JPH02180085A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH02180085A JPH02180085A JP63334138A JP33413888A JPH02180085A JP H02180085 A JPH02180085 A JP H02180085A JP 63334138 A JP63334138 A JP 63334138A JP 33413888 A JP33413888 A JP 33413888A JP H02180085 A JPH02180085 A JP H02180085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- width
- region
- ridge
- active layer
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、共振器端面近傍で活性層の光密度を低減した
高出力半導体レーザ素子に関する。
高出力半導体レーザ素子に関する。
（従来の技術）
半導体レーザ素子は光ディスクや光通信システムの光源
として広く使用されている。これらの素子には、より高
出力で光を出射することが望まれている。しかしながら
実用化されている半導体レーザ素子では高々５０ｍＷ程
度の出力しか得られていない。このように高出力化が達
成できない原因として、共振器端面に於ける結晶劣化が
挙げられる。この結晶劣化を抑えるために、液相成長法
（ＬＰＥ法）を用いて、半導体レーザ素子内部の活性層
よりも端面近傍の活性層を薄くして、端面近傍の光密度
を減少させることが行われている。
として広く使用されている。これらの素子には、より高
出力で光を出射することが望まれている。しかしながら
実用化されている半導体レーザ素子では高々５０ｍＷ程
度の出力しか得られていない。このように高出力化が達
成できない原因として、共振器端面に於ける結晶劣化が
挙げられる。この結晶劣化を抑えるために、液相成長法
（ＬＰＥ法）を用いて、半導体レーザ素子内部の活性層
よりも端面近傍の活性層を薄くして、端面近傍の光密度
を減少させることが行われている。
このタイプの素子として第５図（Ｃ）に示すＴ３構造を
有する半導体レーザ素子（三菱電機技報、■ｏ １．６
２．Ｎｏ、７．１４ （５６６）、１９８Ｂ）が知られ
ている。第５図（ｄ）はこの半導体レーザの平面図であ
り、破線によってリッジ形状が示されている。第５図（
ａ）および（ｂ）はその製造工程の途中を表す斜視図で
ある。
有する半導体レーザ素子（三菱電機技報、■ｏ １．６
２．Ｎｏ、７．１４ （５６６）、１９８Ｂ）が知られ
ている。第５図（ｄ）はこの半導体レーザの平面図であ
り、破線によってリッジ形状が示されている。第５図（
ａ）および（ｂ）はその製造工程の途中を表す斜視図で
ある。
以下製造工程に従って説明する。ｐ−ＧａＡｓ基板２１
上にエツチングによって高さ２μｍのリッジ部３２が形
成される。リッジ部３２は端面近傍では幅が狭く、共振
器中央領域では幅が広くなるように形成される（第５１
１ｆｆｌ（ａ））。次にエピタキシャル成長によってｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層２２を形成し、エツチン
グにより、リッジ部３２の中央に基板２１に達するスト
ライプ状のＶ字溝３１を形成する（第５図（ｂ））。さ
らにＬＰＥ法により、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２３
．ＡＩ Ｇ、 ａ Ａ ｓ活性層２４．ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓクランド層２５．ｎ−〇ａＡｓキャップ層２６層成６
し。
上にエツチングによって高さ２μｍのリッジ部３２が形
成される。リッジ部３２は端面近傍では幅が狭く、共振
器中央領域では幅が広くなるように形成される（第５１
１ｆｆｌ（ａ））。次にエピタキシャル成長によってｎ
−Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層２２を形成し、エツチン
グにより、リッジ部３２の中央に基板２１に達するスト
ライプ状のＶ字溝３１を形成する（第５図（ｂ））。さ
らにＬＰＥ法により、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２３
．ＡＩ Ｇ、 ａ Ａ ｓ活性層２４．ｎ−ＡｌＧａＡ
ｓクランド層２５．ｎ−〇ａＡｓキャップ層２６層成６
し。
ダブルテヘロ構造を形成している（第５図（Ｃ））。
上述のようにリッジ形状部のある基板上にＬＰＥ法によ
る結晶成長を行なうと、リッジの側面では、結晶成長が
促進され、リッジの上面では結晶成長が抑制される。こ
れは結晶成長の異方性として知られている。この性質に
よって５ リッジ上面ではリッジ側面より結晶成長膜が
大幅に薄く形成され、しかも再現性良く形成される。
る結晶成長を行なうと、リッジの側面では、結晶成長が
促進され、リッジの上面では結晶成長が抑制される。こ
れは結晶成長の異方性として知られている。この性質に
よって５ リッジ上面ではリッジ側面より結晶成長膜が
大幅に薄く形成され、しかも再現性良く形成される。
この異方性を利用すれば、リッジの幅を変化させること
より、リッジ上に形成される層の厚さを変えることがで
きる。即ち、リッジの幅の広い領域では成長層の厚さは
厚くなり、狭い領域では薄くなる。従って第５図（ａ）
に示す形状を有するリッジ部３２上にＬＰＥ法によって
層を形成すると、端面近傍では活性層２４の層厚が薄く
なり基板中央領域では厚くなる。このようにして製造さ
れるＴ３型型半体レーザ素子では端面近傍の活性層２４
が薄いので、端面近傍では、光はクラ・ノド層にしみ出
し、活性層内での光密度が低減される。このようにして
破壊限界光出力を向上することができ、高出力動作が可
能となる。
より、リッジ上に形成される層の厚さを変えることがで
きる。即ち、リッジの幅の広い領域では成長層の厚さは
厚くなり、狭い領域では薄くなる。従って第５図（ａ）
に示す形状を有するリッジ部３２上にＬＰＥ法によって
層を形成すると、端面近傍では活性層２４の層厚が薄く
なり基板中央領域では厚くなる。このようにして製造さ
れるＴ３型型半体レーザ素子では端面近傍の活性層２４
が薄いので、端面近傍では、光はクラ・ノド層にしみ出
し、活性層内での光密度が低減される。このようにして
破壊限界光出力を向上することができ、高出力動作が可
能となる。
（発明が解決しようとする課Ｂ）
ところが、上述のようにして製造されるＴ３型型半体レ
ーザ素子では活性層２４を成長する前にクラッド層２３
を成長しなければならないので問題が生じる。
ーザ素子では活性層２４を成長する前にクラッド層２３
を成長しなければならないので問題が生じる。
クラッド層２３はＬＰＥ法によって形成されるので端面
近傍で薄く、基板中央領域で厚くなる。
近傍で薄く、基板中央領域で厚くなる。
クラッド層２３の厚さは適度な屈折率導波機構を生ずる
のに通した大きさにしなければならないので、上記のよ
うに厚さが異なるのは好ましくない。
のに通した大きさにしなければならないので、上記のよ
うに厚さが異なるのは好ましくない。
さらに活性層も、このようなりラッド層２３の上にＬＰ
Ｅ法によって形成されるので平坦とはならず、０．２μ
ｍ程度の段差を有している。この様子を示すため、第５
図（ｄ）のＶＴ−ＶＩ線に沿った断面図を第６図に示す
。このように活性層の段差によって、出射光の遠視野像
の垂直方向にサブピークが出現するという特性の悪化が
起こる。
Ｅ法によって形成されるので平坦とはならず、０．２μ
ｍ程度の段差を有している。この様子を示すため、第５
図（ｄ）のＶＴ−ＶＩ線に沿った断面図を第６図に示す
。このように活性層の段差によって、出射光の遠視野像
の垂直方向にサブピークが出現するという特性の悪化が
起こる。
本発明は上記従来の問題点を解決するものであり、その
目的は、光出射の特性を悪化させることなく高出力が得
られ、しかも再現性良く製造できる半導体レーザ素子及
びその製造方法を提供することである。
目的は、光出射の特性を悪化させることなく高出力が得
られ、しかも再現性良く製造できる半導体レーザ素子及
びその製造方法を提供することである。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体レーザ素子は、半導体基板上のリッジ部
と、該リッジ部中央のストライプ状の溝と、該リッジ部
の上方の積層構造と、活性層とを備え、共振器中央領域
の該リッジ部の幅Ｗ１が端面近傍領域の該リッジ部の幅
Ｗ２より大きく、該リッジ部の幅Ｗ、の領域中の中央の
幅Ｗ２の領域を除く両側方領域のそれぞれに１以上の側
溝が設けられ、該積層構造の上面が平面であり、該活性
層が該平面上に形成され、数構の上方に於いて。
と、該リッジ部中央のストライプ状の溝と、該リッジ部
の上方の積層構造と、活性層とを備え、共振器中央領域
の該リッジ部の幅Ｗ１が端面近傍領域の該リッジ部の幅
Ｗ２より大きく、該リッジ部の幅Ｗ、の領域中の中央の
幅Ｗ２の領域を除く両側方領域のそれぞれに１以上の側
溝が設けられ、該積層構造の上面が平面であり、該活性
層が該平面上に形成され、数構の上方に於いて。
該端面近傍領域の該活性層の厚さが該共振器中央領域の
該活性層の厚さより小さいので、そのことにより上記目
的が達成される。
該活性層の厚さより小さいので、そのことにより上記目
的が達成される。
また本発明の半導体レーザ素子の製造法は半導体基板上
に、該基板の中央領域に於ける幅Ｗｌが端面に於ける幅
Ｗ２より大きく、該幅ＷＩの領域中の中央の幅Ｗ２の領
域を除く両側方領域のそれぞれに１以上の側溝を有する
リッジ部を形成する工程、該基板上に電流阻止層を形成
する工程、該リッジ部の中央にストライプ状の溝を形成
する工程、及び該基板上にクラッド層及び活性層を順次
形成する工程、を包含しており、そのことにより上記目
的が達成される。
に、該基板の中央領域に於ける幅Ｗｌが端面に於ける幅
Ｗ２より大きく、該幅ＷＩの領域中の中央の幅Ｗ２の領
域を除く両側方領域のそれぞれに１以上の側溝を有する
リッジ部を形成する工程、該基板上に電流阻止層を形成
する工程、該リッジ部の中央にストライプ状の溝を形成
する工程、及び該基板上にクラッド層及び活性層を順次
形成する工程、を包含しており、そのことにより上記目
的が達成される。
（作用）
本発明の半導体レーザ素子は、端面近傍領域ではリッジ
部の幅が小さいので、また共振器中央領域には側溝が存
在するので、該リッジ部上方に形成される層１例えば電
流阻止層及びクラッド層は。
部の幅が小さいので、また共振器中央領域には側溝が存
在するので、該リッジ部上方に形成される層１例えば電
流阻止層及びクラッド層は。
リッジ部の上方ではほぼ等しい層厚で成長する。
クラッド層の成長が終了した段階では側溝はほとんど埋
めら、クラッド層の上面は平面状となる。
めら、クラッド層の上面は平面状となる。
この後、クラッド層の上に形成される活性層は端面近傍
領域では薄く形成され、共振器中央領域では厚く形成さ
れる。
領域では薄く形成され、共振器中央領域では厚く形成さ
れる。
（実施例）
本発明の実施例について以下に説明する。第１図は本発
明の半導体レーザ素子の一実施例を表す斜視図である。
明の半導体レーザ素子の一実施例を表す斜視図である。
第２図（ａ）〜（ｅ）は、第１図の半導体レーザ素子の
製造途中の段階を示す斜視図である。
製造途中の段階を示す斜視図である。
以下製造工程に従って説明する。
ｐ−ＣａＡｓ基板１上に高さ２μｍのりンジ部９をエツ
チングによって形成した。リッジ部９の形状は、端面近
傍領域では２幅２０μｍ、基板内部の領域では幅５０μ
ｍであり、これら２つの領域の間では２幅２０μｍから
５０μｍに徐々に変化している。そして端面近傍以外の
領域のリッジ部９には、さらに端面近傍と同じ幅の中央
の領域の外側に、２つの対称な側溝１０．１０が設けら
れている。また、共振器長は２５０μｍであり。
チングによって形成した。リッジ部９の形状は、端面近
傍領域では２幅２０μｍ、基板内部の領域では幅５０μ
ｍであり、これら２つの領域の間では２幅２０μｍから
５０μｍに徐々に変化している。そして端面近傍以外の
領域のリッジ部９には、さらに端面近傍と同じ幅の中央
の領域の外側に、２つの対称な側溝１０．１０が設けら
れている。また、共振器長は２５０μｍであり。
端面近傍の２つの幅２０μｍの領域の共振器方向の長さ
はそれぞれ４０μｍ１幅が徐々に変化する２つの領域の
長さはそれぞれ４０μＭ、共振器中央部の幅５０μｍの
領域の長さは９０μｍである。
はそれぞれ４０μｍ１幅が徐々に変化する２つの領域の
長さはそれぞれ４０μＭ、共振器中央部の幅５０μｍの
領域の長さは９０μｍである。
次にＬＰＥ法によってｎ−ＧａＡｓ電流阻止層２を形成
した（第２図（ｂ））。このとき端面領域のリッジ部９
の幅と、基板内部のリッジ部９の側溝１０に挟まれた領
域との幅が等しいので、端面近傍と基板内部とのリッジ
部９上に形成される電流阻止層２は均一な厚さ（０，８
μｍ）で形成される。電流阻止層２が形成された後も側
溝１０は完全には埋まらない。あるいはＭ ＯＣＶ Ｄ
（ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｄｉｔｉｏｎ）法により成長しても
同様の形状が残る。
した（第２図（ｂ））。このとき端面領域のリッジ部９
の幅と、基板内部のリッジ部９の側溝１０に挟まれた領
域との幅が等しいので、端面近傍と基板内部とのリッジ
部９上に形成される電流阻止層２は均一な厚さ（０，８
μｍ）で形成される。電流阻止層２が形成された後も側
溝１０は完全には埋まらない。あるいはＭ ＯＣＶ Ｄ
（ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｄｉｔｉｏｎ）法により成長しても
同様の形状が残る。
次に基板１に達するエツチングによって、リッジ部９の
中央にストライプ状のＶ字溝１１を形成した（第２図（
Ｃ））。このｖ字溝１１によって電流狭窄が行われる。
中央にストライプ状のＶ字溝１１を形成した（第２図（
Ｃ））。このｖ字溝１１によって電流狭窄が行われる。
次にｐ −Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓクラッド層３をＬＰ
Ｅ方法によって成長した（第２図（ｄ））。
Ｅ方法によって成長した（第２図（ｄ））。
クラッド層３も、側溝１０の存在によって端面近傍と基
板内部とで均一な厚さ（０，３μｍ）で形成されている
。クラッドＮ３の形成が終了した段階では側溝１０は完
全に埋まってしまうか、又はやや残った状態にある。次
にＧ ａ Ａ Ｉ Ａ Ｓ活性層４をＬＰＥ法によって
形成した。活性層４の成長の初期には側溝１０は完全に
埋められるので、活性層４は基板内部では厚く、端面近
傍では薄（なる。本実施例では基板中央のＶ字溝１１上
での活性層の厚さは０．０８μｍ、端面近傍での厚さは
０．０３μｍであった。
板内部とで均一な厚さ（０，３μｍ）で形成されている
。クラッドＮ３の形成が終了した段階では側溝１０は完
全に埋まってしまうか、又はやや残った状態にある。次
にＧ ａ Ａ Ｉ Ａ Ｓ活性層４をＬＰＥ法によって
形成した。活性層４の成長の初期には側溝１０は完全に
埋められるので、活性層４は基板内部では厚く、端面近
傍では薄（なる。本実施例では基板中央のＶ字溝１１上
での活性層の厚さは０．０８μｍ、端面近傍での厚さは
０．０３μｍであった。
次にｎ −Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓクラッド層５．ｎ−
ＧａＡｓコンタクト層６を成長しく第２図（ｅ））、
さらにｎ側電極７及びｎ側電極８を形成し、第１図の半
導体レーザ素子を得た。
ＧａＡｓコンタクト層６を成長しく第２図（ｅ））、
さらにｎ側電極７及びｎ側電極８を形成し、第１図の半
導体レーザ素子を得た。
本実施例の半導体レーザ素子は室温での連続発振で最大
３００ｍＷの光出力が得られた。また５０°Ｃ２出力１
００ｍＷで、３，０００時間以上安定に動作し、高い信
頼性を有することが確認、された。上記の動作中、基本
横モードで安定に動作した。遠視野像は光出力の変化に
対して安定していた。放射ビームの広がりは半導体レー
ザ素子の接合面に平行方向で約１０度、垂直方向で約２
０度である（半値全角）。このように垂直／水平の角度
比が小さいので、光学系への高い結合効率が得られる。
３００ｍＷの光出力が得られた。また５０°Ｃ２出力１
００ｍＷで、３，０００時間以上安定に動作し、高い信
頼性を有することが確認、された。上記の動作中、基本
横モードで安定に動作した。遠視野像は光出力の変化に
対して安定していた。放射ビームの広がりは半導体レー
ザ素子の接合面に平行方向で約１０度、垂直方向で約２
０度である（半値全角）。このように垂直／水平の角度
比が小さいので、光学系への高い結合効率が得られる。
第３図（ａ）は本発明の他の実施例のり・ンジ部を形成
した基板の斜視図である。第３図［有］）は第３図（ａ
）の基板に側溝１０を形成した後、電流阻止層を形成し
、３本のＶ字溝１１を形成した平面図である。
した基板の斜視図である。第３図［有］）は第３図（ａ
）の基板に側溝１０を形成した後、電流阻止層を形成し
、３本のＶ字溝１１を形成した平面図である。
第４図（ａ）及び（ｂ）は本発明の他の実施例を示す平
面図である。いずれも側溝１０を形成し、電流阻止層を
形成した後、ｖ字溝１１を形成した段階を示している。
面図である。いずれも側溝１０を形成し、電流阻止層を
形成した後、ｖ字溝１１を形成した段階を示している。
第３図及び第４図（ａ）及び（ｂ）のいずれの実施例に
於いても、第１図と同様の特性を有する半導体レーザ素
子が得られることが確認された。
於いても、第１図と同様の特性を有する半導体レーザ素
子が得られることが確認された。
（発明の効果）
本発明の半導体レーザ素子はこのように出射光の特性を
悪化させることなく高出力の要請に応することができる
。
悪化させることなく高出力の要請に応することができる
。
さらに本発明の半導体レーザ素子の製造方法を用いれば
、上記の半導体レーザ素子を容易に製造することができ
る。
、上記の半導体レーザ素子を容易に製造することができ
る。
を表す斜視図、第２図（ａ）〜（ｅ）は第１図の半導体
レーザ素子の製造途中の段階を表す斜視図、第３図（ａ
）及び（ｂ）は本発明の他の実施例を表わす図、第４図
（ａ）及び（ｂ）は本発明の他の実施例を表す平面図第
５図（ａ）〜（Ｃ）は従来のＴ３型型半体レーザ素子の
製造途中の段階を表す斜視図、第５図（ｄ）は第５図（
ａ）〜（Ｃ）の従来例の平面図、第６図は第５１１ｆｆ
ｌ（ｄ）の■■線に沿った断面図である。
レーザ素子の製造途中の段階を表す斜視図、第３図（ａ
）及び（ｂ）は本発明の他の実施例を表わす図、第４図
（ａ）及び（ｂ）は本発明の他の実施例を表す平面図第
５図（ａ）〜（Ｃ）は従来のＴ３型型半体レーザ素子の
製造途中の段階を表す斜視図、第５図（ｄ）は第５図（
ａ）〜（Ｃ）の従来例の平面図、第６図は第５１１ｆｆ
ｌ（ｄ）の■■線に沿った断面図である。
１−ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２−ｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層、３・・・ｐ−Ｃ；ａＡＩＡｓクラッド層、４・
・・ＧａＡｌＡｓ活性層、５・・・ｎ−ＧａＡｌＡｓク
ラッド層、６−ｎ−ＣｒａＡｓコンタクト層、９・・・
リッジ部、１０・・・側溝、１１・・・Ｖ字溝。
阻止層、３・・・ｐ−Ｃ；ａＡＩＡｓクラッド層、４・
・・ＧａＡｌＡｓ活性層、５・・・ｎ−ＧａＡｌＡｓク
ラッド層、６−ｎ−ＣｒａＡｓコンタクト層、９・・・
リッジ部、１０・・・側溝、１１・・・Ｖ字溝。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上のリッジ部と、該リッジ部中央のスト
ライプ状の溝と、該リッジ部の上方の積層構造と、活性
層とを備え、 共振器中央領域の該リッジ部の幅Ｗ＿１が端面近傍領域
の該リッジ部の幅Ｗ＿２より大きく、該リッジ部の幅Ｗ
＿１の領域中の中央の幅Ｗ＿２の領域を除く両側方領域
のそれぞれに１以上の側溝が設けられ、 該積層構造の上面が平面であり、 該活性層が該平面上に形成され、 該溝の上方に於いて、該端面近傍領域の該活性層の厚さ
が該共振器中央領域の該活性層の厚さより小さい半導体
レーザ素子。 ２、半導体基板上に、該基板の中央領域に於ける幅Ｗ＿
１が端面近傍領域に於ける幅Ｗ＿２より大きく、該幅Ｗ
＿１の領域中の中央の幅Ｗ＿２の領域を除く両側方領域
のそれぞれに１以上の側溝を有するリッジ部を形成する
工程、 該基板上に電流阻止層を形成する工程、 該リッジ部の中央にストライプ状の溝を形成する工程、
及び 該基板上にクラッド層及び活性層を順次形成する工程、 を包含する半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63334138A JPH0695589B2 (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| US07/455,574 US5054031A (en) | 1988-12-29 | 1989-12-22 | Semiconductor laser device |
| DE68916222T DE68916222T2 (de) | 1988-12-29 | 1989-12-29 | Halbleiterlaservorrichtung. |
| EP89313703A EP0376752B1 (en) | 1988-12-29 | 1989-12-29 | A semiconductor laser device |
| US07/707,449 US5206185A (en) | 1988-12-29 | 1991-05-30 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63334138A JPH0695589B2 (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02180085A true JPH02180085A (ja) | 1990-07-12 |
| JPH0695589B2 JPH0695589B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=18273952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63334138A Expired - Fee Related JPH0695589B2 (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5054031A (ja) |
| EP (1) | EP0376752B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0695589B2 (ja) |
| DE (1) | DE68916222T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04352374A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Eastman Kodak Japan Kk | 半導体発光装置 |
| US5523256A (en) * | 1993-07-21 | 1996-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor laser |
| CN100463312C (zh) * | 2006-11-09 | 2009-02-18 | 何建军 | V型耦合腔波长可切换半导体激光器 |
| JP5276030B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2013-08-28 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザおよび半導体レーザモジュール |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297384A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3688943T2 (de) * | 1985-04-23 | 1993-12-16 | Sharp Kk | Halbleiterlaservorrichtung. |
-
1988
- 1988-12-29 JP JP63334138A patent/JPH0695589B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-12-22 US US07/455,574 patent/US5054031A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-29 EP EP89313703A patent/EP0376752B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-29 DE DE68916222T patent/DE68916222T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297384A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0376752B1 (en) | 1994-06-15 |
| US5054031A (en) | 1991-10-01 |
| EP0376752A3 (en) | 1990-08-16 |
| DE68916222T2 (de) | 1994-09-29 |
| JPH0695589B2 (ja) | 1994-11-24 |
| DE68916222D1 (de) | 1994-07-21 |
| EP0376752A2 (en) | 1990-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4792962A (en) | A ring-shaped resonator type semiconductor laser device | |
| JPS6343908B2 (ja) | ||
| JPH01164077A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JPH02180085A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH05327112A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS62282483A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPS59100583A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US5206185A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS63200591A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| US4360920A (en) | Terraced substrate semiconductor laser | |
| JPH0671121B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6351556B2 (ja) | ||
| JPH02119285A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH01132191A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0831652B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS61236187A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JPS61290788A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPH0440874B2 (ja) | ||
| JPS5834988A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS58105586A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS5864085A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPS59169191A (ja) | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ | |
| JPS5923585A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH039592A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPH0669538A (ja) | 端面放射型発光ダイオード |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |