JPS6341041A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6341041A
JPS6341041A JP61185715A JP18571586A JPS6341041A JP S6341041 A JPS6341041 A JP S6341041A JP 61185715 A JP61185715 A JP 61185715A JP 18571586 A JP18571586 A JP 18571586A JP S6341041 A JPS6341041 A JP S6341041A
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JP
Japan
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electrode pad
chip
output
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high frequency
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Takayuki Kato
隆幸 加藤
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/27—Structural arrangements therefor
    • H10P74/273—Interconnections for measuring or testing, e.g. probe pads
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884—Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明（よ、例えば数十Ｍ　Ｈｚ以上の高周波帯で動
作する半導体装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第３図（ａ）は従来の高周波帯ＩＣチップの一例を示す
平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の■１−■、線に
おける断面図である。これらの図において、１はＩＣチ
ップ、２ａは入力用電極パッド、２ｂは出力用電極パッ
ド、３は裏面接地金属、４は裏面に至るバイアホールで
ある。そして、第３図（ｂ）に示すように、ＩＣチップ
１の入力用電極パッド２ａおよび出力用電極パッド２ｂ
は、マイクロスＩ・リップラインとなっている。
次に、このＩＣチップ１の高周波特性の測定方法につい
て説明する。
第４図は測定用の治具を用いてＩＣチップ１の高周波特
性の測定を行っている状態を示す平面図である。この図
において、５は測定用の治具、６はチップキャリアであ
る。
第４図に示すように、従来はＩＣチップ１を個別に分割
し、チップキャリア６等に組立後、測定用の治具５を使
用して高周波特性の測定を行っていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来のＩＣチップでは、■Ｃチ、ンプ１を
個別に分割し、チップキャリア６等に組立後、測定用の
治具５を使用して高周波特性の測定を行っているため、
１ｇのＩＣチップの測定に数時間の準備を必要とすると
いう問題点があった。
また、測定用の治具５に起因する寄生容量や共振のため
、測定精度が低いという問題点もあった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、高周波特性を短時間に高い精度で測定することが
可能な半導体装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、入力用電極パッドおよび
出力用電極パッドのそれぞれを一定の間隔で挾むように
、半導体基板上に高周波特性試験を行った後に切除され
る接地用電極パッドを形成したものである。
〔作用〕
この発明においては、高周波帯ウェハ・プローバのブロ
ービングニードルを用いて高周波特性が測定される。
〔実施例〕
第１図（ａ）は乙の発明の半導体装置の一実施例を示す
平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の１．−■ｂ線に
おけろ断面図である。これらの図において、第３図（ａ
）、（ｂ）と同一符号は同一部分を示し、２ｃは接地用
電極パッドで、入力用電極パッド２ａ、出力用電極パッ
ド２ｂのそれぞれを挾んで両側に形成され、バイアホー
ル４を介して裏面接地金属３に接続されている。
また、第２図（ａ）は高周波帯のウニへ・プローバのブ
ロービングニードル先端部の斜視図である。
このブロービングニードル先端部はセラミック製のボデ
ィ７の裏面に、接地線路８ａ、９ｃ、信号線路８ｂを持
つコプレナライン構造となっている。
すなわち、この発明の半導体装置は、入力用電極パッド
２ｎ、出力用電極パッド２ｂの両側にそれぞれ接地用電
極パッド２Ｃが構成されているため、ブロービングニー
ドル先端部との整合性が高い。
したがって、第２図（ｂ）に示すように、ブロービング
ニードル先端部をＩＣチップ１の入力部および出力部に
密着させての高周波帯ウェハ・ブロービングが可能であ
る。この結果、ＩＣチップ１を分割しキャリアに組み立
てる等の手間を必要としないため、測定に要する時間を
従来の約１７１００にできる。また、測定用の治具５に
起因する寄生容量や共振が発生しないため、従来の約１
０倍の精度で高周波特性を測定できる。
また、実際にこの発明の半導体装置を使用する際には、
第２図（Ｃ）に示すように切断し、従来のＩＣチップと
同様な使用が可能である。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、入力用電極パッドおよ
び出力用１掻パッドのそれぞれを一定の間隔で挾むよう
に、半導体基板上に高周波特性試験を行った後に切除さ
れる接地用電極パッドを形成シたので、高周波帯ウェハ
・プローバの使用が可能となり、高周波特性を短時間に
高い精度で測定することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の半導体装置の一実施例を示す図、第
２図はこの発明における高周波特性試験を説明するため
の図、第３図は従来のＩＣチップを示す図、第４図は従
来の高周波特性試験を説明するための図である。 図において、１はＩＣチップ、２ａは入力用電極パッド
、２ｂは出力用電極パッド、２ｃは接地用電極パッド、
３は裏面接地金属、４はバイアホール、５ば測定用の治
具、６はチップキャリア、７ばボディ、８ａ、８ｃは接
地線路、８ｂは信号線路である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 １１ｈ ４　ノＶイア才、−ル 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板の一主面上に入力用電極パッドと出力用電極
    パッドを有する半導体装置において、前記入力用電極パ
    ッドおよび出力用電極パッドのそれぞれを一定の間隔で
    挾むように、前記半導体基板上に高周波特性試験を行っ
    た後に切除される接地用電極パッドを形成したことを特
    徴とする半導体装置。
JP61185715A 1986-08-06 1986-08-06 半導体装置 Granted JPS6341041A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61185715A JPS6341041A (ja) 1986-08-06 1986-08-06 半導体装置
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US07/426,926 US5051810A (en) 1986-08-06 1989-10-26 Semiconductor device operating in high frequency range
US07/513,642 US5010019A (en) 1986-08-06 1990-04-24 Method of making a semiconductor device operating in high frequency range

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JPH0528903B2 JPH0528903B2 (ja) 1993-04-27

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