JPH02177481A - 光配線回路 - Google Patents
光配線回路Info
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- JPH02177481A JPH02177481A JP63332052A JP33205288A JPH02177481A JP H02177481 A JPH02177481 A JP H02177481A JP 63332052 A JP63332052 A JP 63332052A JP 33205288 A JP33205288 A JP 33205288A JP H02177481 A JPH02177481 A JP H02177481A
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- beam splitter
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Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明はウェハあるいはプリント板に実装されたLSI
チップ間のデータ授受を光を介して行うための光配線回
路に関するものである。
チップ間のデータ授受を光を介して行うための光配線回
路に関するものである。
[従来の技術]
最近、LSIチップ間のデータの授受を電気配線で行う
代りに、光配線によって実現する試みが注目されるよう
になってきた。これは、光を用いることによって、(1
)高速化、(2)低タロストーク、(3)電磁誘導の影
響がない、などのメリットを期待できるためである。
代りに、光配線によって実現する試みが注目されるよう
になってきた。これは、光を用いることによって、(1
)高速化、(2)低タロストーク、(3)電磁誘導の影
響がない、などのメリットを期待できるためである。
従来、光配線方法として、光導波路を用いる場合と自由
空間伝搬を用いる場合が考えられている(グツドマン他
、“第1テイカル インターコネクション フォー v
tsx システムズグロシーディング IEEE、7
2,850(1984) 。
空間伝搬を用いる場合が考えられている(グツドマン他
、“第1テイカル インターコネクション フォー v
tsx システムズグロシーディング IEEE、7
2,850(1984) 。
J、W、Goodian、 et al、 ’0pt
ical interconnec−tion fo
r VLSI systems、” procee
dina of theIEEE、?2,7.PP、
850−866(1894))。
ical interconnec−tion fo
r VLSI systems、” procee
dina of theIEEE、?2,7.PP、
850−866(1894))。
また、上記光導波路を用いる場合の改良案として第9図
に示す方法が考えられている(特開昭62−20420
8号公報)、これはシリコンウェハ5に実装されたLS
Iチップ4−1〜4−4間を相互にデータの授受を行わ
せるように構成した光配線回路である。たとえばLSI
チップ4−4内のデータを他のLSIチップに送る場合
には、皇紀LSIチップ4−4内のデータの電気信号が
レーザダイオード8によって光信号に変換され、配線光
導波路7、導波形光ミキサ6内を伝搬し1.導波形ミキ
サ端6−1で反射されて4本の配線光導波路にほぼ均等
に分配され、各LSIチップ4−1〜4−4のホトダイ
オードに入射する。そして、光信号を電気信号に変換す
ることによって、データの授受が行われる。同様にして
他のLSIチップからのデータ伝送も行われ、LSIチ
ップ間で相互にデータの授受が達成される。
に示す方法が考えられている(特開昭62−20420
8号公報)、これはシリコンウェハ5に実装されたLS
Iチップ4−1〜4−4間を相互にデータの授受を行わ
せるように構成した光配線回路である。たとえばLSI
チップ4−4内のデータを他のLSIチップに送る場合
には、皇紀LSIチップ4−4内のデータの電気信号が
レーザダイオード8によって光信号に変換され、配線光
導波路7、導波形光ミキサ6内を伝搬し1.導波形ミキ
サ端6−1で反射されて4本の配線光導波路にほぼ均等
に分配され、各LSIチップ4−1〜4−4のホトダイ
オードに入射する。そして、光信号を電気信号に変換す
ることによって、データの授受が行われる。同様にして
他のLSIチップからのデータ伝送も行われ、LSIチ
ップ間で相互にデータの授受が達成される。
[発明が解決しようとする課題]
第9図の構成法はLSIチップ間で相互にデータの授受
ができるというメリットを有するものである。しかし、
自局(例えばLSIチップ4−1)のレーザダイオード
8とホトダイオード9が同一の配線光導波路7上に近接
して配置されているために、レーザダイオード8の光信
号が直接ホトダイオード9に洩れ込んでクロストークを
低下させ易いという問題がある。
ができるというメリットを有するものである。しかし、
自局(例えばLSIチップ4−1)のレーザダイオード
8とホトダイオード9が同一の配線光導波路7上に近接
して配置されているために、レーザダイオード8の光信
号が直接ホトダイオード9に洩れ込んでクロストークを
低下させ易いという問題がある。
また、光導波路7に不連続部が多いため〈例えば導波形
ミキサ入力部、光導波路7のコーナ部、ホトダイオード
9の入力光導波路部など)、レーザダイオード8からの
光出力がこれらの不連続部で反射されてレーザダイオー
ド8側及びホトダイオード9の入力部へ戻ってきて、雑
音の増大やクロストークの低下をもたらすといった問題
もある。
ミキサ入力部、光導波路7のコーナ部、ホトダイオード
9の入力光導波路部など)、レーザダイオード8からの
光出力がこれらの不連続部で反射されてレーザダイオー
ド8側及びホトダイオード9の入力部へ戻ってきて、雑
音の増大やクロストークの低下をもたらすといった問題
もある。
さらに、構成が複雑なため、ホトマスクの製作費用も高
くかかり、また、パターン精度もきびしいものが要求さ
れるので、全体的にコスト高となる。
くかかり、また、パターン精度もきびしいものが要求さ
れるので、全体的にコスト高となる。
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、低
クロストーク特性で、反射光の影響の少ない光配線回路
を提供することにある。
クロストーク特性で、反射光の影響の少ない光配線回路
を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の光配線回路は、複数個のLSIチップの各々に
発光素子と受光素子とを有し、これら発光素子及び受光
素子を光信号を伝搬させる光導波路でつなぎ、該光導波
路の途中には光信号を透過および反射させる機能をもつ
ビームスプリッタを少なくともLSIチップ数だけ設け
ることによって、各LSIチップ間で相互にデータの授
受を行わせ得るように構成したものである。
発光素子と受光素子とを有し、これら発光素子及び受光
素子を光信号を伝搬させる光導波路でつなぎ、該光導波
路の途中には光信号を透過および反射させる機能をもつ
ビームスプリッタを少なくともLSIチップ数だけ設け
ることによって、各LSIチップ間で相互にデータの授
受を行わせ得るように構成したものである。
光導波路は、閉ループ部分と該閉ループ部分から各発光
素子及び受光素子への分岐路とを有し、各分岐部に上記
ビームスプリッタを有する構成とすることができる。
素子及び受光素子への分岐路とを有し、各分岐部に上記
ビームスプリッタを有する構成とすることができる。
また、別の配線回路からの光入力信号導入用光導波路と
、別の光配線回路への光出力信号送出光導波路とを設け
るのが好ましい。
、別の光配線回路への光出力信号送出光導波路とを設け
るのが好ましい。
[作用]
各LSIチップ間を、光信号を透過させる機能と反射さ
せる機能を有するビームスプリッタを介して光導波路で
接続することにより、クロストークの低下がほとんどな
く、また、反射光が戻りにくい構成にしたものである。
せる機能を有するビームスプリッタを介して光導波路で
接続することにより、クロストークの低下がほとんどな
く、また、反射光が戻りにくい構成にしたものである。
したがって、信号対雑音比S/Hの大きい光配線回路が
実現可能である。
実現可能である。
[実施例]
第1図に本発明の光配線回路の実施例を示す。
これは4個のLSIチップ41.42.43および44
をビームスプリッタ付きの光導波路13を介して接続し
た例を示したものである。各LSIチップには発光素子
と受光素子が設けられていて、光導波路13は、閉ルー
プ部分aと、該閉ループ部分aから外方への分岐路す、
cとを有し、各分岐部にはビームスプリッタ121〜1
24が設けである。この実施例では、ビームスプリッタ
は相隣り合うLSIチップの発光素子への分岐路す、b
同志、又は受光素子への分岐路c、c同志の分岐点に存
する。そして、あるLSIチップの発光素子からの光信
号は光導波路内を伝搬し、ビームスプリッタを介し、自
分のLSIチップを含めてすべてのLSIチップの受光
素子へ送られる。
をビームスプリッタ付きの光導波路13を介して接続し
た例を示したものである。各LSIチップには発光素子
と受光素子が設けられていて、光導波路13は、閉ルー
プ部分aと、該閉ループ部分aから外方への分岐路す、
cとを有し、各分岐部にはビームスプリッタ121〜1
24が設けである。この実施例では、ビームスプリッタ
は相隣り合うLSIチップの発光素子への分岐路す、b
同志、又は受光素子への分岐路c、c同志の分岐点に存
する。そして、あるLSIチップの発光素子からの光信
号は光導波路内を伝搬し、ビームスプリッタを介し、自
分のLSIチップを含めてすべてのLSIチップの受光
素子へ送られる。
たとえば、LSIチップ41からのデータは発光素子1
01によって光信号に変換され、発光素子101から分
岐路すを伝搬し、ビームスプリッタ121に達する。こ
のビームス1リツタ121により、上記光信号は閉ルー
プ部分a内で2つに分岐される。すなわち、1つはビー
ムスプリッタ121を透過して次のビームスプリッタ1
24に達する。他の1つはビームスプリッタ121で反
射されて次のビームスプリッタ122に達する。
01によって光信号に変換され、発光素子101から分
岐路すを伝搬し、ビームスプリッタ121に達する。こ
のビームス1リツタ121により、上記光信号は閉ルー
プ部分a内で2つに分岐される。すなわち、1つはビー
ムスプリッタ121を透過して次のビームスプリッタ1
24に達する。他の1つはビームスプリッタ121で反
射されて次のビームスプリッタ122に達する。
ビームスプリッタ124に入射した光信号はさらにここ
で受光素子C,Cへの2つの光信号に分けられ、1つは
ビームスプリッタ124を透過して受光素子113に入
力され、受光素子113で電気信号に変換されてLSI
チップ43にデータが授受される。他の1つはビームス
プリッタ124で反射されて受光素子114に入力され
、電気信号に変換されてLSIチップ44にデータが授
受される。
で受光素子C,Cへの2つの光信号に分けられ、1つは
ビームスプリッタ124を透過して受光素子113に入
力され、受光素子113で電気信号に変換されてLSI
チップ43にデータが授受される。他の1つはビームス
プリッタ124で反射されて受光素子114に入力され
、電気信号に変換されてLSIチップ44にデータが授
受される。
一方、ビームスグリツタ122に入射した光信号もここ
で受光素子への分岐路C,Cへの2つの光信号に分けら
れる。その1つはビームスプリッタ122をそのまま透
過して受光素子112に入力され、電気信号に変換され
てデータがLSIチップ42に授受される。池の1つは
ビームスプリッタ122で反q(されて受光素子111
に入射され、電気信号に変換されてLSIチップ41に
データが戻される。
で受光素子への分岐路C,Cへの2つの光信号に分けら
れる。その1つはビームスプリッタ122をそのまま透
過して受光素子112に入力され、電気信号に変換され
てデータがLSIチップ42に授受される。池の1つは
ビームスプリッタ122で反q(されて受光素子111
に入射され、電気信号に変換されてLSIチップ41に
データが戻される。
同様にして、発光素子102,103および104の光
信号もそれぞれのLSIチップに設けられた受光素子1
11,112,113および114に送られて相互にデ
ータの授受が実現される。すなわち、各LSIチップに
設けた発光素子、受光素子が光導波路13、ビームスプ
リッタ121.122.123.および124を介して
接続されている。
信号もそれぞれのLSIチップに設けられた受光素子1
11,112,113および114に送られて相互にデ
ータの授受が実現される。すなわち、各LSIチップに
設けた発光素子、受光素子が光導波路13、ビームスプ
リッタ121.122.123.および124を介して
接続されている。
ここで、ビームスプリッタは、たとえば、ハーフミラ−
、スリット、多層膜などから構成することができ、各光
導波路内を伝搬してきた光信号に対して、その入射角を
45゛に設定しておけば、ビームスプリッタによって分
けられた透過光と反射光は光導波路内を伝搬させること
ができる。そして、自局側には反射戻り光は生じない、
したがって、発光素子の反射戻り光による不安定性を生
じさせない、また非常に簡単な構成であり、かつ、各L
SIチップ間を短距離で接続することができる。さらに
、対称な構成であるので、製作するのに用いるホトマス
クの設計が容易となり、低コストに実現できる。また、
小さな面積内に実現できるので、集積度を上げることが
でき、結果的に低コスト化を図れる。
、スリット、多層膜などから構成することができ、各光
導波路内を伝搬してきた光信号に対して、その入射角を
45゛に設定しておけば、ビームスプリッタによって分
けられた透過光と反射光は光導波路内を伝搬させること
ができる。そして、自局側には反射戻り光は生じない、
したがって、発光素子の反射戻り光による不安定性を生
じさせない、また非常に簡単な構成であり、かつ、各L
SIチップ間を短距離で接続することができる。さらに
、対称な構成であるので、製作するのに用いるホトマス
クの設計が容易となり、低コストに実現できる。また、
小さな面積内に実現できるので、集積度を上げることが
でき、結果的に低コスト化を図れる。
第2図は本発明の光配線回路の別の実施例を示したもの
である。すなわち、発光素子への分岐路すと受光素子へ
の分岐路Cとを同じ分岐点に設けることにより、各LS
Iチップに設けられた発光素子および受光素子対のそば
にビームスプリッタを配置し、各発光素子からの光信号
を各受光素子に入力させて相互にデータの授受を行わせ
るようにしたものである。
である。すなわち、発光素子への分岐路すと受光素子へ
の分岐路Cとを同じ分岐点に設けることにより、各LS
Iチップに設けられた発光素子および受光素子対のそば
にビームスプリッタを配置し、各発光素子からの光信号
を各受光素子に入力させて相互にデータの授受を行わせ
るようにしたものである。
たとえば、LSIチップ41の発光素子101からの光
信号はビームスプリッタ121で2つに分けられる。ま
ず、1つはビームス1リツタ121で反射されて自局の
受光素子111に入力される。もう1つはビームスプリ
ッタ121を透過して光導波路13内を伝搬し、ビーム
スプリッタ122に達する。
信号はビームスプリッタ121で2つに分けられる。ま
ず、1つはビームス1リツタ121で反射されて自局の
受光素子111に入力される。もう1つはビームスプリ
ッタ121を透過して光導波路13内を伝搬し、ビーム
スプリッタ122に達する。
このビームスプリッタ122で2つの光信号に分けられ
る。1つはビームスプリッタ122を透過してLSIチ
ップ42の受光素子112に入力され、データが授受さ
れる。もう1つはビームスグリツタ122で反射され光
導波路13を伝搬し、ビームスプリッタ123に達する
。ここでも2つの光信号に分けられ、1つはビームスプ
リッタ123を透過してLSIチップ43の受光素子1
13に入力され、データが授受される。もう1つの光信
号はビームスプリッタ123で反射され、光導波路13
内を伝搬して次のビームスプリッタ124に達する。こ
こでも同様にして2つの光信号に分けられ、1つはビー
ムスプリッタ124を透過してLSIチップ44の受光
素子114に入力され、データが授受される、もう1つ
はビームスプリッタ124で反射され、再びビームスプ
リッタ121に達する。
る。1つはビームスプリッタ122を透過してLSIチ
ップ42の受光素子112に入力され、データが授受さ
れる。もう1つはビームスグリツタ122で反射され光
導波路13を伝搬し、ビームスプリッタ123に達する
。ここでも2つの光信号に分けられ、1つはビームスプ
リッタ123を透過してLSIチップ43の受光素子1
13に入力され、データが授受される。もう1つの光信
号はビームスプリッタ123で反射され、光導波路13
内を伝搬して次のビームスプリッタ124に達する。こ
こでも同様にして2つの光信号に分けられ、1つはビー
ムスプリッタ124を透過してLSIチップ44の受光
素子114に入力され、データが授受される、もう1つ
はビームスプリッタ124で反射され、再びビームスプ
リッタ121に達する。
以上のようにして、LSIチップ41がらのデータが発
光素子101により光に変換されて、各LSIチップの
受光素子111,112,113および114内に入力
され、それぞれデータが授受されるものである。
光素子101により光に変換されて、各LSIチップの
受光素子111,112,113および114内に入力
され、それぞれデータが授受されるものである。
第3図も本発明の光配線回路の別の実施例を示したもの
である。これも4個のLSIチップ41゜42.43お
よび44間のデータを相互に授受する構成である。第2
図と異なる点は、発光素子および受光素子の前に必ずビ
ームスプリッタを配置させることにより、発光素子の光
信号を先導波路へ逆に光導波路13からの光信号を受光
素子へ入力させるようにしたものである。
である。これも4個のLSIチップ41゜42.43お
よび44間のデータを相互に授受する構成である。第2
図と異なる点は、発光素子および受光素子の前に必ずビ
ームスプリッタを配置させることにより、発光素子の光
信号を先導波路へ逆に光導波路13からの光信号を受光
素子へ入力させるようにしたものである。
たとえば、LSIチップ41からの発光素子101から
の光信号はビームスプリッタ122を介して光導波路1
3を伝搬し、ビームスプリッタ123により、一部分は
受光素子112に入力され、残りの光信号はビームスプ
リッタ123に反射されてビームスグリツタ124に達
する。ビームスプリッタ124を透過した光信号はビー
ムスプリッタ125に入力され、一部分の光信号がビー
ムスプリッタ125を透過して受光素子113に入力さ
れる。残りの光信号はビームスグリッ125で反射され
、ビームスプリッタ126を通ってビームスプリッタ1
2γに入力される。そして、一部分の光信号が受光素子
114に入力され、残りの光信号はビームスグリツタ1
28を通ってビームスプリッタ121に入力される。そ
して一部分の光信号が受光素子111に入力される。
の光信号はビームスプリッタ122を介して光導波路1
3を伝搬し、ビームスプリッタ123により、一部分は
受光素子112に入力され、残りの光信号はビームスプ
リッタ123に反射されてビームスグリツタ124に達
する。ビームスプリッタ124を透過した光信号はビー
ムスプリッタ125に入力され、一部分の光信号がビー
ムスプリッタ125を透過して受光素子113に入力さ
れる。残りの光信号はビームスグリッ125で反射され
、ビームスプリッタ126を通ってビームスプリッタ1
2γに入力される。そして、一部分の光信号が受光素子
114に入力され、残りの光信号はビームスグリツタ1
28を通ってビームスプリッタ121に入力される。そ
して一部分の光信号が受光素子111に入力される。
以上のように、各LSIチップの発光素子からの光信号
は各LSIチップの受光素子へ入力され、データが相互
に授受される。
は各LSIチップの受光素子へ入力され、データが相互
に授受される。
LSIチップの数は4個以外の場合でも適用することが
できる。その−例を第4図に示す、これは6個のLSI
チップ41〜46を用いた場合であり、6個の発光素子
101〜106と6個の受光素子111〜116と8個
