JPH02177575A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
- Publication number
- JPH02177575A JPH02177575A JP63334462A JP33446288A JPH02177575A JP H02177575 A JPH02177575 A JP H02177575A JP 63334462 A JP63334462 A JP 63334462A JP 33446288 A JP33446288 A JP 33446288A JP H02177575 A JPH02177575 A JP H02177575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- glass
- cds
- weight
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電源用もしくは、民生用の太陽電池などに使
用可能な光起電力素子の支持基板であるガラスの改良に
関するものである。
用可能な光起電力素子の支持基板であるガラスの改良に
関するものである。
従来の技術
近年、■−■族を中心とした多結晶薄膜太陽電池は、材
料コストが安く、かつ高効率が得られる等の事から低コ
スト化を目指す太陽電池の１つの方向として注目を浴び
ている。Ｃ（Ｉｓもしくは、それを含む化合物半導体層
からなるＨ型半導体膜を常圧化で大量に、かつ均一な膜
として大面積で得る方法として、印刷、焼結法が知られ
ている。
料コストが安く、かつ高効率が得られる等の事から低コ
スト化を目指す太陽電池の１つの方向として注目を浴び
ている。Ｃ（Ｉｓもしくは、それを含む化合物半導体層
からなるＨ型半導体膜を常圧化で大量に、かつ均一な膜
として大面積で得る方法として、印刷、焼結法が知られ
ている。
これは一般にＣｄＳ等の微粉氷化したもの中に、ｃａｃ
４２等の融剤を加え、ＣａＳ の融点を下げて６００℃
〜８００Ｃの比較的低い温度で膜の粒径成長を生じさせ
、均一な膜を得ている。第１図にＣｄＳとＣｄ（Ｊ２の
擬２元状態図を示すが、１０００℃付近のＣ１１Ｓの融
点を約６２０℃付近まで下げる事が可能である。しかし
実際には、光透過率、膜抵抗率等の最適化のためには、
約ｅｙｏｃ以上の温度を必要とする。ｆｓ２図に１ｏ重
量％のＣｄ（Ｊ２を添加したＣａＳペーストを印刷、焼
成した膜め各処理温度に対する膜抵抗と結晶粒径とを示
している。図より、温度は低い段階では一部粒成長はす
るが、膜中にＣｄＣｌ２が残存し、粒度成長も小さ（、
Ｊ。
４２等の融剤を加え、ＣａＳ の融点を下げて６００℃
〜８００Ｃの比較的低い温度で膜の粒径成長を生じさせ
、均一な膜を得ている。第１図にＣｄＳとＣｄ（Ｊ２の
擬２元状態図を示すが、１０００℃付近のＣ１１Ｓの融
点を約６２０℃付近まで下げる事が可能である。しかし
実際には、光透過率、膜抵抗率等の最適化のためには、
約ｅｙｏｃ以上の温度を必要とする。ｆｓ２図に１ｏ重
量％のＣｄ（Ｊ２を添加したＣａＳペーストを印刷、焼
成した膜め各処理温度に対する膜抵抗と結晶粒径とを示
している。図より、温度は低い段階では一部粒成長はす
るが、膜中にＣｄＣｌ２が残存し、粒度成長も小さ（、
Ｊ。
（飽和電流）が大きく、光透過率が悪い等、高効率の素
子は得られない。そのため、支持基板としては、ンーダ
ーライム等の低コストなガラス基板は使用できず高価な
バリウムホウケイ酸ガラスが用いられていた。
子は得られない。そのため、支持基板としては、ンーダ
ーライム等の低コストなガラス基板は使用できず高価な
バリウムホウケイ酸ガラスが用いられていた。
発明が解決しようとする課題
現在用いている支持基板では、特性の安定化の面と、！
！法による材料コスト高の面の課題がある。
！法による材料コスト高の面の課題がある。
本発明は、上記問題点に鑑み常圧化で、印刷。
焼成と言う製法を用い、均一で大面積化が図れ、かつ量
産性にすぐれた光電変換素子を、高効率でかつ低コスト
化で供給するための支持基板を提供するものである。
産性にすぐれた光電変換素子を、高効率でかつ低コスト
化で供給するための支持基板を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の光電変換素子は
支持基板として、ガラス軟化点が各膜を形成するための
温度よりも高く、かつアルカリ含有量を８重段％以下に
して、組成が若干のＭｇｏ 。
支持基板として、ガラス軟化点が各膜を形成するための
温度よりも高く、かつアルカリ含有量を８重段％以下に
して、組成が若干のＭｇｏ 。
ＢａＯ、ＣａＯを含んだガラス基板を用いるものである
。
。
作用
本発明によるガラス基板であれば、特性が向上安定化し
、さらに、低コストなガラスになり、光起電力素子の低
コスト化が図れる。
、さらに、低コストなガラスになり、光起電力素子の低
コスト化が図れる。
実施例
以下本発明の実施例について図面をもとに説明する。Ｃ
ｄＳ粉木に融剤として、ＣｄＣｌ２を１０重量％、プロ
ピレングリコールを３０〜４０重１ｉ％加えて、ＣｄＳ
ペーストを作り、これを第３図に示す本発明のガラス基
板１上に印刷乾燥、焼成し。
ｄＳ粉木に融剤として、ＣｄＣｌ２を１０重量％、プロ
ピレングリコールを３０〜４０重１ｉ％加えて、ＣｄＳ
ペーストを作り、これを第３図に示す本発明のガラス基
板１上に印刷乾燥、焼成し。
ＣｄＳ焼成膜２を形成する。次にＣｄＴａ扮木にＣｄＣ
ｌ２ヲ０．５重ｉｋ％、フェニルグリコールを３０〜４
０重量％加えてＣ（ＩＴ・ペーストを作り、これを上記
ＣｄＳ焼結膜上にスクリーン印刷した。乾燥後不活性ガ
ス雰囲気中で焼成し−ＣｌＴｅ焼成膜３を得た。
ｌ２ヲ０．５重ｉｋ％、フェニルグリコールを３０〜４
０重量％加えてＣ（ＩＴ・ペーストを作り、これを上記
ＣｄＳ焼結膜上にスクリーン印刷した。乾燥後不活性ガ
ス雰囲気中で焼成し−ＣｌＴｅ焼成膜３を得た。
このようにして得られた（、ｉＴｅ焼成膜上に、カーボ
ンペーストをスクリーン印刷し、乾燥後不活性雰囲気中
で４００Ｃ〜４５０℃の温度で焼成する。
ンペーストをスクリーン印刷し、乾燥後不活性雰囲気中
で４００Ｃ〜４５０℃の温度で焼成する。
これによシ、（、ｉＴａ膜とオーミック接合を作るカー
ボン電極４が得られる。最後にＣｄＳ膜とカーボン膜上
にムｇＸｎペーストをスクリーン印刷して。
ボン電極４が得られる。最後にＣｄＳ膜とカーボン膜上
にムｇＸｎペーストをスクリーン印刷して。
ムｇＩｎ電極６を形成する。このようにして太陽電池素
子を完成した。
子を完成した。
この様にして得られた光起電力素子の最大出方特性を、
従来のバリウムホウケイ酸ガラスＪｉ［（従来の基板１
）とソーダガラス基板（従来の基板２）と比較して、第
４図に示している。本発明の基板の最大出力Ｐｍａｒは
、従来の基板に比較して高くなっているのがわかる。
従来のバリウムホウケイ酸ガラスＪｉ［（従来の基板１
）とソーダガラス基板（従来の基板２）と比較して、第
４図に示している。本発明の基板の最大出力Ｐｍａｒは
、従来の基板に比較して高くなっているのがわかる。
発明の効果
本発明のガラス基板はロール法により作製したものであ
りコストも従来と比較して安くなり、また、アルカリ含
有量も８重量％以下にし、かつ、高温においてアルカリ
分の溶出を防ぐ組成として。
りコストも従来と比較して安くなり、また、アルカリ含
有量も８重量％以下にし、かつ、高温においてアルカリ
分の溶出を防ぐ組成として。
光起電力素子の特性を向上、安定させる効果が得られた
。
。
ｔ４！、１図は本発明で用いた第１の半導体層を焼結法
で得るためのＣｄＳと融剤であるＣｄＣｌ２との状態図
を示す擬２元状態図、第２図は１０重量％の０ａＯ１２
を添加したＣ（ｉｓペーストの印刷焼結した膜の膜抵抗
と結晶粒径との関係を示す図、第３図は本発明による光
電変換素子の断面図、第４図はＡＭ １，６．１ｏｏｍ
Ｗ／ｒ４の太陽光下での各ガラス基板における最大出力
Ｐｍａｘの比較を示す図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ＣｄＳ膜、
３・・・・・・ＣｄＴａ膜、４・・・・・・Ｃ膜、６・
・・・・・ムｔｒｘｎ Ｉｌｌ。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名Ｐ＋
−「業零 」 禄 犀
で得るためのＣｄＳと融剤であるＣｄＣｌ２との状態図
を示す擬２元状態図、第２図は１０重量％の０ａＯ１２
を添加したＣ（ｉｓペーストの印刷焼結した膜の膜抵抗
と結晶粒径との関係を示す図、第３図は本発明による光
電変換素子の断面図、第４図はＡＭ １，６．１ｏｏｍ
Ｗ／ｒ４の太陽光下での各ガラス基板における最大出力
Ｐｍａｘの比較を示す図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ＣｄＳ膜、
３・・・・・・ＣｄＴａ膜、４・・・・・・Ｃ膜、６・
・・・・・ムｔｒｘｎ Ｉｌｌ。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名Ｐ＋
−「業零 」 禄 犀
Claims (4)
- （１）支持基板上にＣｄＣｌ＿２を融剤としたＣｄＳペ
ーストを印刷焼結してＮ型半導体層であるＣｄＳもしく
は、それを含む化合物半導体を形成し、さらにその上に
ＣｄＴｅ、ＣｕＩｎＳｅ＿２等のＰ型半導体層を形成し
た光起電力素子において、その支持基板であるガラスの
軟化点が各層を形成するための温度よりも高いことを特
徴とする光起電力素子。 - （２）支持基板であるガラス軟化点が７００℃よりも高
い事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光起電力
素子。 - （３）支持基板であるガラスのアルカリ金属含有量が８
重量％以下である特許請求の範囲第１項記載の光起電力
素子。 - （４）支持基板のガラス組成がＳｉＯ＿２−Ａｌ＿２Ｏ
＿３−Ｂ＿２Ｏ＿３を主体とし、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂａ
Ｏがそれぞれ０．１〜０．５重量％、０．５〜１．０重
量％、１〜４重量％含んでいる特許請求の範囲第１項記
載の光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63334462A JPH02177575A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63334462A JPH02177575A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光起電力素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177575A true JPH02177575A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18277660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63334462A Pending JPH02177575A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177575A (ja) |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63334462A patent/JPH02177575A/ja active Pending
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