JPH02179947A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH02179947A JPH02179947A JP19889A JP19889A JPH02179947A JP H02179947 A JPH02179947 A JP H02179947A JP 19889 A JP19889 A JP 19889A JP 19889 A JP19889 A JP 19889A JP H02179947 A JPH02179947 A JP H02179947A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- layer
- film
- magneto
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、書き替えが可能な光磁気記録媒体に関し、特
に記録層の保護効果に優れかつ記録再生特性の向上した
光磁気記録媒体に関するものである。
に記録層の保護効果に優れかつ記録再生特性の向上した
光磁気記録媒体に関するものである。
光磁気記録媒体は、従来の光記録媒体と同様にレーザ光
を用いて情報の記録、再生を行うため記憶容量が大きく
、その上書き替えが可能である。
を用いて情報の記録、再生を行うため記憶容量が大きく
、その上書き替えが可能である。
さらにヘッドと媒体が非接触で記録再生を行さことがで
き、塵埃の影響を受けないため安定性にも優れている。
き、塵埃の影響を受けないため安定性にも優れている。
したがって、光磁気記録媒体は、現在盛んに研究されて
おり、文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コ
ンピュータ用メモリ等への利用が考えられフロッピーデ
ィスク、ハードディスクの代替が期待されており、現在
商品化段階を迎えるに至っている。
おり、文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コ
ンピュータ用メモリ等への利用が考えられフロッピーデ
ィスク、ハードディスクの代替が期待されており、現在
商品化段階を迎えるに至っている。
光磁気記録媒体に要求される不可欠な特性としては次の
ものが挙げられる。
ものが挙げられる。
■レーザ光による記録感度が高い。
■再生Ｃ／Ｎが高い。
■メモリ安定性が良い。
■の記録感度はキュリー温度Ｔｃに関係し、キュリー温
度Ｔｃが低いほど高い。■の再生Ｃ／Ｎは主に記録層の
磁気光学特性に依存し、カー回転角θ。
度Ｔｃが低いほど高い。■の再生Ｃ／Ｎは主に記録層の
磁気光学特性に依存し、カー回転角θ。
が大きいほど高くなる。■のメモリ安定性は記録層の保
磁力ｔｉｃに関係し、保磁力Ｈｅが大きいほど安定性が
増す。
磁力ｔｉｃに関係し、保磁力Ｈｅが大きいほど安定性が
増す。
このような必要性に鑑みて、光磁気記録媒体の記録層と
して、遷移金属（Ｆａ、Ｃｏ）と希土類金属（Ｇｄ 。
して、遷移金属（Ｆａ、Ｃｏ）と希土類金属（Ｇｄ 。
ｏｙ 、 Ｔｂ 、 Ｎｄ等）とを組合せたＴｂＦｅＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ。
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ。
ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の非晶質磁性合金膜（以下ＲＥ−Ｔ
Ｍ膜という）が提案されている。このＲＥ−７Ｍ膜は非
晶質であるため粒界による媒体ノイズが無く、スパッタ
法や蒸着法により容易に垂直磁化膜が作製出来るという
利点を有している。しかし、このＲＥ−７Ｍ膜の特に希
土類（ＲＥ）成分は酸化腐食を受は易く経時と共に膜の
保磁力や垂直磁気異方性等の磁気特性が劣化するという
大きな欠点がある。この酸化腐食は、記録層や保護層の
形成時の真空槽内に残存する酸素、水ニガラス、プラス
チック基板の表面に吸着された酸素、水：ターゲット材
（スパッタ法）等の材料中に含まれる酸素：空気中の酸
素、水等によるものであるが、特に大きな影響を及ぼす
のは基板及び空気中からの酸素、水の侵入によるもので
ある。そしてこの酸化腐食は記録再生時のレーザ光によ
る温度上昇によってさらに促進される。
Ｍ膜という）が提案されている。このＲＥ−７Ｍ膜は非
晶質であるため粒界による媒体ノイズが無く、スパッタ
法や蒸着法により容易に垂直磁化膜が作製出来るという
利点を有している。しかし、このＲＥ−７Ｍ膜の特に希
土類（ＲＥ）成分は酸化腐食を受は易く経時と共に膜の
保磁力や垂直磁気異方性等の磁気特性が劣化するという
大きな欠点がある。この酸化腐食は、記録層や保護層の
形成時の真空槽内に残存する酸素、水ニガラス、プラス
チック基板の表面に吸着された酸素、水：ターゲット材
（スパッタ法）等の材料中に含まれる酸素：空気中の酸
素、水等によるものであるが、特に大きな影響を及ぼす
のは基板及び空気中からの酸素、水の侵入によるもので
ある。そしてこの酸化腐食は記録再生時のレーザ光によ
る温度上昇によってさらに促進される。
そこで、この酸化腐食を防止する目的として記録、１１
Ｆ（ＲＥ−７Ｍ膜）の両面を保護層によって被覆するこ
とが試みられている。
Ｆ（ＲＥ−７Ｍ膜）の両面を保護層によって被覆するこ
とが試みられている。
又、ＲＥ−７Ｍ膜はそれ自体のカー効果やファラデー効
果といった磁気光学効果があまり大きくないため、ＲＥ
−７Ｍ膜の片面もしくは両面にレーザ光に対して透明で
屈折率ｎの大きな誘電体膜を設け。
果といった磁気光学効果があまり大きくないため、ＲＥ
−７Ｍ膜の片面もしくは両面にレーザ光に対して透明で
屈折率ｎの大きな誘電体膜を設け。
光の多重反射によりみかけのカー回転角θ、或いはファ
ラデー回転角（０，）を大きくする方法がとられている
。つまり保護層はエンハンスメント膜の機能も兼ね備え
ていなければならない。このような保護層の材料として
は従来よりＳｉＯ□、Ｓｉｎ、ＡＱＮ、 ＳｉＮ、 Ｏ
Ｎ、５ｉＡＱＮ、 ５ｉＡＱＯＮ等が知られているが、
その中でもＲＥ−７Ｍ膜の保護効果に優れ、容易に屈折
率０の大きな膜が得られるＳｉＮが現在主流となってい
る。
ラデー回転角（０，）を大きくする方法がとられている
。つまり保護層はエンハンスメント膜の機能も兼ね備え
ていなければならない。このような保護層の材料として
は従来よりＳｉＯ□、Ｓｉｎ、ＡＱＮ、 ＳｉＮ、 Ｏ
Ｎ、５ｉＡＱＮ、 ５ｉＡＱＯＮ等が知られているが、
その中でもＲＥ−７Ｍ膜の保護効果に優れ、容易に屈折
率０の大きな膜が得られるＳｉＮが現在主流となってい
る。
しかしながら、上記のようにＲＥ−７Ｍ膜からなる記録
層をＳｉＮ膜からなる保護層でサンドイッチした構造の
場合、カバー層を通して空気中から侵入してくる酸素や
水に対して十分な保護効果を有していないため、現在ま
でのところ媒体の寿命としてはせいぜい１０年が限度で
あった。
層をＳｉＮ膜からなる保護層でサンドイッチした構造の
場合、カバー層を通して空気中から侵入してくる酸素や
水に対して十分な保護効果を有していないため、現在ま
でのところ媒体の寿命としてはせいぜい１０年が限度で
あった。
本発明はこのような従来技術の問題点を解決するために
なされたもので、カバー層を通して空気中から侵入して
くる酸素や水に対して十分な保護効果を有し、長寿命化
が図れる光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
なされたもので、カバー層を通して空気中から侵入して
くる酸素や水に対して十分な保護効果を有し、長寿命化
が図れる光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明によれば、基板上に、
第１の保護層、非晶質磁性合金膜からなる記録層、第２
の保護層及びカバー層を順次形成してなる光磁気記録媒
体において、前記第１の保護層がＳｉＮ膜からなり、か
つ前記第２の保護層がＳｉＢＮ膜からなることを特徴と
する光磁気記録媒体が提供される。
第１の保護層、非晶質磁性合金膜からなる記録層、第２
の保護層及びカバー層を順次形成してなる光磁気記録媒
体において、前記第１の保護層がＳｉＮ膜からなり、か
つ前記第２の保護層がＳｉＢＮ膜からなることを特徴と
する光磁気記録媒体が提供される。
本発明の光磁気記録媒体の一構成例の概略断面図を第１
図に示す、この光磁気記録媒体はレーザ光に対して透明
度が高くかつ複屈折の小さい光学特性の良好なガラス又
はプラスチックからなる基板１上に第１の保ｌｉ暦２、
記録層３、第２の保護層４、カバー層５が順次形成され
た構成になっている。
図に示す、この光磁気記録媒体はレーザ光に対して透明
度が高くかつ複屈折の小さい光学特性の良好なガラス又
はプラスチックからなる基板１上に第１の保ｌｉ暦２、
記録層３、第２の保護層４、カバー層５が順次形成され
た構成になっている。
基板ｌに使用される材料としては、アルミノ珪酸、バリ
ウム硼珪酸、石英等のガラス、あるいはポリカーボネー
ト（ｐｃ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、
ポリオレフィン（ＡＰＯ）等のプラスチックが挙げられ
る。
ウム硼珪酸、石英等のガラス、あるいはポリカーボネー
ト（ｐｃ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、
ポリオレフィン（ＡＰＯ）等のプラスチックが挙げられ
る。
第１の保護層２としては屈折率ｎが２．１〜２．４のＳ
ｉＮ膜が使用される。この第１の保護層２はスパッタ法
、蒸着法、イオンブレーティング法等を用いて５００〜
ｔｏｏｏ人、好ましくは６００〜９００人の膜厚に形成
される。
ｉＮ膜が使用される。この第１の保護層２はスパッタ法
、蒸着法、イオンブレーティング法等を用いて５００〜
ｔｏｏｏ人、好ましくは６００〜９００人の膜厚に形成
される。
記録層３には、Ｔｂ、 Ｇｄ、 Ｄｙ、 Ｎｄ等の希土
類金属（ＲＥ）を少なくとも１種以上と、遷移金Ｒ（Ｔ
Ｍ）であるＦｅ、 Ｇｏの少なくとも１種以上とを組合
せたＲＥ−７Ｍ膜が使用される。具体的にはＴｂＦｅＣ
ｏ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、 ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ等が使用される。記録層３はＤＣ又はＲＦマ
グネトロンスパッタ法等を用いて６００〜１２００人の
膜厚に形成される。
類金属（ＲＥ）を少なくとも１種以上と、遷移金Ｒ（Ｔ
Ｍ）であるＦｅ、 Ｇｏの少なくとも１種以上とを組合
せたＲＥ−７Ｍ膜が使用される。具体的にはＴｂＦｅＣ
ｏ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、 ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏ等が使用される。記録層３はＤＣ又はＲＦマ
グネトロンスパッタ法等を用いて６００〜１２００人の
膜厚に形成される。
第２の保護層４の材料としては、５ＬＢＮが使用される
。この第２の保護層４はスパッタ法、蒸着法、イオンブ
レーティング法等を用いて５００〜２０００人、好まし
くは６００−１２００人の膜厚に形成される。
。この第２の保護層４はスパッタ法、蒸着法、イオンブ
レーティング法等を用いて５００〜２０００人、好まし
くは６００−１２００人の膜厚に形成される。
カバー層５は塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル
樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、エポキシ樹脂等の紫
外線硬化樹脂が使用される。そしてその成膜法としては
スピナー塗布法が好ましく使用され、２〜１５１の膜厚
に形成される。
樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、エポキシ樹脂等の紫
外線硬化樹脂が使用される。そしてその成膜法としては
スピナー塗布法が好ましく使用され、２〜１５１の膜厚
に形成される。
第１の保護層に用いているＳｉＮ膜は屈折率ｎが２．１
〜２．４と大きく、カー回転角θにのエンハンスメント
により再生Ｃ／Ｎをより高くするように作用し、又第２
の保護層の５ＬＢＮ膜は他の膜にくらべて記録ｌ （Ｒ
Ｅ−７Ｍ膜）に対する保護効果が大きく、カバー層を通
して空気中から侵入してくる酸素や水に対し記録層を十
分保護するように作用する。したがって長寿命の媒体の
実現が可能となる。
〜２．４と大きく、カー回転角θにのエンハンスメント
により再生Ｃ／Ｎをより高くするように作用し、又第２
の保護層の５ＬＢＮ膜は他の膜にくらべて記録ｌ （Ｒ
Ｅ−７Ｍ膜）に対する保護効果が大きく、カバー層を通
して空気中から侵入してくる酸素や水に対し記録層を十
分保護するように作用する。したがって長寿命の媒体の
実現が可能となる。
以下に実施例をあげて本発明をさらに説明するが、本発
明はこの実施例のみに限定されるものではない。
明はこの実施例のみに限定されるものではない。
（実施例）
ポリカーボネート基板（案内溝付、直径約１３０ｍｍ、
厚さ１ 、２ｍｍ上にＲＦマグネトロンスパッタ法によ
り第１の保護層としてＳｉＮ膜を７００人の膜厚に形成
し。
厚さ１ 、２ｍｍ上にＲＦマグネトロンスパッタ法によ
り第１の保護層としてＳｉＮ膜を７００人の膜厚に形成
し。
その上に磁性層としてＴｂ２４ ＦｅＧ５ Ｃｏ、膜を
８００人の膜厚に形成し、さらにその上に第２の保護層
としてＳｉＢＮｌｌを８００人の膜厚に形成した。その
後、第２の保護層上にスピナー塗布法によりエポキシ樹
脂をｌｏｇの厚さに塗布した後、紫外線を照射してカバ
ー層を形成し、光磁気記録媒体を得た。
８００人の膜厚に形成し、さらにその上に第２の保護層
としてＳｉＢＮｌｌを８００人の膜厚に形成した。その
後、第２の保護層上にスピナー塗布法によりエポキシ樹
脂をｌｏｇの厚さに塗布した後、紫外線を照射してカバ
ー層を形成し、光磁気記録媒体を得た。
（比較例）
実施例１において、第２の保護層としてＳｉＮ膜を８０
０人の膜厚で形成した以外は同様にして光磁気記録媒体
を得た。
０人の膜厚で形成した以外は同様にして光磁気記録媒体
を得た。
以上のようにして得た実施例と比較例の光磁気記録媒体
を７０℃、８０％ＲＨの環境下に放置し、経過時間とピ
ットエラーレート（Ｂ、Ｅ、Ｒ）との関係について調べ
た。その結果を第２図のグラフに示す。
を７０℃、８０％ＲＨの環境下に放置し、経過時間とピ
ットエラーレート（Ｂ、Ｅ、Ｒ）との関係について調べ
た。その結果を第２図のグラフに示す。
図中Ｎα１は実施例（本発明）の光磁気記録媒体、Ｎα
２は比較例（従来例）の光磁気記録媒体に対応する。
２は比較例（従来例）の光磁気記録媒体に対応する。
なお、記録再生条件は以下の通りである。
・記録周波数 １（にＨｚ）
・媒体の回転数 ９００ （ｒｐ層）
・印加磁界 ５００（Ｏｅ）
・記録レーザパワー ５（ｍＷ）
・再生レーザパワー １（ｍＷ）
・レーザ波長 ７８０（ｎｍ）
第２図において５本実施例の光磁気記録媒体は上記環境
下においてもピットエラーレートの経時変化が少ないが
、比較例の光磁気記録媒体は時間が経過するにつれピッ
トエラーレートが増加している。このことから本実施例
の光磁気記録媒体は寿命が改善されていることが分かる
。また、実施例と比較例の両媒体の再生Ｃハを測定した
ところ、実施例は５６ （ｄＢ）、比較例は５７ （ｄ
Ｂ）であった。
下においてもピットエラーレートの経時変化が少ないが
、比較例の光磁気記録媒体は時間が経過するにつれピッ
トエラーレートが増加している。このことから本実施例
の光磁気記録媒体は寿命が改善されていることが分かる
。また、実施例と比較例の両媒体の再生Ｃハを測定した
ところ、実施例は５６ （ｄＢ）、比較例は５７ （ｄ
Ｂ）であった。
本発明の光磁気記録媒体は第１の保護層に屈折率の大き
なＳｉＮ膜を用いているため、カー回転角θ、のエンハ
ンスメントにより再生Ｃ／Ｎが高く、又第２の保護層に
記録層（ＲＥ−７Ｍ膜）に対する保護効果の大きなＳｉ
ＢＮ膜を用いているためカバー層を通して空気中から侵
入してくる酸素や水に対する保護が十分に行われ、長寿
命の媒体が実現出来る。
なＳｉＮ膜を用いているため、カー回転角θ、のエンハ
ンスメントにより再生Ｃ／Ｎが高く、又第２の保護層に
記録層（ＲＥ−７Ｍ膜）に対する保護効果の大きなＳｉ
ＢＮ膜を用いているためカバー層を通して空気中から侵
入してくる酸素や水に対する保護が十分に行われ、長寿
命の媒体が実現出来る。
第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の構成を示す断面
図、第２図は本発明の実施例及び比較例の環境試験の結
果を示す図である。 １・・・基板 ２・・・第１の保護層 ３・・・記録層（非晶質磁性合金膜） ４・・・第２の保護層 ５・・・カバー層 特許出願人 株式会社 リ コ
図、第２図は本発明の実施例及び比較例の環境試験の結
果を示す図である。 １・・・基板 ２・・・第１の保護層 ３・・・記録層（非晶質磁性合金膜） ４・・・第２の保護層 ５・・・カバー層 特許出願人 株式会社 リ コ
Claims (1)
- （１）基板上に、第１の保護層、非晶質磁性合金膜から
なる記録層、第２の保護層及びカバー層を順次形成して
なる光磁気記録媒体において、 前記第１の保護層がＳｉＮ膜からなり、かつ前記第２の
保護層がＳｉＢＮ膜からなることを特徴とする光磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19889A JPH02179947A (ja) | 1989-01-04 | 1989-01-04 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19889A JPH02179947A (ja) | 1989-01-04 | 1989-01-04 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02179947A true JPH02179947A (ja) | 1990-07-12 |
Family
ID=11467289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19889A Pending JPH02179947A (ja) | 1989-01-04 | 1989-01-04 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02179947A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1017108A3 (en) * | 1998-12-25 | 2001-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacturing the same |
| US6891236B1 (en) | 1999-01-14 | 2005-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293536A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Hitachi Ltd | 光磁気デイスク |
-
1989
- 1989-01-04 JP JP19889A patent/JPH02179947A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293536A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Hitachi Ltd | 光磁気デイスク |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1017108A3 (en) * | 1998-12-25 | 2001-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor devices and methods of manufacturing the same |
| US6891236B1 (en) | 1999-01-14 | 2005-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7491655B2 (en) | 1999-01-14 | 2009-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
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