JPH1064794A - 電子ビーム露光補正方法 - Google Patents
電子ビーム露光補正方法Info
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- JPH1064794A JPH1064794A JP8222239A JP22223996A JPH1064794A JP H1064794 A JPH1064794 A JP H1064794A JP 8222239 A JP8222239 A JP 8222239A JP 22223996 A JP22223996 A JP 22223996A JP H1064794 A JPH1064794 A JP H1064794A
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- JP
- Japan
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- mask
- electron beam
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- exposure
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電子ビーム露光用マスクの試料寸法に寸法誤差
があっても、設計寸法通りのパターンをウエハ上に形成
できるようにする。 【解決手段】電子ビーム露光用マスクを用いる電子線図
形一括描画方式において、電子ビーム露光用マスクの開
口面積に応じて露光量を補正して露光することにより、
マスクのサイズに関わらず、設計寸法通りのパターンを
ウエハ上に形成できる。
があっても、設計寸法通りのパターンをウエハ上に形成
できるようにする。 【解決手段】電子ビーム露光用マスクを用いる電子線図
形一括描画方式において、電子ビーム露光用マスクの開
口面積に応じて露光量を補正して露光することにより、
マスクのサイズに関わらず、設計寸法通りのパターンを
ウエハ上に形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームの露光
補正方法に関し、特に図形一括描画方式の電子ビーム露
光補正方法に関する。
補正方法に関し、特に図形一括描画方式の電子ビーム露
光補正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの進歩に伴い、半導体デバイスに
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
ビームを用いた電子線露光方式は今後必要となる０．２
５μｍ以下のパターンを形成できる有効な露光方法であ
る。
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
ビームを用いた電子線露光方式は今後必要となる０．２
５μｍ以下のパターンを形成できる有効な露光方法であ
る。
【０００３】電子ビーム装置としては、従来は図２に示
すような可変成形型の電子ビーム露光装置が用いられて
きた。これは第１アパーチャー３と第２アパーチャー６
とで電子ビームを矩形に成形し、レジストを塗布した半
導体ウエハ１１上に電子ビーム５０Ｂを照射して微細パ
ターンを形成する装置である。図２において、電子銃１
を発した電子ビーム５０がブランキング電極２、第１ア
パーチャー３、成形レンズ４、成形偏向器５、第２アパ
ーチャー６、縮小レンズ７、主偏向器８、副偏向器９、
投影レンズ１０を通って試料台１２上の半導体ウエハ１
１に照射する。第１アパーチャー３には四角の開口３Ａ
が形成されており、矩形ビーム５０Ａが形成される。第
２アパーチャーにも同じ形状の四角の開口６Ａが形成さ
れており、矩形ビーム５０Ａが第２アパーチャー６の開
口６Ａを通過することにより小四角形のビームサイズと
なり、この小サイズの電子ビーム５０Ｂでショット（１
露光動作）を繰り返して一つの潜像パターンを半導体ウ
エハ１１上のレジストに形成する。
すような可変成形型の電子ビーム露光装置が用いられて
きた。これは第１アパーチャー３と第２アパーチャー６
とで電子ビームを矩形に成形し、レジストを塗布した半
導体ウエハ１１上に電子ビーム５０Ｂを照射して微細パ
ターンを形成する装置である。図２において、電子銃１
を発した電子ビーム５０がブランキング電極２、第１ア
パーチャー３、成形レンズ４、成形偏向器５、第２アパ
ーチャー６、縮小レンズ７、主偏向器８、副偏向器９、
投影レンズ１０を通って試料台１２上の半導体ウエハ１
１に照射する。第１アパーチャー３には四角の開口３Ａ
が形成されており、矩形ビーム５０Ａが形成される。第
２アパーチャーにも同じ形状の四角の開口６Ａが形成さ
れており、矩形ビーム５０Ａが第２アパーチャー６の開
口６Ａを通過することにより小四角形のビームサイズと
なり、この小サイズの電子ビーム５０Ｂでショット（１
露光動作）を繰り返して一つの潜像パターンを半導体ウ
エハ１１上のレジストに形成する。
【０００４】しかし、この可変成形型の電子ビーム露光
装置ではショット数が増大するために露光時間が膨大な
ものとなり、電子ビーム露光装置の処理時間が長くな
る。これが電子ビーム露光技術の量産化に向けた実用化
が遅れる原因となっている。
装置ではショット数が増大するために露光時間が膨大な
ものとなり、電子ビーム露光装置の処理時間が長くな
る。これが電子ビーム露光技術の量産化に向けた実用化
が遅れる原因となっている。
【０００５】近年、この欠点を補う技術として図形一括
描画方式が提案された。この方式は図３に示すように電
子ビーム露光装置の光学系に、予め複数のパターンを作
製しておいた電子ビーム露光用マスク（ＥＢマスク）を
組み込み、１ショットでウエハ上に複数のパターンを描
画する方式である。本方式を用いることにより、可変成
形方式に比べ半導体デバイス１チップを露光するのに必
要なショット数が低減され、スループットの向上がもた
らされる。
描画方式が提案された。この方式は図３に示すように電
子ビーム露光装置の光学系に、予め複数のパターンを作
製しておいた電子ビーム露光用マスク（ＥＢマスク）を
組み込み、１ショットでウエハ上に複数のパターンを描
画する方式である。本方式を用いることにより、可変成
形方式に比べ半導体デバイス１チップを露光するのに必
要なショット数が低減され、スループットの向上がもた
らされる。
【０００６】図３においては、第２アパーチャー６上に
複数個の開口パターン６Ａを一括セルとして予め作って
おき、第１アパーチャー３を通して、四角形に成形され
た電子ビーム５０Ａを第２アパーチャー６上の一括セル
上に照射し、この内の複数個のパターンを有する電子ビ
ームを半導体ウエハ上に塗布してあるレジストに照射し
て、複数個のパターンを一度に転写する方法である。す
なわち、一回のショットにより１個もしくは複数のパタ
ーンを一度に転写する方法である。すなわち、一回のシ
ョットにより１個もしくは複数のパターンを一度に転写
する方法である。すなわち、一回のショットにより１個
もしくは複数のパターンの潜像をレジストに形成するこ
とができる。
複数個の開口パターン６Ａを一括セルとして予め作って
おき、第１アパーチャー３を通して、四角形に成形され
た電子ビーム５０Ａを第２アパーチャー６上の一括セル
上に照射し、この内の複数個のパターンを有する電子ビ
ームを半導体ウエハ上に塗布してあるレジストに照射し
て、複数個のパターンを一度に転写する方法である。す
なわち、一回のショットにより１個もしくは複数のパタ
ーンを一度に転写する方法である。すなわち、一回のシ
ョットにより１個もしくは複数のパターンを一度に転写
する方法である。すなわち、一回のショットにより１個
もしくは複数のパターンの潜像をレジストに形成するこ
とができる。
【０００７】この図形一括描画方式の方法により、同様
のパターンを描画するのに必要なショット数は可変成形
方式の電子ビーム露光装置に比べ、約１／１０〜１／１
００となる。この結果、電子ビーム露光を行うのに必要
な時間は減少し、上述したスループットを改善すること
が出来る。
のパターンを描画するのに必要なショット数は可変成形
方式の電子ビーム露光装置に比べ、約１／１０〜１／１
００となる。この結果、電子ビーム露光を行うのに必要
な時間は減少し、上述したスループットを改善すること
が出来る。
【０００８】上述したように、図形一括描画方式では予
め複数パターンを形成したＥＢマスクを使用するが、作
成されたＥＢマスクが設計寸法からずれている場合、ウ
エハ上に形成したパターン寸法が設計寸法からずれてし
まうという問題がある。可変成形描画方式においては、
既に特開平２−４０９１０で明らかにされているよう
に、偏向収差に基ずくビーム寸法のずれを補正して最適
なビーム寸法で描画し、寸法精度の向上を図る方法が提
案されている。しかし、図形一括描画方式においては、
予め決まった寸法のパターンがＥＢマスクに形成されて
いるため、ビーム寸法を変えるということが出来ない。
め複数パターンを形成したＥＢマスクを使用するが、作
成されたＥＢマスクが設計寸法からずれている場合、ウ
エハ上に形成したパターン寸法が設計寸法からずれてし
まうという問題がある。可変成形描画方式においては、
既に特開平２−４０９１０で明らかにされているよう
に、偏向収差に基ずくビーム寸法のずれを補正して最適
なビーム寸法で描画し、寸法精度の向上を図る方法が提
案されている。しかし、図形一括描画方式においては、
予め決まった寸法のパターンがＥＢマスクに形成されて
いるため、ビーム寸法を変えるということが出来ない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ＥＢマスクは通常Ｓｉ
プロセスを経て作成されるが、このプロセス条件の変動
等により、設計寸法からの寸法誤差を生じる。図４
（ａ）はマスク開口６Ａが設計寸法通りに形成できた場
合を示しており、このときのマスク開口寸法をＳ1 とす
る。Ｓ1 に対する最適露光量をＤ1 とすると、ウエハ上
のパターン寸法は設計通りにＬ1 で形成される。これに
対し、図４（ｂ）に示すようにＥＢマスクの開口部６Ｂ
が、設計寸法通りの開口６Ａより小さな開口６Ｂで形成
されたとすると、マスク開口面積Ｓ2 はＳ1 より小さく
なる。このＥＢマスクを露光量Ｄ1 で露光するとウエハ
上のパターン寸法Ｌ2 はＬ1 より小さくなる。
プロセスを経て作成されるが、このプロセス条件の変動
等により、設計寸法からの寸法誤差を生じる。図４
（ａ）はマスク開口６Ａが設計寸法通りに形成できた場
合を示しており、このときのマスク開口寸法をＳ1 とす
る。Ｓ1 に対する最適露光量をＤ1 とすると、ウエハ上
のパターン寸法は設計通りにＬ1 で形成される。これに
対し、図４（ｂ）に示すようにＥＢマスクの開口部６Ｂ
が、設計寸法通りの開口６Ａより小さな開口６Ｂで形成
されたとすると、マスク開口面積Ｓ2 はＳ1 より小さく
なる。このＥＢマスクを露光量Ｄ1 で露光するとウエハ
上のパターン寸法Ｌ2 はＬ1 より小さくなる。
【００１０】また、ＥＢマスクの作成には数週間から数
ケ月を要し、再作成を行っていると全体の工程短縮に大
きな影響を及ぼす。そこで作成されたＥＢマスクを用い
て設計寸法通りのパターンをウエハ上に形成する必要が
ある。
ケ月を要し、再作成を行っていると全体の工程短縮に大
きな影響を及ぼす。そこで作成されたＥＢマスクを用い
て設計寸法通りのパターンをウエハ上に形成する必要が
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、電子工
学系にパターンが形成されたマスク機能を設け、電子ビ
ームをレジストにショットする毎に前記マスク機能のパ
ターンに対応する潜像パターンをレジストに形成する図
形一括描画方式により、レジストの一領域に同一の潜像
パターンを繰り返し形成する電子ビームの露光方法にお
いて、マスクの仕上がり寸法に応じて、露光量を補正す
る電子ビーム露光補正方法が得られる。なお、マスクの
仕上がり寸法は、マスクを通過した電子ビームのビーム
電流の測定値や電子ビームのビームサイズの測定値から
求めることができる。
学系にパターンが形成されたマスク機能を設け、電子ビ
ームをレジストにショットする毎に前記マスク機能のパ
ターンに対応する潜像パターンをレジストに形成する図
形一括描画方式により、レジストの一領域に同一の潜像
パターンを繰り返し形成する電子ビームの露光方法にお
いて、マスクの仕上がり寸法に応じて、露光量を補正す
る電子ビーム露光補正方法が得られる。なお、マスクの
仕上がり寸法は、マスクを通過した電子ビームのビーム
電流の測定値や電子ビームのビームサイズの測定値から
求めることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図１
を用いて説明する。図１に示した電子ビーム露光装置
は、図３に示したと同じ図形一括描画方式の露光装置で
あって、電子検出器１３，計算機１４，記憶装置１５お
よび制御装置１６が付加されている。図１に示す電子検
出器１３で検出されるビーム電流Ｉb は、Ｉb ＝Ｊ×Ｓ
で表わされる。ここで、Ｊは電流密度、ＳはＥＢマスク
の開口面積である。Ｊは通常、固定されているから、Ｉ
b を測定することにより、開口面積Ｓを求めることが出
来る。記憶装置１５には、予め開口面積Ｓと最適露光量
Ｄの関係がテーブル化されて保存されており、計算機１
４によって求めた開口面積Ｓから露光量Ｄを求めること
が出来る。例えば、図５（ｂ）に示すようにＥＢマスク
の開口部６Ｂが、設計寸法通りの開口６Ａより、小さな
開口で形成されたとすると、マスク開口面積Ｓ2 はＳ1
より小さくなる。記憶装置１５には開口面積と最適露光
量の関係が保存されているから、開口面積Ｓ2 に対応し
た露光量Ｄ2 を求めることが出来る。開口面積Ｓ2 から
求めた露光量Ｄ2 は計算機１４により、露光時間に換算
され、制御装置１６がブランキング電極２にかける電圧
を制御する。以上の過程により、搭載されたＥＢマスク
の実開口面積Ｓ2 に応じた最適露光量Ｄ2 で描画される
ため、設計寸法通りのパターンＬ1 をウエハ上に形成す
ることが出来る。
を用いて説明する。図１に示した電子ビーム露光装置
は、図３に示したと同じ図形一括描画方式の露光装置で
あって、電子検出器１３，計算機１４，記憶装置１５お
よび制御装置１６が付加されている。図１に示す電子検
出器１３で検出されるビーム電流Ｉb は、Ｉb ＝Ｊ×Ｓ
で表わされる。ここで、Ｊは電流密度、ＳはＥＢマスク
の開口面積である。Ｊは通常、固定されているから、Ｉ
b を測定することにより、開口面積Ｓを求めることが出
来る。記憶装置１５には、予め開口面積Ｓと最適露光量
Ｄの関係がテーブル化されて保存されており、計算機１
４によって求めた開口面積Ｓから露光量Ｄを求めること
が出来る。例えば、図５（ｂ）に示すようにＥＢマスク
の開口部６Ｂが、設計寸法通りの開口６Ａより、小さな
開口で形成されたとすると、マスク開口面積Ｓ2 はＳ1
より小さくなる。記憶装置１５には開口面積と最適露光
量の関係が保存されているから、開口面積Ｓ2 に対応し
た露光量Ｄ2 を求めることが出来る。開口面積Ｓ2 から
求めた露光量Ｄ2 は計算機１４により、露光時間に換算
され、制御装置１６がブランキング電極２にかける電圧
を制御する。以上の過程により、搭載されたＥＢマスク
の実開口面積Ｓ2 に応じた最適露光量Ｄ2 で描画される
ため、設計寸法通りのパターンＬ1 をウエハ上に形成す
ることが出来る。
【００１３】次に本発明の第２の実施の形態について説
明する。図１に示す電子検出器１３の手前にナイフエッ
ジ１７を設置し、小サイズ１７を設置し、小サイズの電
子ビーム５０Ｂのビームサイズを測定する。電子ビーム
５０Ｂは複数のビームからなるマルチビームであるが、
その内の１本のビームのみが電子検出器に入射するよう
に、主偏向器、副偏向器を動作させることにより、１本
のビームのビームサイズを測定することが可能である。
以上の過程を電子ビーム５０Ｂを構成する各ビームにつ
いて繰り返すことにより、ＥＢマスクの開口面積を求め
ることができる。記憶装置１５には、予め開口面積Ｓと
最適露光量Ｄの関係がテーブル化されて保存されてお
り、計算機１４によって求めた開口面積Ｓから露光量Ｄ
を求めることが出来る。例えば、図５（ｂ）に示すよう
にＥＢマスクの開口部６Ｂが、設計寸法通りの開口６Ａ
より、小さな開口で形成されたとすると、マスク開口面
積Ｓ2 はＳ1 より小さくなる。記憶装置１５には開口面
積と最適露光量の関係が保存されているから、開口面積
Ｓ2 に対応した露光量Ｄ2 を求めることが出来る。開口
面積Ｓ2 から求めた露光量Ｄ2 は計算機１４により、露
光時間に換算され、制御装置１６がブランキング電極２
にかける電圧を制御する。以上の過程により、搭載され
たＥＢマスクの実開口面積Ｓ2 に応じた最適露光量Ｄ2
で描画されるため、設計寸法通りのパターンＬ1 をウエ
ハ上に形成することが出来る。
明する。図１に示す電子検出器１３の手前にナイフエッ
ジ１７を設置し、小サイズ１７を設置し、小サイズの電
子ビーム５０Ｂのビームサイズを測定する。電子ビーム
５０Ｂは複数のビームからなるマルチビームであるが、
その内の１本のビームのみが電子検出器に入射するよう
に、主偏向器、副偏向器を動作させることにより、１本
のビームのビームサイズを測定することが可能である。
以上の過程を電子ビーム５０Ｂを構成する各ビームにつ
いて繰り返すことにより、ＥＢマスクの開口面積を求め
ることができる。記憶装置１５には、予め開口面積Ｓと
最適露光量Ｄの関係がテーブル化されて保存されてお
り、計算機１４によって求めた開口面積Ｓから露光量Ｄ
を求めることが出来る。例えば、図５（ｂ）に示すよう
にＥＢマスクの開口部６Ｂが、設計寸法通りの開口６Ａ
より、小さな開口で形成されたとすると、マスク開口面
積Ｓ2 はＳ1 より小さくなる。記憶装置１５には開口面
積と最適露光量の関係が保存されているから、開口面積
Ｓ2 に対応した露光量Ｄ2 を求めることが出来る。開口
面積Ｓ2 から求めた露光量Ｄ2 は計算機１４により、露
光時間に換算され、制御装置１６がブランキング電極２
にかける電圧を制御する。以上の過程により、搭載され
たＥＢマスクの実開口面積Ｓ2 に応じた最適露光量Ｄ2
で描画されるため、設計寸法通りのパターンＬ1 をウエ
ハ上に形成することが出来る。
【００１４】なお、上記実施の形態では用いるセルを１
つとして述べたが、ＥＢマスク内に複数のセルが作成さ
れている場合には、それぞれのセルについて開口面積と
露光量の関係を求めておき、記憶装置に保存しておけば
良い。
つとして述べたが、ＥＢマスク内に複数のセルが作成さ
れている場合には、それぞれのセルについて開口面積と
露光量の関係を求めておき、記憶装置に保存しておけば
良い。
【００１５】
【発明の効果】上述したようにビーム電流Ｉb 、あるい
はビームサイズを測定して、ＥＢマスクの実開口面積を
算出し、その値に応じた最適露光量で描画することによ
り、ＥＢマスクの設計寸法からのずれに関わりなく、ウ
エハ上に所望のパターンを形成することが可能となる。
はビームサイズを測定して、ＥＢマスクの実開口面積を
算出し、その値に応じた最適露光量で描画することによ
り、ＥＢマスクの設計寸法からのずれに関わりなく、ウ
エハ上に所望のパターンを形成することが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に用いる電子ビーム
露光装置を説明する図である。
露光装置を説明する図である。
【図２】従来技術の可変成形方式の電子ビーム露光方法
を説明するために示した電子ビーム露光装置の概略図で
ある。
を説明するために示した電子ビーム露光装置の概略図で
ある。
【図３】従来技術の図形一括描画方式の電子ビーム露光
方法を説明するために示した電子ビーム露光装置の概略
図である。
方法を説明するために示した電子ビーム露光装置の概略
図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は従来技術においてＥＢマスク
が小さく形成された場合の露光結果を示した説明図であ
る。
が小さく形成された場合の露光結果を示した説明図であ
る。
【図５】（ａ），（ｂ）は本発明においてＥＢマスクが
小さく形成された場合の露光結果を示した説明図であ
る。
小さく形成された場合の露光結果を示した説明図であ
る。
１ 電子銃 ２ ブランキング電極 ３ 第１アパーチャー ３Ａ 第１アパーチャー開口部 ４ 成形レンズ ５ 成形偏向器 ６ 第２アパーチャー ６Ａ，６Ｂ 第２アパーチャー開口部 ７ 縮小レンズ ８ 主偏向器 ９ 副偏向器 １０ 投影レンズ １１ 半導体ウエハ １１Ａ，１１Ｂ レジスト内の潜像 １２ 試料台 １３ 電子検出器 １４ 計算機 １５ 記憶装置 １６ 制御装置 １７ ナイフエッジ
Claims (3)
- 【請求項１】 電子光学系にパターンが形成されたマス
ク機能を設け、電子ビームをレジストにショットする毎
に前記マスク機能のパターンに対応する潜像パターンを
レジストに形成する図形一括描画方式により、レジスト
の一領域に同一の潜像パターンを繰り返し形成する電子
ビームの露光方法において、前記マスクの仕上がり寸法
に応じて、露光量を補正することを特徴とする電子ビー
ム露光補正方法。 - 【請求項２】 前記マスクの仕上がり寸法は、前記マス
クを通過した電子ビームのビーム電流の測定値から求め
ることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム露光補正
方法。 - 【請求項３】 前記マスクの仕上がり寸法は、前記マス
クを通過した電子ビームのビームサイズの測定値から求
めることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム露光補
正方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08222239A JP3080006B2 (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 電子ビーム露光補正方法 |
| TW086112116A TW376541B (en) | 1996-08-23 | 1997-08-22 | Electron beam exposure correcting method |
| KR1019970040912A KR100256519B1 (ko) | 1996-08-23 | 1997-08-23 | 전자빔 노광 보정 방법 |
| US08/917,293 US5825034A (en) | 1996-08-23 | 1997-08-25 | Method of compensation for electron beam dose |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08222239A JP3080006B2 (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 電子ビーム露光補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064794A true JPH1064794A (ja) | 1998-03-06 |
| JP3080006B2 JP3080006B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=16779294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08222239A Expired - Fee Related JP3080006B2 (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 電子ビーム露光補正方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5825034A (ja) |
| JP (1) | JP3080006B2 (ja) |
| KR (1) | KR100256519B1 (ja) |
| TW (1) | TW376541B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100374635B1 (ko) * | 2000-09-27 | 2003-03-04 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크의 식각시 발생하는 로딩효과로 인한선폭변화를 보정하여 노광하는 방법 및 이를 기록한기록매체 |
| KR100533884B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2005-12-07 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체의 테스트 마스크 패턴, 그 형성 방법 및 이를이용한 마스크 에러 증강 요소 측정방법 |
| US11024485B2 (en) | 2018-06-19 | 2021-06-01 | Nuflare Technology, Inc. | Multi-charged-particle-beam writing apparatus and beam evaluating method for the same |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019169362A (ja) * | 2018-03-23 | 2019-10-03 | 株式会社日立製作所 | 電子ビーム装置 |
| KR20240055696A (ko) * | 2021-04-16 | 2024-04-29 | 인터그레이티드 다이나믹 일렉트론 솔루션즈, 인크. | 전자 현미경 기술을 위한 임의의 전자 선량 파형 |
| US12237147B2 (en) | 2023-01-31 | 2025-02-25 | Integrated Dynamic Electron Solutions, Inc. | Methods and systems for event modulated electron microscopy |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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