JPH0217496B2 - - Google Patents
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- JPH0217496B2 JPH0217496B2 JP2616585A JP2616585A JPH0217496B2 JP H0217496 B2 JPH0217496 B2 JP H0217496B2 JP 2616585 A JP2616585 A JP 2616585A JP 2616585 A JP2616585 A JP 2616585A JP H0217496 B2 JPH0217496 B2 JP H0217496B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1229—Composition of the substrate
- C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はヘイズ（曇り）にない低抵抗で高赤外
線反射率を有するフツ素ドープ酸化錫（SnCO2
(F)）の導電被膜の形成方法に関する。すなわち、
本発明による被膜は着色がほとんどなくあくまで
も透過性と外観上に優れるとともに赤外領域での
反射率が高く、かつ良好な導電性を兼ね備えて、
しかも優れた硬度と化学的機械的耐久性を有して
いるので、その特性を利用して種々の分野に広く
採用され得るものである。すなわち、通常の板ガ
ラス基板表面上に被膜して、例えば、建築、自動
車、航空機および船舶あるいは冷凍シヨーケース
の防曇窓ガラスまたは、熱線反射透明窓ガラス
に、また太陽熱集熱器のカバーガラスやオーブン
のドアガラスに、さらに液晶電気光学デイスプレ
イ等の電気電子機器部品に等、多方面で実用され
得るものである。
線反射率を有するフツ素ドープ酸化錫（SnCO2
(F)）の導電被膜の形成方法に関する。すなわち、
本発明による被膜は着色がほとんどなくあくまで
も透過性と外観上に優れるとともに赤外領域での
反射率が高く、かつ良好な導電性を兼ね備えて、
しかも優れた硬度と化学的機械的耐久性を有して
いるので、その特性を利用して種々の分野に広く
採用され得るものである。すなわち、通常の板ガ
ラス基板表面上に被膜して、例えば、建築、自動
車、航空機および船舶あるいは冷凍シヨーケース
の防曇窓ガラスまたは、熱線反射透明窓ガラス
に、また太陽熱集熱器のカバーガラスやオーブン
のドアガラスに、さらに液晶電気光学デイスプレ
イ等の電気電子機器部品に等、多方面で実用され
得るものである。
従来、酸化錫被膜を形成する際、被膜にヘイズ
の発生する原因として、錫化合物中の塩素ガスが
ガラス中のアルカリと反応してNaClを形成する
ことによるものと考えられており、ヘイズのない
酸化錫被膜を形成する方法として、例えば、
（C4H9）Sn（CH3COO）2等の無塩素系の錫化合物
を用い、ドーピング剤としてCF3COOH等を用い
る方法（特公昭53−25331号公報）が知られてい
る。また、比較的低温のガラス基板温度で低抵抗
の被膜が得られる方法として、錫化合物として
SnCl4を用いる方法（A.BHARDWAJ等
「FLUORINE−DOPED SnO2 FILMS FOR
SOLAR CELL APPLICATION」Solar Cells.5
（1981−1982）P.39−49）が知られている。
の発生する原因として、錫化合物中の塩素ガスが
ガラス中のアルカリと反応してNaClを形成する
ことによるものと考えられており、ヘイズのない
酸化錫被膜を形成する方法として、例えば、
（C4H9）Sn（CH3COO）2等の無塩素系の錫化合物
を用い、ドーピング剤としてCF3COOH等を用い
る方法（特公昭53−25331号公報）が知られてい
る。また、比較的低温のガラス基板温度で低抵抗
の被膜が得られる方法として、錫化合物として
SnCl4を用いる方法（A.BHARDWAJ等
「FLUORINE−DOPED SnO2 FILMS FOR
SOLAR CELL APPLICATION」Solar Cells.5
（1981−1982）P.39−49）が知られている。
前述の特公昭53−25331号公報に記載されてい
る方法においては、ヘイズのない酸化錫被膜が得
られるが、600℃以下のガラス基板の温度におい
て被膜を形成させると、低抵抗、高赤外反射率の
被膜が得られ難いし、また600℃以上の高い温度
のガラス基板に被膜を形成させると、抵抗値、赤
外反射率等の特性は改善されるが、ガラスに歪、
反り等が発生して良好な製品が得られ難いもので
あり、また前述の公知の刊行物に記載の方法にお
いては、スプレーする混合溶液が不安定であり錫
の沈溺等も発生しやすく、スプレー時にその装置
自体の腐食および分解ガスによる周囲設備も激し
い腐食を起し、通常のソーダ石灰ガラスを基板と
して用いた際にはSiO2等のアンダーコートなし
ではヘイズがきつく生じて製品となり難いもので
あつて、通常の板ガラス基板であればSiO2等の
アンダーコーテイングが透視性および外観上から
必須条件であるものであり、さらに抵抗値につい
ても低い値を得られるもののより一層低い抵抗値
の被膜を求められているなかでは満足し得ないも
のでもある。
る方法においては、ヘイズのない酸化錫被膜が得
られるが、600℃以下のガラス基板の温度におい
て被膜を形成させると、低抵抗、高赤外反射率の
被膜が得られ難いし、また600℃以上の高い温度
のガラス基板に被膜を形成させると、抵抗値、赤
外反射率等の特性は改善されるが、ガラスに歪、
反り等が発生して良好な製品が得られ難いもので
あり、また前述の公知の刊行物に記載の方法にお
いては、スプレーする混合溶液が不安定であり錫
の沈溺等も発生しやすく、スプレー時にその装置
自体の腐食および分解ガスによる周囲設備も激し
い腐食を起し、通常のソーダ石灰ガラスを基板と
して用いた際にはSiO2等のアンダーコートなし
ではヘイズがきつく生じて製品となり難いもので
あつて、通常の板ガラス基板であればSiO2等の
アンダーコーテイングが透視性および外観上から
必須条件であるものであり、さらに抵抗値につい
ても低い値を得られるもののより一層低い抵抗値
の被膜を求められているなかでは満足し得ないも
のでもある。
本発明は、前述の問題点に着目してなしたもの
であつて、SiO2等のアンダーコートなしで高温
のガラス基板表面上に、（C4H9）SnCl3、水、ア
ルコールおよびNH4Fの混合溶液を噴霧して、フ
ツ素ドープ酸化錫の導電被膜を形成するようにし
たものであり、ヘイズのない、より低抵抗で高赤
外線反射率を有する酸化錫被膜を得る形成方法を
提供するものである。
であつて、SiO2等のアンダーコートなしで高温
のガラス基板表面上に、（C4H9）SnCl3、水、ア
ルコールおよびNH4Fの混合溶液を噴霧して、フ
ツ素ドープ酸化錫の導電被膜を形成するようにし
たものであり、ヘイズのない、より低抵抗で高赤
外線反射率を有する酸化錫被膜を得る形成方法を
提供するものである。
本発明において、（C4H9）SnCl3はSnCl4に比較
して噴霧時の設備等への腐食が少なく、上述の混
合溶液中でも安定であり、被膜のヘイズの発生も
なく、また他の有機錫化合物よりも被膜の抵抗値
がより低いものとなるものである。
して噴霧時の設備等への腐食が少なく、上述の混
合溶液中でも安定であり、被膜のヘイズの発生も
なく、また他の有機錫化合物よりも被膜の抵抗値
がより低いものとなるものである。
NH4Fは酸性弗化アンモニウムでもよい。また
他のフツ素化合物と比較して少量の添加量でよい
ものであり、（C4H9）SnCl3とNH4Fとの組合せ
により、（C4H9）SnCl3は塩素を有する化合物に
もかかわらず、NH4Fのフツ素の作用により被膜
のヘイズの発生を防止できるものである。
他のフツ素化合物と比較して少量の添加量でよい
ものであり、（C4H9）SnCl3とNH4Fとの組合せ
により、（C4H9）SnCl3は塩素を有する化合物に
もかかわらず、NH4Fのフツ素の作用により被膜
のヘイズの発生を防止できるものである。
水およびアルコールは、溶剤として用いるもの
であり、水はNH4Fを溶解させるために加えるも
のである。アルコールとしてはCH3OH、
C2H5OH等が用いられる。水およびアルコールの
混合割合は、適宜調製して用いることができ、水
のみの場合では噴霧時にガラス基板を急激に冷却
し、ガラスの割れ等を発生し、また、ヘイズの発
生等外観上好ましくない。また、アルコールのみ
の場合ではNH4Fの溶解性、被膜の成長速度、噴
霧蒸気の燃焼等好ましくない。
であり、水はNH4Fを溶解させるために加えるも
のである。アルコールとしてはCH3OH、
C2H5OH等が用いられる。水およびアルコールの
混合割合は、適宜調製して用いることができ、水
のみの場合では噴霧時にガラス基板を急激に冷却
し、ガラスの割れ等を発生し、また、ヘイズの発
生等外観上好ましくない。また、アルコールのみ
の場合ではNH4Fの溶解性、被膜の成長速度、噴
霧蒸気の燃焼等好ましくない。
本発明において、ガラス基板の温度としては
500〜600℃が好ましく、500℃以下では低抵抗、
高赤外反射率の被膜が得られ難い、また600℃以
上ではガラス基板に歪、反り等が生じる。
500〜600℃が好ましく、500℃以下では低抵抗、
高赤外反射率の被膜が得られ難い、また600℃以
上ではガラス基板に歪、反り等が生じる。
また、混合溶液における好ましい量的範囲はつ
ぎのようになるものである。
ぎのようになるものである。
１） 〔（C4H9）SnCl3／（C4H9）SnCl3＋（アル
コール＋水）〕＝20〜50％ すなわち、20％以下では溶媒（アルコール＋
水）の割合が高くなり、基板の温度の低下等で
効率的な被膜形成が難しいし、50％以上では
（C4H9）SnCl3の割合が高くなり、被膜のムラ
が発生し不均質な膜となる。
コール＋水）〕＝20〜50％ すなわち、20％以下では溶媒（アルコール＋
水）の割合が高くなり、基板の温度の低下等で
効率的な被膜形成が難しいし、50％以上では
（C4H9）SnCl3の割合が高くなり、被膜のムラ
が発生し不均質な膜となる。
２） 〔NH4F／（C4H9）SnCl3＋（アルコール
＋水）〕＝0.01〜0.05 すなわち、0.01以下あるいは0.05以上では抵
抗値が徐々に高くなり、範囲外のはずれ方が多
くなると極端に高くなる。
＋水）〕＝0.01〜0.05 すなわち、0.01以下あるいは0.05以上では抵
抗値が徐々に高くなり、範囲外のはずれ方が多
くなると極端に高くなる。
３） 〔H2O／アルコール＋H2O〕＝10〜90％
すなわち、10％以下ではNH4Fの溶解性が下
がり、被膜の生成速度が遅くなり、90％以上で
はスプレー時ガラス基板の温度が急激に低下す
ることとなり、ガラス基板の割れを誘発するこ
とがあるものである。
がり、被膜の生成速度が遅くなり、90％以上で
はスプレー時ガラス基板の温度が急激に低下す
ることとなり、ガラス基板の割れを誘発するこ
とがあるものである。
またさらに膜厚としては4000〜10000Åが好
ましい。4000Å以下では被膜のギラつく干渉色
が発生しやすく、10000Å以上では性能上膜厚
効果が少なくコストアツプにつながるものであ
り、赤外線反射率の面からは5000Å程度が好ま
しいものである。
ましい。4000Å以下では被膜のギラつく干渉色
が発生しやすく、10000Å以上では性能上膜厚
効果が少なくコストアツプにつながるものであ
り、赤外線反射率の面からは5000Å程度が好ま
しいものである。
前述したとおりの本発明の被膜形成方法によつ
て、（C4H9）SnCl3を用いることにより、前記本
発明の混合溶液中で沈澱等の問題もなく安定した
ものとなり、噴霧上のトラブルもなく、均一な膜
を形成し得るとともに、スプレー装置および周囲
設備等の腐食も軽減されるものとなり、しかも抵
抗値も他の有機錫化合物に比してより低い膜が得
られるものである。さらに、塩素を有する錫化合
物でありながらヘイズの発生を起こすこともない
ものとなり、略無色で、透視性に優れ、外観上も
適度の光沢と平滑性をほぼ保持し得るものであ
り、また熱線反射率も高く、可視域の透過率もほ
ぼ自動車窓ガラスに採用し得る程度のものとなる
特徴を有するものである。
て、（C4H9）SnCl3を用いることにより、前記本
発明の混合溶液中で沈澱等の問題もなく安定した
ものとなり、噴霧上のトラブルもなく、均一な膜
を形成し得るとともに、スプレー装置および周囲
設備等の腐食も軽減されるものとなり、しかも抵
抗値も他の有機錫化合物に比してより低い膜が得
られるものである。さらに、塩素を有する錫化合
物でありながらヘイズの発生を起こすこともない
ものとなり、略無色で、透視性に優れ、外観上も
適度の光沢と平滑性をほぼ保持し得るものであ
り、また熱線反射率も高く、可視域の透過率もほ
ぼ自動車窓ガラスに採用し得る程度のものとなる
特徴を有するものである。
上述に加えて、噴霧時にガラス基板を急冷する
ことがないのでガラスの割れ等も発生せず、被膜
の成長速度も早く、フツ素化合物の添加量も少量
で有効に働き、付着強度も充分にあるものとな
り、歩留および品質上も良好なものとなるもので
ある。
ことがないのでガラスの割れ等も発生せず、被膜
の成長速度も早く、フツ素化合物の添加量も少量
で有効に働き、付着強度も充分にあるものとな
り、歩留および品質上も良好なものとなるもので
ある。
以下本発明の実施例を説明する。
実施例 １
充分脱脂洗滌された300mm×300mmの大きさで厚
さ３mmのソーダ石灰ガラスをガラス基板として用
い、加熱炉にて540℃、560℃、590℃にそれぞれ
板温を上昇した後、30mm／secのスピードで移送
されるガラス基板表面上に、約３Kg／cm2のエアで
噴霧溶液を微細化しスプレーする方式の自動スプ
レーガンを用いて下記の錫化合物溶液とフツ素化
合物を混合した溶液を３c.c.／secの量でスプレー
ガンと板ガラスの距離約30cmから噴霧してSnO2
(F)膜を形成させた。膜厚は約6000Åを得た。
さ３mmのソーダ石灰ガラスをガラス基板として用
い、加熱炉にて540℃、560℃、590℃にそれぞれ
板温を上昇した後、30mm／secのスピードで移送
されるガラス基板表面上に、約３Kg／cm2のエアで
噴霧溶液を微細化しスプレーする方式の自動スプ
レーガンを用いて下記の錫化合物溶液とフツ素化
合物を混合した溶液を３c.c.／secの量でスプレー
ガンと板ガラスの距離約30cmから噴霧してSnO2
(F)膜を形成させた。膜厚は約6000Åを得た。
錫化合物溶液 （C4H9）SnCl335wt％、
C2H5CH35wt％、H2O30wt％ フツ素化合物 NH4F／錫化合物溶液＝0.01、
0.02、0.03、0.04 以上のような方法で得られたSnO2(F)膜の比抵
抗を測定し、その測定結果を第１図に示した。
C2H5CH35wt％、H2O30wt％ フツ素化合物 NH4F／錫化合物溶液＝0.01、
0.02、0.03、0.04 以上のような方法で得られたSnO2(F)膜の比抵
抗を測定し、その測定結果を第１図に示した。
実施例 ２
ガラス基板および噴霧条件は実施例１と同様と
し、ガラス基板の温度は540℃、560℃、590℃、
について錫化合物溶液は不変で（C4H9）
SnCl335wt％、C2H5OH35wt％、H2O30wt％と
し、フツ素化合物のみNH4F／錫化合物溶液＝
0.03と一定し、各設定温度で被膜を形成させ、
SnO2(F)膜を有するガラス基板を製造した。
し、ガラス基板の温度は540℃、560℃、590℃、
について錫化合物溶液は不変で（C4H9）
SnCl335wt％、C2H5OH35wt％、H2O30wt％と
し、フツ素化合物のみNH4F／錫化合物溶液＝
0.03と一定し、各設定温度で被膜を形成させ、
SnO2(F)膜を有するガラス基板を製造した。
これをサンプルとして光学特性を測定し、それ
を分光曲線として第２図に示した。
を分光曲線として第２図に示した。
（比較例）
ガラス基板および噴霧条件は実施例１と同様と
し、ガラス基板の温度は540℃、560℃、590℃お
よび610℃について、混合溶液として次のものに
用いて噴霧した。
し、ガラス基板の温度は540℃、560℃、590℃お
よび610℃について、混合溶液として次のものに
用いて噴霧した。
１） （CH3）2SnCl235wt％、C2H5OH25wt％、
H2O40wt％ NH4F／（（CH3）2SnCl2＋C2H5OH＋H2O）＝
２／100 ２） CCl3CH335wt％ CF3COOH30wt％ ガラス基板表面上に得られたSnO2(F)膜の比抵
抗を測定し、それを第３図に示した。
H2O40wt％ NH4F／（（CH3）2SnCl2＋C2H5OH＋H2O）＝
２／100 ２） CCl3CH335wt％ CF3COOH30wt％ ガラス基板表面上に得られたSnO2(F)膜の比抵
抗を測定し、それを第３図に示した。
第１図より明らかなように、（NH4F／錫化合
物溶液）×100が１〜４％で、しかもガラス基板の
温度が540〜590℃の間で高い温度の方が比抵抗を
より下げ、しかもその間でそれぞれ最小値をもつ
ことを見出し、しかも第２図では光学特性とし
て、ガラス基板の温度によつて同一の本発明の混
合溶液を噴霧し被膜を形成しても、赤外領域での
反射率に影響を与え、可視領域での透過率がほぼ
同一ではあるが約70％を得て、自動車の窓ガラス
等にも使用しうることが確認できた。なお、数値
的には、比抵抗が４〜７×10-4Ωcm赤外線反射率
が約80〜87％（10μmにおいて）である。
物溶液）×100が１〜４％で、しかもガラス基板の
温度が540〜590℃の間で高い温度の方が比抵抗を
より下げ、しかもその間でそれぞれ最小値をもつ
ことを見出し、しかも第２図では光学特性とし
て、ガラス基板の温度によつて同一の本発明の混
合溶液を噴霧し被膜を形成しても、赤外領域での
反射率に影響を与え、可視領域での透過率がほぼ
同一ではあるが約70％を得て、自動車の窓ガラス
等にも使用しうることが確認できた。なお、数値
的には、比抵抗が４〜７×10-4Ωcm赤外線反射率
が約80〜87％（10μmにおいて）である。
さらに第３図では、本発明における混合溶液中
の（C4H9）SnCl3と他の有機錫化合物との比較に
よる一例を示すものであり、実施例１が７〜４×
10-4Ωcmであるのに対し、比較例１および２で
は、18〜９×10-4Ωcmであり、明らかに比抵抗へ
与える影響に大きな差があることがわかるもので
ある。
の（C4H9）SnCl3と他の有機錫化合物との比較に
よる一例を示すものであり、実施例１が７〜４×
10-4Ωcmであるのに対し、比較例１および２で
は、18〜９×10-4Ωcmであり、明らかに比抵抗へ
与える影響に大きな差があることがわかるもので
ある。
以上のように、本発明によれば、SiO2等のプ
レコートなしで、ヘイズのない低抵抗、高赤外反
射率の被膜が得られ、導電性材料、赤外線反射材
料として用いることができるし、また比較的低温
のガラス基板で被膜が容易に形成できるという顕
