JPH02180845A - 高分子液晶性化合物，高分子液晶組成物および高分子液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光学活性基を高分子主鎖に有する新規な高分子
液晶性化合物、該高分子液晶性化合物を含有する高分子
液晶組成物及びそれらを用いた高分子液晶素子に関する
ものである。

［従来の技術］ 最近、高分子液晶材料が高機能性材料として注目されて
いる。この理由としては、高分子液晶が下記のような優
れた特質を持つためとされている。

■薄膜化か容易であり、低分子液晶では実現困難な液晶
素子の大面積化か可能となる。

■延伸等の配向処理を施すことで良好な配向状態が得ら
れる。

■高分子の液晶状態をガラス転移点以下においても保持
できるので、メモリ保存性か低分子液晶を使用する場合
に比べ格段に向上する。

しかしながら、高分子液晶の実用化にあたっての問題点
は、電界に対する応答速度か遅い点であると言われてい
た。だが、その電界に対する応答速度は、低分子液晶に
おけると同様に自発分極を持った強誘電性の高分子液晶
を使用することて、大幅に改善されると考えられる。

高分子液晶に強誘電性を発現させるためには、そのフレ
キシブルスペーサー（屈曲類）に光学活性基を導入する
ことか必要である。すでに、ネマチック相を有する高分
子液晶の屈曲類の一部の炭素を不斉炭素に置きかえるこ
とでコレステリック相を示すようになることは知られて
いる。ここにおいて、不斉炭素に置きかえる効果として
は、発現する液晶相の種類は変えずに、液晶相をとる温
度範囲だけが変わることが多い。［デイ−ウィル−エン
、エル　リーベルトおよびエル　ストゼレキ−［ヨーロ
ピアン　ポリマー　ジャーナル１６ａ３０７頁　１９８
０年Ｊ　　（Ｄ、Ｖ、　Ｌｕｙｅｎ、　Ｌ、　Ｌｉｅｂ
ｅｌｔａｎｄ　Ｌ、　５Ｌｒｚｅｌｅｃｋｉ、、　Ｅｕ
ｒｏｐ、　Ｐｏｌｙｍ、　Ｊ、、１６　３０７１９８０
　）　］ したかって、同様にスメクテイック相を有する高分子液
晶の屈曲類の炭素の一部を不斉炭素に置きかえることて
カイラルスメクチック相を有する高分子液晶を得ること
が可能となると考えられる。

最近、この様な強誘電性高分子液晶として、２環系のビ
フェニール基をメソーゲンとし、主鎖中に光学活性基を
有する主鎖型高分子液晶が報告されている。（「第１４
回液晶討論会講演予稿集」５６〜５７頁、１９８８年９
月） しかしながら、この例に示されるものは、降温時のみに
カイラルスメクチック相をとるモノトロピックな高分子
液晶であり、安定した液晶相の発現が難しかった。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明者等は、この様な従来技術に基づき鋭意研究を進
めることにより、新規な強誘電性の高分子液晶性化合物
を見出し本発明を完成した。

本発明の目的は、広い温度範囲にわたってカイラルスメ
クチック相（Ｓ■１相）を示し、また薄膜形成・フィル
ム化が容易な新規の高分子液晶性化合物および該高分子
液晶性化合物と低分子液晶とを含有する高分子液晶組成
物を提供しようとするものである。

また、本発明の他の目的は、前記高分子液晶性化合物お
よび該高分子液晶性化合物と低分子液晶とを含有する高
分子液晶組成物を素子に用いることで、大面積化を容易
に実現することが出来ると共に、安定した良好なスイッ
チング効果を示し、各種の電気光学効果を応用した素子
としての利用が可能な高分子液晶素子を提供しようとす
るものである。

［課題を解決するための手段］ 即ち、本発明は、主鎖が下記の一般式（Ｉ）で表わされ
る繰り返し単位からなり、重合度が５〜ｌ０００である
ことを特徴とする高分子液晶性化合物である。