のビームスプリッタ121〜128および光導波路13
からなる。このように、LSIチ・ンプの数には限界が
なく2個以上の任意の数とすることが可能である。
できる。その−例を第4図に示す、これは6個のLSI
チップ41〜46を用いた場合であり、6個の発光素子
101〜106と6個の受光素子111〜116と8個
のビームスプリッタ121〜128および光導波路13
からなる。このように、LSIチ・ンプの数には限界が
なく2個以上の任意の数とすることが可能である。
第5図は本発明の別の実施例を示したものである。これ
は4(1!lのLSIチップの外側に光導波路13の閉
ループ部分aを設け、その閉ループ部分aの途中に8個
のビームスプリッタ121〜128と4個の全反射ミラ
ー141〜144を設けた構成である。そして、各LS
Iチップの発光素子101〜104の光信号を分岐路す
よりビームスプリッタ121、123.125.および
127を通して光導波F413内に送り込み、ビームス
プリッタ122.124.126および128を通して
分岐路Cより各受光素子111,112゜113および
114へ入力させるようにしたものである。
は4(1!lのLSIチップの外側に光導波路13の閉
ループ部分aを設け、その閉ループ部分aの途中に8個
のビームスプリッタ121〜128と4個の全反射ミラ
ー141〜144を設けた構成である。そして、各LS
Iチップの発光素子101〜104の光信号を分岐路す
よりビームスプリッタ121、123.125.および
127を通して光導波F413内に送り込み、ビームス
プリッタ122.124.126および128を通して
分岐路Cより各受光素子111,112゜113および
114へ入力させるようにしたものである。
この構成はLSIチップの集積度を上げた場合に有効で
ある。なお、全反射ミラー141〜144は光導波路1
3内を伝搬している光を90°曲げて伝搬させるために
設けたものである。
ある。なお、全反射ミラー141〜144は光導波路1
3内を伝搬している光を90°曲げて伝搬させるために
設けたものである。
第6図は本発明の光配線回路の別の実施例を示したもの
である。すなわち、ビームスプリッタとしてY分岐16
1〜164および171〜174を用いて構成した場合
である。ただし、Y分岐171〜174において、発光
素子101〜104からの光信号を光導波路13内に導
くための分岐路181〜184は閉ループ部分aの幅に
比して細くすることにより、光導波路13内を伝搬して
いる光信号が発光素子側へ洩れ込むのを抑制するように
しである。
である。すなわち、ビームスプリッタとしてY分岐16
1〜164および171〜174を用いて構成した場合
である。ただし、Y分岐171〜174において、発光
素子101〜104からの光信号を光導波路13内に導
くための分岐路181〜184は閉ループ部分aの幅に
比して細くすることにより、光導波路13内を伝搬して
いる光信号が発光素子側へ洩れ込むのを抑制するように
しである。
第7図はLSIチップの数が81[!I(41〜48)
の場合の実施−1を示したものである。これは第1図の
構成の変形を示したものであり、発光素子が8個(10
1〜108 ) 、受光素子も8個(111〜118)
で、ビームスプリッタが16個(121〜129、12
10〜12113>からなる、このように、さらにLS
Iチップの数が多い場合でも、第1図の変形または第3
図の変形で容易に実現できることが判る。 第8図は本
発明の光配線回路の別の実施例を示したしのである。す
なわち、第1図に示したような光配線回路が2つ以上あ
った場合に、これらの光配線回路を相互に接続して光信
号、つまりチップ間のデータのやりとりを行う場合の各
光配線回路の例を示したものである。同図に示したよう
に、別の光配線回路(別の表現をすれば、別の集積回路
)からの入力光信号伝搬用の光導波路131を光導波路
13にY分岐165を通して結合させることにより、別
の光配線回路からの入力光信号を各LSIチップ41〜
44の受光素子111〜114へ入力さることができる
。また、光導波路13にY分岐166を通して別の光配
線回路へ結合させる光導波路132を設けることにより
、各LSIチップの発光素子101〜104の光信号を
別の光配線回路(別の集積回路)へ送り込むことができ
る。このような構成を用いると、大規模に集積化した集
積回路群または集積回路アレイさらには集積回路を実装
したプリント間同志のデータの授受を行わせることが可
能となる。特にクロック信号の供給には最適である。
の場合の実施−1を示したものである。これは第1図の
構成の変形を示したものであり、発光素子が8個(10
1〜108 ) 、受光素子も8個(111〜118)
で、ビームスプリッタが16個(121〜129、12
10〜12113>からなる、このように、さらにLS
Iチップの数が多い場合でも、第1図の変形または第3
図の変形で容易に実現できることが判る。 第8図は本
発明の光配線回路の別の実施例を示したしのである。す
なわち、第1図に示したような光配線回路が2つ以上あ
った場合に、これらの光配線回路を相互に接続して光信
号、つまりチップ間のデータのやりとりを行う場合の各
光配線回路の例を示したものである。同図に示したよう
に、別の光配線回路(別の表現をすれば、別の集積回路
)からの入力光信号伝搬用の光導波路131を光導波路
13にY分岐165を通して結合させることにより、別
の光配線回路からの入力光信号を各LSIチップ41〜
44の受光素子111〜114へ入力さることができる
。また、光導波路13にY分岐166を通して別の光配
線回路へ結合させる光導波路132を設けることにより
、各LSIチップの発光素子101〜104の光信号を
別の光配線回路(別の集積回路)へ送り込むことができ
る。このような構成を用いると、大規模に集積化した集
積回路群または集積回路アレイさらには集積回路を実装
したプリント間同志のデータの授受を行わせることが可
能となる。特にクロック信号の供給には最適である。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明の光配線回路は
、各LSIチップの発光素子、受光素子を途中にビーム
スグリツタの挿入された光導波路で接続することによっ
て、クロストークの低下がほとんどなく、また反射光が
戻りにくいために、信号対雑音比S/Nの大きい光配線
回路を実現することができる。また、非常に簡易な構成
で、かつ、各LSIチップ間を短距離で接続することが
できる。さらに、構成が簡易であるので、製作するのに
用いるホトマスクの設J1が容易になり、低コストに実
現できる。また、小さな面積内に有効に実装することが
できるので、集積度の向上と経済化を図ることができる
。
、各LSIチップの発光素子、受光素子を途中にビーム
スグリツタの挿入された光導波路で接続することによっ
て、クロストークの低下がほとんどなく、また反射光が
戻りにくいために、信号対雑音比S/Nの大きい光配線
回路を実現することができる。また、非常に簡易な構成
で、かつ、各LSIチップ間を短距離で接続することが
できる。さらに、構成が簡易であるので、製作するのに
用いるホトマスクの設J1が容易になり、低コストに実
現できる。また、小さな面積内に有効に実装することが
できるので、集積度の向上と経済化を図ることができる
。
第1図〜第8図は本発明の光配線回路のそれぞれ異なる
実施例を示した図、第9図の(a)および(b)は従来
の光配線回路の概略図を示したものである。 図中、13は光導波路、41〜48はLSIチップ、1
01〜10gは発光素子、111〜118は受光素子、
121〜129.1210〜1216はビームスプリッ
タ、aは閉ループ部分、b、cは分岐路を示す。 第1図 第6図
実施例を示した図、第9図の(a)および(b)は従来
の光配線回路の概略図を示したものである。 図中、13は光導波路、41〜48はLSIチップ、1
01〜10gは発光素子、111〜118は受光素子、
121〜129.1210〜1216はビームスプリッ
タ、aは閉ループ部分、b、cは分岐路を示す。 第1図 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、複数個のLSIチップの各々に発光素子と受光素子
とを有し、これら発光素子及び受光素子を光信号を伝搬
させる光導波路でつなぎ、該光導波路の途中には光信号
を透過および反射させる機能をもつビームスプリッタを
少なくともLSIチップ数だけ設けることによつて、各
LSIチップ間で相互にデータの授受を行わせ得るよう
に構成したことを特徴とする光配線回路。 2、前記光導波路が閉ループ部分と該閉ループ部分から
各発光素子及び受光素子への分岐路とを有し、各分岐部
に上記ビームスプリッタを有することを特徴とする請求
項1記載の光配線回路。 3、別の配線回路からの光入力信号導入用光導波路と、
別の光配線回路への光出力信号送出用光導波路とを設け
たことを特徴とする請求項1記載の光配線回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33205288A JPH0758805B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光配線回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33205288A JPH0758805B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光配線回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177481A true JPH02177481A (ja) | 1990-07-10 |
| JPH0758805B2 JPH0758805B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=18250603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33205288A Expired - Fee Related JPH0758805B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光配線回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758805B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100603119B1 (ko) * | 2003-05-02 | 2006-07-20 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 광학 어셈블리 |
| JP2009198609A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光カプラ |
| JP2009198608A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光カプラ、その構成部品及び製造方法 |
| JP2010008665A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光カプラ及びその製造方法 |
| JP2011048298A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光カプラおよび光モジュール |
| US8170385B2 (en) | 2008-02-19 | 2012-05-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light coupler and manufacturing method thereof |
| US20210096311A1 (en) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photonic semiconductor device and method of manufacture |
| US12455420B2 (en) | 2019-09-27 | 2025-10-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photonic semiconductor device and method of manufacture |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP33205288A patent/JPH0758805B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100603119B1 (ko) * | 2003-05-02 | 2006-07-20 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 광학 어셈블리 |
| JP2009198609A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光カプラ |
| JP2009198608A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光カプラ、その構成部品及び製造方法 |
| US8170385B2 (en) | 2008-02-19 | 2012-05-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light coupler and manufacturing method thereof |
| JP2010008665A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光カプラ及びその製造方法 |
| JP2011048298A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光カプラおよび光モジュール |
| US20210096311A1 (en) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photonic semiconductor device and method of manufacture |
| US12092861B2 (en) * | 2019-09-27 | 2024-09-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photonic semiconductor device and method of manufacture |
| US12455420B2 (en) | 2019-09-27 | 2025-10-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photonic semiconductor device and method of manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0758805B2 (ja) | 1995-06-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |