JPH0263262B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0263262B2 JPH0263262B2 JP56104071A JP10407181A JPH0263262B2 JP H0263262 B2 JPH0263262 B2 JP H0263262B2 JP 56104071 A JP56104071 A JP 56104071A JP 10407181 A JP10407181 A JP 10407181A JP H0263262 B2 JPH0263262 B2 JP H0263262B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- rotation angle
- amorphous thin
- kerr rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光により情報の記録・再生・消
去を行う磁気光学記憶素子に関する。
去を行う磁気光学記憶素子に関する。
近年、高密度・大容量・高速アクセス等種々の
要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。
要求を満足し得る光メモリ装置の研究開発が活発
に推進されている。
そして既に実用化に達したものとして、記憶デ
イスクに微細ピツト列を形成し各ピツト部におけ
る光ビームの回折現象を利用して再生信号を得る
装置、及び記憶媒体の反射率変化を利用して再生
信号を得る装置がある。しかしながらこれらの装
置は再生専用であるか又は再生及び情報の追加記
憶が可能なものに留まり、不要な情報を消去し再
記憶可能なものについては未だ研究開発段階にあ
る。
イスクに微細ピツト列を形成し各ピツト部におけ
る光ビームの回折現象を利用して再生信号を得る
装置、及び記憶媒体の反射率変化を利用して再生
信号を得る装置がある。しかしながらこれらの装
置は再生専用であるか又は再生及び情報の追加記
憶が可能なものに留まり、不要な情報を消去し再
記憶可能なものについては未だ研究開発段階にあ
る。
本発明は上記した、記憶した情報を消去し新し
い情報を再記憶出来る素子として期待される、記
憶材料として希土類−遷移金属の非晶質薄膜を用
いた磁気光学記憶素子に関するものである。
い情報を再記憶出来る素子として期待される、記
憶材料として希土類−遷移金属の非晶質薄膜を用
いた磁気光学記憶素子に関するものである。
次に磁気光学記憶素子の従来問題点について説
明する。
明する。
磁気光学記憶素子は上記の利点を有する一方で
再生信号レベルが低いという欠点がある。特に磁
気光学記憶素子からの反射光を利用して情報の再
生を行う所謂カー効果再生方式においてはカー回
転角が小さいため信号雑音比（Ｓ／Ｎ）を高める
事が困難であつた。その為従来では記憶媒体であ
る磁性材料を改良したり或いは記憶媒体上にSiO
やSiO2の誘電体薄膜を形成したりしてカー回転
角を高める工夫がなされれていた。後者の例とし
て例えばTbFeの磁性体薄膜上にSiO膜を形成す
ることによつてカー回転角が0.15度から0.6度に
増大した例が報告されている（IEEE Trans on
Mag Vol−16 No5 1980 P1194）。しかしながら
上記SiOやSiO2の誘電体薄膜では、磁性体に腐蝕
の恐れのある場合はその腐蝕の実質的な防御とは
なり得なく、又1μm程度の小さなほこりやゴミが
該誘電体薄膜に付着した場合は記録ビツト径が
1μm程度であるためビツト検出が不可能になり、
よつて上記SiO、SiO2の誘電体薄膜を形成するこ
とは実用に適さなかつた。そして前記腐蝕の防御
及びほこりやゴミに対する対策の為には0.5〜２
mm程度のガラス又は透明樹脂を磁性体に被覆する
ことが望ましいとされている。しかしこの被覆材
では当然ながらカー回転角の増大は難しく従つて
Ｓ／Ｎの増大の効果を得ることも困難である。
再生信号レベルが低いという欠点がある。特に磁
気光学記憶素子からの反射光を利用して情報の再
生を行う所謂カー効果再生方式においてはカー回
転角が小さいため信号雑音比（Ｓ／Ｎ）を高める
事が困難であつた。その為従来では記憶媒体であ
る磁性材料を改良したり或いは記憶媒体上にSiO
やSiO2の誘電体薄膜を形成したりしてカー回転
角を高める工夫がなされれていた。後者の例とし
て例えばTbFeの磁性体薄膜上にSiO膜を形成す
ることによつてカー回転角が0.15度から0.6度に
増大した例が報告されている（IEEE Trans on
Mag Vol−16 No5 1980 P1194）。しかしながら
上記SiOやSiO2の誘電体薄膜では、磁性体に腐蝕
の恐れのある場合はその腐蝕の実質的な防御とは
なり得なく、又1μm程度の小さなほこりやゴミが
該誘電体薄膜に付着した場合は記録ビツト径が
1μm程度であるためビツト検出が不可能になり、
よつて上記SiO、SiO2の誘電体薄膜を形成するこ
とは実用に適さなかつた。そして前記腐蝕の防御
及びほこりやゴミに対する対策の為には0.5〜２
mm程度のガラス又は透明樹脂を磁性体に被覆する
ことが望ましいとされている。しかしこの被覆材
では当然ながらカー回転角の増大は難しく従つて
Ｓ／Ｎの増大の効果を得ることも困難である。
本発明は以上の従来点に鑑みなされたものであ
り、カー回転角を増大せしめしかも充分に実用に
適する手段を提供することを目的とする。
り、カー回転角を増大せしめしかも充分に実用に
適する手段を提供することを目的とする。
以下、本発明に係わる磁気光学記憶素子の一実
施例を図面を用いて詳細に説明する。
施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一
実施例の側面断面図である。同図で１はガラス、
アクリル樹脂等の基板であり厚さは0.5〜２mm程
度である。２はGdTbFe、TbDyFe、GdDyFe等
の膜面に垂直な磁化容易軸を有する希土類−遷移
金属非晶質薄膜である。３はAu，Ag，Cu等、そ
の屈折率の実数部が１以下で虚数部が−３乃至−
４の反射膜である。基板１側から入射した入射光
は上記非晶質薄膜２の表面で反射され、かつ上記
非晶質薄膜２を通り上記反射膜３で反射される。
その為に上記二種の反射光が合成されることにな
りカー効果とフアラデー効果が加わり、見かけの
カー回転角は上記反射膜３が存在しない場合に比
べて極めて大きなものが得られる。そしてその結
果としてこの磁気光学記憶素子にレーザ光を照射
して得られる情報のＳ／Ｎは向上する。
実施例の側面断面図である。同図で１はガラス、
アクリル樹脂等の基板であり厚さは0.5〜２mm程
度である。２はGdTbFe、TbDyFe、GdDyFe等
の膜面に垂直な磁化容易軸を有する希土類−遷移
金属非晶質薄膜である。３はAu，Ag，Cu等、そ
の屈折率の実数部が１以下で虚数部が−３乃至−
４の反射膜である。基板１側から入射した入射光
は上記非晶質薄膜２の表面で反射され、かつ上記
非晶質薄膜２を通り上記反射膜３で反射される。
その為に上記二種の反射光が合成されることにな
りカー効果とフアラデー効果が加わり、見かけの
カー回転角は上記反射膜３が存在しない場合に比
べて極めて大きなものが得られる。そしてその結
果としてこの磁気光学記憶素子にレーザ光を照射
して得られる情報のＳ／Ｎは向上する。
上記カー回転角の増大率は、使用するレーザ光
の波長、上記非晶質薄膜２の種類、該非晶質薄膜
２の膜厚及び上記反射膜３の種類によつて変化す
る。
の波長、上記非晶質薄膜２の種類、該非晶質薄膜
２の膜厚及び上記反射膜３の種類によつて変化す
る。
第２図はGdTbFe非晶質薄膜２の膜厚とカー回
転角との関係を、各種反射膜に関して示してい
る。但し使用したレーザの波長は6328Åである。
同図において示されるカー回転角の値は、反射膜
の無い場合のGdTbFe非晶質薄膜のカー回転角が
0.27゜であることを考えればかなり大きく、反射
膜を備えた場合の優位性を表わしている。又、同
図では反射膜として膜厚の充分厚いAg、Au、
Cu、Alを用いた。Ag、Au、Cuを用いた場合は
Alを用いた場合に比較してカー回転角が大きく
しかも互いに略同等の特性となる。これは反射膜
の屈折率の値の相違による現象である。
転角との関係を、各種反射膜に関して示してい
る。但し使用したレーザの波長は6328Åである。
同図において示されるカー回転角の値は、反射膜
の無い場合のGdTbFe非晶質薄膜のカー回転角が
0.27゜であることを考えればかなり大きく、反射
膜を備えた場合の優位性を表わしている。又、同
図では反射膜として膜厚の充分厚いAg、Au、
Cu、Alを用いた。Ag、Au、Cuを用いた場合は
Alを用いた場合に比較してカー回転角が大きく
しかも互いに略同等の特性となる。これは反射膜
の屈折率の値の相違による現象である。
即ち、使用レーザの波長6328Åに於けるAlの
屈折率は1.6−5.4i、Agの屈折率は0.18−3.3i、Au
の屈折率は0.35−3.16iCuの折率は0.62−3.6iであ
り、Ag、Au、Cuの屈折率は比較的近く、Alの
屈折率のみが離れた値を有する。この為、
GdTbFe非晶質薄膜の膜厚が第２図に示すとおり
膜厚が100Å乃至250Åの間で、Ag、Au、Cuのい
ずれかの反射膜を設けた場合カー回転角は非常に
大きく、上記非晶質薄膜の膜厚が150Å近傍でカ
ー回転角は極大値をとる。しかし、Alの反射膜
を設けた場合はカー回転角は小さい。
屈折率は1.6−5.4i、Agの屈折率は0.18−3.3i、Au
の屈折率は0.35−3.16iCuの折率は0.62−3.6iであ
り、Ag、Au、Cuの屈折率は比較的近く、Alの
屈折率のみが離れた値を有する。この為、
GdTbFe非晶質薄膜の膜厚が第２図に示すとおり
膜厚が100Å乃至250Åの間で、Ag、Au、Cuのい
ずれかの反射膜を設けた場合カー回転角は非常に
大きく、上記非晶質薄膜の膜厚が150Å近傍でカ
ー回転角は極大値をとる。しかし、Alの反射膜
を設けた場合はカー回転角は小さい。
ここで、以上の実施例に留まらず、本発明の好
適な実施の形態として次のものが挙げられる。
適な実施の形態として次のものが挙げられる。
(1) 第１図の構成に加え非晶質薄膜２と反射膜３
の間にSiO2、SiO、TiO2、SiN4等の断熱層を
設ける。
の間にSiO2、SiO、TiO2、SiN4等の断熱層を
設ける。
(2) 第１図の構成に加え基板１と非晶質薄膜２の
間にSiO、TiO2等の透明誘電体膜を設ける。こ
れは基板１がアクリル、ポリカーボ等の樹脂の
場合は水を含有する為ゴミやホコリに対しては
防御可能だが腐蝕に対して充分な対応が不可能
であるために設けられるものである。この場合
上記透明誘電体膜の屈折率を上記基板の屈折率
より大きく、かつ上記透明誘電体膜の膜厚を略
λ／4n（λ：入射レーザー波長、ｎ：整数）と
すれば上記基板より入射した光は上記透明誘電
体膜の内部で干渉し、それによつてカー回転角
が増大しＳ／Ｎが向上する。
間にSiO、TiO2等の透明誘電体膜を設ける。こ
れは基板１がアクリル、ポリカーボ等の樹脂の
場合は水を含有する為ゴミやホコリに対しては
防御可能だが腐蝕に対して充分な対応が不可能
であるために設けられるものである。この場合
上記透明誘電体膜の屈折率を上記基板の屈折率
より大きく、かつ上記透明誘電体膜の膜厚を略
λ／4n（λ：入射レーザー波長、ｎ：整数）と
すれば上記基板より入射した光は上記透明誘電
体膜の内部で干渉し、それによつてカー回転角
が増大しＳ／Ｎが向上する。
(3) 基板１に凹凸状のガイドトラツクを形成す
る。
る。
(4) 非晶質薄膜２の一部を結晶化せしめガイドト
ラツクとなす。
ラツクとなす。
(5) 反射膜３に接着層を介し第２の非晶質薄膜
２、第２の基板１を設け両面使用とする。
２、第２の基板１を設け両面使用とする。
以上の(1)〜(5)の形態は互いに組合わせることも
可能である。
可能である。
以上説明した如く本発明によれば適切なる反射
膜を非晶質薄膜の裏面に形成することによつて、
効果的にカー回転角を増大せしめることができる
ものである。
膜を非晶質薄膜の裏面に形成することによつて、
効果的にカー回転角を増大せしめることができる
ものである。
第１図は本発明に係わる磁気光学記憶素子の一
実施例の側面断面図、第２図は特性グラフ図であ
る。 図中、１：基板、２：非晶質薄膜、３：反射
膜。
実施例の側面断面図、第２図は特性グラフ図であ
る。 図中、１：基板、２：非晶質薄膜、３：反射
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 膜厚を100Å乃至250Åとした膜面に垂直な磁
化容易軸を有する希土類−遷移金属非晶質薄膜を
記憶媒体とし、 該記憶媒体の裏面に入射光の波長に対する屈折
率の実数部が１以下であつて虚数部が−３乃至−
４の値を有するAg，Au，Cuのいずれかの反射膜
を設けたことを特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10407181A JPS586541A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 磁気光学記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10407181A JPS586541A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 磁気光学記憶素子 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25292590A Division JPH03228240A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気光学記憶素子 |
| JP24872291A Division JP2801984B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586541A JPS586541A (ja) | 1983-01-14 |
| JPH0263262B2 true JPH0263262B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=14370922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10407181A Granted JPS586541A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586541A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3382791T2 (de) * | 1982-12-15 | 1995-12-07 | Sharp Kk | Magneto-optischer Speicher. |
| US4569881A (en) * | 1983-05-17 | 1986-02-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-layer amorphous magneto optical recording medium |
| JPS6063747A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-12 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS60209940A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-22 | Sony Corp | 光学式記録媒体 |
| JPS60209942A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-22 | Canon Inc | 熱磁気記録媒体 |
| JPS6134748A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-19 | Daido Steel Co Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| EP0598377B1 (en) * | 1992-11-17 | 1999-09-22 | Mitsubishi Chemical Corporation | Magneto-optical recording medium and optical information recording and reading-out method |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231703A (en) * | 1975-09-05 | 1977-03-10 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Magnetic thin film recording medium |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP10407181A patent/JPS586541A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS586541A (ja) | 1983-01-14 |
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