著な作用効果を奏するものである。
レコートなしで、ヘイズのない低抵抗、高赤外反
射率の被膜が得られ、導電性材料、赤外線反射材
料として用いることができるし、また比較的低温
のガラス基板で被膜が容易に形成できるという顕
著な作用効果を奏するものである。
第１図は本発明の一実施例であつて（NH4F／
錫化合物溶液）×100およびガラス基板の温度が比
抵抗に及ぼす影響を示し、第２図は本発明の一実
施例でのガラス基板の温度が透過率と反射率に与
える影響を示し、第３図は本発明で（C4H9）
SnCl3を採用した効果を示すものである。
錫化合物溶液）×100およびガラス基板の温度が比
抵抗に及ぼす影響を示し、第２図は本発明の一実
施例でのガラス基板の温度が透過率と反射率に与
える影響を示し、第３図は本発明で（C4H9）
SnCl3を採用した効果を示すものである。
Claims (1)
- １ 高温のガラス表面上に錫化合物およびフツ素
化合物を含有する溶液を噴霧して、フツ素ドープ
酸化錫被膜を形成する方法において、前記溶液と
して（C4H9）SnCl3、水、アルコールおよび
NH4Fの混合物を用いることを特徴とする導電被
膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2616585A JPS61186478A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 導電被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2616585A JPS61186478A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 導電被膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61186478A JPS61186478A (ja) | 1986-08-20 |
| JPH0217496B2 true JPH0217496B2 (ja) | 1990-04-20 |
Family
ID=12185936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2616585A Granted JPS61186478A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 導電被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61186478A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2568079B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1996-12-25 | 旭硝子株式会社 | 酸化錫透明導電膜の形成方法 |
| JPH01116081A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Koroido Res:Kk | 機能性セラミックス薄膜の製造方法 |
| JPH07105166B2 (ja) * | 1988-09-22 | 1995-11-13 | 旭硝子株式会社 | フッ素ドープ酸化錫膜及びその低抵抗化方法 |
| JPH03177337A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 赤外線反射ガラス |
| JP3376420B2 (ja) * | 2000-09-06 | 2003-02-10 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 酸化亜鉛基化合物パターン化膜の製造方法 |
| JP2007153701A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Fujikura Ltd | 熱線反射ガラス、成膜装置及び成膜方法 |
| JP2007242340A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Fujikura Ltd | 透明導電性基板及びその製造方法並びにその製造装置 |
-
1985
- 1985-02-15 JP JP2616585A patent/JPS61186478A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61186478A (ja) | 1986-08-20 |
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