JPH07105385B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH07105385B2 JPH07105385B2 JP63326575A JP32657588A JPH07105385B2 JP H07105385 B2 JPH07105385 B2 JP H07105385B2 JP 63326575 A JP63326575 A JP 63326575A JP 32657588 A JP32657588 A JP 32657588A JP H07105385 B2 JPH07105385 B2 JP H07105385B2
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- semiconductor manufacturing
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ECRプラズマ発生装置の構造に関する。
従来の技術 従来のECRプラズマ発生装置は、単一のマイクロ波発生
器と導波管により、プラズマの発生及び制御を行ってい
た。
器と導波管により、プラズマの発生及び制御を行ってい
た。
発明が解決しようとする課題 第２図に従来の装置構造を示す。
第２図において201は石英からなるプロセスチャンバー
であり、その内部は真空排気系によって0.1Paから数Pa
に保持されている。202はプロセスチャンバー201の上部
に導波管203を介して設けられているマイクロ波発振
器、204はプロセスチャンバー201の外周に設けられた電
磁石、205は被加工物保持台である。マイクロ波は単一
の導波管203によりプロセスーチャンバー201に導入され
るため、外部磁場との共鳴条件が満される領域、すなわ
ち、プラズマの発生領域は局所的であり、狭い領域に限
られる。そのため、広い領域で均一なプラズマを発生さ
せることが困難であり大面積の被加工物を均一性よく加
工することが不可能であるとともに、スループットが低
いという課題があった。
であり、その内部は真空排気系によって0.1Paから数Pa
に保持されている。202はプロセスチャンバー201の上部
に導波管203を介して設けられているマイクロ波発振
器、204はプロセスチャンバー201の外周に設けられた電
磁石、205は被加工物保持台である。マイクロ波は単一
の導波管203によりプロセスーチャンバー201に導入され
るため、外部磁場との共鳴条件が満される領域、すなわ
ち、プラズマの発生領域は局所的であり、狭い領域に限
られる。そのため、広い領域で均一なプラズマを発生さ
せることが困難であり大面積の被加工物を均一性よく加
工することが不可能であるとともに、スループットが低
いという課題があった。
本発明は、以上のようなECRプラズマ発生装置及び方法
の課題に鑑み、広い領域で均一なプラズマを発生するこ
とを可能とし、従来のごとき不都合の生じない装置及び
方法を提供するものである。
の課題に鑑み、広い領域で均一なプラズマを発生するこ
とを可能とし、従来のごとき不都合の生じない装置及び
方法を提供するものである。
課題を解決するための手段 本発明は、ECR（Electron Cyclotron Resonancl）プラ
ズマ発生装置において、複数のマイクロ波発信器と複数
の導波管を設け、プロセスヂャンバに導入することを特
徴とする半導体製造装置である。
ズマ発生装置において、複数のマイクロ波発信器と複数
の導波管を設け、プロセスヂャンバに導入することを特
徴とする半導体製造装置である。
作用 ECRプラズマ発生装置において複数のマイクロ波発振器
と複数の導波管により、チャンバにてマイクロ波を導入
し、それぞれのマイクロ波を独立に制御することによ
り、広い領域で、均一なプラズマを発生することを可能
とし、大面積の被加工物の高均一性，高スループットの
加工を実現する。
と複数の導波管により、チャンバにてマイクロ波を導入
し、それぞれのマイクロ波を独立に制御することによ
り、広い領域で、均一なプラズマを発生することを可能
とし、大面積の被加工物の高均一性，高スループットの
加工を実現する。
実施例 第１図に本発明になるECRプラズマ発生装置の構例を示
す。
す。
第１図において101は石英からなるプロセスチャンバー
であり、内部は真空排気系によって0.1Paから数Paに保
持されている。102,103,104及び105,106,107はそれぞ
れ、導波管A,B,C及び、マイクロ波発振器A,B,Cであり、
プロセスチャンバー101上部に配置されており、チャン
バー101外周には電磁石108を備えている。109は試料保
持台である。
であり、内部は真空排気系によって0.1Paから数Paに保
持されている。102,103,104及び105,106,107はそれぞ
れ、導波管A,B,C及び、マイクロ波発振器A,B,Cであり、
プロセスチャンバー101上部に配置されており、チャン
バー101外周には電磁石108を備えている。109は試料保
持台である。
以上の様に構成されたプラズマ発生装置について、以下
その原理を説明する。
その原理を説明する。
ECR共鳴条件が成立するためにはたとえば2.45GHzのマイ
クロ波を使用した場合、857Gの磁場強度が必要である。
円筒形の電磁石を用いた場合、磁場強度875Gとなる領域
はドーナツ状となる。前記磁場強度の領域にチャンバー
上部たとえば三ケ所より、独立にパワーを制御したたと
えば、2.45GHzのマイクロ波を導入することにより、高
効率かつ広い領域で共鳴条件を満す領域を形成すること
により、高密度かつ高均一性を有するプラズマが発生す
る。
クロ波を使用した場合、857Gの磁場強度が必要である。
円筒形の電磁石を用いた場合、磁場強度875Gとなる領域
はドーナツ状となる。前記磁場強度の領域にチャンバー
上部たとえば三ケ所より、独立にパワーを制御したたと
えば、2.45GHzのマイクロ波を導入することにより、高
効率かつ広い領域で共鳴条件を満す領域を形成すること
により、高密度かつ高均一性を有するプラズマが発生す
る。
以上の様に、本実施例によれば、三つのマイクロ波発振
器，導波管により、三つの独立したマイクロ波をチャン
バー内に導入するため、プラズマ密度を高くかつ、広い
領域で発生することが可能であるため、大面積の被加工
物を高速かつ均一に加工することが可能となる。
器，導波管により、三つの独立したマイクロ波をチャン
バー内に導入するため、プラズマ密度を高くかつ、広い
領域で発生することが可能であるため、大面積の被加工
物を高速かつ均一に加工することが可能となる。
発明の効果 以上の様に本発明は、複数のマイクロ波を独立に制御し
て、チャンバー内に導入するため、大面積の被加工物の
加工均一性とスループットを向上することが可能である
ため、生産性の高い優れたプラズマ発生装置及びその方
法を実現できる。
て、チャンバー内に導入するため、大面積の被加工物の
加工均一性とスループットを向上することが可能である
ため、生産性の高い優れたプラズマ発生装置及びその方
法を実現できる。
第１図は、本発明の一実施例におけるECRプラズマ発生
装置を示す構成図、第２図は従来のECRプラズマ発生装
置を示す構成図である。 101……プロセスチャンバー、102,103,104……導波管、
105,106,107……マイクロ波発振器、108……電磁石、10
9……試料保持台。
装置を示す構成図、第２図は従来のECRプラズマ発生装
置を示す構成図である。 101……プロセスチャンバー、102,103,104……導波管、
105,106,107……マイクロ波発振器、108……電磁石、10
9……試料保持台。
Claims (1)
- 【請求項１】試料を保持する試料保持台を内蔵したプロ
セスチャンバーと、中心軸が前記試料保持台に対して垂
直になるよう前記プロセスチャンバーの周囲に配置した
電磁石と、前記プロセスチャンバー上部に接続され前記
試料保持台に対して垂直に配置された複数の導波管と、
前記複数の導波管にそれぞれ接続したマイクロ波発振器
とを有し、前記各々のマイクロ波発振器から発生するマ
イクロ波の出力を独立に制御することを特徴とする半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63326575A JPH07105385B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63326575A JPH07105385B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170530A JPH02170530A (ja) | 1990-07-02 |
| JPH07105385B2 true JPH07105385B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=18189342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63326575A Expired - Fee Related JPH07105385B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105385B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5874706A (en) * | 1996-09-26 | 1999-02-23 | Tokyo Electron Limited | Microwave plasma processing apparatus using a hybrid microwave having two different modes of oscillation or branched microwaves forming a concentric electric field |
| US6172322B1 (en) * | 1997-11-07 | 2001-01-09 | Applied Technology, Inc. | Annealing an amorphous film using microwave energy |
| JP3792089B2 (ja) | 2000-01-14 | 2006-06-28 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244720A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-14 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP63326575A patent/JPH07105385B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02170530A (ja) | 1990-07-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |