JPS59169191A - 単一軸モ−ド半導体レ−ザ - Google Patents
単一軸モ−ド半導体レ−ザInfo
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- JPS59169191A JPS59169191A JP4347783A JP4347783A JPS59169191A JP S59169191 A JPS59169191 A JP S59169191A JP 4347783 A JP4347783 A JP 4347783A JP 4347783 A JP4347783 A JP 4347783A JP S59169191 A JPS59169191 A JP S59169191A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- H01S5/2238—Buried stripe structure with a terraced structure
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光フアイバ通信システム用光源に適した卑−軸
モード牛導体ンーザに１′）１する。
モード牛導体ンーザに１′）１する。
光ファイバの伝送損失が波長１，３μｍ及び１．５μ？
ｎ帝で０．３〜θ、５ｄＢ／ｋｍ 以下と超低損失化さ
れたことにより、中継間隔が１１００ｋ以上という超長
距龍の云送実験が各所で行われ始めている。この様な超
長距光ファイバ通覧信システムは中継間隔な長くするこ
とが有利な海底通信システム等への適用が期待される。
ｎ帝で０．３〜θ、５ｄＢ／ｋｍ 以下と超低損失化さ
れたことにより、中継間隔が１１００ｋ以上という超長
距龍の云送実験が各所で行われ始めている。この様な超
長距光ファイバ通覧信システムは中継間隔な長くするこ
とが有利な海底通信システム等への適用が期待される。
超長距錐伝迭ｒ（おいては九ファイバの伝送損失のほか
に、波長分散も間ねとなってくる。光フアイバ通信用光
源として開発されて米だファプリー・ベロー（Ｆ’ａｂ
ｒｙ−Ｐｅｒｏｔ ）共据器形半導体レーザは通常複鮒
本の発振軸モードを有するため、中継器間隔あるいは伝
送容量は伝送損失よりもむしろ波長分散による制限を受
けるようになってくる。従って長距離かつ高速の光フア
イバ伝送通信システムを実現するには単一軸モード発振
が可能な半導体レーザが要求される。この様な半導体レ
ーザとしてはファブリ・ベロー共蛋器によらず内部に周
期構造を有する回折格子を作り付げた分布反射形半導体
レーザあるいは分布帰還形半導体レーザがある。筆者は
第１図に示す、構造の分布反射形半導体レーザを％Ｍ昭
５７−１７８８２４で発明した。この分布反射形半導体
レーザの特徴はエピタキシャル成長の結晶方位依存性を
有効に利用して、回折格子２０が形成された光力イト層
５と活性ｐｉＩ３とが突き合せの形で結合される形状を
しており、活性層３と光ガイド層５との間の伝搬光の縮
合効率が９０％程度と高いこと、また埋め込みへテロ構
造が採用されていることにより、発揚閾値が室温で２０
〜３０ｍＡと低い、微分部子効率が３０〜５０ヂと高い
等の高性能が得られる。しかしながらこの分布反射半導
体レーザの作製工程が、埋め込みへテ巨惜造を採用する
と全部で３回の長−・エピタキシャル成長層ｆｌ！を必
砂とすることが、生産性の面で欠点となっていた。
に、波長分散も間ねとなってくる。光フアイバ通信用光
源として開発されて米だファプリー・ベロー（Ｆ’ａｂ
ｒｙ−Ｐｅｒｏｔ ）共据器形半導体レーザは通常複鮒
本の発振軸モードを有するため、中継器間隔あるいは伝
送容量は伝送損失よりもむしろ波長分散による制限を受
けるようになってくる。従って長距離かつ高速の光フア
イバ伝送通信システムを実現するには単一軸モード発振
が可能な半導体レーザが要求される。この様な半導体レ
ーザとしてはファブリ・ベロー共蛋器によらず内部に周
期構造を有する回折格子を作り付げた分布反射形半導体
レーザあるいは分布帰還形半導体レーザがある。筆者は
第１図に示す、構造の分布反射形半導体レーザを％Ｍ昭
５７−１７８８２４で発明した。この分布反射形半導体
レーザの特徴はエピタキシャル成長の結晶方位依存性を
有効に利用して、回折格子２０が形成された光力イト層
５と活性ｐｉＩ３とが突き合せの形で結合される形状を
しており、活性層３と光ガイド層５との間の伝搬光の縮
合効率が９０％程度と高いこと、また埋め込みへテロ構
造が採用されていることにより、発揚閾値が室温で２０
〜３０ｍＡと低い、微分部子効率が３０〜５０ヂと高い
等の高性能が得られる。しかしながらこの分布反射半導
体レーザの作製工程が、埋め込みへテ巨惜造を採用する
と全部で３回の長−・エピタキシャル成長層ｆｌ！を必
砂とすることが、生産性の面で欠点となっていた。
本発明は、上記分布反射形半導体レーザのｈ＋ Ｌを改
俸することにより、エピタキシャル成長工程数を少なく
して作製可能なノドー転モード牛尋体レーザな提供する
ものである。
俸することにより、エピタキシャル成長工程数を少なく
して作製可能なノドー転モード牛尋体レーザな提供する
ものである。
本発明の単一軸モード半導体レーザは、上面に凹凸の周
期構造を有する回折格子が池底されたテラスＶこの領域
を有する半導体基板に第１導電形の光ガイド層、第１４
ｂｈのバッファ層、活性も、第２導電形のクラッド層の
少なくとも４層が形成され、前記光ガイド忠、バッファ
層および活性層は前記テラス状領域の上方と他の領域と
で分離して形成され、かつ前記テラス状の領域上方の前
記光ガイド層の片端面と前記テラス状の領域上方以外の
前記活性層の片端面とが突き合わされて接続されている
ことを特徴としている。
期構造を有する回折格子が池底されたテラスＶこの領域
を有する半導体基板に第１導電形の光ガイド層、第１４
ｂｈのバッファ層、活性も、第２導電形のクラッド層の
少なくとも４層が形成され、前記光ガイド忠、バッファ
層および活性層は前記テラス状領域の上方と他の領域と
で分離して形成され、かつ前記テラス状の領域上方の前
記光ガイド層の片端面と前記テラス状の領域上方以外の
前記活性層の片端面とが突き合わされて接続されている
ことを特徴としている。
本発明のもう１つの単一軸モード半導体レーザは、上記
構造に加えて、２本の溝に挟まれ、光ガイド層、バッフ
ァ層、活性層を少なくとも備えたストライプ状の活性領
域と、この活性領域を取り囲むようにして形成された埋
め込み層とを備えた構成となっている。
構造に加えて、２本の溝に挟まれ、光ガイド層、バッフ
ァ層、活性層を少なくとも備えたストライプ状の活性領
域と、この活性領域を取り囲むようにして形成された埋
め込み層とを備えた構成となっている。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明の第１の実施例の製造工程を示す図であ
る。まず第２図（ａ）に示す様Ｋ（００１）面方位ｎ形
ＩｎＰ基板１の上に周期約２２００Ｘ、深さ約０．１μ
ｍの回折格子２０をＨｅ −Ｃｄレーザを用いた干渉露
光法とフォトリングラフィの手法により、ピッチ方向が
＜１１０＞方向となるように形成する。
る。まず第２図（ａ）に示す様Ｋ（００１）面方位ｎ形
ＩｎＰ基板１の上に周期約２２００Ｘ、深さ約０．１μ
ｍの回折格子２０をＨｅ −Ｃｄレーザを用いた干渉露
光法とフォトリングラフィの手法により、ピッチ方向が
＜１１０＞方向となるように形成する。
次にこれと垂直なくＴＩＯ＞方向と平行に（３ＨＣ１＋
グＨａ ＰＯ４）溶液を用いてエツチングを行い第２図
（ｂｌに示す形状にする。段差部１ｏを境として約１２
μｍの深さでエツチングされた面１１は、回折格子２０
の深さが微／Ｊ’ｌであるため、その痕跡が全く見られ
ず完全な鏡面となる。次にエピタキシャル成長を行う。
グＨａ ＰＯ４）溶液を用いてエツチングを行い第２図
（ｂｌに示す形状にする。段差部１ｏを境として約１２
μｍの深さでエツチングされた面１１は、回折格子２０
の深さが微／Ｊ’ｌであるため、その痕跡が全く見られ
ず完全な鏡面となる。次にエピタキシャル成長を行う。
ｔＳ長はカーボンスライドボートを用いた通常の液相エ
ピタキシャル成長方法に依る。
ピタキシャル成長方法に依る。
第３図（ｃ）に成長後の多層構造を示す。まずｎ形Ｉｎ
ＧａＡｇＰ光ガイド層５（キャリア濃度５×１０″′α
、厚さ０５μｍ、発光波長にして１３μｍ組成）およ
びｎ形ＩｎＰバッファ層２（キャリア濃度ｓ ｘ １６
’−−１、厚さ１μ、ｎ）、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ
活性Ｗ１３（厚さ０１μｍ、発振波長にして１．５５μ
ｍ組成）を、段差部１０の両側で途切れてｆＸＭする形
状で成長する。この様な成長形状が得られる理由は特願
昭５７−１７８８２４ にもその原理を示しであるが、
成長溶液の過飽和度が数度と低い場合には、＜Ｏ’ｌ’
ｌ＞方向に平行な段差部１０の上への積層速度が（００
１）面上への積層速度に対し極めて遅いためである。し
かしながら、成長溶液の過飽和度が１０度以上と大きい
場合には成長層は表面をはぼ均一に覆いつくして成長さ
れる。Ｐ形ＩｎＰクラッド層４（キャリア濃度ｌＸｌ０
”備−１、厚さ２μｍ）およびＰ形ＩｎＧａＡｓＰキャ
ップ層６（キャリア濃度、５Ｘ１０”ｗ−”、厚さ０．
７Ｂｍ、発光波長にして１．２μｍ組成）をこの様な大
きな過飽和度の溶液から、全面を覆って成長させる。こ
こで、光ガイド層５、バッファ層３および活性層３は、
段差部１゜の両側で位置する高さが異なる。エツチング
された面１１を基準として考えると、回折格子２ｏの上
に積層された光ガイド層５は１２μｍから１７μｍの高
さに位置する。これに対しエツチングされた面１１の上
方の活性層３は１，５μｍから１６μｍの高さに位置す
る。従って、両者は突き合わせの形で接続されることに
なる。エピタキシャル成長の成長膜厚のばらつきが各層
で１０％程度はらついても、光ガイドＩａ５の膜厚が０
．５μｍと厚いため、活性層３と光ガイド層５との端面
の位置が完全にずれてしまうことはなく、両者の接続の
再現性は良好であった。
ＧａＡｇＰ光ガイド層５（キャリア濃度５×１０″′α
、厚さ０５μｍ、発光波長にして１３μｍ組成）およ
びｎ形ＩｎＰバッファ層２（キャリア濃度ｓ ｘ １６
’−−１、厚さ１μ、ｎ）、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ
活性Ｗ１３（厚さ０１μｍ、発振波長にして１．５５μ
ｍ組成）を、段差部１０の両側で途切れてｆＸＭする形
状で成長する。この様な成長形状が得られる理由は特願
昭５７−１７８８２４ にもその原理を示しであるが、
成長溶液の過飽和度が数度と低い場合には、＜Ｏ’ｌ’
ｌ＞方向に平行な段差部１０の上への積層速度が（００
１）面上への積層速度に対し極めて遅いためである。し
かしながら、成長溶液の過飽和度が１０度以上と大きい
場合には成長層は表面をはぼ均一に覆いつくして成長さ
れる。Ｐ形ＩｎＰクラッド層４（キャリア濃度ｌＸｌ０
”備−１、厚さ２μｍ）およびＰ形ＩｎＧａＡｓＰキャ
ップ層６（キャリア濃度、５Ｘ１０”ｗ−”、厚さ０．
７Ｂｍ、発光波長にして１．２μｍ組成）をこの様な大
きな過飽和度の溶液から、全面を覆って成長させる。こ
こで、光ガイド層５、バッファ層３および活性層３は、
段差部１゜の両側で位置する高さが異なる。エツチング
された面１１を基準として考えると、回折格子２ｏの上
に積層された光ガイド層５は１２μｍから１７μｍの高
さに位置する。これに対しエツチングされた面１１の上
方の活性層３は１，５μｍから１６μｍの高さに位置す
る。従って、両者は突き合わせの形で接続されることに
なる。エピタキシャル成長の成長膜厚のばらつきが各層
で１０％程度はらついても、光ガイドＩａ５の膜厚が０
．５μｍと厚いため、活性層３と光ガイド層５との端面
の位置が完全にずれてしまうことはなく、両者の接続の
再現性は良好であった。
以上で半導体ウェハの作製を終え、その後電極を形成し
、＜１１０）に平行に弁開し、共振器面を形成しチップ
とし、第３図に示す構造の単一軸モード半導体レーザを
得る。８４０．の絶縁膜３０の一部を除去し片側電極３
２としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着し、ストライブ状の電
流注入領域３１を形成してＬ−る。ｎ側電極３３にはＡ
ｕ ／Ｇ ｅ ／Ｎ ｉを用いて六・る。回折格子２
０の上の光ガイド層５は、注入電流により活性層３で発
光した光のうち、光ガイド層５に入射した光を回折格子
２０の周期によ７゛ って決定されるダラッグ（Ｂｒａｇｇ）波長１．５５μ
ｍで回折し反射させて活性層３に戻すため分布反射領域
となり、片側の弁開によって形成されたミラー面ととも
に活性層３に対するレーザー共振器を形成する。回折格
子２０上の光ガイド層５の長さを５００μｍ以上とすれ
ば、レーザ発振光に対し、この領域では３０％以上の亮
い反射率が得られる。
、＜１１０）に平行に弁開し、共振器面を形成しチップ
とし、第３図に示す構造の単一軸モード半導体レーザを
得る。８４０．の絶縁膜３０の一部を除去し片側電極３
２としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着し、ストライブ状の電
流注入領域３１を形成してＬ−る。ｎ側電極３３にはＡ
ｕ ／Ｇ ｅ ／Ｎ ｉを用いて六・る。回折格子２
０の上の光ガイド層５は、注入電流により活性層３で発
光した光のうち、光ガイド層５に入射した光を回折格子
２０の周期によ７゛ って決定されるダラッグ（Ｂｒａｇｇ）波長１．５５μ
ｍで回折し反射させて活性層３に戻すため分布反射領域
となり、片側の弁開によって形成されたミラー面ととも
に活性層３に対するレーザー共振器を形成する。回折格
子２０上の光ガイド層５の長さを５００μｍ以上とすれ
ば、レーザ発振光に対し、この領域では３０％以上の亮
い反射率が得られる。
また活性層３と光ガイド層５とは突き合せの形で接続さ
れており、両者間での光の結合効率は９０チ以上で接続
部での光の損失は小さい。従って、活性層３の長さを２
００ａｍ程度とした時発振閾値は室温で２００ｍＡ程度
、微分量子効率は片側２０チ程度と良好であった。発振
波長は１５５μｍで単一軸モードであった。
れており、両者間での光の結合効率は９０チ以上で接続
部での光の損失は小さい。従って、活性層３の長さを２
００ａｍ程度とした時発振閾値は室温で２００ｍＡ程度
、微分量子効率は片側２０チ程度と良好であった。発振
波長は１５５μｍで単一軸モードであった。
以上の様に第３図に示す本発明の第１の実施例の単一軸
モード半導体レーザは、−回のエピタキシャル成長工程
で形成できるため、生産性に優れる利点を有することが
わかる。
モード半導体レーザは、−回のエピタキシャル成長工程
で形成できるため、生産性に優れる利点を有することが
わかる。
第１の実施例の単一軸モード半導体レーザは、埋め込み
形構造を採用することにより特性を更に改善できる。第
４図（ａ）〜（ｅｌは、本発明の第２の実施例の埋め込
み形の単一軸モード半導体レーザの製造工程を示す図で
ある。まず第１の実施例の場合と同様の製造工程により
、第４図（ａ）に示す多層膜基板を作製する。これは第
２図（Ｃ）に示した基板とほぼ同様の構造をしており異
なる点はキャップ層６がないことと、７形ＩｎＰ ク
ラッド層４の膜厚が約１μｍと薄くなっていることであ
る。この基板に、第４図（ｂｌに示す様に幅約７μｍ、
深さ約３μｍの平行な２本のｉ！ｌ＃１３と１４を形成
し、この２本の溝が挟む形状で幅約２μｍの活性層３を
含むメサストライプ１２を形成する−０この状態の基板
の上に埋め込み成長を行う。埋め込み成長後の状態を第
５図（ｃ）に示す。矛形ＩｎＰ電流ブロック層７（キャ
リア濃度ｌＸｌ０”ｃｒｎ−”、平坦部での厚さ０．５
μｍ）、ｎ形ＩｎＰ電流晶じ込め層８（キャリア”成長
させメサストライプ１２の上には成長させな℃・。／形
ＩｎＮめ込み層９（キャリア濃度１ｙ１ｄ”（ｍ”、平
坦部での厚さ１．５μｍ）および／形Ｉ ｎＧａＡｓＰ
キャップ）Ｎ６Ｃ’ｒヤリア濃度５Ｘ１０”ｃｒｎｌ、
平坦部での膜厚０．７μｍ）は全体を覆って積層させる
。
形構造を採用することにより特性を更に改善できる。第
４図（ａ）〜（ｅｌは、本発明の第２の実施例の埋め込
み形の単一軸モード半導体レーザの製造工程を示す図で
ある。まず第１の実施例の場合と同様の製造工程により
、第４図（ａ）に示す多層膜基板を作製する。これは第
２図（Ｃ）に示した基板とほぼ同様の構造をしており異
なる点はキャップ層６がないことと、７形ＩｎＰ ク
ラッド層４の膜厚が約１μｍと薄くなっていることであ
る。この基板に、第４図（ｂｌに示す様に幅約７μｍ、
深さ約３μｍの平行な２本のｉ！ｌ＃１３と１４を形成
し、この２本の溝が挟む形状で幅約２μｍの活性層３を
含むメサストライプ１２を形成する−０この状態の基板
の上に埋め込み成長を行う。埋め込み成長後の状態を第
５図（ｃ）に示す。矛形ＩｎＰ電流ブロック層７（キャ
リア濃度ｌＸｌ０”ｃｒｎ−”、平坦部での厚さ０．５
μｍ）、ｎ形ＩｎＰ電流晶じ込め層８（キャリア”成長
させメサストライプ１２の上には成長させな℃・。／形
ＩｎＮめ込み層９（キャリア濃度１ｙ１ｄ”（ｍ”、平
坦部での厚さ１．５μｍ）および／形Ｉ ｎＧａＡｓＰ
キャップ）Ｎ６Ｃ’ｒヤリア濃度５Ｘ１０”ｃｒｎｌ、
平坦部での膜厚０．７μｍ）は全体を覆って積層させる
。
以上で半導体ウェハの作製を終え、Ｎｔｆａを形成し第
６図に示す構造のチップとする。回折格子２０の上方の
活性層３には電流を注入する必要がな（・ので、Ｓ ＋
Ｏｘ絶縁膜３０を設け、電流注入領域を制限している
。２匝電極３２とｎ側電極３３は第３図に示す第１の実
施例の場合と同じ材料を用〜・ている。共振器長は第１
の実施例とほぼ同じ長さに設定しである。７側電極３２
を正、ｎ側電極３３を負とするバイアス電圧を印加する
と、メサストライプ１２内の活性層３では戸ｎ接合の順
方向電流が流れ発光再結合が生じるが、メサストライプ
１２の外側の領域はｉ ｎ７ ｎ接合となっているため
電流が流れＩ工い。従って注入電流は効率良く、メサス
トライプ１２内の活性層３に集中する。またこの活性層
３に接続する下面に回折格子を有する光ガイド層５もメ
サストライプ１２内にあるため矩形の導波路となる。従
りて光のｒｒｌじ込めが良好であるため、活性層３から
光ガイド層５に入射した光のほとんどが回折格子２′０
によって分布反射されて活性層３′へ戻されろ。従って
電流の活性層３への集中効果、および光の光ガイドＦ４
５および活性層３への閉じ込め効果の寄与により第１の
実施例に比べ発振特性は大幅に改善される。発振閾値は
２０ｍＡ程度、微分量子効率が高く両側で約５０襲の値
が得られた。注入電流−光出力の直線性も良好で、室温
で２０ｒｒ＋Ｗ以上の光出力が得られた。
６図に示す構造のチップとする。回折格子２０の上方の
活性層３には電流を注入する必要がな（・ので、Ｓ ＋
Ｏｘ絶縁膜３０を設け、電流注入領域を制限している
。２匝電極３２とｎ側電極３３は第３図に示す第１の実
施例の場合と同じ材料を用〜・ている。共振器長は第１
の実施例とほぼ同じ長さに設定しである。７側電極３２
を正、ｎ側電極３３を負とするバイアス電圧を印加する
と、メサストライプ１２内の活性層３では戸ｎ接合の順
方向電流が流れ発光再結合が生じるが、メサストライプ
１２の外側の領域はｉ ｎ７ ｎ接合となっているため
電流が流れＩ工い。従って注入電流は効率良く、メサス
トライプ１２内の活性層３に集中する。またこの活性層
３に接続する下面に回折格子を有する光ガイド層５もメ
サストライプ１２内にあるため矩形の導波路となる。従
りて光のｒｒｌじ込めが良好であるため、活性層３から
光ガイド層５に入射した光のほとんどが回折格子２′０
によって分布反射されて活性層３′へ戻されろ。従って
電流の活性層３への集中効果、および光の光ガイドＦ４
５および活性層３への閉じ込め効果の寄与により第１の
実施例に比べ発振特性は大幅に改善される。発振閾値は
２０ｍＡ程度、微分量子効率が高く両側で約５０襲の値
が得られた。注入電流−光出力の直線性も良好で、室温
で２０ｒｒ＋Ｗ以上の光出力が得られた。
発振波長は第１の実施例の場合と同様、波長１５５μｍ
ｎで単一軸モードであった。
ｎで単一軸モードであった。
以上の様に本発明の第２の実施例の単一軸モード半導体
レーザば、第１図に示す従来例の構造とほぼ同様の機能
を備え、また発振粘性もほぼ同様の結果が得られるが工
２ビタキシャル成長工程が従来の３回に対し、２回で済
むという利点を有し、生産性に優って〜・ることかわか
る。
レーザば、第１図に示す従来例の構造とほぼ同様の機能
を備え、また発振粘性もほぼ同様の結果が得られるが工
２ビタキシャル成長工程が従来の３回に対し、２回で済
むという利点を有し、生産性に優って〜・ることかわか
る。
本発明は上記２つの実施例に限定されることはない。半
導体材料として、ＧａＡｓ基板上のＡ１色駄またはＩｎ
ＧａＡｓＰ等を用いることも可能である。
導体材料として、ＧａＡｓ基板上のＡ１色駄またはＩｎ
ＧａＡｓＰ等を用いることも可能である。
最後に本発明のｔ￥ｆ徴をまとめると、従来に比ベエビ
タキシャル成長工程数を減少でき生産性を高めることが
できることである。
タキシャル成長工程数を減少でき生産性を高めることが
できることである。
第１図は従来形の単一軸モード半導体レーザの斜視図、
第２合の実施例の製造工程を示す断面図、第３図榊＝綽
は第１の実施例の斜視図、第４図（ａｌ〜（ｅ）は第２
の実施例の製造工程を示す斜視図、第５図は第２の実施
例を示す斜視図である。 図中、１はｎ形ＩｎＰ半導体基板、２はｎ形ＩｎＰバッ
ファ層、３ばＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｌ形丁ｎＰク
ラッド層、５はｎ形ＩｎＧａＡＩＩＰ光ガイド層、６は
７形ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、７は７形ＩｎＰ電流ブ
ロック層、８はｎ形１ｎＰ電流閉じ込め層、９は？形Ｉ
ｎＰ埋め込み層、１０はエツチングで形成される段差部
、１１はエツチング面、１２はメサストライプ、１３お
よび１４は平行な２本の溝、２０は回折格子、３０はＳ
ｔｏｗ絶縁膜、３１は電流注入領域、３２は戸側金属雷
椅、３３はｎ側合Ｍ電椿を示す。 第 １７ （Ｃ） ２θ
第２合の実施例の製造工程を示す断面図、第３図榊＝綽
は第１の実施例の斜視図、第４図（ａｌ〜（ｅ）は第２
の実施例の製造工程を示す斜視図、第５図は第２の実施
例を示す斜視図である。 図中、１はｎ形ＩｎＰ半導体基板、２はｎ形ＩｎＰバッ
ファ層、３ばＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｌ形丁ｎＰク
ラッド層、５はｎ形ＩｎＧａＡＩＩＰ光ガイド層、６は
７形ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、７は７形ＩｎＰ電流ブ
ロック層、８はｎ形１ｎＰ電流閉じ込め層、９は？形Ｉ
ｎＰ埋め込み層、１０はエツチングで形成される段差部
、１１はエツチング面、１２はメサストライプ、１３お
よび１４は平行な２本の溝、２０は回折格子、３０はＳ
ｔｏｗ絶縁膜、３１は電流注入領域、３２は戸側金属雷
椅、３３はｎ側合Ｍ電椿を示す。 第 １７ （Ｃ） ２θ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 上面に凹凸の周期構造を有する回折格子が形成され
たテラス状の領鰺を有する半導体基板に、第１導ル′形
の光がイド層、第１導電形のバッファ層、活性層、第２
導電形のクラッド層の少なくとも４ｒ９２が形成され、
前記光ガイド層、バッファ層および活性層は前記テラス
状の領域の上方と他の領域とで分離して形成され、かつ
前記テラス状の領域上方の前記光ガイド層の片端面と前
記テラス状の領域上方以外の前記活性層の片端面とが突
き合わされて接続されていることを特徴とする単一軸モ
ード半導体レーザ。 ２、上面に凹凸の周期構造を有する回折格子が形成され
たテラス状の領域を有する牛纒体基板上に、第１導電形
の光ガイド層、第１導電形のバッファ層、活性層二鎖２
導電形のクラッド層の少なくとも４層を備え、前記４に
のうち光ガイド層とバッファ層と活性層とは前記テラス
状の領域の上方に形成された部分と他の領域上に形成さ
れた部分とが分離し、がっ、テラス状の領域の上方のう
Ｙニガイド層の片端面とテラス状の領域上方以外の領域
の活性層の片端面とが接している構造を有し、さら（（
，２本の鉢で挾まれ、前記光ガイド層、バッファ層、活
性層を少くとも具備した７、ドライブ状の活性領域と、
この活性領域な堆りＩ！１１む埋め込み層とを備えてい
ることを特徴とする単一軸モード伴々ｒ体レーザ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4347783A JPS59169191A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
| DE8383110135T DE3379442D1 (en) | 1982-10-12 | 1983-10-11 | Double heterostructure semiconductor laser with periodic structure formed in guide layer |
| EP83110135A EP0106305B1 (en) | 1982-10-12 | 1983-10-11 | Double heterostructure semiconductor laser with periodic structure formed in guide layer |
| US06/541,211 US4618959A (en) | 1982-10-12 | 1983-10-12 | Double heterostructure semiconductor laser with periodic structure formed in guide layer |
| CA000438801A CA1197308A (en) | 1982-10-12 | 1983-10-12 | Double heterostructure semiconductor laser with periodic structure formed in guide layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4347783A JPS59169191A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169191A true JPS59169191A (ja) | 1984-09-25 |
Family
ID=12664796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4347783A Pending JPS59169191A (ja) | 1982-10-12 | 1983-03-16 | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169191A (ja) |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP4347783A patent/JPS59169191A/ja active Pending
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