JPH02179101A - Interconnection system for cross type microstrip line - Google Patents
Interconnection system for cross type microstrip lineInfo
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- JPH02179101A JPH02179101A JP63331145A JP33114588A JPH02179101A JP H02179101 A JPH02179101 A JP H02179101A JP 63331145 A JP63331145 A JP 63331145A JP 33114588 A JP33114588 A JP 33114588A JP H02179101 A JPH02179101 A JP H02179101A
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- microstrip lines
- microstrip
- lines
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- Waveguide Connection Structure (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[概 要]
1つのマイクロストリップライン上を直角状に交差する
マイクロストリップライン間を結線して線路を形成する
方式に関し、
交差結線されたマイクロストリップラインの電気的変動
を最小限に抑えることが出来る交差型マイクロストリッ
プラインの交差結線方式を提供することを目的とし、
直方体の外形を持ち第1の一対の対向面に平行の複数の
内部電極板を有し、第2の一対の対向面に一対の外部電
極を有し、一部の内部電極板が一方の外部電極に接続さ
れ他の内部電極板が他方の外部電極に接続されてなるチ
ップコンデンサを、第3の一対の対向面が誘電体基板と
平行になり、一方及び他方の外部電極がそれぞれ第2及
び第3のマイクロストリップライン上に載置されるよう
に配置し、チップコンデンサにより第2及び第3のマイ
クロストリップライン間を高周波的に結線するように構
成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a method of forming a line by connecting microstrip lines that intersect at right angles on one microstrip line, it is possible to reduce the electrical fluctuations of the cross-connected microstrip lines. The purpose of the present invention is to provide a cross-connection method for cross-type microstrip lines that can be minimized, and has a rectangular parallelepiped outer shape and has a plurality of internal electrode plates parallel to a first pair of opposing surfaces, and a second A chip capacitor having a pair of external electrodes on a pair of opposing surfaces, in which some internal electrode plates are connected to one external electrode and other internal electrode plates are connected to the other external electrode. A pair of opposing surfaces are parallel to the dielectric substrate, one and the other external electrodes are placed on the second and third microstrip lines, respectively, and the chip capacitors are used to connect the second and third microstrip lines. The microstrip lines are configured to be connected at high frequency.
本発明は、1つのマイクロストリップライン上を直角状
に交差するマイクロストリップライン間を結線して線路
を形成する方式に関する。The present invention relates to a method of forming a line by connecting microstrip lines that intersect at right angles on one microstrip line.
マイクロストリップラインを使用して形成している線路
を有する回路は、通常高性能で再現性のよいものが要求
される。Circuits having lines formed using microstrip lines are usually required to have high performance and good reproducibility.
このため、複数のマイクロストリップラインを用いて、
その間を交差結線させて線路を形成する場合、交差結線
したマイクロストリップライン間で一方が他方に影響を
与えると言う線路間干渉を少なくし、しかも結線するマ
イクロストリップライン間の結合インビーダンの変化を
小さくすることが必要となる。Therefore, using multiple microstrip lines,
When forming a line by cross-connecting them, it is possible to reduce the interference between the cross-connected microstrip lines, where one influences the other, and also to reduce the change in coupling impedance between the microstrip lines being connected. It is necessary to do so.
〔従来の技術〕
第3図は従来例を説明する図を示す。第3図に示す従来
例は、約10GHzのマイクロ波帯で使用されるもので
、直角状に交差する1つの第1のマイクロストリップラ
インと、2つの第2.第3のマイクロストリップライン
3,4を用いて線路を形成する回路である。[Prior Art] FIG. 3 is a diagram illustrating a conventional example. The conventional example shown in FIG. 3 is used in a microwave band of approximately 10 GHz, and includes one first microstrip line and two second microstrip lines that intersect at right angles. This circuit uses the third microstrip lines 3 and 4 to form a line.
この第1〜第3のマイクロストリップライン2〜4は、
例えば0.5〜2mmの厚さのアルミナセラミックや溶
融石英等からなる基板l上にストリップ導体からなるマ
イクロストリップラインを形成している。The first to third microstrip lines 2 to 4 are
For example, a microstrip line made of a strip conductor is formed on a substrate l made of alumina ceramic, fused silica, or the like with a thickness of 0.5 to 2 mm.
そこで、第1のマイクロストリップライン2を跨がり直
角状に交差させる第2.第3のマイクロストリップライ
ン3.4間を結線する場合、従来例の1つの方式として
第3図に示すように金ワイヤ(又は金リボン)5で第1
のマイクロストリップライン2を跨がらせて、第2.第
3のマイクロストリップライン3,4間を結線する方式
が用いられている。Therefore, the second microstrip line straddles the first microstrip line 2 and intersects it at right angles. When connecting the third microstrip lines 3 and 4, one conventional method is to connect the first microstrip line with a gold wire (or gold ribbon) 5 as shown in FIG.
The second microstrip line 2 is straddled. A method of connecting the third microstrip lines 3 and 4 is used.
(発明が解決しようとする課題)
上述のように、金ワイヤ(又は金リボン)5を用いて1
つのマイクロストリップライン2に対して直角状に跨が
らせ、直角ライン上の2つのマイクロストリップライン
3,4間を結線すると、この金ワイヤ(又は金リボン)
5のインダクタンス成分が結線された2つのマイクロス
トリップライン3.4のインピーダンスに効いて、結線
された2つのマイクロストリップライン3.4がインピ
ーダンス不整合となる可能性がある。(Problem to be Solved by the Invention) As described above, using the gold wire (or gold ribbon) 5,
When the two microstrip lines 3 and 4 are connected at right angles to each other, this gold wire (or gold ribbon)
There is a possibility that the inductance component of 5 will affect the impedance of the two connected microstrip lines 3.4, resulting in impedance mismatch between the two connected microstrip lines 3.4.
又、1つのマイクロストリップライン2を金ワイヤ(又
は金リボン)5で交差させることにより、金ワイヤ(又
は金リボン)5が交差するマイクロストリップライン2
に対する電気的干渉がより多くなる可能性がある。Also, by crossing one microstrip line 2 with a gold wire (or gold ribbon) 5, the microstrip line 2 where the gold wire (or gold ribbon) 5 intersects can be created.
There may be more electrical interference.
従って、これらが要因となりマイクロストリップライン
で形成される線路の電気的特性の変動が大きくなる。Therefore, these factors cause large fluctuations in the electrical characteristics of the line formed by the microstrip line.
本発明は、交差結線されたマイクロストリップラインの
電気的変動を最小限に抑えることが出来る交差型マイク
ロストリップラインの交差結線方式を提供することを目
的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a cross-connection method for cross-connected microstrip lines that can minimize electrical fluctuations in cross-connected microstrip lines.
第1図は本発明の詳細な説明するブロック図を示す。 FIG. 1 shows a block diagram illustrating the invention in detail.
第1図に示す本発明の実施例のブロック図中の2〜4は
第3図で説明したのと同様な第1〜第3のマイクロスト
リ・ンブライニ/であり、50は直方体の外形を有する
チップコンデンサであり、
この直方体状のチップコンデンサ50は第1の一対の対
向面に平行の複数の内部電極板(C)を有し、第2の一
対の対向面に一対の外部電極(a)、(ロ)を有し、一
部の内部電極板(C)が一方の外部電極に接続され他の
内部電極板(C)が他方の外部電極に接続されて構成さ
れ、
かかるチップコンデンサ50を、第3の一対の対向面が
誘電体基板lと平行になり、一方及び他方の外部電極(
a)、 (b)がそれぞれ第2及び第3のマイクロスト
リップライン3.4上に載置されるように配置し、チッ
プコンデンサ50により第2及び第3のマイクロストリ
ップライン3,4間を高周波的に結線することにより、
本課題を解決するための手段とする。In the block diagram of the embodiment of the present invention shown in FIG. 1, 2 to 4 are first to third microstripes similar to those explained in FIG. 3, and 50 has a rectangular parallelepiped outer shape. This is a chip capacitor, and this rectangular parallelepiped chip capacitor 50 has a plurality of parallel internal electrode plates (C) on a first pair of opposing surfaces, and a pair of external electrodes (a) on a second pair of opposing surfaces. , (b), and is configured such that some internal electrode plates (C) are connected to one external electrode and other internal electrode plates (C) are connected to the other external electrode, and such a chip capacitor 50 , the third pair of opposing surfaces are parallel to the dielectric substrate l, and one and the other external electrode (
a) and (b) are placed on the second and third microstrip lines 3 and 4, respectively, and a chip capacitor 50 connects the second and third microstrip lines 3 and 4 with high frequency. By connecting the wires,
This is a means to solve this problem.
(作 用〕
直方体状のチップコンデンサ50と、第1のマイクロス
トリップライン2に対して直角ライン上に作成されてい
る第2.第3のマイクロストリンプライン3.4間を接
続する場合、第1のマイクロストリップライン2を交差
させる面積を小さくし、線路間の電気的干渉を減少させ
るために直方体状のチップコンデンサ50内部を第1の
一対の対向面に平行の複数の内部電極板(C)を有し、
第2の一対の対向面に一対の外部電極(a)、 (b)
を有し、一部の内部電極板(C)が一方の外部電極に接
続され他の内部電極板(C)が他方の外部電極に接続さ
せて構成する。(Function) When connecting the rectangular parallelepiped chip capacitor 50 and the second and third microstrip lines 3.4 created on a line perpendicular to the first microstrip line 2, the second and third microstrip lines 3.4 are connected. In order to reduce the area where one microstrip line 2 intersects and reduce electrical interference between the lines, a plurality of internal electrode plates (C ),
A pair of external electrodes (a), (b) on the second pair of opposing surfaces
It has a structure in which some internal electrode plates (C) are connected to one external electrode, and other internal electrode plates (C) are connected to the other external electrode.
そして、このチップコンデンサ50を第3の一対の対向
面が誘電体基板1と平行になり、一方及び他方の外部電
極(a)、 (b)がそれぞれ第2及び第3のマイクロ
ストリップライン3.4上に載置されるように配置し、
チップコンデンサ50により第2及び第3のマイクロス
トリップライン3.4間を高周波的に結線することによ
り、第2及び第3のマイクロストリップライン3.4間
のインピーダンス不整合が減少するため、マイクロスト
リップラインの電気的特性の変化を最小限に抑えること
が可能となる。The chip capacitor 50 has a third pair of opposing surfaces parallel to the dielectric substrate 1, and one and the other external electrodes (a) and (b) are respectively connected to the second and third microstrip lines 3. 4, place it so that it is placed on top of the
By connecting the second and third microstrip lines 3.4 using the chip capacitor 50, the impedance mismatch between the second and third microstrip lines 3.4 is reduced. It becomes possible to minimize changes in the electrical characteristics of the line.
(実施例〕
以下本発明の要旨を第1図、第2図に示す実施例により
具体的に説明する。(Example) The gist of the present invention will be specifically explained below with reference to an example shown in FIGS. 1 and 2.
第2図は本発明におけるチップコンデンサの構成例を説
明する図を示す。尚、企図を通じて同一符号は同一対象
物を示す。FIG. 2 shows a diagram illustrating an example of the structure of a chip capacitor according to the present invention. Note that the same reference numerals refer to the same objects throughout the plan.
第1図に示す本実施例の第1〜第3のマイクロストリッ
プライン2〜4は第3図で説明したようなアルミセラミ
ック等の基板1上に形成されているものとする。It is assumed that the first to third microstrip lines 2 to 4 of this embodiment shown in FIG. 1 are formed on a substrate 1 made of aluminum ceramic or the like as explained in FIG. 3.
又、本実施例の第1〜第3のマイクロストリップライン
2〜4も第3図で説明したのと同様に約10GHzのマ
イクロ波帯で使用されるものとする。Further, it is assumed that the first to third microstrip lines 2 to 4 of this embodiment are also used in the microwave band of approximately 10 GHz, as explained in FIG.
尚、第1図(A)は本実施例の交差部分を上部より見た
図であり、第*図(B)は全体の外観構成を示す図であ
る。Note that FIG. 1(A) is a view of the intersection portion of this embodiment viewed from above, and FIG. 1(B) is a view showing the overall external configuration.
本実施例に用いるチップコンデンサ50は、集積化又は
集大成化されてなく、しかも表面実装に適するような構
造に作られたディスクリート部品の1つである。The chip capacitor 50 used in this embodiment is a discrete component that is not integrated or aggregated, and has a structure suitable for surface mounting.
そして、その構造は第2図に示すように直方体の両端を
電極(a)、 (b)とし、外面を例えばセラミック(
d)で覆い、その内部に複数枚の電極板(C)が面を規
定間隔をおいて重ねられている。As shown in Fig. 2, the structure is such that electrodes (a) and (b) are used at both ends of the rectangular parallelepiped, and the outer surface is made of, for example, ceramic (
d), and a plurality of electrode plates (C) are stacked on top of each other at regular intervals inside the electrode plate (C).
もし、このチップコンデンサ50を直方体の面側を第1
のマイクロストリップライン2に対して対応させる向き
にして交差させて、第2.3のマイクロストリップライ
ン3,4間を結線すると、結合面積及び交差面積が広く
なり、インピーダンスの変化を大きくする要因となる。If this chip capacitor 50 is placed with the surface side of the rectangular parallelepiped
If the second and third microstrip lines 3 and 4 are connected by crossing them in a direction corresponding to the microstrip line 2, the coupling area and crossing area will become larger, which is a factor that increases the change in impedance. Become.
そこで、本実施例では、第1図(A)及び(B)に示す
ように、チップコンデンサ50の直方体の面倒を第1の
マイクロストリップライン2に対して垂直に立てて交差
させる。Therefore, in this embodiment, as shown in FIGS. 1A and 1B, the rectangular parallelepiped of the chip capacitor 50 is erected perpendicularly to the first microstrip line 2 and intersects with it.
即ち、チップコンデンサ50内部電極板(C)の面を第
1のマイクロストリップライン2に対して垂直に立てて
交差し、交差させたチップコンデンサ50の電極(a)
及び(b)を直線上にある第2.3のマイクロストリッ
プライン3,4と結線する。That is, the surface of the internal electrode plate (C) of the chip capacitor 50 is perpendicular to the first microstrip line 2, and the electrodes (a) of the chip capacitor 50 are crossed.
and (b) are connected to the second and third microstrip lines 3 and 4 located on a straight line.
これにより、第2,3のマイクロストリップライン3.
4間の結合面積及び第1のマイクロストリップライン2
との交差面積を小さくすることが可能となる。As a result, the second and third microstrip lines 3.
4 and the first microstrip line 2
It is possible to reduce the area of intersection with the
そのため、第1のマイクロストリップライン2と第2.
3のマイクロストリップライン3,4との線路間の電気
的干渉が減少し、更に、結線された第2,3のマイクロ
ストリップライン3,4間の結合インピーダンスの変化
を最小限に抑えることが可能となる。Therefore, the first microstrip line 2 and the second .
Electrical interference between the lines and the second and third microstrip lines 3 and 4 is reduced, and furthermore, it is possible to minimize changes in the coupling impedance between the connected second and third microstrip lines 3 and 4. becomes.
以上のような本発明によれば、マイクロストリップライ
ンの電気的特性の変化を最小限に抑えることが出来る。According to the present invention as described above, changes in the electrical characteristics of the microstrip line can be minimized.
第1図は本発明の詳細な説明する図、
第2図は本発明におけるチップコンデンサの構成例を説
明する図、
第3図は従来例を説明する図、
をそれぞれを示す。
図において、
■は基板、
2〜4は第1〜第3のマイクロストリップライン、5は
金ワイヤ(金リボン)、
50はチップコンデンサ、
木登 日月(二あけろチップコンテ゛ンブ/7衰牟戚脅
“jを$先朗すう区
第
テ
Δ(イご8月グ 実方色脅I 客先9月 襲Eつ第 1
図FIG. 1 is a diagram for explaining the present invention in detail, FIG. 2 is a diagram for explaining a configuration example of a chip capacitor according to the present invention, and FIG. 3 is a diagram for explaining a conventional example. In the figure, ■ is the board, 2 to 4 are the first to third microstrip lines, 5 is the gold wire (gold ribbon), 50 is the chip capacitor, and Hizuki Kinoto (Niakero Chip Container/7 Decay Threat) “J $ first ward te Δ
figure
Claims (1)
ン(2)を挟んで設けられた第2及び第3のマイクロス
トリップライン(3,4)間の交差結線方式において、 直方体の外形を持ち、第1の一対の対向面に平行の複数
の内部電極板((c))を有し、第2の一対の対向面に
一対の外部電極((a),(b))を有し、一部の内部
電極板((c))が一方の外部電極に接続され他の内部
電極板((c))が他方の外部電極に接続されてなるチ
ップコンデンサ(50)を、第3の一対の対向面が前記
誘電体基板(1)と平行になり、一方及び他方の該外部
電極((a),(b))がそれぞれ第2及び第3のマイ
クロストリップライン(3,4)上に載置されるように
配置し、 該チップコンデンサ(50)により前記第2及び第3の
マイクロストリップライン(3,4)間を高周波的に結
線することを特徴とする交差型マイクロストリップライ
ンの結線方式。[Claims] In a cross-connection system between second and third microstrip lines (3, 4) provided on a dielectric substrate (1) with a first microstrip line (2) in between, It has a rectangular parallelepiped outer shape, has a plurality of internal electrode plates ((c)) parallel to the first pair of opposing surfaces, and has a pair of external electrodes ((a), (b) on the second pair of opposing surfaces. ), some internal electrode plates ((c)) are connected to one external electrode, and other internal electrode plates ((c)) are connected to the other external electrode (50). , a third pair of opposing surfaces are parallel to the dielectric substrate (1), and one and the other external electrodes ((a), (b)) are connected to the second and third microstrip lines (3), respectively. , 4), and the chip capacitor (50) connects the second and third microstrip lines (3, 4) at high frequency. Microstrip line connection method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63331145A JP2903112B2 (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Connection method of cross type microstrip line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63331145A JP2903112B2 (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Connection method of cross type microstrip line |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02179101A true JPH02179101A (en) | 1990-07-12 |
| JP2903112B2 JP2903112B2 (en) | 1999-06-07 |
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ID=18240377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63331145A Expired - Fee Related JP2903112B2 (en) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | Connection method of cross type microstrip line |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2903112B2 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4974453U (en) * | 1972-10-16 | 1974-06-27 | ||
| JPS50106550A (en) * | 1974-01-29 | 1975-08-22 | ||
| JPS6280316U (en) * | 1985-11-07 | 1987-05-22 |
-
1988
- 1988-12-29 JP JP63331145A patent/JP2903112B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4974453U (en) * | 1972-10-16 | 1974-06-27 | ||
| JPS50106550A (en) * | 1974-01-29 | 1975-08-22 | ||
| JPS6280316U (en) * | 1985-11-07 | 1987-05-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2903112B2 (en) | 1999-06-07 |
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