JPH02174099A - 超電導偏向電磁石 - Google Patents
超電導偏向電磁石Info
- Publication number
- JPH02174099A JPH02174099A JP32761288A JP32761288A JPH02174099A JP H02174099 A JPH02174099 A JP H02174099A JP 32761288 A JP32761288 A JP 32761288A JP 32761288 A JP32761288 A JP 32761288A JP H02174099 A JPH02174099 A JP H02174099A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- coil
- coils
- magnetic
- correction coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁界を発生さ・ぜて荷電、ビームを偏向さ
せる主コイルと、磁界をrA整して高均一磁界を作る多
極補正コイルとを備えた@Y導偏向電磁石に関するもの
である。
せる主コイルと、磁界をrA整して高均一磁界を作る多
極補正コイルとを備えた@Y導偏向電磁石に関するもの
である。
第10図は、[ジャンク他”最゛初の小型放射光源用超
電導原型マグネット” フイ・イー・イー・イートラン
スアクジョンズ オン マグネデイクス、Vot24.
42゜1230−1232貞、1988年3月(A、J
abnke他”FIR8TSUPERCONT)UCT
ING PR,0TOTYPE MAGNETS F’
OR,A (Th4’A(ITj’5YNCHROTR
ON RADIATION 5OUR,CE IN 0
PERATION□IEEE TRANSACTION
S ON MAGNETIC8)、J ’L示された従
来の超電導偏向電磁石を示ず余1皆1図であン)。図に
おいて、(1)は主コイル、(2)は補助フィル、(3
)は傾斜コイル、(4)はタライオスタットー(5)は
荷電ビム(6)を通すビームダク) 、 (7)は放射
光子゛あZ−17、次f、動作について説、明づる一主
と1−5“て、主コイル(1)が発生ずる垂直方向の磁
界(相対する主コイル(1)K鎖交する磁界)によって
荷電ビーム(5)は180度偏向される。この時、荷電
ビーム(6)は半径方向に力を受けるから、それと直光
する方向(ビーム軌道の接線方向)((放射光(7)を
発生する。
電導原型マグネット” フイ・イー・イー・イートラン
スアクジョンズ オン マグネデイクス、Vot24.
42゜1230−1232貞、1988年3月(A、J
abnke他”FIR8TSUPERCONT)UCT
ING PR,0TOTYPE MAGNETS F’
OR,A (Th4’A(ITj’5YNCHROTR
ON RADIATION 5OUR,CE IN 0
PERATION□IEEE TRANSACTION
S ON MAGNETIC8)、J ’L示された従
来の超電導偏向電磁石を示ず余1皆1図であン)。図に
おいて、(1)は主コイル、(2)は補助フィル、(3
)は傾斜コイル、(4)はタライオスタットー(5)は
荷電ビム(6)を通すビームダク) 、 (7)は放射
光子゛あZ−17、次f、動作について説、明づる一主
と1−5“て、主コイル(1)が発生ずる垂直方向の磁
界(相対する主コイル(1)K鎖交する磁界)によって
荷電ビーム(5)は180度偏向される。この時、荷電
ビーム(6)は半径方向に力を受けるから、それと直光
する方向(ビーム軌道の接線方向)((放射光(7)を
発生する。
高エネルギービームを小半径で曲げるには高磁界が必要
なため超電導偏向電磁石が用いられる。
なため超電導偏向電磁石が用いられる。
荷物ビーム(6)は有限の断面稍を持っている(通常数
IITn程度)。また1、集束用の4極電m石(図示せ
ず)の設g誤差などによって、超電導偏向宿磁石中の荷
電ビーム(6)の軌道は設計位t(通常は主コイル(1
)の中心)から数10rrmずれることもある。
IITn程度)。また1、集束用の4極電m石(図示せ
ず)の設g誤差などによって、超電導偏向宿磁石中の荷
電ビーム(6)の軌道は設計位t(通常は主コイル(1
)の中心)から数10rrmずれることもある。
以上の2つの理由から、超電導偏向電磁石は荷電ビーム
(6)の軌道に沿って断面が数10rrm角程度の領域
に高均一な磁界を発生する。この均一磁界によって、全
荷電ビーム(6)を180度偏向する。補助コイル(2
)や傾斜コイル(3)は主コイル(1)が作る磁界を調
整して上述の高均一磁界を作るのに用いられる。また、
傾斜コイル(3)は、高均一磁界に荷電ビーム(6)の
曲率半径方向に直線的に変化する垂直方向磁界を重畳し
て、荷電ビーム(6)の断面寸法を小さくするために使
用される。
(6)の軌道に沿って断面が数10rrm角程度の領域
に高均一な磁界を発生する。この均一磁界によって、全
荷電ビーム(6)を180度偏向する。補助コイル(2
)や傾斜コイル(3)は主コイル(1)が作る磁界を調
整して上述の高均一磁界を作るのに用いられる。また、
傾斜コイル(3)は、高均一磁界に荷電ビーム(6)の
曲率半径方向に直線的に変化する垂直方向磁界を重畳し
て、荷電ビーム(6)の断面寸法を小さくするために使
用される。
クライオスタット(4)は各コイルを極低温に保持する
ための低温容器である。低温容器は、低温せい性を防ぐ
ためや超電導コイルから発生する磁界を歪せないために
、通常ステンレス鋼などの非磁性金属で作られる。ビー
ムダクト(5)は荷電ビーム(6)の通過する領域を高
真空にして荷電ビーム(6)の消滅を防ぐための真空ダ
クトである。
ための低温容器である。低温容器は、低温せい性を防ぐ
ためや超電導コイルから発生する磁界を歪せないために
、通常ステンレス鋼などの非磁性金属で作られる。ビー
ムダクト(5)は荷電ビーム(6)の通過する領域を高
真空にして荷電ビーム(6)の消滅を防ぐための真空ダ
クトである。
7従来の超電導偏向電磁石は以上のように構成されてい
るので、その外部に高い漏れ磁界が生じ、超電5導偏向
電磁石の近傍に設置され荷電ビームの通る機器は荷電ビ
ームが曲げられないように厳重Kaf気シールドしなげ
ればならないという問題点があった。
るので、その外部に高い漏れ磁界が生じ、超電5導偏向
電磁石の近傍に設置され荷電ビームの通る機器は荷電ビ
ームが曲げられないように厳重Kaf気シールドしなげ
ればならないという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解消するためになされたも
ので、漏れ磁界の小さい超電導偏向tijs石を得るこ
とを目的とする。
ので、漏れ磁界の小さい超電導偏向tijs石を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る超電導偏向電磁石は、主コイルおよび多
極補正コイルの周囲に前記磁界が外部に漏れるのを防止
する磁気シールド体を設けたものである。
極補正コイルの周囲に前記磁界が外部に漏れるのを防止
する磁気シールド体を設けたものである。
この発明における超電導偏向M磁石は、多極補正コイル
を囲った強磁性体からなる磁気シールド体により、外部
への漏れ磁界が十分に小さくなる。
を囲った強磁性体からなる磁気シールド体により、外部
への漏れ磁界が十分に小さくなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
A図はこの発明の超電導偏向電磁石の平面図、第1B図
は第1A図のIB−IB線に沿う断面図を示すものであ
る。
A図はこの発明の超電導偏向電磁石の平面図、第1B図
は第1A図のIB−IB線に沿う断面図を示すものであ
る。
図において、(工1)は磁気シールド体、(1)は、主
コイル、(31)は多極補正コイルとしての4極補正コ
イル、(32)は多極補正コイルとしての6極補正コイ
ル、(4)はクライオスタット、(12)は主な磁束を
示す磁力線である。
コイル、(31)は多極補正コイルとしての4極補正コ
イル、(32)は多極補正コイルとしての6極補正コイ
ル、(4)はクライオスタット、(12)は主な磁束を
示す磁力線である。
第2図は超電導偏向電磁石の外観斜視図であり、図中(
51)はビームダクトを通す窓である。ここKは、ビー
ムダクトの図は省略した。荷電ビーム(6)は電子ビー
ムまたは陽子ビームであって、ビーム偏向部からSOR
光(放射光)(7)を取り出す場合は、ビーム軌道の接
線方向KSOR光用の真空ポートが設電されるので、磁
気シールド体(11)の外周部には真空ボートを通す穴
が設げられる。ここでは、この穴は本質でないので触れ
ないことにする。
51)はビームダクトを通す窓である。ここKは、ビー
ムダクトの図は省略した。荷電ビーム(6)は電子ビー
ムまたは陽子ビームであって、ビーム偏向部からSOR
光(放射光)(7)を取り出す場合は、ビーム軌道の接
線方向KSOR光用の真空ポートが設電されるので、磁
気シールド体(11)の外周部には真空ボートを通す穴
が設げられる。ここでは、この穴は本質でないので触れ
ないことにする。
第3A図は主コイル(1)の斜視図、第3B図は4極補
コイル(31)の斜視図、第3C図は6極補正コイル(
32)の斜視図である。
コイル(31)の斜視図、第3C図は6極補正コイル(
32)の斜視図である。
第1A図、第1B図および第2図から明らかなように磁
気シールド体(11)が超電導偏向電磁石を囲っている
ため、IW&石の外部への磁界の漏れは小さい。第1B
図中の断面図の磁力線(12)に示しているようK、主
な磁力線(12)は磁気シールド体(11)中を通る。
気シールド体(11)が超電導偏向電磁石を囲っている
ため、IW&石の外部への磁界の漏れは小さい。第1B
図中の断面図の磁力線(12)に示しているようK、主
な磁力線(12)は磁気シールド体(11)中を通る。
また、4極補正コイル(31)は第3B図に示したよう
な4個のバナナ形にしたもので、第1B図に示したよう
に主コイル(1)の中に設置される。ここで、4極補正
コイル(31)は従来例の第10図中の傾斜コイル(3
)K対応するものであるが、発生s界の特性をより正確
に表現するためにこの名前を用いている。すなわち、4
極補正コイル(31)は主に4極磁界を発生するコイル
である。
な4個のバナナ形にしたもので、第1B図に示したよう
に主コイル(1)の中に設置される。ここで、4極補正
コイル(31)は従来例の第10図中の傾斜コイル(3
)K対応するものであるが、発生s界の特性をより正確
に表現するためにこの名前を用いている。すなわち、4
極補正コイル(31)は主に4極磁界を発生するコイル
である。
荷電ビーム(6)の軌道の領域に発生する空間的に変化
する磁界(不均一磁界と呼ばれる)は主に4極畠界成分
と6極磁界成分とからなる。したがって、主コイル(1
)の不均一磁界を打ち消すためK、4極補正コイル(3
1)の他に6極磁界成分を発生する6極補正コイル(3
2)も用いるつ6極補正コイル(32)は第3C図に示
したように6個のバナナ形コイルによって構成される。
する磁界(不均一磁界と呼ばれる)は主に4極畠界成分
と6極磁界成分とからなる。したがって、主コイル(1
)の不均一磁界を打ち消すためK、4極補正コイル(3
1)の他に6極磁界成分を発生する6極補正コイル(3
2)も用いるつ6極補正コイル(32)は第3C図に示
したように6個のバナナ形コイルによって構成される。
この6極補正コイル(32)も第1B図中に示したよう
に、主コイル(1)の中産設置される。この結果、4極
補正コイル(31)および6極補正コイル(32)を主
コイル(1)の外に突出することtx <設置でき、ク
ライオスタット(4)を小さくし得る。
に、主コイル(1)の中産設置される。この結果、4極
補正コイル(31)および6極補正コイル(32)を主
コイル(1)の外に突出することtx <設置でき、ク
ライオスタット(4)を小さくし得る。
次に、主コイル(1)の励ifa:i、4極補正コイル
(31)の励磁電流と、発生磁界との関係を第4図およ
び第5図に示す。ここで、磁気シールド体C11)には
鉄を想定(−た。主コイル(11の作る磁束の大部分は
磁気シールド体(11)中を冊るので、励磁W流が大に
なると磁気シールド体(11)が飽和して発生磁界の増
加率が小さくなる。一方、4惨補正コイル(31)が作
る研東の多くはクライオスタット(4)の内部空間を通
るので、励磁電流と発生磁界の関係はほぼ直線的で))
る、、6極補正コイル(32)の励磁電流と発生磁界の
関係も、4極補正コイル(31)の場合と同じで、はぼ
直線的になる。
(31)の励磁電流と、発生磁界との関係を第4図およ
び第5図に示す。ここで、磁気シールド体C11)には
鉄を想定(−た。主コイル(11の作る磁束の大部分は
磁気シールド体(11)中を冊るので、励磁W流が大に
なると磁気シールド体(11)が飽和して発生磁界の増
加率が小さくなる。一方、4惨補正コイル(31)が作
る研東の多くはクライオスタット(4)の内部空間を通
るので、励磁電流と発生磁界の関係はほぼ直線的で))
る、、6極補正コイル(32)の励磁電流と発生磁界の
関係も、4極補正コイル(31)の場合と同じで、はぼ
直線的になる。
今、荷電ビーム(6)の情、道領域の磁界を常ic均一
化するためには、主コイル(1)が発生する不均一磁界
を4極補正コイル(31)の発生磁界お」−び6極補正
コイル(32)の発生磁界で常に打ち消J必要がある。
化するためには、主コイル(1)が発生する不均一磁界
を4極補正コイル(31)の発生磁界お」−び6極補正
コイル(32)の発生磁界で常に打ち消J必要がある。
前述のように、主コイル(1)の発生磁界は飽和特性を
有L、4極補正コイル(31)や6極補正コイル(32
)は飽和特性を有していないので、常に均−磁界を発生
させながら磁界の強さff増して行くため圧は主コイル
(1)の励磁電流波形と4極補正コイル(31)の励磁
電流波形、6極袖正コイル(32)の励′f11電流を
変える必要がある。主コイル(1)の電流に対して、不
均一磁界を打ち消すことがでざる4極補正コイル(31
)の′@流およびG極補正コイル(32)の1a流を予
め実験(てよって求めておき、こり〕関係を常に満足す
るよりに各コイル(1) 、 (31)、 (32)の
電流を変化させれば、常に均一磁界を発生させることが
できる。
有L、4極補正コイル(31)や6極補正コイル(32
)は飽和特性を有していないので、常に均−磁界を発生
させながら磁界の強さff増して行くため圧は主コイル
(1)の励磁電流波形と4極補正コイル(31)の励磁
電流波形、6極袖正コイル(32)の励′f11電流を
変える必要がある。主コイル(1)の電流に対して、不
均一磁界を打ち消すことがでざる4極補正コイル(31
)の′@流およびG極補正コイル(32)の1a流を予
め実験(てよって求めておき、こり〕関係を常に満足す
るよりに各コイル(1) 、 (31)、 (32)の
電流を変化させれば、常に均一磁界を発生させることが
できる。
なお、上記実施例ではクライオスタット(4)の全体を
磁気シールド体(11)で囲ったものを示したが、磁気
シールド体(11)の1部を取り除いてもよい6第6図
にこの実施例を示す。主コイル(1)の曲げ中心(荷電
ビーム(6)の曲げ中心にほぼ等しい)側の半円筒形の
磁気シールド体を取り除いである。
磁気シールド体(11)で囲ったものを示したが、磁気
シールド体(11)の1部を取り除いてもよい6第6図
にこの実施例を示す。主コイル(1)の曲げ中心(荷電
ビーム(6)の曲げ中心にほぼ等しい)側の半円筒形の
磁気シールド体を取り除いである。
この部分は磁束を通す断面積が小さくて磁気シールドに
はあまり寄与しない。磁束は主として、上述の曲げ中心
は反対側(外周側)の磁気シールド体(11)を通る。
はあまり寄与しない。磁束は主として、上述の曲げ中心
は反対側(外周側)の磁気シールド体(11)を通る。
第7A図および第7B図は第6図の変形例であり、曲げ
中心側の磁気シールド体(11)の取り除く量を第6図
の場合より多くしたものである。クライオスタット(4
)が磁気シールド体(11)からはみ出している。この
ようKm成しても磁力!(12”1は磁気シールド体(
11)の外周側を通るので、磁気シールド効果はあまり
損なわれることはない。
中心側の磁気シールド体(11)の取り除く量を第6図
の場合より多くしたものである。クライオスタット(4
)が磁気シールド体(11)からはみ出している。この
ようKm成しても磁力!(12”1は磁気シールド体(
11)の外周側を通るので、磁気シールド効果はあまり
損なわれることはない。
一方、磁気シールド体(11)の重量は比較的軽減され
る。
る。
第8図は第6図に示した磁気シールド体(11)の他の
変形例であるa磁気シールド体(11)の上下の板の形
をほぼ半円状圧したものである。磁気シールド体(tl
で囲まれているクライオスタット(4)の形状も半円柱
状になっている。形状を単純化して製作を容易圧してい
る。
変形例であるa磁気シールド体(11)の上下の板の形
をほぼ半円状圧したものである。磁気シールド体(tl
で囲まれているクライオスタット(4)の形状も半円柱
状になっている。形状を単純化して製作を容易圧してい
る。
第9図は磁気シールド体(11)の他の実施例であり、
第2回圧対応している。半円柱の磁気シルト体(11)
の外半周(lla)と平面(1113)がダ差する付近
は磁気シールド体(11)の他の部分に比べてコイル(
1)、(31”l、(32)から離れている(第1A図
参照)から、第9図に示L7たようにこの部分を切り取
って平板を代りに設置すると、磁気シールド体(11)
が少1−1小さくなる。第6図、第7図、第8図圧水し
た磁気シールド体(11)に対しても上述と同じことを
適用できる。
第2回圧対応している。半円柱の磁気シルト体(11)
の外半周(lla)と平面(1113)がダ差する付近
は磁気シールド体(11)の他の部分に比べてコイル(
1)、(31”l、(32)から離れている(第1A図
参照)から、第9図に示L7たようにこの部分を切り取
って平板を代りに設置すると、磁気シールド体(11)
が少1−1小さくなる。第6図、第7図、第8図圧水し
た磁気シールド体(11)に対しても上述と同じことを
適用できる。
上記実施例では磁気シールド(11)をクライオスタッ
ト(4)の外部に設置1−だが、磁気シールド(11)
を極低温部に設!して、クライオスタット中に入れても
本発明を適用できる。
ト(4)の外部に設置1−だが、磁気シールド(11)
を極低温部に設!して、クライオスタット中に入れても
本発明を適用できる。
また、多極補正コイルとして4極補正コイル(31)、
6極補正コイルについて説明したが、勿論この極数((
限定されるもので&J、なく、例えば8極補正コイル、
12極補正コイルにも適用できるのは勿論である。
6極補正コイルについて説明したが、勿論この極数((
限定されるもので&J、なく、例えば8極補正コイル、
12極補正コイルにも適用できるのは勿論である。
以上説明したように、この発明の超tIJ偏向電磁石は
、主コイル、多極補正コイルの周囲に磁気シールド体を
設けたので、外部に対する漏れ磁界乞・小さく抑えるこ
とができるという効果がある。
、主コイル、多極補正コイルの周囲に磁気シールド体を
設けたので、外部に対する漏れ磁界乞・小さく抑えるこ
とができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1A図はこの発明の一実施例による超N導偏向電磁石
を示す平面図、第1B図は第1A図のIB−IB線に沿
う断面図、第2図は第1A図、第1B図の斜視図、第3
A図、第3B図および第3C図は第1B図のそれぞれの
コイルの斜視図、第4図はこの発明の主コイルの電流と
発生磁界との関係を示すグラフ、第5図はこの発明の4
極補正コイルのM流と発生S界との関係を示すグラフ、
第6図ないし第9図はこの発明の別の実施例のそれぞれ
の磁気シールド体を示す斜視図および断面図、第10図
は従来の超電導偏向tli石の一例を示す斜視図である
。 図において、(1)は主コイル、(31)は4極補正コ
イル、(32)は6極補正コイル、(4)はクライオス
タット、(11)は磁気シールド体である。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
を示す平面図、第1B図は第1A図のIB−IB線に沿
う断面図、第2図は第1A図、第1B図の斜視図、第3
A図、第3B図および第3C図は第1B図のそれぞれの
コイルの斜視図、第4図はこの発明の主コイルの電流と
発生磁界との関係を示すグラフ、第5図はこの発明の4
極補正コイルのM流と発生S界との関係を示すグラフ、
第6図ないし第9図はこの発明の別の実施例のそれぞれ
の磁気シールド体を示す斜視図および断面図、第10図
は従来の超電導偏向tli石の一例を示す斜視図である
。 図において、(1)は主コイル、(31)は4極補正コ
イル、(32)は6極補正コイル、(4)はクライオス
タット、(11)は磁気シールド体である。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (1)
- 磁界を発生させて荷電ビームを偏向させる主コイルと、
前記磁界を調整して高均一磁界を作る多極補正コイルと
を備えた超電導偏向電磁石において、前記主コイルおよ
び前記多極補正コイルの周囲に前記磁界が外部に漏れる
のを防止する磁気シールド体を設けたことを特徴とする
超電導偏向電磁石。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32761288A JPH02174099A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 超電導偏向電磁石 |
| GB8918872A GB2223350B (en) | 1988-08-26 | 1989-08-18 | Device for accelerating and storing charged particles |
| DE3928037A DE3928037C2 (de) | 1988-08-26 | 1989-08-24 | Vorrichtung zum Beschleunigen und Speichern von geladenen Teilchen |
| US07/398,419 US5117194A (en) | 1988-08-26 | 1989-08-25 | Device for accelerating and storing charged particles |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32761288A JPH02174099A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 超電導偏向電磁石 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7339790A Division JPH02270308A (ja) | 1990-03-26 | 1990-03-26 | 超電導偏向電磁石およびその励磁方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02174099A true JPH02174099A (ja) | 1990-07-05 |
Family
ID=18200999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32761288A Pending JPH02174099A (ja) | 1988-08-26 | 1988-12-27 | 超電導偏向電磁石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02174099A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000046999A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Rikagaku Kenkyusho | 均一磁場発生装置 |
| JP2008525968A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | フォックス・チェイス・キャンサー・センター | レーザ加速された陽子線治療器およびその超電導電磁石システム |
| JP2009527100A (ja) * | 2006-02-15 | 2009-07-23 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | アクティブフィールド閉じ込めを有する電磁石 |
| JP5112571B1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-01-09 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
| WO2022209300A1 (ja) * | 2021-04-01 | 2022-10-06 | 株式会社日立製作所 | 電磁石装置、電磁石装置の制御方法、および、粒子線治療装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224198A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-19 | 日本電信電話株式会社 | 補正コイル付き偏向電磁石 |
| JPS63226900A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 偏向電磁石 |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP32761288A patent/JPH02174099A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63224198A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-19 | 日本電信電話株式会社 | 補正コイル付き偏向電磁石 |
| JPS63226900A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 偏向電磁石 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000046999A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Rikagaku Kenkyusho | 均一磁場発生装置 |
| JP2008525968A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | フォックス・チェイス・キャンサー・センター | レーザ加速された陽子線治療器およびその超電導電磁石システム |
| JP2009527100A (ja) * | 2006-02-15 | 2009-07-23 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | アクティブフィールド閉じ込めを有する電磁石 |
| KR101324953B1 (ko) * | 2006-02-15 | 2013-11-04 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 액티브 필드 격납을 갖는 전자석 |
| JP5112571B1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-01-09 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
| WO2013121503A1 (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | 三菱電機株式会社 | セプタム電磁石および粒子線治療装置 |
| US8884256B2 (en) | 2012-02-13 | 2014-11-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Septum magnet and particle beam therapy system |
| WO2022209300A1 (ja) * | 2021-04-01 | 2022-10-06 | 株式会社日立製作所 | 電磁石装置、電磁石装置の制御方法、および、粒子線治療装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2667832B2 (ja) | 偏向マグネット | |
| US5117212A (en) | Electromagnet for charged-particle apparatus | |
| KR100442990B1 (ko) | 중첩정적및시변자계를생성하는시스템및방법 | |
| US4740758A (en) | Apparatus for generating a magnetic field in a volume having bodies influencing the field pattern | |
| US4769623A (en) | Magnetic device with curved superconducting coil windings | |
| US4734653A (en) | Magnetic field apparatus for a particle accelerator having a supplemental winding with a hollow groove structure | |
| JPH06132119A (ja) | 超伝導磁石 | |
| JPH04273409A (ja) | 超電導マグネツト装置及び該超電導マグネツト装置を使用した粒子加速器 | |
| JPS62186500A (ja) | 荷電ビ−ム装置 | |
| Dietrich | Superconducting electron-optic devices | |
| US20020044579A1 (en) | Hybrid wiggler | |
| JPS625161A (ja) | Mri用マグネツト | |
| JPH0992498A (ja) | 挿入光源装置用磁気回路 | |
| JP2813386B2 (ja) | 荷電粒子装置の電磁石 | |
| JPH02270308A (ja) | 超電導偏向電磁石およびその励磁方法 | |
| JP2021158210A (ja) | 多極電磁石、およびそれを用いた加速器 | |
| KR930000388B1 (ko) | 음극선관 표시장치 | |
| US3324433A (en) | Electron lens system excited by at least one permanent magnet | |
| Yang et al. | Development of Permanent Magnet Quadrupoles at NSRRC | |
| JP2520914B2 (ja) | 荷電粒子装置 | |
| JP2945158B2 (ja) | 荷電粒子装置用偏向マグネット | |
| JP2557106B2 (ja) | 荷電粒子偏向電磁石装置 | |
| JPS63224230A (ja) | X線露光装置 | |
| JP6460922B2 (ja) | ビーム用超電導偏向電磁石およびそれを用いたビーム偏向装置 | |
| Su et al. | Compact and Lightweight PRPM Focusing and Field-Tuning Method for High-Power High-Perveance Klystrons |