JPH02170517A - 荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画方法Info
- Publication number
- JPH02170517A JPH02170517A JP63325500A JP32550088A JPH02170517A JP H02170517 A JPH02170517 A JP H02170517A JP 63325500 A JP63325500 A JP 63325500A JP 32550088 A JP32550088 A JP 32550088A JP H02170517 A JPH02170517 A JP H02170517A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- region
- deflection
- particle beam
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は高性能デバイスに使用して問題の無いチップを
作製する為の荷電粒子ビーム描画方法に関する。
作製する為の荷電粒子ビーム描画方法に関する。
［従来の技術］
電子ビーム描画方法やイオンビーム描画方法等の如き荷
電粒子ビーム描画方法は、最近、ＬＳＩ素子、超ＬＳＩ
素子更に超々ＬＳＩ素子の製作方法として大いに注目さ
れている。 以下、説明の便宜上、電子ビーム描画方法
を例に上げて説明する。
電粒子ビーム描画方法は、最近、ＬＳＩ素子、超ＬＳＩ
素子更に超々ＬＳＩ素子の製作方法として大いに注目さ
れている。 以下、説明の便宜上、電子ビーム描画方法
を例に上げて説明する。
電子ビーム描画方法では、電子ビーム発生手段からの電
子ビームを集束レンズにより描画材料上に集束すると共
に、偏向器によって該ビームで描画材料上の所定位置を
走査する事により、該描画材料上にパターンを描画して
いる。
子ビームを集束レンズにより描画材料上に集束すると共
に、偏向器によって該ビームで描画材料上の所定位置を
走査する事により、該描画材料上にパターンを描画して
いる。
さて、上記偏向器による偏向角を大きくする程、ビーム
の偏向歪は大きくなり、パターンの描画精度が悪化する
ので、偏向角（偏向器の中心と材料との距離が一定なら
、偏向幅でも良い）には自ずから許容量がある（以後、
該許容量を許容偏向幅と称す）。従って、通常、先ず、
第４図に示す様に、描画すべき許容偏向領域（許容偏向
幅に基づいた一回のビーム偏向で描ける範囲の領域）
Ｆ１の中心０１が光軸上に来る様に、材料を載置したス
テージを移動させ、該領域に所定のパターンを描いたら
、次の描画すべき許容偏向領域Ｆ２の中心０２が光軸上
に来る様に、材料を載置したステージを移動させ、該領
域に所定のパターンを描く工程を繰返すか、連続的にス
テージを移動させながら、高速にビームで材料上をステ
ージ移動方向と直角な方向に走査して所定のパターンを
描いている。前者をステップアンドリピート方式、後者
を連続ステージ移動方式と呼んでいる。
の偏向歪は大きくなり、パターンの描画精度が悪化する
ので、偏向角（偏向器の中心と材料との距離が一定なら
、偏向幅でも良い）には自ずから許容量がある（以後、
該許容量を許容偏向幅と称す）。従って、通常、先ず、
第４図に示す様に、描画すべき許容偏向領域（許容偏向
幅に基づいた一回のビーム偏向で描ける範囲の領域）
Ｆ１の中心０１が光軸上に来る様に、材料を載置したス
テージを移動させ、該領域に所定のパターンを描いたら
、次の描画すべき許容偏向領域Ｆ２の中心０２が光軸上
に来る様に、材料を載置したステージを移動させ、該領
域に所定のパターンを描く工程を繰返すか、連続的にス
テージを移動させながら、高速にビームで材料上をステ
ージ移動方向と直角な方向に走査して所定のパターンを
描いている。前者をステップアンドリピート方式、後者
を連続ステージ移動方式と呼んでいる。
［発明が解決しようしする課題］
所で、前者の方式において、チップの各許容偏向領域（
Ｆｌ、Ｆ２．Ｆ３．Ｆ４）の全境界部（Ｂ１ ｒ Ｂ
２ ｒ Ｂ３ ＋ Ｂ４ ）は、同じ偏向収差分と
同じ偏向歪補正の誤差分が重なる為に、該チップに格子
状に同一パターン描画精度の劣化が発生する。特に、各