一般式（１） 一任−Ｘ、−Ａ　　−Ｘ、−Ｂ　　トーー（式中、Ａは
少なくとも２つの環が結合している３環性のメソーゲン
基、Ｂは光学活性基を含むスペーサフレキシブル基を示
し、Ｘ、およびｘ２はそれぞれエステル結合、エーテル
結合、ジメチルシロキサン結合のいずれか一つを含む基
を示し、かつそれぞれ同一かまたは異なっていてもよい
。ｎは５〜１０００を示す） また５本発明は、一対の平行な電極間に、主鎖が前記−
紋穴（Ｉ）で表わされる綴り返し単位からなり、重合度
が５〜１０００である高分子液晶性化合物よりなる６Ｎ
膜を有することを特徴とする高分子液晶素子である。

さらに、本発明は、主鎖が前記−紋穴（Ｉ）で表わされ
る繰り返し単位からなり、重合度が５〜１０００である
高分子液晶性化合物と低分子液晶とを含有することを特
徴とする高分子液晶組成物、および一対の平行な電極間
に、前記高分子液晶組成物よりなるＲ膜を有することを
特徴とする高分子液晶素子である。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の高分子液晶性化合物において、前記−紋穴（Ｉ
）で表わされる繰り返し単位の中で、Ａは少なくとも２
つの環が結合している３環性のメソーゲン基を示し、そ
の具体例を示すと、例えばれぞれ同一かまたは異なって
いてもよい。

本発明において、前記−紋穴（Ｉ）て表わされる繰り返
し単位を有するエステル結合を導入した高分子液晶性化
合物は、例えば以下に示すような通常の重縮合反応■又
は■等により合成されるが、反応■の方が比較的容易に
高分子量体が得られる。

反応■ 下記の一般式（■）で表わされるジエステルと、 （）（妊ｃｏｏ　（）−→トＣ００やＨ僚」■（妊ｃｏ
ｏ　（ト、÷ｃｏｏ＜ ３０００−（Ｅ）−等が挙げられる。

Ｂは光学活性基を含むスペーサフレキシブル基を示す。

また、Ｘｔ８よびＸ２はそれぞれエステル結合、エーテ
ル結合、ジメチルシロキサン結合のいずれか一つを含む
基を示し、かつｘ１オよび×２はそ（式中、Ｒ，、Ｒ２
は炭素原子数ｌ〜１５の分岐または直鎖のアルキル基で
、それぞれ同一でも又は異なっていてもよい、Ａは少な
くとも２つの環が結合している３環性のメソーゲン基を
示す）光学活性基を含むジオールとのエステル交換反応
により合成される。反応を円滑にするために、例えばチ
タン酸のテトラ−ｎ−プロピルエステル。

テトラ−イソプロピルエステル、テトラ−ｎ−ブチルエ
ステル等の有機チタン化合物やアルキルスズやアリール
スズ等の有機スズ化合物等の公知のエステル化反応触媒
を添加することが好ましい。

本発明において、メソーゲン基として少なくとも２つの
環が結合している３環性が選択されるのは以下の理由に
よる。即ち、得られる高分子液晶性化合物の主鎖の剛直
性が増すために、液晶相が安定し、液晶相の温度域が広
くなって、昇温・降温時何れにもカイラルスメクチック
相をとるエナンチオトロピック性を示しやすいためであ
る。

光学活性基を含むジオールとしては、例えば光学活性の
乳酸やアルキル置換エチレンオキサイド等から誘導され
る化合物、あるいはそれらの化合物とアルキレングリコ
ール等との縮合により得られたもの等が挙げられる。こ
れらの光学活性基の不斉炭素原子には、メチル基の他に
フッ素原子。

塩素原子、臭素原子等のハロゲン元素やトリフッ化メチ
ル基等の置換基の付いたものが挙げられる。

反応■ 下記の一般式（ｍ） （式中、Ｘはハロゲン原子、Ａは前記と同じものを示す
） で表わされる酸ハロゲン化合物と、光学活性基を含むジ
オールとの脱ハロゲン化水素による縮合反応により合成
される。

上記の一般式（ｍ）で表わされる酸ハロゲン化物は、対
応するジカルボン酸を塩化チオニル等のへロゲン化剤に
よりハロゲン化することにより得られる。

次に、一般式（Ｉ）において、エーテル結合を導入した
高分子液晶性化合物は、例えば下記の一般式（１７）で
表わされる化合物と、 Ｒ３００ＣＡ　　ＯＨ（ｆｆ） （式中、Ｒ３は炭素原子数１〜１５の分岐または直鎖の
アルキル基、Ａは前記と同じものを示す）光学活性基を
含むジオールの片方の水酸基を塩素、臭素等のハロゲン
原子で置換したモノアルコールとより、脱ハロゲン化水
素により中間体を得た後、エステル交換反応を行なうこ
とにより得ることが出来る。

また、前記の反応■あるいは■等で合成された高分子液
晶性化合物と上記一般式（ｒＶ）で示されるモノエステ
ルとを任意の比率でエステル交換反応させることにより
、エーテル結合を主鎖の一部に導入することも可能であ
る。

また、一般式（Ｉ）において、シロキサン結合を導入し
た高分子液晶性化合物は、例えば下記の一般式（Ｖ）で
表わされるジオールと、（式中、ｐは１〜１８の整数、
９は１−１０の整数を表わす） 光学活性基を含むジオールとを、目的とする物性に合わ
せた比率で組み合わせて使用し、前記反応■あるいは■
等の方法により得ることが出来る。

前記一般式（Ｖ）で表わされるジオールは、光学活性基
を含むジオールに対し、当量比で２以下、好ましくは１
以下で使用することか、広い液晶相温度域が得られ、ま
た応答速度の速さの点で望ましい。

さらに、下記の一般式（ＶＤで表わされる化合物と、 Ｃ１，ＩＣＩ−Ｒ−Ｘｉ−Ａ−Ｘ、−Ｒ”−ＣＨ−ＣＨ
□（ＶＩ　）（式中、Ｒ，Ｒ”は少なくとも一方には光
学活性基を含むアルキル基、　Ｘ、、　Ｘ、はそれぞれ
エステル結合、エーテル結合のいずれか一つを含む基を
示し、かつそれぞれ同一かまたは異なっていてもよい。

） 下記の一般式（■）で表わされるジメチルシロキサンと
を、 （式中、ｒは１〜１０の整数を表わす）（ＶＩ）／（■
）の比率が１例えば０，５〜２の比率で組み合わせて、
白金触媒等の存在下に、付加友応させることによっても
得ることが出来る。

また、前記一般式（ＩＩＩ）、（Ｎ）中のＡを数種類組
み合わせて使用することも、温度特性・光学特性・電気
特性等を制御するために好ましい。

本反応で得られる高分子液晶性化合物は、再沈殿、濾過
等の通常の方法により精製し、そのまま、あるいは必要
に応じてクロマト精製をかけて使用される。

本発明の高分子液晶性化合物の重合度は５〜１０００で
あるが、その重量平均分子量（ｍｗ　）は２千ないし５
０万であり、好ましくは５子ないし１０万である。

以下に、一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を有す
る本発明の高分子液晶性化合物の具体例を挙げるが、こ
れらに限定されるものではない。

次に、本発明の高分子液晶組１＆物は、前記高分子液晶
性化合物と低分子液晶よりなり、低分子液晶としては高
分子液晶性化合物と相溶性か良好なものてあれば特に限
定することなく広範囲の既知の低分子液晶を用いること
かてきる。

また、低分子液晶は単独で用いても、あるいは二種以上
の混合物を用いてもよい。

それらの具体例を示すと、下記の式（１）〜（１５）に
示すような光学活性の低分子液晶、あるいは式（１６）
〜（３４）に示すような非光学活性の低分子液晶が挙げ
られる。

（＊は不斉炭素原子を示す） Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチルシンナメート　（ＤＯＢＡＭＢＣ）Ｐ−テトラ
デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチルブ
チル−α−シアノシンナメート（ＴＤＯＢ八ＭＢへＧ）
Ｐ−へキシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−ク
ロルプロピルシンナメート　（ＩＩＯＢＡ（：ＰＣ）Ｐ
−才クチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メ
チルプチルーα−クロロシンナメート（ＯＯＢＡＭＢＣ
Ｃ）Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルプチルーα−シアノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢ
ＣＣ）Ｐ−オクチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ
−２−メチルブチル−α−メチルシンナメート（２−メ
チルブチル）エステル ブチル） ビフェニル−４′−カルボキシレート ブチル） ビフェニル−４′−カルボキシレート ブチル） ビフェニル−４′−カルボキシレート ノンカイラルスメクチックを示す液晶化合物の例ヘキシ
ル） ビフェニル−４′−カルボキシレート ４’−ｎ−ノニルオキシ−４−ビフェニリル−４−シア
ノベンゾエート 等吉相→ネマチック→スメクチックＣ ４−ｎ−へブチルフェニル−４−（４’−ニトロベンゾ
イルオキシ）ベンゾエート　（ＤＢ、ＮＯ□）等吉相→
ネマチック→スメクチックＡ ４−ｎ−オクチルフェニル−４−（４’−ニトロベンゾ
イルオキシ）ベンゾエート（ＤＢ、ＮＯ，）等方相→ネ
マチック→スメクチックＡ＋スメクチックＣ４−ｎ−デ
シルフェニル−４−（４’−二トロペンゾイル才キシ）
ベンゾエート（ＤＢ＋ｏＮＯ２）４−ｎ−ノニルオキシ
フェニル−４−（４’−二トロペンゾイルオキシ）ベン
ゾエート　（ＤＢ９ＯＮＯ□）等吉相→ネマチックラス
メクチックＡ→スメクチックＣ等吉相÷ネマチック→ス
メクチックＡ→スメクチックＣトランス−４−（４″−
オクチルオキシベンゾイルオキシ）−４′−シアノスチ
ルベン（Ｔ８）２−（４’−ｎ−ペンチルフェニル）−
５−（４″−ｎ−ベンチルオキシフェニル）ピリミジン 等吉相→ネマチックラスメクチヅクＡ。

