JPH02170530A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH02170530A JPH02170530A JP63326575A JP32657588A JPH02170530A JP H02170530 A JPH02170530 A JP H02170530A JP 63326575 A JP63326575 A JP 63326575A JP 32657588 A JP32657588 A JP 32657588A JP H02170530 A JPH02170530 A JP H02170530A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- process chamber
- plasma
- waveguides
- chamber
- microwaves
- Prior art date
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- Granted
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＥＣＲプラズマ発生装置の構造に関する。
従来の技術
従来のＥＣＲプラズマ発生装置は、単一のマイクロ波発
生器と導波管により、プラズマの発生及び制御を行って
いた。
生器と導波管により、プラズマの発生及び制御を行って
いた。
発明が解決しようとする課題
第２図に従来の装置構造を示す。
第２図において２０１は石英からなるプロセスチャンバ
ーであり、その内部は真空排気系によって０．ＩＰａか
ら数Ｐａに保持されている。２０２はプロセスチャンバ
ー２０１の上部に導波管２０３を介して設けられている
マイクロ波発振器、２０４はプロセスチャンバー２０１
の外周に設けられた電磁石、２０５は被加工物保持台で
ある。
ーであり、その内部は真空排気系によって０．ＩＰａか
ら数Ｐａに保持されている。２０２はプロセスチャンバ
ー２０１の上部に導波管２０３を介して設けられている
マイクロ波発振器、２０４はプロセスチャンバー２０１
の外周に設けられた電磁石、２０５は被加工物保持台で
ある。
マイクロ波は単一の導波管２０３によりプロセスチャン
バー２０１に導入されるため、外部磁場との共鳴条件が
満される領域、すなわち、プラズマの発生領域は局所的
であり、狭い領゛域に限られる。そのため、広い領域で
均一なプラズマを発生させることが困難であり大面積の
被加工物を均一性よ（加工することが不可能であるとと
もに、スループットが低いという課題があった。
バー２０１に導入されるため、外部磁場との共鳴条件が
満される領域、すなわち、プラズマの発生領域は局所的
であり、狭い領゛域に限られる。そのため、広い領域で
均一なプラズマを発生させることが困難であり大面積の
被加工物を均一性よ（加工することが不可能であるとと
もに、スループットが低いという課題があった。
本発明は、以上にようなＥＣＲプラズマ発生装置及び方
法の課題に鑑み、広い領域で均一なプラズマを発生する
ことを可能とし、従来のごとき不都合の生じない装置及
び方法を提供するものである。
法の課題に鑑み、広い領域で均一なプラズマを発生する
ことを可能とし、従来のごとき不都合の生じない装置及
び方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、Ｅ ＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔ
ｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｌ）プラズマ発生装置におい
て、複数のマイクロ波発信器と複数の導波管を設け、プ
ロセスチャンバに導入することを特徴とする半導体製造
装置である。
ｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｌ）プラズマ発生装置におい
て、複数のマイクロ波発信器と複数の導波管を設け、プ
ロセスチャンバに導入することを特徴とする半導体製造
装置である。
作 用
ＥＣＲプラズマ発生装置において複数のマイクロ波発振
器と複数の導波管により、チャンバにてマイクロ波を導
入し、それぞれのマイクロ波を独立に制御することによ
り、広い領域で、均一なプラズマを発生することを可能
とし、大面積の被加工物の高均一性、高スループツトの
加工を実現する。
器と複数の導波管により、チャンバにてマイクロ波を導
入し、それぞれのマイクロ波を独立に制御することによ
り、広い領域で、均一なプラズマを発生することを可能
とし、大面積の被加工物の高均一性、高スループツトの
加工を実現する。
実施例
第１図に本発明になるＥＣＲプラズマ発生装置の構例を
示す。
示す。
第１図において１０１は石英からなるプロセスチャンバ
ーであり、内部は真空排気系によって０、ＩＰａから数
Ｐａに保持されている。１０２．１０３，１０４及び１
０５，１０６，１０７はそれぞれ、導波管Ａ、Ｂ、Ｃ及
び、マイクロ波発振器Ａ、Ｂ、Ｃであり、プロセスチャ
ンバー１０１上部に配置されており、チャンバー１０１
外周には電磁石１０８を備えている。１０９は試料保持
台である。
ーであり、内部は真空排気系によって０、ＩＰａから数
Ｐａに保持されている。１０２．１０３，１０４及び１
０５，１０６，１０７はそれぞれ、導波管Ａ、Ｂ、Ｃ及
び、マイクロ波発振器Ａ、Ｂ、Ｃであり、プロセスチャ
ンバー１０１上部に配置されており、チャンバー１０１
外周には電磁石１０８を備えている。１０９は試料保持
台である。
以上の様に構成されたプラズマ発生装置について、以下
その原理を説明する。
その原理を説明する。
ＥＣＲ共鳴条件が成立するためにはたとえば２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を使用した場合、８７５Ｇの磁場強度
が必要である。円筒形の電磁石を用いた場合、磁場強度
８７５Ｇとなる領域はドーナツ状となる。前記磁場強度
の領域にチャンバー上部たとえば三ケ所より、独立にパ
ワーを制御したたとえば、２．４５ＧＨｚのマイロク波
を導入することにより、高効率かつ広い領域で共鳴条件
を満す領域を形成することにより、高密度かつ高均一性
を有するプラズマが発生する。
Ｈｚのマイクロ波を使用した場合、８７５Ｇの磁場強度
が必要である。円筒形の電磁石を用いた場合、磁場強度
８７５Ｇとなる領域はドーナツ状となる。前記磁場強度
の領域にチャンバー上部たとえば三ケ所より、独立にパ
ワーを制御したたとえば、２．４５ＧＨｚのマイロク波
を導入することにより、高効率かつ広い領域で共鳴条件
を満す領域を形成することにより、高密度かつ高均一性
を有するプラズマが発生する。
以上の様に、本実施例によれば、三つのマイクロ波発振
器、導波管により、三つの独立したマイクロ波をチャン
バー内に導入するため、プラズマ密度を高くかつ、広い
領域で発生することが可能であるため、大面積の被加工
物を高速かつ均一に加工することが可能となる。
器、導波管により、三つの独立したマイクロ波をチャン
バー内に導入するため、プラズマ密度を高くかつ、広い
領域で発生することが可能であるため、大面積の被加工
物を高速かつ均一に加工することが可能となる。
発明の効果
以上の様に本発明は、複数のマイクロ波を独立に制御し
て、チャンバー内に導入するため、大面積の被加工物の
加工均一性とスループットを向上することが可能である
ため、生産性の高い優れたプラズマ発生装置及びその方
法を実現できる。
て、チャンバー内に導入するため、大面積の被加工物の
加工均一性とスループットを向上することが可能である
ため、生産性の高い優れたプラズマ発生装置及びその方
法を実現できる。
第１図は、本発明の一実施例におけるＥＣＲプラズマ発
生装置を示す構成図、第２図は従来のＥＣＲプラズマ発
生装置を示す構成図である。 １０１・・・・・・プロセスチャンバー １０２，１０
３．１０４・・・・・・導波管、１０５，１０６．１０
７・・・・・・マイクロ波発振器、１０８・・・・・・
電磁石、１０９・・・・・・試料保持台。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名ＩＩ図
生装置を示す構成図、第２図は従来のＥＣＲプラズマ発
生装置を示す構成図である。 １０１・・・・・・プロセスチャンバー １０２，１０
３．１０４・・・・・・導波管、１０５，１０６．１０
７・・・・・・マイクロ波発振器、１０８・・・・・・
電磁石、１０９・・・・・・試料保持台。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名ＩＩ図
Claims (1)
- ＥＣＲ（ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏ
ｎａｎｃｌ）プラズマ発生装置において、複数のマイク
ロ波発振器と複数の導波管を設け、プロセスチャンバー
に導入することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63326575A JPH07105385B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63326575A JPH07105385B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170530A true JPH02170530A (ja) | 1990-07-02 |
| JPH07105385B2 JPH07105385B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=18189342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63326575A Expired - Fee Related JPH07105385B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105385B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5874706A (en) * | 1996-09-26 | 1999-02-23 | Tokyo Electron Limited | Microwave plasma processing apparatus using a hybrid microwave having two different modes of oscillation or branched microwaves forming a concentric electric field |
| US6172322B1 (en) * | 1997-11-07 | 2001-01-09 | Applied Technology, Inc. | Annealing an amorphous film using microwave energy |
| US6620290B2 (en) | 2000-01-14 | 2003-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma process apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244720A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP63326575A patent/JPH07105385B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244720A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5874706A (en) * | 1996-09-26 | 1999-02-23 | Tokyo Electron Limited | Microwave plasma processing apparatus using a hybrid microwave having two different modes of oscillation or branched microwaves forming a concentric electric field |
| US6172322B1 (en) * | 1997-11-07 | 2001-01-09 | Applied Technology, Inc. | Annealing an amorphous film using microwave energy |
| US6620290B2 (en) | 2000-01-14 | 2003-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma process apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105385B2 (ja) | 1995-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |