変化させたり、Ｓｒの一
部をＣａおよびＢａで置換することも可能である。、 上述の組成を有する高誘電率領域を複数個の領域に分離
するために、第１図に示すように低誘電率領域２を基板
内に設けるが、以下にその方法について第３〜６図を参
照して説明する。

先ず、第１段階として： １）高誘電率組成物からなる成形体４を押出成形法、ド
クターブレード法などにより得る（第３図）。

２）下式で与えられる収縮率が目安として３％から１４
％の範囲となるように成形体４を大気中１０５０〜１３
００°Ｃ程度で焼成し、焼結体５を得る。

但し、 へ〇：成形体４のある特定辺の長さ Ａ１：大気焼成後の焼結体の該当選の長さ３）第４図に
示すように、焼結体５の主表面（好ましくは４表および
裏の対向する両面）の所定部分に、上述の低誘電率用成
分または低誘電率用組成物を、　これにエチルセルロー
ス、？ｔｊ　剤などを加えて得たペースト６として塗布
する。

この場合に、ペーストの塗布幅としては０．１ｍｍ以上
、望ましくは０．２　ｍｍ以上が必要とされる。

次いで、第２段階として： ４）　塗布ペースト中のバインダー成分を除くために大
気中６００〜１０００°Ｃ程度で仮焼する。

５）　このものを水素と窒素との混合ガス、水素とアル
ゴンとの混合ガスなどの還元性雰囲気、あるいは窒素、
アルゴンなどの中性雰囲気中において、１３２０〜１４
５０°Ｃで焼成して半導体磁器を得る。またこの過程で
、塗布したペースト６中の低誘電率用成分または低誘電
率用組成物は成形体の内部に拡散し、半導体磁器基板７
が生成する（第５図参照）。

しかる後に、第３段階として： ６）　この半導体磁器の結晶粒界を絶縁するため、例え
ば重量比がＢｉｚ０３／ＣｕＯ／エチルアルコール−０
，７１０，３／１０またはＰｂＯ／エチルアルコール−
１／１０である懸濁液にドブ漬けした後に、大気中にて
１１００°Ｃ〜１３００°Ｃで焼成する。これによりペ
ースト６を塗布した部分は低誘電率磁器２となり残りの
部分は高誘電率磁器１である。かくして、高誘電率磁器
１と低誘電率磁器２とからなる粒界絶縁型半導体磁器基
板７が得られる。

なお、粒界絶縁型半導体磁器基板７の主表面上の所望の
場所にＡｇ、＾ｕ、ＡＩ、Ｎｉ＋Ｃｕ＋Ｚｎ、Ａｇ−Ｐ
ｄ　Ａｇ−Ｐｔなどの電極３を焼き付けることにより、
コンデンサを形成することができる。

なお、低誘電率化の確認は、隣り合ったコンデンサ間の
容量、すなわちクロス容量を測定することにより行うこ
とができる。

また、本発明方法により得られる磁器基板の基板として
の強度は、高誘電率領域のみの場合より著しく向上する
。

上述のように、本発明方法によりコンデンサとしての特
性が良好で、クロス容量の大幅な低減を示すコンデンサ
を内蔵させることができ、かつ、形成的なゆがみ防止、
機械的強度の面で良好で小型化に寄与する基板を製造す
ることができる。

（作　用） 半導体化を経て粒界を絶縁した後に高誘電率磁器を形成
する焼結体の所定の表面上に塗布されるＡ１．２０３．
シｚＯｓ、Ｃｒｚ０３．ＣｏＯ，ＮｔＯおよびＳｎＯ２
からなる群から選ばれた少なくとも１種の低誘電率用成
分、またはＶｚＯｓ＋ＣｒｚＯｓ＋ＣＯＯ９ＮＩＯおよ
びＳｎｕｇからなる群から選ばれた少なくとも１種の成
分５５．０〜９９．９モル％とＳ　ｉＯｚ　＋　Ｔ　ｒ
　Ｏｚ　ｒ　Ｍ　ｎ　Ｏｔ　＋　Ｃｕ　ＯおよびＺｎＯ
からなる群から選ばれた少なくとも１種の成分４５．０
〜０．１モル％とからなる低誘電率用組成物の作用を、
以下に説明する。

まず、これらの低誘電率用成分または組成物を塗布物と
した場合には、本製造法の特徴として、塗布の有無によ
り焼結後の収縮率が大きく変化しない点を挙げることが
できる。これにより、焼結体としての形状的なゆがみは
例えば特願昭６２−１５６１４１のようにＡ１□０．と
５ｉ０２との混合物を成形体に塗布物した場合よりも顕
著に軽減され、優れた寸法安定性が得られる。

前記高誘電率組成物からなる焼結体にＡ　ｆｆｉ　２０
２゜ＶｚＯｓ＋ＣｒｚＯ＊＋　ＣｏＯ，ＮｉＯおよびＳ
ｎＯ，からなる群から選ばれた少なくとも１種の成分を
添加した場合には、その添加量の増加とともに半導体磁
器の結晶粒径は小さくなり、体積抵抗率は増大し、その
結果誘電率は顕著に低下する。つまり、Ａ　ｌ１ｚ（ｈ
。

Ｖ２Ｏ，、Ｃｒ２Ｏ５，Ｃｏｄ、　ＮｉＯおよびＳｎＯ
２からなる群から選ばれた少なくとも１種の成分の存在
により、高誘電率組成物は選択的に低誘電率組成物に転
化する。

次に、Ｖ２Ｏ３，Ｃｒ２Ｏ２，Ｃｏｄ、　ＮｉＯおよび
ＳｎＯ，からなる群から選ばれた少なくとも１種の成分
を高誘電率組成物からなる焼結体に塗布し、次いで粒界
絶縁型半一導体磁器の通常の工程に従い、空気中焼成に
より脱バインダー後に、中性または還元性の雰囲気中で
焼成することにより、塗布物は焼結体内部へ拡散し、拡
散域は低誘電率領域に転化する。

但し、／／！ｚｏ＊＋ＶｚＯｓ＋　ＣｒｚＯ＝、　Ｃｏ
ｏ、　ＮｉＯおよびＳｎＯ□の焼結体内部への拡散速度
は比較的遅いため、焼結体の厚さが厚い場合には、焼結
体内部への拡散が不十分となり誘電率の低下も鈍化する
。つまり、ＶｚＯｓ＋　Ｃｒｚ（ｈ＋　Ｃｏｄ、　Ｎｉ
ＯおよびＳｎＯ，からなる群から選ばれた少なくとも１
種の成分を焼結体表面に塗布することは、焼結体の厚さ
がさほど厚くない場合、例えば最終の磁器の厚さが０．
５　ｍｍ以下程度の場合に有効である。

これに対し、Ａ　ｊ！　ｚ０３．　Ｖ２Ｏ３，Ｃｒｚ（
ｈ＋　Ｃｏｄ、　ＮｉＯおよび　ＳｎＯ□からなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の成分５５．０〜９９．９モ
ル％と５ｉＯｚ、Ｔｉ０ｚ、　Ｍｎ０ｚ＋ＣｕＯおよび
ＺｎＯからなる群から選ばれた少なくとも１種の成分４
５．０〜０．１モル％とからなる低誘電率用組成物を塗
布した場合には、磁器の厚さが０．５　ｍを超えても誘
電率が顕著に低下する。従って、Ｓｔｏｗ、　ＴｔＯｚ
＋　ＭｎＯ２，ＣｕＯおよびＺｎＯはそれ自体磁器内部
に拡散するとともに、Ａｊ！ｚＯｚ、ＶｚＯｓ。

ＣｒｚＯ３，ＣｏＯ，ＮｉＯおよび５ｎＯｚの焼結体内
部への拡散を促進する作用を有する。

また、５ｉＯｚ＋　ＴｔＯｚ＋　Ｍｎ０ｚ＋　ＣｕＯお
よびＺｎＯは、低誘電率領域の機械的強度を顕著に向上
させる効果を有する。

低誘電率用組成物における組成の数値限定理由は次の通
りである。５ｉｎ２．　Ｔｉ（ｈ＋　Ｍｎ０ｚ＋　Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯからなる群から選ばれた少なくとも１種
の成分が、４５，０モル％を超えた場合には、高誘電率
から低誘電率への転化が鈍くなるとともに、曲げ強度で
代表される機械的強度が顕著に低下する。

逆に、０．１モル％未満では、ＶｚＯｓ＋　ＣｒｚＯｓ
＋　Ｃｏｏ。

ＮｉＯおよびＳｎｕｇの磁器内部への拡散促進効果が低
下し、磁器の厚さが厚い場合には、高誘電率から低誘電
率への転化が顕著に鈍くなるとともに、機械的強度の向
上が認められなくなるので好ましくない。

所要の塗布量は最終の磁器の厚さによって変化し、厚く
なるほど塗布量が増加するが、回路磁器基板の厚さが１
．６　ｍｍにおいて磁器基板の塗布面積当り１６■／ｃ
ｍ”以下の塗布量で十分である。更に多量に塗布した場
合には、機械的強度が大幅に低下してくるので好ましく
ない。

また、本発明においては、成形体を大気中で焼成しそれ
に伴う収縮率が目安として３％から１４％の範囲となる
ようにして得られた焼結体に前記低誘電率用成分または
低誘電率用組成物を供給し、これを拡散させて低誘電率
領域を形成することを特徴とするが、これは次の理由に
よるものである。

本発明は０．３〜０．５　ｍｍの幅でクロス容量を十分
に低減させようとするものであるが、収縮率がおよそ３
％を下回る焼結体については、低誘電率用成分または組
成物の拡散が促進されず、クロス容量はかなり高い値の
ままである。

逆に、収縮率がおよそ１４％を超えた場合には内蔵コン
デンサの容量の低下とクロス容量の増加が顕著となり好
ましくない。

これは、収縮率がある程度大きくなることにより、低誘
電率用成分または組成物の拡散が、焼結体の内部の方向
（厚さ方向）よりも表面方向に活発となるためである。

従って、低誘電率用成分または組成物が供給、拡散され
る焼結体については、ある適当な範囲の収縮率のものと
なるように焼成条件を設定する必要があるが、これは、
先行実験により容易に知ることができる。

以上より、低誘電率用成分または組成物の拡散について
は、焼結体の収縮率に代表される焼結度合が大きな因子
となっていることが予想されるが、これは、焼結体の開
気孔（オープンボア）の状況等の影響により、拡散速度
、方向および拡散成分の最終的な存在位置と濃度との関
係が異ってくるためと考えられる。

（発明の効果） 本発明方法によれば、２種以上の誘電率を有する領域か
らなる磁器基板が得られるので、複数個のコンデンサ部
をそれぞれ電気的に十分に分離された状態で内蔵させる
ことができ、従って回路基板、ひいては電子機器の小型
化および高性能化に大きく貢献することができる。

また、八’！ｚＯｓ＋ＶｚＯｓ＋　Ｃｒｚ０３．　Ｃｏ
ｄ、　ＮｉＯおよびＳｎＯ，からなる群から選定した少
なくとも１種の成分と５ｉＯｚ、　Ｔｔ（ｈ＋　Ｍ＋１
０２１　ＣＬＩＯおよびＺｎＯからなる群から選定した
少なくとも１種の成分とを併用した場合には、拡散によ
り低誘電率化した領域は、高誘電率領域より機械的強度
がさらに増大しており、製造工程での破損などの不良発
生を軽減することもできる。

加えて、低誘電率用成分または組成物を塗布拡散させた
部分つまり低誘電率領域と高誘電率領域との焼結時の収
縮率がほぼ等しいため、形状的なゆがみが少なく、厚膜
工程での位置決め精度なども、通常のＡ　ｆｆｉ　２０
．基板と同等である。

（実施例） 次に本発明を実施例および比較例について説明する。

第１表に示す組成になるように各原料を秤取し、湿式ボ
ールミルで１２時間粉砕混合し、乾燥した。

次に空気中１１５０’Ｃ１５時間で仮焼後、湿式ボール
ミルで１８時間粉砕した。この混合物を乾燥後、メチル
セルロースを加え、押出成形によりそれぞれ第２表に示
す厚さの成形体を得た。この成形体を１８．８ｍｍ　Ｘ
　１２．５ｍｍの大きさに打ち抜いた。これを、第２表
に示す温度で１時間焼成し焼結体を得た。

このようにして得られた焼結体の収縮率および平均粒子
径を第２表に示す。

次に焼結体の表および裏の両面に第４図に示すように、
焼結体４の中央位置で焼結体の短辺に平行に、第２表の
「焼結体への塗布物」の欄に示す比率に調製した粉末と
、エチルセルロースと、溶剤とからなるペーストを、上
記粉末の量すなわち塗布量が焼結体における片面の塗布
面積当り、第２表に示す値（ｍｇ／ｃｍ”）になるよう
に第２表に示す幅で塗布した。なお、比較のために塗布
をしない試料も用意した。

ペースト中の有機成分を除くために大気中で９００°Ｃ
において２時間仮焼した。次いで、水素１０容量％と窒
素９０容量％とからなる雰囲気中で、１４００″Ｃにお
いて４時間焼成し、約２０％焼結収縮した半導体磁器を
得るとともに、前記塗布物を磁器内部へ拡散させた。こ
の半導体磁器を重量比でＢｉ　ｔｏ：＋／ＣｕＯ／エチ
ルアルコール＝０．７１０．３／１０の懸濁液にドブ漬
は後、１２５０°Ｃ１３０分間空気中にて焼成して結晶
粒界に絶縁層を形成させた。

このようにして得た第５図に示す粒界絶縁型半導体磁器
基板７のコンデンサ部として用いられる高誘電率領域１
の両面に、第６図に示すような形状で、前記塗布幅と同
じだけの間隔を置いてＡｇ電極３を焼き付けた。

次に、コンデンサ部の特性として、容量（ｎＦ）、見掛
けの誘電率、ｔａｎδ（％）および容量の温度変化率を
測定した。なお、容量の温度変化率とは、２５°Ｃの値
を基準として求めた一２５°Ｃ〜＋８５°Ｃの温度範囲
における容量の変化率である。

なお、コンデンサ部の電気的な分離の状態を求めるため
に、同一平面上に位置する電極間の容量（クロス容量）
　　（ｐＦ）を測定した。

また、粒界絶縁型半導体磁器基板について、第５図のＡ
およびＢで示す線上に沿うて切断し、幅２薗、長さ１５
論の試験片を切り出し、第７図に示すように試験片を配
置して３点曲げ試験を行い、曲げ強度を測定した。

また、成形体（１８，８ｍｍ　Ｘ　１２．５ｍｍ　）の
短辺の長さ１２．５ｍｍに対し、焼き上がった磁器基板
の高誘電率領域および低誘電率領域における対応する長
さ（ｍｍ　）（第４図においてそれぞれ！、および２ｔ
で示す）を測定し、次式により焼結による収縮率を求め
た。

これらの測定結果を第２表に示す。なお、第２表におい
て＊印は比較例を示し、他のものは実施例を示す。

また、更に製造方法に関する前記特願昭６３−１９３５
１４号の方法に従って成形体に低誘電率組成を塗布ペー
ストとして供給後、成形体および塗布ペースト中の有機
成分を除（ため大気中で９００°Ｃで２時間仮焼する工
程以降は、すべて実施例と同様に行って得た試料の緒特
性についても試料Ｎｏ、３３．３４として第２表中に記
載した。

＝ｉｌｕＬ

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法により製造した粒界絶縁型半導体磁
器基板の１例の断面図、 第２図は第１図の磁器基板を用いたコンデンサ内蔵磁器
基板の断面図、 第４図は本発明方法において焼結体に低誘電率用成分ま
たは組成物を供給した段階を示す斜視図、第５図は本発
明方法において低誘電率用成分または組成物を焼結体の
内部に拡散させた段階を示す斜視図、 第６図は第２図のコンデンサ内蔵基板の一部の斜視図、 第７図は曲げ試験における試験片の配置を示す斜視図で
ある。 １・・・高誘電率領域（高誘電率磁器、コンデンサ部）
２・・・低誘電率領域（低誘電率磁器）３・・・電極 ４・・・成形体（高誘電率組成物からなる成形体）５・
・・成形体を焼成した焼結体 ６・・・ペースト（低誘電率用成分または低誘電率用組
成物を含有するペースト） ７・・・粒界絶縁型半導体磁器基板 Ａ、Ｂ・・・試験片を切り出した際の切断ライン！７．
ｌｚ・・・焼結後の長さ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. １．ＳｒＴｉＯ＿３を主成分とし原子価制御剤が含有さ
   れている半導体磁器の結晶粒界に絶縁層を有する高誘電
   率の磁器からなる第１の領域と、該第１の領域の組成に
   、Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｃｒ＿２Ｏ＿３，Ｃ
   ｏＯ，ＮｉＯおよびＳｎＯ＿２からなる群から選ばれた
   少なくとも１種の成分が更に含有された組成で、低誘電
   率の磁器からなる第２の領域とを具備することを特徴と
   する粒界絶縁型半導体磁器基板。
2. ２．ＳｒＴｉＯ＿３を主成分とし、原子価制御剤が含有
   されている半導体磁器の結晶粒界に絶縁層を有する高誘
   電率の磁器からなる第１の領域と、該第１の領域の組成
   に、Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｃｒ＿２Ｏ＿３，
   ＣｏＯ，ＮｉＯおよびＳｎＯ＿２からなる群から選ばれ
   た少なくとも１種の成分５５．０〜９９．９モル％とＳ
   ｉＯ＿２，ＴｉＯ＿２，ＭｎＯ＿２，ＣｕＯおよびＺｎ
   Ｏからなる群から選ばれた少なくとも１種の成分４５．
   ０〜０．１モル％とからなる組成物が更に含有された組
   成で、低誘電率の磁器からなる第２の領域とを具備する
   ことを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器基板。
3. ３．ＳｒＨＯ＿３を主成分とし原子価制御剤が含有する
   高誘電率組成物からなる焼結体の主表面上に、Ａｌ＿２
   Ｏ＿３，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｃｒ＿２Ｏ＿３，ＣｏＯ，Ｎｉ
   ＯおよびＳｎＯ＿２からなる群から選ばれた少なくとも
   １種の低誘電率用成分を、複数個の領域が画成されるよ
   うに供給し、 前記低誘電率用成分を前記焼結体の内部に 拡散させるとともに該焼結体を半導体化させ、しかる後
   に結晶粒界を絶縁する ことを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器基板の製造方法
   。
4. ４．前記高誘電率組成物からなる焼結体の主表面上にＡ
   ｌ＿２Ｏ＿３，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｃｒ＿２Ｏ＿３，ＣｏＯ
   ，ＮｉＯおよびＳｎＯ＿２からなる群から選ばれた少な
   くとも１種の成分５５．０〜９９．９モル％とＳｉＯ＿
   ２，ＴｉＯ＿２，ＭｎＯ＿２，ＣｕＯおよびＺｎＯから
   なる群から選ばれた少なくとも１種の成分４５．０〜０
   ．１モル％とからなる低誘電率用組成物を複数個の領域
   が画成されるように供給する請求項１記載の方法。
5. ５．前記拡散を中性または還元雰囲気中での焼成により
   行う請求項１または２項記載の方法。