境界部は許容偏向領域の中心からの距離が最も大きいの
で、偏向収差分と偏向歪補正の誤差分が大きく、劣化度
が激しい。
Ｆｌ、Ｆ２．Ｆ３．Ｆ４）の全境界部（Ｂ１ ｒ Ｂ
２ ｒ Ｂ３ ＋ Ｂ４ ）は、同じ偏向収差分と
同じ偏向歪補正の誤差分が重なる為に、該チップに格子
状に同一パターン描画精度の劣化が発生する。特に、各
境界部は許容偏向領域の中心からの距離が最も大きいの
で、偏向収差分と偏向歪補正の誤差分が大きく、劣化度
が激しい。
所で、該格子状に同一パターン描画精度の劣化が発生し
たチップを高性能デバイス、例えば、ＣＯＤ等の撮像デ
バイスとして使用した場合、像に格子状ラインが発生し
てしまう。
たチップを高性能デバイス、例えば、ＣＯＤ等の撮像デ
バイスとして使用した場合、像に格子状ラインが発生し
てしまう。
本発明はこの様な問題を解決する事を目的としたもので
ある。
ある。
［課題を解決するための手段］
その為に、本発明は、荷電粒子ビームで描画材料上を走
査する事により該描画材料上にパターンを描画する荷電
粒子ビーム描画方法において、チップ領域を荷電粒子ビ
ーム偏向系の許容偏向領域より小さい領域に分割し、該
描画材料を連続的若しくは荷電粒子ビーム偏向系の許容
偏向幅以下の量ずつ移動させつつ、描画材料の各移動位
置に応じた荷電粒子ビーム偏向系の許容偏向領域内に於
ける分割領域を描画するに当たり、各隣り合う分割領域
の各連続する境界部が出来るだけ連続して同じビーム偏
向幅で描画されない様にした。
査する事により該描画材料上にパターンを描画する荷電
粒子ビーム描画方法において、チップ領域を荷電粒子ビ
ーム偏向系の許容偏向領域より小さい領域に分割し、該
描画材料を連続的若しくは荷電粒子ビーム偏向系の許容
偏向幅以下の量ずつ移動させつつ、描画材料の各移動位
置に応じた荷電粒子ビーム偏向系の許容偏向領域内に於
ける分割領域を描画するに当たり、各隣り合う分割領域
の各連続する境界部が出来るだけ連続して同じビーム偏
向幅で描画されない様にした。
［実施例］
第１図は本発明の荷電粒子ビーム描画方法の一実施例を
説明する為に使用した電子ビーム描画装置の概略図であ
る。
説明する為に使用した電子ビーム描画装置の概略図であ
る。
図中、１は電子銃、２は集束レンズ、３Ｘ、３ＹはＸ、
Ｙ方向偏向器、４は材料、５はステージ、６はステージ
駆動機構、７はデータ発生器、８は制御装置、９，１０
はアンプ、１１，１２．１３はＤＡ変換器である。
Ｙ方向偏向器、４は材料、５はステージ、６はステージ
駆動機構、７はデータ発生器、８は制御装置、９，１０
はアンプ、１１，１２．１３はＤＡ変換器である。
上記データ発生器７は、例えば、１チップ分のパターン
データを制御装置８に送る。該制御装置は、第２図（ａ
）に示す様に、電子ビーム偏向系の許容偏向領域より小
さい領域、例えば、該許容偏向領域の１／１６の大きさ
の領域に対応するものにパターンデータを分割する。又
、該制御装置はステージ５の移動量を許容偏向幅以下の
量、例えば、許容偏向幅の１／２とし、第２図（ｂ）に
示す様に、例えば、チップ上の上記分割した各領域の角
Ｃ１、Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７＋ Ｃ８
Ｉ ””””’＊ Ｃ２３Ｔ Ｃ２４Ｔ Ｃ２
５がこの順に光軸上に来る様にステージ５を移動させる
様に設定する。そして、この様にステージ移動を設定す
る事により、チップの何れの領域も４回描画される機会
があるので、制御装置８は、各隣り合う分割領域の各連
続する境界部が出来るだけ連続して同じビーム偏向幅で
描画されない様に描画類を決める。例えば、第２図（ｃ
）に示す様に、ｃｌの位置が光軸上にある時に１と書き
込んだ領域を描き、Ｃ２の位置が光軸上にある時に２と
書込んだ領域を描き、・・・・・・・・・・・・ Ｃ２
５の位置が光軸上にある時に２５と書込んだ領域を描く
様に予め設定する。
データを制御装置８に送る。該制御装置は、第２図（ａ
）に示す様に、電子ビーム偏向系の許容偏向領域より小
さい領域、例えば、該許容偏向領域の１／１６の大きさ
の領域に対応するものにパターンデータを分割する。又
、該制御装置はステージ５の移動量を許容偏向幅以下の
量、例えば、許容偏向幅の１／２とし、第２図（ｂ）に
示す様に、例えば、チップ上の上記分割した各領域の角
Ｃ１、Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７＋ Ｃ８
Ｉ ””””’＊ Ｃ２３Ｔ Ｃ２４Ｔ Ｃ２
５がこの順に光軸上に来る様にステージ５を移動させる
様に設定する。そして、この様にステージ移動を設定す
る事により、チップの何れの領域も４回描画される機会
があるので、制御装置８は、各隣り合う分割領域の各連
続する境界部が出来るだけ連続して同じビーム偏向幅で
描画されない様に描画類を決める。例えば、第２図（ｃ
）に示す様に、ｃｌの位置が光軸上にある時に１と書き
込んだ領域を描き、Ｃ２の位置が光軸上にある時に２と
書込んだ領域を描き、・・・・・・・・・・・・ Ｃ２
５の位置が光軸上にある時に２５と書込んだ領域を描く
様に予め設定する。
この様に設定し、先ず、制御装置８からＤＡ変換器１３
を介してステージ駆動機構６に指令を送り、Ｃ１の位置
が光軸上に来る様にステージ５を移動させる。そして、
１と書き込んだ領域が電子ビームで描画される様に、Ｘ
、Ｙ方向偏向器３Ｘ。
を介してステージ駆動機構６に指令を送り、Ｃ１の位置
が光軸上に来る様にステージ５を移動させる。そして、
１と書き込んだ領域が電子ビームで描画される様に、Ｘ
、Ｙ方向偏向器３Ｘ。
３Ｙに指令を送り、電子銃１から発生され集束レンズ２
により材料４上に集束された電子ビームの走査位置を制
御する。次に、同じ様に、順次、Ｃ２１Ｃ３，Ｃ４Ｉ
Ｃ５１Ｃ６１Ｃ７１Ｃ８１・・・・・・・、・、Ｃ２３
，Ｃ２４，Ｃ２５の位置が光軸上に来る様にステージ５
を移動させる。その都度、２゜３、 ４． ５． ６．
７． ８． ・・・・・・・・・、 ２３． ２
４゜２５と書き込んだ領域が電子ビームで描画される様
に、Ｘ、Ｙ方向偏向器３Ｘ、３Ｙに指令を送り、電子銃
１から発生され集束レンズ２により材料４上に集束され
た電子ビームの走査位置を制御する。
により材料４上に集束された電子ビームの走査位置を制
御する。次に、同じ様に、順次、Ｃ２１Ｃ３，Ｃ４Ｉ
Ｃ５１Ｃ６１Ｃ７１Ｃ８１・・・・・・・、・、Ｃ２３
，Ｃ２４，Ｃ２５の位置が光軸上に来る様にステージ５
を移動させる。その都度、２゜３、 ４． ５． ６．
７． ８． ・・・・・・・・・、 ２３． ２
４゜２５と書き込んだ領域が電子ビームで描画される様
に、Ｘ、Ｙ方向偏向器３Ｘ、３Ｙに指令を送り、電子銃
１から発生され集束レンズ２により材料４上に集束され
た電子ビームの走査位置を制御する。
この様に、各領域を描画する事により１チツプの描画を
終了する。該描画では、各隣り合う分割領域の各連続す
る境界部が出来るだけ連続して同じビーム偏向幅で描画
されない様にしているので、チップに格子状に同一パタ
ーン描画精度の劣化が発生せずに、異なったパターン劣
化がチップ全体にランダムに発生している。
終了する。該描画では、各隣り合う分割領域の各連続す
る境界部が出来るだけ連続して同じビーム偏向幅で描画
されない様にしているので、チップに格子状に同一パタ
ーン描画精度の劣化が発生せずに、異なったパターン劣
化がチップ全体にランダムに発生している。
尚、ステージの移動数は上記実施例の様に２５回である
必要は無く、ステージ移動回数を減らして、描画に要す
る時間を節約しても良い。但し、例えば、第３図に示す
様に、減らした場合（１６回）には各領域の内、エツジ
部に一番近い領域の描画機会が１回又は２回と上記の場
合に比べて減る。
必要は無く、ステージ移動回数を減らして、描画に要す
る時間を節約しても良い。但し、例えば、第３図に示す
様に、減らした場合（１６回）には各領域の内、エツジ
部に一番近い領域の描画機会が１回又は２回と上記の場
合に比べて減る。
又、上記実施例では電子ビーム描画方法を例に上げたが
、イオンビーム描画方法にも適用出来る。
、イオンビーム描画方法にも適用出来る。
［発明の効果］
本発明の方法によりチップを描画した場合、チップに格
子状に同一パターン描画精度の劣化が発生せずに、異な
ったパターン劣化がチップ全体にランダムに発生してい
るので、この様なチップを高性能デバイス、例えば、Ｃ
ＯＤ等の撮像デバイスとして使用した場合、従来の様に
、像に格子状ラインが発生する事が無くなる。
