JPH02171728A - 光制御装置 - Google Patents

光制御装置

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JPH02171728A
JPH02171728A JP32590988A JP32590988A JPH02171728A JP H02171728 A JPH02171728 A JP H02171728A JP 32590988 A JP32590988 A JP 32590988A JP 32590988 A JP32590988 A JP 32590988A JP H02171728 A JPH02171728 A JP H02171728A
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JP
Japan
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light
driving
receiving element
signal
optical
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Application number
JP32590988A
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English (en)
Inventor
Kenji Uchino
内野 研二
Kazuyasu Hikita
和康 疋田
Mikiya Ono
幹也 尾野
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Mitsubishi Mining and Cement Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Mining and Cement Co Ltd
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Publication date
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Priority to FR8917171A priority patent/FR2646525B1/fr
Priority to DE3943041A priority patent/DE3943041A1/de
Priority to GB8929205A priority patent/GB2229543B/en
Publication of JPH02171728A publication Critical patent/JPH02171728A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、光を用いて、電気的増幅装置等を介キ4゛、
直接他の光を制御する装置に関する。更に、詳しくは、
小型化、薄層化のできる光制御装置に関する。
[従来の技術] 従来の光制御装置は、例えば、°87年春季物理学会学
術講演会を稿集の27a−LJ−7(80頁)“全光制
御電気光学素子の試作”及び”EffcCt of l
l11purity Doping on Photo
striction 1nFerroelectric
 Ceraa+1c−by M、Tan1醜ura a
nd にUchino、5ensors and Ma
terials l、46(198g)に提案されるよ
うに、印加電圧によって物質の屈折率が変化するという
″電気光学効果”と、圧電性結晶に光(例えば紫色光)
を照射すると、バンドギャップをはるかに超す起電力を
生ずるバルク光起電力光とを組合わせて、光の照射によ
って起電力を通じて光シヤツターを駆動し、光(赤色光
)を制御することができる電気回路を持たない全光制御
型素子がある。これは、第1図に示すもので、スライド
ガラスを基板6とし、その上に2個の受光セラミ/ラス
素子1と、1個のセラミックス光シヤツター2が配置さ
れているものである。その動作原理は、受光素子1に水
銀ランプ3の光が当ると起電力が発生し、その起電力に
よって光ンヤメター素子2を駆動するというものである
2つの駆動素子A、Bは、互いに逆の起M、1!圧を生
4”るように、光シヤツター素子に電気的に接続され、
A、Bに交互に水銀ランプ光を照射すると、光シャノタ
ーを透過するHe−Neレーザの赤色光は、第2図に示
すように、0.2Hzで変調され、S/N比は、約2d
Bである。その受光素子3.4の材質は、P L Z 
T (3152/48)、光シヤツター2の材質は、P
 L Z T (9/65/35 ) テある。また、
光照射による光起電力効果をWO3添加のP LZTに
ついて、調査した結果から、1゜5原子%までは、無添
加のものに比べ、光起電力が増加している。
然し乍ら、この公知の装置では、第1に、受光f:子が
コマの上に截っており、デバイスの小型化、薄層化がで
きないこと、第2に、リード線を用いており、デバイス
として組立てコストが高くなること、第3に、赤色の信
号光(スイッチングされる尤)と、駆動する水fMラン
プ光が同じ方向からデバイスに入射するため、駆動光が
信号光に混信しないような[夫が必要となること、第4
に、信号光が基板を透過する方向に入射しているため、
信号光が基板の影響を受けることになり、即ち、基板に
不透明な材質が使用できず、また、光透過率の低い基板
では光信号のS/N比が低くなる、更に、基板の材質の
選択に制約を受けることなどの問題があった。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明は、上記のような欠点を解消するため、バルク光
起電力効果を有する圧電材料、例えば、P L Z T
 (3152/48 ) ヲ受光素子トシ、光を照射し
た際に、発生する電圧で、゛電気光学効果“を利用した
光変調素子を駆動する、光により光を制御する装置を提
供することを目的にする。即ち、本発明は、前記のよう
な、(1)小型化、?1層化の困難性、■構造に依る高
い組立てコスト、(3)基板材質の制約などの問題点を
除去し、(1)小型化、薄層化を容易にし、(り基板の
材質を自由に選択できるようにすること(こより、(3
):1ストパフオーマンスを向l:させ、(4) S 
/ N比が高く、信頼性が高い動作特性を有する全制御
型光学デバイスを提供−ることを目的とする。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、透明な電気光学効果を有゛4る誘電体に電極
を設け、信号光の入射面と出射面には、各々の偏光方向
が互いに直交し、また、印加電界の方向に互いに451
をなすように2つの偏光子が取り付けられた光変調素子
と:駆動源として、自発分極の方向を揃えた、光起電力
効果を有する少なくとも1つの誘電体受光素子よりなり
、上記の2種の素子を導体配線で電気的に接続して構成
される、光により光を制御する装置において、前記2種
の機能素子は、回路基板の回路上に設置され、光変調素
子を通過する信号光が、この回路基板而を通過せず、更
に受光素子を駆動する駆動光が信号光と異なる方向から
入射するように配置されたことを特徴と1−る光制御装
置である。そして、光度副索Y−を通過する信号光が、
この回路基板面を通過せず、受光素子を駆動−゛る駆動
光が信号光と異なる方向から入射するように配置するた
め、光変調素子−の信号光の入射面、及び出射面が、こ
の回路基板而と垂直であること、ルっ受光素T・の受光
面が回路基板と平行であることが好適である。また、受
光素子が2個の受光素rからなり、それらの自発分極の
方向が、直列でループ状に接続され、光度副索Tの各々
のN、極が、前記の各々の接続回路に接続されたものが
好適である。
そして、その受光素子が2個の受光素子からなり、それ
らの自発分極方向が、並列でループ状に接続され、光変
調素子の各々の電極が、前記の各々の接続回路に接続さ
れたものが好適である。
また、その受光素子が圧電セラミックスで、バルク光起
電力効果を有するランタン添加チタン酸ジル−lン酷鉛
で、Laを3モル%添加した、PLZT (3152/
48)、即ち、P b a、ey L a s、am(
Z r *、**T i *、am>*、****Om
及びこれにWOsを0〜2゜0原Y−%添加り、 タP
 L Z T(3152/48)からなり、透明なスイ
ッチング素子は、ランタン添加チク2階ジルコン階鉛P
 L Z T (9/65/35 )即ち、Pb。
*IL a s、**(Z r *、*4 i *、*
*>*、*tviOsからなる構成が好適である。
このような構成について、本発明によると、バルク光起
電力効果を有する受光素子を駆動源とし、2次光学効果
の大きなPLZTをスイッチング素子として、回路基板
上に、駆動光の方向と信号光の方向が重ならないように
、これらの素子を配置して、組合わせることにより、 (1)何らかの増幅回路を用いることなく、駆動光の入
力により、他の信号光の出力を直接コントロルすること
ができる。
(2小型化、薄層化を容易にすることができる。
(3)信号光が基板と平行に入射するため、基板は、不
透明なものでも使用でさ、材質を自由に選択することが
できる。
(4)基板の材質が選択できるため、回路を形成した基
板が、使用できるので、配線の工程を簡略化でき、また
、信頼性の高い光スイツチング装置を、より安価に製造
4−ることかできる等の効果が期待できる。
史に、受光素rに、WO8を添加したPLZTを用いる
ことにより、より大きなバルク光起電力効果を得ること
が可能となった。
本発明は、光により光を制御する装置において、電気的
回路を形成した基板の上に、1個或いは2個のバルク光
起電力硬化を有する受光素子を、互いの自発分極の方向
が、直列、或いは並列に電気回路りにハンダ等で接続し
、電気光学効果を有する光スイツチ素子を、その信号光
の透過方向が、基板の而に平行になるように、配置し、
信号光に平行になるように設けられた1対の電極が各々
の受光素子の各々の電極に配線接続されるようにしたも
のである。
また、受光素子の材料として、従来から用いられている
P LZTの他、バルク光起電力効果が大きくなるよう
にWO3を2,0原Y%まで添加しりP L Z T 
(3152/4g)を用イタ。
次に、添付図面により本発明を更に説明−る。
第3図は、本発明の装置の一例を示す寮面図である。即
ち、本発明の光学装置の例示の構造図であり、6は11
面基板であり、7は基板上に形成された電気回路で、2
個のバルク光起電力効果を有する受光素子A、B、即ち
各々8と9は、自発分極の向きが直列になるように配列
され、前記の回路に接続されている。
電気光学効果を有する光スイツチ素子1oは、信号光1
1が基板6の面に平行に透過するように、配置され、電
極12は、透過光に垂直方向に、電界を印加するように
、透明な誘電体10の両側面に形成され、各々の端子は
、受光素子8゜9の各々の端子を結合する回路7に接続
されている。
第3図において、更に、光スィッチ10は、信号光11
の入射面と出射面の両面に、偏光子13.14を設けた
。偏光子の偏光方向は、電界の印加力向と45°をなし
、11つまた、2つの偏光f・の偏光方向が互いに直交
Vるように設置した。
駆動光15は、例えば水銀灯等により、基板面にIK直
にIK(射される。
次に、第4図に示[光制御装置は、本発明の光制御装置
の動作特性を測定し、確認するための測定方法を示[,
16は、信号光11を発生するHe−Neレー自ダグ光
示し、17は、光検知装置で、18は1ンビユータであ
り、検知された光強度等の測定データを記ufるもので
ある。!9は、水銀ランプで、15の駆動光を発生する
。また、駆動光15は、受光素子8.9のどちらか一方
或いはその両Jjに照射できるものである。
次に第5図は、本発明の光制御装置の他の例であり、光
スイツチ素子10を受光素子8.9の作る回路のループ
の外側に配置した例である。2つの受光素子が隣接して
いるために、制御光15をあまり振らなくても、光制御
装置を制御できるものである。
また、第6図は、2個のバルク起電力効果を有4°る受
光素子8.9の自発分極の向きが並列になるように配置
され、回路が接続されている。従って、2倍の早さで制
御できる装置が得られる。
[作用] 本発明の光制御装置の動作原理を第4図の測定装置を示
4図面を取り、説明4“る。
電界が印加される前の光シヤツターに信号光が入射しで
も、偏光子が直交している状態になるため、原理的に出
射光は、得られない。
次Iこ、受光素子8に、水銀ランプ19により光15を
照射すると、バルク光起電力効果により発生した電圧+
Vが、光シャ/ター素子10に印加される。入射側の偏
光子13で直線偏光を受けた信号光11は、電圧が印加
された光シャ/ター素子10を通過するが、このとき、
電気光学効果のため、入射光11のうち、出射光側の偏
光子14を通過できる成分の光が生じ、出射光が得られ
る。
始めの信号光11が遮蔽された状態をオフ状態、信号光
11が透過した状態をオン状態と1−れば、光による人
力により尤の信号が、制o4.!!れることになる。
次に、水銀ランプの光15の光路を切り替えて、もう1
つの受光素T−9に照射すると、はじめの受光素F8と
自発分極Psの向きが反対なので、はじめに印加した場
合とは、逆の起電力−■が発生する。従って、オン状態
の光シャッター素−r12は、逆の電圧−Vが印加され
ることにより、オフ状態を誘導される。このように駆動
光15の光路を切り替えて、照射する受光素′T−8或
いは9に替えることにより、光の信号11を制御するこ
とができる。即ち、以上のように電気的な駆動回路を用
いることなく、光、例えば、15によって、他の光例え
ば、11をコントロールすることができるものである。
次に、本発明の光制御装置について、次の実施例により
、説明するが、本発明は、次の実施例に限定されるもの
ではない。
[実施例1] [オン 才)制御] 7×9c鵬の而=を法のアルミナ基板上に、第3図に示
すような回路7を、銀−パラジウムペーストを印刷し、
焼き付けることにより形成した。
方、3原f・%のL a c′P bサイトを置換し、
Z「とTiの比率が52748であるチタン酸ジル:1
ン酸鉛、即ち、 P b *、*v L a *、ea(Z r *、s
41 *、as)a、s*mao n[以ド略してP 
L Z T (,3152/48 )と称する]の組成
の面寸法20X5+wで厚さ0.3111の2枚のトラ
ミックス平板8.9の各々の5111X0.31+11
の両面に銀ペーストを塗布焼き付けて、電極を形成し、
2kV/aの直流電界を印加して、分極処理を施し、受
光素子8.9とした。
また、9原子%のLaでPbサイトを置換し、ZrとT
iの比率が65:35であるチタン階ジルコン階鉛、即
ち、 P b *、*+ L a *、a*(Z r *、s
4 i o、+a)*、5tyiO*[以下略り、−’
r、P L Z T (9/65/35 )と称する]
の組成物体の2.5X2.5X2.5mmの寸法の透明
なセラミックス10の1対の両面に、m電極を焼き付け
、この1対の電極に直交し、互いに、平行な1対の而を
、鏡面研摩し、信号光の散乱が、起、−り難いようにし
た。
この鏡面研摩した而に、偏光f−13,14として、ポ
ジ【Iイド(登録+Tfi標)板を接着剤で貼り付けた
。ボラ[1イド(登録商標)板は、偏光方向が電界の印
加力向と45°をなし、また、2つの偏光方向が互いに
直交4゛るように設定した。接着剤は、信号光の光路に
かからないように、塗布、硬化させて、スイッチング素
子とした。受光素T−8,9は、分極方向が互いに反平
行になるように、直列に回路にハンダ付けした。スイッ
チ椿ング素−P12は、信号光の光路の配置を取り、接
着固定し、室温近傍で硬化する銀ペーストを用いて、回
路パターンと導通を形成させた。
得られた第3図の素子回路の動作特性を、第4図に示す
方法で測定した。測定用信号光としては、赤色He−N
eレーザ16を用いた。光スィッチを透過した赤色光の
光量は、光検知装置i¥17で測定し、そのデータをコ
ンピュータ1Bで記録した。
P L Z T (3152/48 ) ノ受光素T−
AとB、即ら、8.9に、水銀ランプ光を交互に5秒間
ずつ照射しながら、光スイッチ素r・の応答特性を測定
しr−0その結果を第7図に示した。
また、駆動光をAに照射−すると、オン状態で駆動され
、Bに照射するとオフ状態で駆動され、信号光(7)S
/N比は、4.5〜5dBt’あった。
従来技術による結果では、約2dBのS/N比が得られ
ており、これより2dB以上S/N比が高くなった。
このように性能が向トされる理由としては、(1)信号
光が、ガラス等でできた基板を透過しない構造にしたた
め、ノイズレベルが低下したこと、(り回路が、電気抵
抗の小さい銀−パラジウムで形成され、またムダな長さ
の配線が省略できたため、回路の抵抗による光起電力の
損失が低下したこと、 (3)駆動光が信号光に垂直な方向から入射する構造と
したので、駆動光が信号光に混信することが極めて少な
いこと等が、挙げられる。
尚、本実施例では、偏光f・13.14を、誘電体t=
5 ミツ/スPLZT(9/65/35) 101m直
接貼り付けたが、誘電体ヒラミックスから距離をおいて
、設置しても、所用特性を得られることが明らかである
[実施例2] 一ト述の実施例1において、受光素子の材質をPL Z
 T (3152/48 )に代エテ、WO,を0.5
原子%添加したP L Z T (3152/48 )
を用いた場合の実施例を示す。
受光素子8.90寸法は、実施例1のものと同様で、2
0X5X0.3−であり、第3図のモ面図に示すような
構成のものであり、電極の形状、分極条件及び光スイツ
チ回路の構成は、実施例1に帛じたものである。また、
形成された素子回路の動作特性を実施例1と同様に測定
した。その結果を、第8図に示す。
得られたS/N比は、6〜7dBであった。
実施例1に比べ1.5〜2.5dBの向上がh−>た、
これは、P L Z T (3152/48 )に、W
Osを添加した効果である。尚、WOIを、1.0、!
、5.2.0.2.5原子%に増加さけで、添加した材
料で受光素子−を形成させたところ、!。
0原t%及び1.5原子%の場合では、S/N比が、無
添加のPLzTを用いた場合のS/N比よ’) 4> 
大fi、 <、マタ、2.OJl;(7−%添加(7)
PLZTで、無添加のPLZTを用いた場合のS/N比
と同じで、2.5JIX子%添加のPLZTではやや劣
っていた。
従って、WOlの0〜2.0原子%添加量の範囲が、最
もS/N比の向ト効果が見られた。
[実施例3] [光スイツチ素子を4光素子回路の外側に設置]第5図
に示4゛ように、光スイップ素子10を、2個の受光素
子8.9を構成するループ状回路の外側に配置した構造
の光−光スイツチ素子を作製した。
この構造の利点は、受光f:FB、9が隣接しているの
で、駆動光のビーl、の切り替え幅を小さくできるとい
う点である。
、tた、受光素子・の材質は、実施@2と同じようにW
o、1&加の材料を使用したところ、S/N比は、実施
例2と同様に、6dBであった。
[実施例4] [+行分極の受光素子−構成] 本実施例Cは、第6図に示す配置のものを使用し、受光
素子8.9の分極方向が互いに7行になるように並列に
接続した。
その動作特性を、第4図に示す方法で測定した、即ら、
2個の受光素子に同時に駆動光15を照射することによ
り測定した。
受光素子の材質は、実施例2のものと同じで、WO,0
,5原子%添加(7) P L ’Z T (3152
/4g ) −1’ある。
駆動光オフ状態から光照射を始めて、透過光の強瓜が6
dBになるまでの時間は、2〜2.5秒間であり、これ
は、実施f42の場合のように、ノjの駆動I/f丁−
に駆動光を照射した場合に比べて、約1/2の時間であ
る。
、−のように、光の照射を検出するためには、自発分極
の向きを並ターにした構造を用いることにより、よりI
+4.い光シャッタの開状態を実現できることが確認さ
れた。
第7図は、逆方向に分極した2つの受光素子A、Hに交
t7に光を照射したときの本発明の光制御装置の光応答
特性を示すグラフである。
第8図は、WO1添加の材質を用いたときの同様な本発
明の光制卿装殻の光応答特性を示すグラフである。
[発明の効果] 本発明によると、バルク光起電力効果を有する受光素r
−を駆動源とし、2次光学効果の大きなPLZTをスイ
ッチング素子として、回路基板上に、駆動光の方向と信
号光の方向が重ならないように、これらのll:fを配
置して、組合わせることにより、 (1)何らかの増幅回路を用いることなく、駆動光の人
力により、他の信号光の出力を直接コント〔1−ルする
ことができる。
(り小型化、薄層化を容易に4ることかできる。
(3)信号光が基板と)V行に入射するため基板は、不
透明なものでも使用でき、材質を自由に選択(る、−と
ができる。
(4)材質が選択できるため、回路を形成した基板が、
使用できるので、配線のし程を簡略化でき、また、信頼
性の高い光スイyブン/f装置を、より安価に製造する
、二とができる等の効果が期待できる。
更に、受光素子に、WOlを添加したPLZTを用いる
ことにより、より大きなバルク光起電力効果を得ること
が可能となった。
史に、本発明の光制御装置は、 (1)光による光のトンシングができること、(ZIX
;演算装置の基礎ユニット等に応用することができ、ま
た、それに有効である装置を提供することができたもの
である。
4.1fflQ’−な図面の説明 第1図は、従来の光制御装にの構造を模式的−二ノド−
′斜視図である。
第2図は、従来の全九制御型電気尤学Igfで得られた
動作特性を示す、レーザー出力変化と経過時間でブ【1
)卜したグラフである。
第3図は、本発明による光制御装置の構成を示−41例
の平面回路を示す平面図である。
第4図は、本発明による他の例の光制御装置の構成を示
す模式図fある。
第5図は、本発明による他の例の光制御装置の構成を示
す模式図である。
第6図は、本発明による他の例の光制御装置の構成を示
を模式図である。
第7図は、本発明による光制御装置で測定された特性を
示すグラフである。
第8図は、本発明の光制御装置による測定光応答特性を
示すグラフである。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透明な“電気光学効果”を有する誘電体に電極を
    設け、信号光の入射面と出射面は、各々の偏光方向を互
    いに直交させ、また、印加電界の方向が互いに45°を
    なすように2つの偏光子が取り付けられた光変調素子と
    ; その駆動源として、自発分極の方向を揃えた、光起電力
    効果を有する少なくとも1つの誘電体受光素子を有し、 前記の2種の即ち光変調素子と受光素子の2種の機能素
    子を1個の回路基板上に載置し、構成される、光により
    光を制御する装置において、前記2種の機能素子は、該
    回路基板の光路上に設置され、前記光変調素子を通過す
    る信号光が、該回路基板面を通過せずに、前記受光素子
    を駆動する駆動光が前記の信号光と異なる方向から入射
    するように配置されたことを特徴とする光制御装置。
  2. (2)前記光変調素子を通過する信号光が、この回路基
    板面を通過せず、該受光素子を駆動する駆動光が、該信
    号光と異なる方向から入射するように配置されているた
    め、該光変調素子の信号光の入射面及び出射面が、この
    回路基板面に垂直であること、且つ該受光素子の受光面
    が、該回路基板と平均であることを特徴とする請求項第
    1項記載の光制御装置。
  3. (3)前記受光素子が2個の受光素子からなり、それら
    の自発分極の方向が、直列でループ状に接続され、前記
    光変調素子の各々の電極が、前記の各々の接続回路に接
    続されたことを特徴とする請求項第1項記載の光制御装
    置。
  4. (4)前記受光素子が2個の受光素子からなり、それら
    の自発分極方向が、並列でループ状に接続され、前記光
    変調素子の各々の電極が、前記の各々の接続回路に接続
    されたことを特徴とする請求項第1項記載の光制御装置
  5. (5)前記受光素子が圧電セラミックス体で、バルク光
    起電力効果を有するランタン添加チタン酸ジルコン酸鉛
    で、Laを3モル%添加した、PLZT(3/52/4
    8)、即ち、 ▲数式、化学式、表等があります▼焼結体及びこれにW O_2を0〜2.0原子%添加したPLZT(3/52
    /48)焼結体からなり、透明なスイッチング素子は、
    ランタン添加チタン酸ジルコン酸鉛:PL2T(9/6
    5/35)即ち、 ▲数式、化学式、表等があります▼焼結体からなる請求
    項 第1項記載の光制御装置。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58171024A (ja) * 1982-04-01 1983-10-07 Agency Of Ind Science & Technol 光制御型光スイツチ
JPS63131125A (ja) * 1986-11-20 1988-06-03 Ricoh Co Ltd 光駆動による光スイツチング装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58171024A (ja) * 1982-04-01 1983-10-07 Agency Of Ind Science & Technol 光制御型光スイツチ
JPS63131125A (ja) * 1986-11-20 1988-06-03 Ricoh Co Ltd 光駆動による光スイツチング装置

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