JPH02172250A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH02172250A JPH02172250A JP63324824A JP32482488A JPH02172250A JP H02172250 A JPH02172250 A JP H02172250A JP 63324824 A JP63324824 A JP 63324824A JP 32482488 A JP32482488 A JP 32482488A JP H02172250 A JPH02172250 A JP H02172250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- electro
- wafer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電気光学効果を示すウェハを有する半導体
集積回路に係り、特にレーザサンプリングビームと同期
を取りながらＩＣを試験する超高速ＩＣテスタに好適な
半導体集積回路に関するものである。
集積回路に係り、特にレーザサンプリングビームと同期
を取りながらＩＣを試験する超高速ＩＣテスタに好適な
半導体集積回路に関するものである。
（従来の技術）
近年、半導体集積回路（Ｉ Ｃ）の処理速度が通信技術
の発達によりますます高速化されており、それに対応す
るＩＣテスタも高速化が期待されている。
の発達によりますます高速化されており、それに対応す
るＩＣテスタも高速化が期待されている。
ところが、従来の電気信号入力・出力形のＩＣテスタに
おいては、チャンネル間の位相差（スキュー）に起因し
て、せいぜい５００ＭＨｚ程度が限度となっている。
おいては、チャンネル間の位相差（スキュー）に起因し
て、せいぜい５００ＭＨｚ程度が限度となっている。
そこで、最近はウェハに電気光学特性を示す材料を用い
た、例えば光通信等に使用されるＧａＡｓＩＣ等の超高
速ＩＣ試験用にレーザサンプリングビームと同期をとっ
た電気光学効果を応用した超高速ＩＣテスタが出現して
きた。これは、電気光学効果を示すウェハの対向する電
極との間に電圧が印加されると、ウェハである電気光学
結晶内に複屈折が屈起し、ここの領域を通過するレーザ
パルスが強度変調を受けることを利用したものである。
た、例えば光通信等に使用されるＧａＡｓＩＣ等の超高
速ＩＣ試験用にレーザサンプリングビームと同期をとっ
た電気光学効果を応用した超高速ＩＣテスタが出現して
きた。これは、電気光学効果を示すウェハの対向する電
極との間に電圧が印加されると、ウェハである電気光学
結晶内に複屈折が屈起し、ここの領域を通過するレーザ
パルスが強度変調を受けることを利用したものである。
すなわち、所望の電極付近にレーザパルスを照射し、変
調されたパルス波形を観測することによって、ＩＣに印
加されている電圧波形を測定する方法である。
調されたパルス波形を観測することによって、ＩＣに印
加されている電圧波形を測定する方法である。
超高速ＩＣテスタは、このレーザサンプリングビームに
よる電圧波形と電気信号人力・出力とを同期させること
によって、各電極間（測定チャンネル）のスキューを保
証し、１〜２ＧＨｚ以上までの超高速ＩＣテストを行え
るように構成されている。
よる電圧波形と電気信号人力・出力とを同期させること
によって、各電極間（測定チャンネル）のスキューを保
証し、１〜２ＧＨｚ以上までの超高速ＩＣテストを行え
るように構成されている。
この電気光学効果を示す材料は、非対称結晶構造を持つ
電気光学結晶物質であり、代表的なニオブ酸リチウム（
ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ５）
と並んで、超高速ＩＣ用のＧａＡｓ材料も、上記電気光
学効果を示す。従って、ＧＨｚオーダの超高速周波数領
域におけるテストでは、この電気光学効果を用いたテス
ト方式が注目されている。
電気光学結晶物質であり、代表的なニオブ酸リチウム（
ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ５）
と並んで、超高速ＩＣ用のＧａＡｓ材料も、上記電気光
学効果を示す。従って、ＧＨｚオーダの超高速周波数領
域におけるテストでは、この電気光学効果を用いたテス
ト方式が注目されている。
しかしながら、ＧａＡｓ Ｉ Ｃの測定用ボンディング
パッド等は、従来の電気信号入力・出力方式によるテス
タのためのものであるため、電気光学効果を精度良く、
かつ効率よく測定できるような構造や形状にはなってい
ない。そこで、従来は被測定デバイスを電気光学結晶の
キャリアに粘着する方法により、超高速ＩＣの機能テス
トを実施していた。
パッド等は、従来の電気信号入力・出力方式によるテス
タのためのものであるため、電気光学効果を精度良く、
かつ効率よく測定できるような構造や形状にはなってい
ない。そこで、従来は被測定デバイスを電気光学結晶の
キャリアに粘着する方法により、超高速ＩＣの機能テス
トを実施していた。
第５図はこの種の従来の半導体集積回路の構成を説明す
る断面図であり、３１は試験ＩＣで、電気光学結晶を用
いたキャリア３２上に粘着されており、キャリア３２は
裏面電極３３と上面電極３４が形成され、その間でスト
リップラインを形成している。そして、ボンディングパ
ッド３５と上面電極３４がワイヤ３６によりボンディン
グされる。ＬＳＢはレーザサンプリングビームで、裏面
電極３３と上面電極３４間に印加される電圧に比例して
強度変調される。
る断面図であり、３１は試験ＩＣで、電気光学結晶を用
いたキャリア３２上に粘着されており、キャリア３２は
裏面電極３３と上面電極３４が形成され、その間でスト
リップラインを形成している。そして、ボンディングパ
ッド３５と上面電極３４がワイヤ３６によりボンディン
グされる。ＬＳＢはレーザサンプリングビームで、裏面
電極３３と上面電極３４間に印加される電圧に比例して
強度変調される。
実際のＩＣ測定は、キャリア３２上の上面電極３４付近
からレーザサンプリングビームＬＳＢを照射し、裏面電
極３３からの反射光ＬＳＢＲをＩＣテスタで測定するこ
とより行う。これにより、裏面電極３３を有しない試験
ｘｅ３１でも、ＥＯ同期方式のＩＣテスタで測定が可能
となる。
からレーザサンプリングビームＬＳＢを照射し、裏面電
極３３からの反射光ＬＳＢＲをＩＣテスタで測定するこ
とより行う。これにより、裏面電極３３を有しない試験
ｘｅ３１でも、ＥＯ同期方式のＩＣテスタで測定が可能
となる。
このような従来の方法では、ＧａＡｓ Ｉ Ｃ等の形状
、構造が一般的であるので、ＩＣ製造においては今まで
と同様である。しかし、そのままではＩＣデバイスの性
能を測定できないので、電気光学結晶のキャリア３２に
試験ＩＣ３１を粘着し、そして、ボンディングすること
によって、キャリア３２上の上面電極３４に電位を伝達
させ、そのキャリア３２上の配線電極電位をレーザサン
プリングビームＬＳＢによって測定している。
、構造が一般的であるので、ＩＣ製造においては今まで
と同様である。しかし、そのままではＩＣデバイスの性
能を測定できないので、電気光学結晶のキャリア３２に
試験ＩＣ３１を粘着し、そして、ボンディングすること
によって、キャリア３２上の上面電極３４に電位を伝達
させ、そのキャリア３２上の配線電極電位をレーザサン
プリングビームＬＳＢによって測定している。
従って、上述したように被測定デバイスをキャリア３２
上に粘着し、ボンディングする必要がある。そのため被
測定デバイスは、ウェハ状態では測定できず、ＩＣチッ
プ状態にスクライブしなければならない。また、測定し
たＩＣは、キャリア３２にボンディングされているため
、測定用サンプルとしてのみで、出荷用ＩＣとはならな
い等の問題点があった。
上に粘着し、ボンディングする必要がある。そのため被
測定デバイスは、ウェハ状態では測定できず、ＩＣチッ
プ状態にスクライブしなければならない。また、測定し
たＩＣは、キャリア３２にボンディングされているため
、測定用サンプルとしてのみで、出荷用ＩＣとはならな
い等の問題点があった。
この発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
ので、ＩＣウェハ状態でレーザサンプリングビームと同
期をとった電気光学効果を応用した超高速ＩＣテスタに
よりＩＣ試験を高速に行える半導体集積回路を得ること
を目的とする。
ので、ＩＣウェハ状態でレーザサンプリングビームと同
期をとった電気光学効果を応用した超高速ＩＣテスタに
よりＩＣ試験を高速に行える半導体集積回路を得ること
を目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明に係る半導体集積回路は、クエへの裏面に対し
、測定対象となるウェハの表面電極との間で電気光学効
果を発生させるための裏面電極をウェハの裏面全体に形
成したものである。そして、ウェハの表面のボンディン
グパッドにレーザサンプリングビームを通過させる小窓
を形成したものである。
、測定対象となるウェハの表面電極との間で電気光学効
果を発生させるための裏面電極をウェハの裏面全体に形
成したものである。そして、ウェハの表面のボンディン
グパッドにレーザサンプリングビームを通過させる小窓
を形成したものである。
この発明においては、ウェハの裏面に形成された裏面電
極と、測定対象となるウェハの上面電極とに所定電圧が
印加された状態で、レーザサンプリングビームが入射す
ると、上記印加電圧に比例した強度変調された複屈折が
誘起され、その反射ビームがレーザサンプリングビーム
に同期するＩＣ試験装置に導かれる。
極と、測定対象となるウェハの上面電極とに所定電圧が
印加された状態で、レーザサンプリングビームが入射す
ると、上記印加電圧に比例した強度変調された複屈折が
誘起され、その反射ビームがレーザサンプリングビーム
に同期するＩＣ試験装置に導かれる。
また、ボンディングパッドには小窓が形成されているの
で、レーザサンプリングビームがいつも一定の場所に照
射されることになり高精度の測定ができる。
で、レーザサンプリングビームがいつも一定の場所に照
射されることになり高精度の測定ができる。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体集積回路の構
成を説明する断面図であり、１は例えばＧａＡｓ等の電
気光学効果を示す被測定ＩＣで、この被測定ＩＣ１の裏
面に対して裏面電極３が全面的に形成されている。２は
上面電極を兼ねるボンディングパッドで、第２図に示す
ようにメカニカルプローバが接触し、また、パッケージ
へのボンディングのための従来と同じボンディングエリ
ア２１と、この発明で構成されたエリア２２が形成され
ている。２３はレーザビーム照射用の小窓で、上面電極
となる上記ボンディングパッド２と裏面電極３に所定電
位の電圧を印加工状態下において、小窓２３を介してレ
ーザサンプリングビームＬＳＢを入射し、強度変調され
た複屈折光を超高速ＩＣテスタ（レーザサンプリングビ
ームＬＳＢによる電圧波形と電気信号入力・出力とが同
期する）に導く。なお、ボンディングパッド２と裏面電
極３により被測定ＩＣＩの電気光学結晶を挟んでストリ
ップラインを形成している。
成を説明する断面図であり、１は例えばＧａＡｓ等の電
気光学効果を示す被測定ＩＣで、この被測定ＩＣ１の裏
面に対して裏面電極３が全面的に形成されている。２は
上面電極を兼ねるボンディングパッドで、第２図に示す
ようにメカニカルプローバが接触し、また、パッケージ
へのボンディングのための従来と同じボンディングエリ
ア２１と、この発明で構成されたエリア２２が形成され
ている。２３はレーザビーム照射用の小窓で、上面電極
となる上記ボンディングパッド２と裏面電極３に所定電
位の電圧を印加工状態下において、小窓２３を介してレ
ーザサンプリングビームＬＳＢを入射し、強度変調され
た複屈折光を超高速ＩＣテスタ（レーザサンプリングビ
ームＬＳＢによる電圧波形と電気信号入力・出力とが同
期する）に導く。なお、ボンディングパッド２と裏面電
極３により被測定ＩＣＩの電気光学結晶を挟んでストリ
ップラインを形成している。
次に動作について説明する。
図示しないＩＣテスタよりレーザビームサンプリングビ
ームＬＳＢを小窓２３を介して照射すると、電気光学効
果により複屈折を誘起して、その反射光ＬＳＢＲはボン
ディングパッド２と裏面電極３（一般的に接地）間に印
加された電圧に比例した強度変調を受ける。この反射ビ
ームＬＳＢＲをＩＣテスタで観測し、ボンディングパッ
ド２に印加されている実際の電圧（人力あるいは出力の
電気信号）との間で同期をとることにより、チャンネル
間にわたって生じる位相間のスキューを補正して、タイ
ミング精度が高く、かつウェハ状態でのＩＣ試験の実施
が可能となる。さらに、小窓２３よりレーザビームサン
プリングビームＬＳＢを照射することにより、ビームタ
ーゲットを常に固定した状態であって、かつ周囲電位が
安定した状態での測定が可能となり、高精度に測定が行
える。
ームＬＳＢを小窓２３を介して照射すると、電気光学効
果により複屈折を誘起して、その反射光ＬＳＢＲはボン
ディングパッド２と裏面電極３（一般的に接地）間に印
加された電圧に比例した強度変調を受ける。この反射ビ
ームＬＳＢＲをＩＣテスタで観測し、ボンディングパッ
ド２に印加されている実際の電圧（人力あるいは出力の
電気信号）との間で同期をとることにより、チャンネル
間にわたって生じる位相間のスキューを補正して、タイ
ミング精度が高く、かつウェハ状態でのＩＣ試験の実施
が可能となる。さらに、小窓２３よりレーザビームサン
プリングビームＬＳＢを照射することにより、ビームタ
ーゲットを常に固定した状態であって、かつ周囲電位が
安定した状態での測定が可能となり、高精度に測定が行
える。
また、第３図および第４図に示すように裏面電極３を形
成するだけであっても、被測定ＩＣＩをＥＯ同期方式の
ＩＣテスタで測定可能となる。以下、その場合について
詳細に説明する。
成するだけであっても、被測定ＩＣＩをＥＯ同期方式の
ＩＣテスタで測定可能となる。以下、その場合について
詳細に説明する。
第３図、第４図はこの発明の他の実施例を示す半導体集
積回路の構成を説明する断面図および表面電極平面図で
あり、３は裏面電極で、被測定ＩＣＩの裏面全体に形成
されていることは第１図と同じである。２Ａ、２Ｂは上
面電極で、これらの上面電極２Ａ、２Ｂと裏面電極３と
の間に電圧が印加されると電気力線り、、Ｄ、が発生す
る。
積回路の構成を説明する断面図および表面電極平面図で
あり、３は裏面電極で、被測定ＩＣＩの裏面全体に形成
されていることは第１図と同じである。２Ａ、２Ｂは上
面電極で、これらの上面電極２Ａ、２Ｂと裏面電極３と
の間に電圧が印加されると電気力線り、、Ｄ、が発生す
る。
例えば上面電極２Ａ、２Ｂとの間隔が十分（図示したよ
うに干渉しない状態）であれば、レーザサンプリングビ
ームＬＳＢは影響を受けにくくなり、上記間隔が狭まる
につれて電気力線Ｄ１Ｄ２の干渉の影響を受けてレーザ
サンプリングビームＬＳＢの反射光ＬＳ ＢＲが不安定
となるため、レーザサンプリングビームＬＳＢの照射位
置が一定していなど誤差が生ずるが、照射位置を一定に
すれば差支えなはない。そして第５図の従来例のように
キャリア３２等に被測定ＩＣ１をボンディングする必要
もなく、製造工程で裏面電極３を形成するだけで、ウェ
ハ状態でのＩＣ試験をＥＯ同期方式のＩＣテスタにより
行える。
うに干渉しない状態）であれば、レーザサンプリングビ
ームＬＳＢは影響を受けにくくなり、上記間隔が狭まる
につれて電気力線Ｄ１Ｄ２の干渉の影響を受けてレーザ
サンプリングビームＬＳＢの反射光ＬＳ ＢＲが不安定
となるため、レーザサンプリングビームＬＳＢの照射位
置が一定していなど誤差が生ずるが、照射位置を一定に
すれば差支えなはない。そして第５図の従来例のように
キャリア３２等に被測定ＩＣ１をボンディングする必要
もなく、製造工程で裏面電極３を形成するだけで、ウェ
ハ状態でのＩＣ試験をＥＯ同期方式のＩＣテスタにより
行える。
（発明の効果）
以上説明したように、この発明はウェハの裏面に対し、
測定対象となるウェハの上面電極との間で電気光学効果
を発生させるための裏面電極をクエへの裏面全体に形成
したので、電気光学結晶のキャリアに被測定ＩＣを粘着
（ダイ・ボンディング）し、ワイヤボンディングするこ
となく、ウェハ状態でＩＣを精度良く測定できる優れた
効果を奏する。
測定対象となるウェハの上面電極との間で電気光学効果
を発生させるための裏面電極をクエへの裏面全体に形成
したので、電気光学結晶のキャリアに被測定ＩＣを粘着
（ダイ・ボンディング）し、ワイヤボンディングするこ
となく、ウェハ状態でＩＣを精度良く測定できる優れた
効果を奏する。
また、ボンディングパッドに小窓を形成したものはレー
ザサンプリングビームの照射位置が一定となり精度の高
い測定を行うことができる利点がある。
ザサンプリングビームの照射位置が一定となり精度の高
い測定を行うことができる利点がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置回路の構
成を示す断面図、第２図は、第１図に示した半導体集積
回路のボンディングパッドの平面図、第３図はこの発明
の他の実施例を示す半導体集積回路の動作を説明する断
面図、第４図は、第３図の上面電極の平面図、第５図は
従来の半導体集積回路の構成を説明する断面図である。 図中、１は被測定ＩＣ１２はボンディングパッド、２１
はボンディングエリア、２２はエリア、２３は小窓、３
は裏面電極、ＬＳＢはレーザサンプリングビームである
。
成を示す断面図、第２図は、第１図に示した半導体集積
回路のボンディングパッドの平面図、第３図はこの発明
の他の実施例を示す半導体集積回路の動作を説明する断
面図、第４図は、第３図の上面電極の平面図、第５図は
従来の半導体集積回路の構成を説明する断面図である。 図中、１は被測定ＩＣ１２はボンディングパッド、２１
はボンディングエリア、２２はエリア、２３は小窓、３
は裏面電極、ＬＳＢはレーザサンプリングビームである
。
Claims (2)
- （１）電気光学効果を示すウェハに回路パターンを形成
してなる半導体集積回路において、前記ウェハの裏面に
対し、表面のボンディングパッドとの間で電気光学効果
を発生させるための裏面電極を前記ウェハの裏面全体に
形成したことを特徴とする半導体集積回路。 - （２）ボンディングパッドにレーザサンプリングビーム
を通過させる小窓を形成したことを特徴とする請求項（
１）記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324824A JPH02172250A (ja) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324824A JPH02172250A (ja) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02172250A true JPH02172250A (ja) | 1990-07-03 |
Family
ID=18170086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63324824A Pending JPH02172250A (ja) | 1988-12-24 | 1988-12-24 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02172250A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547883A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 集積回路の回路試験装置および回路試験方法 |
| WO1994024575A1 (fr) * | 1993-04-13 | 1994-10-27 | Teratec Corporation | Instrument electro-optique |
-
1988
- 1988-12-24 JP JP63324824A patent/JPH02172250A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547883A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 集積回路の回路試験装置および回路試験方法 |
| WO1994024575A1 (fr) * | 1993-04-13 | 1994-10-27 | Teratec Corporation | Instrument electro-optique |
| US5583446A (en) * | 1993-04-13 | 1996-12-10 | Teratec Corporation | Electro-optically controlled measurement probe system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4851767A (en) | Detachable high-speed opto-electronic sampling probe | |
| US5394098A (en) | Apparatus including electro-optical material for use in testing a circuit having voltage-bearing elements proximate a surface of a body | |
| US4910458A (en) | Electro-optic sampling system with dedicated electro-optic crystal and removable sample carrier | |
| US4618819A (en) | Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution | |
| EP0160209B1 (en) | Measurement of electrical signals with subpicosecond resolution | |
| US4875006A (en) | Ultra-high-speed digital test system using electro-optic signal sampling | |
| US4891580A (en) | Electro-optic measurements of voltage waveforms on electrical conductors | |
| JPS6341041A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63313075A (ja) | 電位を光学的に測定するための機械式プローブ | |
| JPH02172250A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2947288B2 (ja) | 半導体集積回路用試験装置および該装置のプローブ位置制御方法 | |
| JPH04307379A (ja) | 光プローブ方法及び装置 | |
| JPH0787211B2 (ja) | 集積回路の試験装置 | |
| JPH01217273A (ja) | 集積回路の回路試験方法 | |
| Baur et al. | High voltage resolution with a laser diode based electro-optic measurement system | |
| Soelkner | Optical beam testing and its potential for electronic device characterization | |
| JPH03167490A (ja) | 実装プリント板試験装置 | |
| JPS63133068A (ja) | 回路電圧検出装置 | |
| JP2596865B2 (ja) | 回路試験用電界センサー | |
| JPH04264746A (ja) | 集積回路の回路試験方法 | |
| JPH0627787B2 (ja) | 光プローブ | |
| JP2893921B2 (ja) | 光サンプリング装置 | |
| Henley et al. | Systems Solutions Based On Electro-Optic Sampling To High Speed Ic Test Problems | |
| JPH112787A (ja) | 電圧／偏光状態変換器及びこれを用いた光ビームテスタ | |
| JPH02275366A (ja) | プローブボード |