子状に同一パターン描画精度の劣化が発生せずに、異な
ったパターン劣化がチップ全体にランダムに発生してい
るので、この様なチップを高性能デバイス、例えば、Ｃ
ＯＤ等の撮像デバイスとして使用した場合、従来の様に
、像に格子状ラインが発生する事が無くなる。
第１図は本発明の荷電粒子ビーム描画方法の一実施例を
説明する為に使用した電子ビーム描画装置の概略図、第
２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の詳細な説明を補
足する為のもので、第３図はステージの移動の他の例を
示したもの、第４図は従来の描画方法の説明を補足する
為のものである。 １：電子銃 ２：集束レンズ ３Ｘ、３Ｙ：Ｘ、Ｙ
方向偏向器 ４：材料 ５：ステージ ６：ステ
ージ駆動機構 ７：データ発生器 ８：制御装置
９．１０：アンプ１１．１２，１３：ＤＡ変換器 第１図
説明する為に使用した電子ビーム描画装置の概略図、第
２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の詳細な説明を補
足する為のもので、第３図はステージの移動の他の例を
示したもの、第４図は従来の描画方法の説明を補足する
為のものである。 １：電子銃 ２：集束レンズ ３Ｘ、３Ｙ：Ｘ、Ｙ
方向偏向器 ４：材料 ５：ステージ ６：ステ
ージ駆動機構 ７：データ発生器 ８：制御装置
９．１０：アンプ１１．１２，１３：ＤＡ変換器 第１図
Claims (1)
- 荷電粒子ビームで描画材料上を走査する事により該描画
材料上にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法に
おいて、チップ領域を荷電粒子ビーム偏向系の許容偏向
領域より小さい領域に分割し、該描画材料を連続的若し
くは荷電粒子ビーム偏向系の許容偏向幅以下の量ずつ移
動させつつ、描画材料の各移動位置に応じた荷電粒子ビ
ーム偏向系の許容偏向領域内に於ける分割領域を描画す
るに当たり、各隣り合う分割領域の各連続する境界部が
出来るだけ連続して同じビーム偏向幅で描画されない様
にした荷電粒子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325500A JPH02170517A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325500A JPH02170517A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170517A true JPH02170517A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18177572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325500A Pending JPH02170517A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170517A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6103434A (en) * | 1997-12-26 | 2000-08-15 | Nec Corporation | Electron beam direct drawing method, system and recording medium |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP63325500A patent/JPH02170517A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6103434A (en) * | 1997-12-26 | 2000-08-15 | Nec Corporation | Electron beam direct drawing method, system and recording medium |
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