→スメクチックＡ２ →ネマチック 等吉相→スメクチックＡ→スメクチックＣ→スメクチッ
クＦ→スメクチックＧ ＣＳＨｔ　ｌ　−＠−Ｎ−ＣＨ＋Ｃｌ１−Ｎ−（ΦトＣ
３Ｈ１１４−ｎ−ペンチルフェニル−４−（４’−シア
ノベンゾイルオキシ）ベンゾエート（ＤＢ、１ＣＮ）テ
レフタリリデン−ビス−４−ｎ−ペンチルアニリン（Ｔ
［１ＰＡ） 等吉相→ネマチック→スメクチックＡ 等吉相÷ネマチックラスメクチックＡ→スメクチックＣ
÷スメクチックＦ＋スメクチックＧ→スメクチックＨＣ
，Ｈ，＋　ＮフＣ１（＋ＣＩＩΦ（沢Ｃ山ｎ−Ｃ，１１
，Ｏ＋ＣＨ−Ｎ＋Ｃ，Ｉｌ、、−ｎＮ−テレフタリリデ
ン−ビス−４−ｎ−ブチルアニリン（ＴＢＢＡ） Ｎ−（４’−ｎ−ブチルオキシベンジリデン）−オクチ
ルアニリン（４０８） ４−ｎ 等吉相→ネマチック÷スメクチックＡ＋スメクチックＣ
→スメクチックＧ＋スメクチックＨ 等方相→スメクチックＡ→スメクチックＢｃ６　ＨＩ　
ｔｏ　（）（トＣＮ ｎ−Ｃ５Ｈ，、ｏ　（）（トＣ５ｔ（＋　ｚ−ｎ４−シ
アノ−４′−ｎ−オクチルオキシビフェニル（８０ＣＢ
） ４−ｎ−へキシル−４′−ｎ−ヘキシルオキシビフェニ
ル 等吉相÷スメクチックＢ＋スメクチックＥ等吉相→ネマ
チック→スメクチックＡ エチル−４−アゾベンゾエート ４−ｎ−へキシルオキシフェニル−４’−ｎ−オクチル
オキシビフェニル−４−カルボキシレート等吉相→スメ
クチックＡ 等方相→ネマチック→スメクチックＡ＋スメクチックＣ
÷スメクチックＢ ジ−ｎ−オクチル−４，４′−ターフェニルジカルボキ
シレート 等吉相→スメクチックＡ→スメクチックＣ４−ｎ−へブ
チルオキシフェニル−４−ｎ−デシルオキシベンゾエー
ト 等吉相→スメクチックＡ→スメクチックＣｎ−へキシル
−４′−ｎ−ペンチルオキシビフェニル−４−力・ルポ
キシレート（６５０８Ｃ）等吉相→スメクチックＡ→ス
メクチックＢ→スメクチックＥ ４−ｎ−オクチルオキシベンゾイック・アシッド等吉相
→ネマチック→スメクチックＣ ４−ｎ−へキシル−４’−ｎ−デシルオキシビフェニル
−４−カルボキシレート 等吉相→スメクチックＡ→スメクチックＣ以上に示す様
な高分子液晶性化合物と低分子液晶とを含有する高分子
液晶組成物において、該高分子液晶性化合物の含有量は
５重量％以上、好ましくは１０重量％以上であることが
望ましい、５重量％未満では、圧力・熱刺激等に対して
高分子液晶性化合物の異方性より生ずる配向安定性が低
下する。また、フィルム状で使用する場合には、該高分
子液晶性化合物の含有量は３０重量％以上、好ましくは
５０重量％以上含有することか形態保持性の点で望まし
い。

なお、前記の高分子液晶性化合物と低分子液晶をそれぞ
れ複数種組み合わせて用いることは、デバイス設計の必
要上から好ましく、温度特性・光学特性・電気特性等を
制御することが出来る。

なお、本発明に係わる高分子液晶組成物には、色素、光
安定化剤、光吸収剤、酸化防止剤、可塑剤等を添加する
ことができる。

次に１本発明の高分子液晶素子は、一対の平行な電極間
に、前述の主鎖が下記の一般式（Ｉ）で表わされる繰り
返し単位からなり、重合度が５〜１０００である高分子
液晶性化合物、または該高分子液晶性化合物と低分子液
晶とを含有する高分子液晶組成物よりなる薄膜を設けて
なるものである。

本発明の高分子液晶素子の具体的な構成としては、前記
高分子液晶性化合物または高分子液晶組成物を溶融状態
から成膜したフィルム状の薄膜に成形して、電極を設け
た基板間に挟持接着することができる。接着の際には、
高分子液晶性化合物または高分子液晶組成物の薄膜と電
極の間に適当なギャップ剤を設けて電極間の絶縁性を保
つ様にしてもよい、また、基板なしに直接高分子液晶性
化合物または高分子液晶組成物のフィルムに電極を設け
てもよい。この場合には、フィルム状のフレキシブルな
高分子液晶素子が得られる。

また、高分子液晶性化合物または高分子液晶組成物の薄
膜は、高分子液晶性化合物または高分子液晶組成物を溶
媒（ジクロロエタン、ＴＨＦ　、シクロヘキサノン、ク
ロロホルム等）中に溶解して溶融状態にして成膜するこ
とにより形成することもできる。

具体的には、フィルム状の薄膜の作成方法としては、通
常のプラスチックフィルムを作成する方法、即ち溶融押
出し法、溶解流延法、カレンダー法あるいはスピンコー
ド法などが適用できる。

本発明によれば、高分子液晶素子における液晶相の形成
の際、前記高分子液晶性化合物または高分子液晶組成物
をフィルム状の薄膜にし、さらに延伸配向処理を施すこ
とにより、液晶分子に高い配向性を与えることができる
。

延伸配向処理の方法としては、−軸延伸法などが適用で
きるか、支持体であるプラスチック基板上に塗布して、
高分子液晶性化合物または高分子液晶組成物の薄膜を積
層し、この積層体ごと延伸処理してもよいし、また２枚
の基板間に液晶フィルムを挟持したセルを形成した後、
延伸配向してもよい。

また、本発明の高分子液晶素子は、配向処理した一対の
基板間に高分子液晶性化合物または高分子液晶性化合物
を等吉相転移温度以上の溶融状態で封入することも可使
である。

基板の配向処理としては、ポリイミド、ポリアミド、ポ
リビニルアルコール、ポリシロキサン、ポリイミドアミ
ド等の有機薄膜にラビング法によって一軸もしくは二軸
配向処理を行なワたものや、５ｉｎ２．　ｌｎＳ、　Ｍ
ｇＯ等の無機薄膜にラビング法によって一軸もしくは二
軸配向処理を行なうことや、ＳｉＯ□、　Ｓｉｎ、　Ｍ
ｇＯ，ＭｇＦ２等の無機化合物の斜め蒸着によって得ら
れる表面を使用する方法等が適用回部である。

さらに、一対の基板間に保持されているのであれば、上
下基板を微少にずらすことによるシェアリングによって
も良好な配向が得られる。

［実施例］ 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。

実施例１ ジエチル−４，４′−ターフェニルジカルボキシレート
３．０ｇ、下記の式で表わされるグリコール３．１ｇに
、 ＣＨ３ ＨＯ−（−ＣＩ＋、　　）ｙ−０−ＣＨ−ＣＩｌ□−Ｏ
Ｈテトラ−イソプロピルチタネートＯ，００１５ｇを加
え、７素ガス雰囲気下、２００℃まで加熱異部させ、系
か液状化した後、攪拌下に１時間加熱反応させ、次いで
２２０°Ｃで１時間同様に反応させた後、２５０℃まで
１時間かけて昇温し、１時間反応後、反応系内を減圧に
してさらに５時間反応を続け、減圧度０．２ｍｍＨｇで
重合反応を終了させた。

反応後のポリマーをクロロホルムに溶解後、１０倍量の
メタノール中に投入し、生成した沈殿を炉別し、減圧下
で乾燥して乳白色のポリマー（■）２．７ｇを得た。ポ
リマー■をＧＰＣ（ゲルパーミェーションクロマトグラ
フィー）により、ＴＨＦ溶液で分子量分布を測定した所
、以下の通りとなった。

Ｒｎ　＝１．ＯＸ１０４ Ｍｗ　＝２．３　Ｘ１０４ また、比旋光度は［αコ”ｒ、＝　＋　４．５°（ｃ＝
１．０５、溶媒：クロロホルム）であった。

ＮにＲデータ（δｐｐ璽（ＴＭＳ）　）１．２０　（ｄ
、　：Ｈｌ、　　メチル）３．７０−３．８５　（ｍ、
　１４８．メチレン）４．５０　（層、６Ｈ，メチレン
） ７．６５　（ｔ、　８）１．　　フェニレン）８．１０
　（ｄ、　４Ｈ，フェニレン）実施例２ 実施例１のグリコールを下記の式で表わされる化合物（
３，：ｔｇ）に代えた以外は、実施例１と同様にして、
乳白色のポリマー（■）　２．９ｇを得た。

ポリマー■の分子量、比旋光度の測定結果は以下の通り
であった。

Ｍ、　　＝１．：ｌ　　ＸＩＯ鴫 Ｒｗ　＝　３．ＯＸ　１０４ ［α］２’　　＝＋７．０゜ （ｃ　＝　０．９４．溶媒：クロロホルム）ＮＭＲデー
タ（δｐｐ■（ＴＭＳ）　）１．２０（ｄ、　６Ｈ，メ
チル） ３．７５−３．８５　（Ｉ、　８Ｂ、　　メチレン）４
．５０　（ｍ、　８ｔ−１，メチレン）７．７０　（ｔ
、　８Ｈ，フェニレン）８．１０　（ｄ、　４Ｈ，フェ
ニレン）実施例３ 実施例１で得られた高分子液晶性化合物■と低分子液晶
（１４）の相溶性試験を行なったところ、広い組成範囲
にわたって低分子液晶（１４）と同じ相か確認された。

種々の■と（１４）のブレンド系の高分子液晶組成物の
相転移温度を第１表に示す。

第１表 実施例４ 実施例３に示した高分子液晶組成物（■／（１，４）の
組成比１／４．　Ｉ／１）を、第１図に示すような、ガ
ラス基板１，１′の上にベタのＩＴＯ透明電極（厚さ１
３００人）２．２’を設け、その上に厚さ６００人のラ
ビング処理したポリイミド配向＠３，３’を形成した一
対のガラス基板を基板間の厚さが１０９Ｌｉになるよう
に接着層４で接着して形成した液晶セルに、等吉相から
封入した。偏光顕微鏡下で観察しながら、Ｓａｃ”相で
２０Ｖ／ｐｍの電界をかけると、電界に応答した分子の
反転がａ測された。

その電界応答の速度を第２表に示す。

また、第２図に示すように、上記の液晶セル８を直行す
る２枚の偏光板６，６′で挟み、上記と同様に電界をか
けると、電界に対応して透過光の明暗が観察された。７
．７′の矢印は偏光板６゜６′の偏光方向を示す。

第２表 第３表 実施例５ 実施例２で得られた高分子液晶性化合物■と低分子液晶
（３１）の相溶性試験を行なったところ、広い組成範囲
にわたって低分子液晶（３１）と同じ相か確認された。

種々の■と（３１）のブレンド系の液晶組成物の相転移
温度を第３表に示す。

実施例６ 実施例５に示した高分子液晶組成物（■／　（３１）の
組成比１／４．１／１）を実施例４と同様の液晶セルに
等吉相から封入した。５ｔａＣ”相で２０Ｖ／μ閾の電
界をかけると、電界に応答した分子の反転が観測された
。その電界応答の速度を第４表に示す。

第４表 実施例７ 実施例６の高分子液晶性化合物■／低分子液晶（３１）
の１／１の比率の組成物をジクロロエタンの２０ｗし％
溶液とし、ガラス板にテフロンテープな貼った上にキャ
ストして厚さ３０ＪＬｍのフィルムを形成した。このフ
ィルムを１３０°Ｃの温度雰囲気下で２００％に一輌延
伸した所、厚さ１２ＩＬｍの一軸配向したフィルムが得
られた。

この延伸フィルムをＩＴＯ基板を設けたガラス基板では
さみ、実施例６と同様にして電界を印加すると、電界に
応答した分子の反転が観測された。

実施例８ 実施例１３よび２で得られた高分子液晶性化合物■およ
び■により、それぞれ実施例７と同様にして厚さ１０Ｉ
Ｌ■の一軸配向したフィルムを得た。

この延伸フィルムをＩＴＯ電極を設けたガラス基板では
さみ、実施例６と同様にして３０Ｖ／ＩＬ１１の電界を
かけると、電界に応答した分子の反転が観測された。

［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明によれば、広い温度範囲にわ
たってカイラルスメクチック相（Ｓｓ”相）を示し、ま
た薄膜形成・フィルム化が容易な新規の高分子液晶性化
合物および該高分子液晶性化合物と低分子液晶とを含有
する高分子液晶組成物を容易に得ることができる。

また、それらの高分子液晶性化合物および高分子液晶組
成物を液晶素子に応用すると、大面精化を容易に実現す
ることが出来ると共に、Ｓ「相に３いて電界をかけるこ
とにより、安定した良好なスイッチング効果を示し、各
種の電気光学効果を応用した素子としての利用が可能な
高分子液晶素子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例４に使用した液晶セルを示す断面図およ
び第２図は実施例４に使用した偏光板付き液晶セルを示
す斜視図である。 １．１’−・・基板　　　　２，２’−・透明電極３．
３′・・・配向膜　　　４・・・接着層５・・・高分子
液晶層　　　６，６′・・・偏光板７．７′・・・偏光
方向　　８・・・液晶セル第１図 第２図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）主鎖が下記の一般式（ I ）で表わされる繰り返
   し単位からなり、重合度が５〜１０００であることを特
   徴とする高分子液晶性化合物。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａは少なくとも２つの環が結合している３環性
   のメソーゲン基、Ｂは光学活性基を含むスペーサフレキ
   シブル基を示し、Ｘ＿１およびＸ＿２はそれぞれエステ
   ル結合、エーテル結合、ジメチルシロキサン結合のいず
   れか一つを含む基を示し、かつそれぞれ同一かまたは異
   なっていてもよい。ｎは５〜１０００を示す）
2. （２）一対の平行な電極間に、主鎖が下記の一般式（
   I ）で表わされる繰り返し単位からなり、重合度が５〜
   １０００である高分子液晶性化合物よりなる薄膜を有す
   ることを特徴とする高分子液晶素子。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａは少なくとも２つの環が結合している３環性
   のメソーゲン基、Ｂは光学活性基を含むスペーサフレキ
   シブル基を示し、Ｘ＿１およびＸ＿２はそれぞれエステ
   ル結合、エーテル結合、ジメチルシロキサン結合のいず
   れか一つを含む基を示し、かつそれぞれ同一かまたは異
   なっていてもよい。ｎは５〜１０００を示す）
3. （３）主鎖が下記の一般式（ I ）で表わされる繰り返
   し単位からなり、重合度が５〜１０００である高分子液
   晶性化合物と低分子液晶とを含有することを特徴とする
   高分子液晶組成物。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａは少なくとも２つの環が結合している３環性
   のメソーゲン基、Ｂは光学活性基を含むスペーサフレキ
   シブル基を示し、Ｘ＿１およびＸ＿２はそれぞれエステ
   ル結合、エーテル結合、ジメチルシロキサン結合のいず
   れか一つを含む基を示し、かつそれぞれ同一かまたは異
   なっていてもよい。ｎは５〜１０００を示す）
4. （４）一対の平行な電極間に、主鎖が下記の一般式（
   I ）で表わされる繰り返し単位からなり、重合度が５〜
   １０００である高分子液晶性化合物と低分子液晶とを含
   有する高分子液晶組成物よりなる薄膜を有することを特
   徴とする高分子液晶素子。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａは少なくとも２つの環が結合している３環性
   のメソーゲン基、Ｂは光学活性基を含むスペーサフレキ
   シブル基を示し、Ｘ＿１およびＸ＿２はそれぞれエステ
   ル結合、エーテル結合、ジメチルシロキサン結合のいず
   れか一つを含む基を示し、かつそれぞれ同一かまたは異
   なっていてもよい。ｎは５〜１０００を示す）