JPH02181402A - 信号磁束を広げる薄膜磁気装置 - Google Patents
信号磁束を広げる薄膜磁気装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発用は、薄膜磁気装置において回転によって磁束を導
通することに係る。
通することに係る。
従来の技術
薄膜記録ヘッドのような磁気装置は、読み取り、読み取
り／書き込み或いは書き込みのいずれを行なうものであ
っても、装置の材料の活性領域内に特定の磁気配向又は
ドメインを有するように設計される。これらドメイン各
々の静的な状態は、製造工程の制御により、必要に応じ
て、容易軸（又は非等方性の軸）として知られている所
与の軸に沿って配向することができる。性能はドメイン
の形成に厳密に関連付けされ、それ故、ドメインの形成
を制御することにより装置の性能に対して制御を与える
ことができる。
り／書き込み或いは書き込みのいずれを行なうものであ
っても、装置の材料の活性領域内に特定の磁気配向又は
ドメインを有するように設計される。これらドメイン各
々の静的な状態は、製造工程の制御により、必要に応じ
て、容易軸（又は非等方性の軸）として知られている所
与の軸に沿って配向することができる。性能はドメイン
の形成に厳密に関連付けされ、それ故、ドメインの形成
を制御することにより装置の性能に対して制御を与える
ことができる。
薄膜記録ヘッドの場合のような磁束の導通は、ドメイン
壁の運動とドメインの回転との２つの機構によって達成
される。ドメイン壁の運動では、１つ又は複数のドメイ
ンの壁に沿って薄膜ヘッドを通して磁束が伝達され、磁
束は、平衡状態に復帰しようとするのでドメイン壁に沿
って広がることになる。然し乍ら、ドメイン壁の運動は
低い周波数においては磁束の導通を容易にするが、高い
周波数においては磁束の導通に対するビヒクルが不充分
である。更に、磁気ヘッドにおける材料の欠陥は、磁束
がこれら欠陥によって乱されることになるので、壁の運
動による磁束の導通中にパークハウゼン（Ｂａｒｋｈａ
ｕｓｅｎ）ノイズのソースとなる。
壁の運動とドメインの回転との２つの機構によって達成
される。ドメイン壁の運動では、１つ又は複数のドメイ
ンの壁に沿って薄膜ヘッドを通して磁束が伝達され、磁
束は、平衡状態に復帰しようとするのでドメイン壁に沿
って広がることになる。然し乍ら、ドメイン壁の運動は
低い周波数においては磁束の導通を容易にするが、高い
周波数においては磁束の導通に対するビヒクルが不充分
である。更に、磁気ヘッドにおける材料の欠陥は、磁束
がこれら欠陥によって乱されることになるので、壁の運
動による磁束の導通中にパークハウゼン（Ｂａｒｋｈａ
ｕｓｅｎ）ノイズのソースとなる。
このようなノイズは、記録されたデータの読みにエラー
を招きがちとなる。
を招きがちとなる。
磁気記録ヘッドの公知の磁極が第１（ａ）図に示されて
おり、ここで、媒体Ｍは、一連の横方向に配向されたド
メインｄｉ−ｄｎのうちの第１の横方向に配向されたド
メインｄ１に信号磁束を押入するものとして示されてい
る。ドメインの休止状態磁束はＸ軸（横方向）にあり、
これは、媒体からの信号磁束に反応してＹ軸（長手方向
）又はＺ軸（垂直方向）に流れ込むという回転の任意性
を与える。Ｚ軸は平面から外れており、磁気抵抗の高い
経路である。従って、磁束は、各々のドメインｄｌ−ｄ
ｎの回転矢印によって指示されたようにＹ軸に向けて回
転する。
おり、ここで、媒体Ｍは、一連の横方向に配向されたド
メインｄｉ−ｄｎのうちの第１の横方向に配向されたド
メインｄ１に信号磁束を押入するものとして示されてい
る。ドメインの休止状態磁束はＸ軸（横方向）にあり、
これは、媒体からの信号磁束に反応してＹ軸（長手方向
）又はＺ軸（垂直方向）に流れ込むという回転の任意性
を与える。Ｚ軸は平面から外れており、磁気抵抗の高い
経路である。従って、磁束は、各々のドメインｄｌ−ｄ
ｎの回転矢印によって指示されたようにＹ軸に向けて回
転する。
以上の説明から明らかなように、ドメインの回転による
磁束の導通は、平行な軸に沿って軸方向に整列された一
連の隣接する横方向ドメインを構成することにより達成
できる。この場合に、所与の角度で第１ドメインに当た
る信号磁束は、そのドメインの磁化を生じ、その静的な
配向からその角度だけ半径方向に回転させてその隣接ド
メインに入射させる。このような回転は、一連の各々の
隣接ドメインによって磁束伝達軸に沿って同様に伝達で
きる。従って、磁束は磁極において導通されそして一連
のドメイン回転において薄膜ヘッドのヨークを通過する
。このヨークは、磁束のレベル又は磁束の変化率に比例
する電気信号を発生するトランスジューサを介して磁束
を導通できるようにする。このトランスジューサは誘導
コイルであるか又は他の磁束感知装置である。第１（ａ
）図には、２磁極溝造体の下部磁極の上に存在するもの
として誘導コイルが概略的に示されている。
磁束の導通は、平行な軸に沿って軸方向に整列された一
連の隣接する横方向ドメインを構成することにより達成
できる。この場合に、所与の角度で第１ドメインに当た
る信号磁束は、そのドメインの磁化を生じ、その静的な
配向からその角度だけ半径方向に回転させてその隣接ド
メインに入射させる。このような回転は、一連の各々の
隣接ドメインによって磁束伝達軸に沿って同様に伝達で
きる。従って、磁束は磁極において導通されそして一連
のドメイン回転において薄膜ヘッドのヨークを通過する
。このヨークは、磁束のレベル又は磁束の変化率に比例
する電気信号を発生するトランスジューサを介して磁束
を導通できるようにする。このトランスジューサは誘導
コイルであるか又は他の磁束感知装置である。第１（ａ
）図には、２磁極溝造体の下部磁極の上に存在するもの
として誘導コイルが概略的に示されている。
磁束導通機構のそれ以上の説明については、１９８８年
８月３日出願の［薄膜装置における垂直の非等方性（Ｐ
ｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ Ｉ
ｎＴｈ１ｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅ）Ｊと題する米国
特許出願第２２７．８１３号に開示されている。
８月３日出願の［薄膜装置における垂直の非等方性（Ｐ
ｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ Ｉ
ｎＴｈ１ｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅ）Ｊと題する米国
特許出願第２２７．８１３号に開示されている。
発明の構成
本発明の１つの特徴は、好ましい休止状態が単に横の同
一平面方向に存在するのではない磁束導通構造体におい
て横の同一平面方向に磁束を回転して広げる方法及び装
置に係る。
一平面方向に存在するのではない磁束導通構造体におい
て横の同一平面方向に磁束を回転して広げる方法及び装
置に係る。
本発明の１つの特徴は、磁気装置のヨークにおいて磁束
を回転して広げられるようにすることである。
を回転して広げられるようにすることである。
本発明の１つの好ましい実施例においては、磁気装置は
、単に横の同一平面方向に存在するのではない好ましい
休止状態の軸を有し、横の同一平面方向に広がる磁束は
回転によって生じることができる。
、単に横の同一平面方向に存在するのではない好ましい
休止状態の軸を有し、横の同一平面方向に広がる磁束は
回転によって生じることができる。
本発明のある実施例においては、磁気導通装置は、回転
によって長手方向及び横方向に磁束を導通することので
きる２つの活性層を有している。
によって長手方向及び横方向に磁束を導通することので
きる２つの活性層を有している。
これらの層は、休止状態においては、一方の層のドメイ
ン状態が他方の届のドメイン状態と独立したものになる
に充分なほど互いに分離される。然し乍ら、これらの層
は、それらの間に信号磁束を容易に流せるに充分なほど
互いに結合されている。
ン状態が他方の届のドメイン状態と独立したものになる
に充分なほど互いに分離される。然し乍ら、これらの層
は、それらの間に信号磁束を容易に流せるに充分なほど
互いに結合されている。
本発明の他の実施例においては、２つの層間のギャップ
は、休止状態のドメイン磁束を通すに充分なほど小さな
ものである。又、２つの層の好ましい配向は主として横
方向であるが、この横方向に対して±０の角度に傾斜さ
れる。これら２つの層間の信号磁束の結合により、小さ
な信号レベルに対しＯのはメ２倍の解放角度で磁束をく
さび状に広げることができる。
は、休止状態のドメイン磁束を通すに充分なほど小さな
ものである。又、２つの層の好ましい配向は主として横
方向であるが、この横方向に対して±０の角度に傾斜さ
れる。これら２つの層間の信号磁束の結合により、小さ
な信号レベルに対しＯのはメ２倍の解放角度で磁束をく
さび状に広げることができる。
本発明の更に別の実施例において、４つの活性磁気層（
Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤ）は、２対の層（ＡＢ及びＣＤ）を備
えている。５Ａ及びＢは、同じ方向に配向され、そして
ＡとＢとの間のギャップは、これらの間に休止状態ドメ
インの磁束を結合するに足るほどの小さなものである。
Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤ）は、２対の層（ＡＢ及びＣＤ）を備
えている。５Ａ及びＢは、同じ方向に配向され、そして
ＡとＢとの間のギャップは、これらの間に休止状態ドメ
インの磁束を結合するに足るほどの小さなものである。
層Ｃ及びＤも同様に構成されるが、それらの配向は異な
った角度にある。ＢからＣへのギャップは、休止状態の
ドメイン磁束を導通しないように充分大きなものであり
、且つ信号磁束を導通するに足るほどの小さなものであ
る。例えば、Ａ及びＢは長手方向に配向され、一方、Ｃ
及びＤは横方向に配向される。或いは又、Ａ及びＢは横
方向に対して十〇で配向することができ、一方、Ｃ及び
Ｄは一〇に配向することができる。
った角度にある。ＢからＣへのギャップは、休止状態の
ドメイン磁束を導通しないように充分大きなものであり
、且つ信号磁束を導通するに足るほどの小さなものであ
る。例えば、Ａ及びＢは長手方向に配向され、一方、Ｃ
及びＤは横方向に配向される。或いは又、Ａ及びＢは横
方向に対して十〇で配向することができ、一方、Ｃ及び
Ｄは一〇に配向することができる。
３つの活性ｆｆ （Ａ％Ｂ及びＣ）を有する本発明の更
に別の実施例においては、Ａ及びＢが上記したように対
にされ、そして横方向に配向される。
に別の実施例においては、Ａ及びＢが上記したように対
にされ、そして横方向に配向される。
ＢからＣへのギャップは、休止状態ドメイン磁束を阻止
するに充分なほど大きなものであり、且つ信号磁束を導
通するに足るほど小さなものである。
するに充分なほど大きなものであり、且つ信号磁束を導
通するに足るほど小さなものである。
層Ｃは長子方向に配向される。対Ａ及びＢはトラック巾
が狭くても磁束を長子方向に導通する。従って、層Ｃは
磁束を横方向に広げ、高インピーダンスの磁束ビーム作
用を回避する。或いは又、Ａ及びＢを長子方向に配向し
モしてＣを横方向に配向することができる。
が狭くても磁束を長子方向に導通する。従って、層Ｃは
磁束を横方向に広げ、高インピーダンスの磁束ビーム作
用を回避する。或いは又、Ａ及びＢを長子方向に配向し
モしてＣを横方向に配向することができる。
本発明の他の効果及び特徴は、好ましい実施例の以下の
詳細な説り１及び特許請求の範囲から明らかとなろう。
詳細な説り１及び特許請求の範囲から明らかとなろう。
実施例
磁極チップから磁気導通装置のヨークを通して信号磁束
を効率的に導通することが所望される。
を効率的に導通することが所望される。
従って磁気抵抗の低い磁束導通機構が所望される。
本発明は、高い周波数での磁化回転により磁気抵抗の低
い磁束導通な行なえるようにするものである。これは、
長子方向及び横方向の両方の回転導通を行なうことので
きる構造体を設けることによって達成される。このよう
な多次元の導通性は、ドメイン壁の伝播の必要性を排除
し、従って、高い周波数における低い応答及びパークハ
ウゼンノイズを回避する。
い磁束導通な行なえるようにするものである。これは、
長子方向及び横方向の両方の回転導通を行なうことので
きる構造体を設けることによって達成される。このよう
な多次元の導通性は、ドメイン壁の伝播の必要性を排除
し、従って、高い周波数における低い応答及びパークハ
ウゼンノイズを回避する。
本発明は、変成器や、磁界センサや、バブルメモリ磁気
構造体や、ｎ膜磁気メモリエレメントや、磁気シールド
や、記録ヘッドを含む種々様々な磁気導通による装置に
適用することができ、単層及び多層の両方の装置におい
て実施することができる。
構造体や、ｎ膜磁気メモリエレメントや、磁気シールド
や、記録ヘッドを含む種々様々な磁気導通による装置に
適用することができ、単層及び多層の両方の装置におい
て実施することができる。
第１（ｂ）図は公知磁極の２層構成を示す断面図である
。ここで、層Ｌ１及びＬ２は非常に狭いギャップｇによ
って分離され、休止状態、ドメイン磁束（即ち、休止状
態におけるドメインのり、 Ｃ磁束）を層Ｌｌ、Ｌ２間
に結合することができる。
。ここで、層Ｌ１及びＬ２は非常に狭いギャップｇによ
って分離され、休止状態、ドメイン磁束（即ち、休止状
態におけるドメインのり、 Ｃ磁束）を層Ｌｌ、Ｌ２間
に結合することができる。
層Ｌｌ、Ｌ２の非等方性の方向は、互いに平行であると
共に、層Ｌｌ、Ｌ２において水平の矢印ａ１ｂで各々示
すように磁極に対して横方向である。
共に、層Ｌｌ、Ｌ２において水平の矢印ａ１ｂで各々示
すように磁極に対して横方向である。
又、層Ｌｌ及びＬ２の厚みは等しくなるように設計され
ている。
ている。
第２図には、磁気記録媒体から、磁気記録ヘッドの磁極
点の先端に向かって見た本発明の好ましい実施例が示さ
れており、上記記録ヘッドは２つの活性層Ｌ１、Ｌ２を
有し、その一方は横方向に配向された同一平面非等方性
（即ち、休止状態ドメイン配向）の状態にありそしてそ
の他方の層は長子方向に配向された状態にある。これら
の層はギャップ層ｇによって分離されている。このギャ
ップ層は、各層のドメインの状態が互いに独立した状態
に保たれるに充分な厚みであるが、磁極の２つの居間に
信号磁束を容易に送信できるに足るほどの酵さである。
点の先端に向かって見た本発明の好ましい実施例が示さ
れており、上記記録ヘッドは２つの活性層Ｌ１、Ｌ２を
有し、その一方は横方向に配向された同一平面非等方性
（即ち、休止状態ドメイン配向）の状態にありそしてそ
の他方の層は長子方向に配向された状態にある。これら
の層はギャップ層ｇによって分離されている。このギャ
ップ層は、各層のドメインの状態が互いに独立した状態
に保たれるに充分な厚みであるが、磁極の２つの居間に
信号磁束を容易に送信できるに足るほどの酵さである。
現在のところ、ギャップサイズとして適度な目標となる
のは、おそら＜３００ないし２０００オングストローム
の範囲の薄膜形態である。典型的な２極記録ヘツドにお
いては、６極が同じ形態をとることができる。ＩＬＩ及
びＬ２は、Ｌｌの厚みｔｌがＬ２の厚みｔ２に等しくな
いように構成するのが好ましい。これらの層は、ｔｌが
Ｌ２より大きくなるように構成されるのが好ましい。
のは、おそら＜３００ないし２０００オングストローム
の範囲の薄膜形態である。典型的な２極記録ヘツドにお
いては、６極が同じ形態をとることができる。ＩＬＩ及
びＬ２は、Ｌｌの厚みｔｌがＬ２の厚みｔ２に等しくな
いように構成するのが好ましい。これらの層は、ｔｌが
Ｌ２より大きくなるように構成されるのが好ましい。
第２図の磁極ｌＯの上面図が第３図に示されており、磁
極ｌＯの第１ＥＬＩは、磁極の長子軸を横断する好まし
い容易軸（６ａｓｙ ａｘｉｓ）を有している。ドメイ
ンの構造は、比較的大きく且つ均一な中央ドメイン１２
を有するような構成にされ、それに隣接する比較的小さ
な縁ドメイン１６が磁極チップ２０の領域にあり且つ細
長い縁ドメイン２２がヨーク領域２４にあるようにされ
る。この構成においては、媒体からの磁束が磁極チップ
２０の第１ドメインｄｉにおいて読み取られる。その結
果、磁束は、ヨーク部分２４に向かって進むにつれて回
転により導通され隣接するドメイン１２の下に直列に伝
播する。この導通機構は磁束パイプまたは磁束ビームと
称され、これは、チップからヨークを通して磁極を上方
に延びる平行な垂直ドツト線によって概略的に示されて
いる。
極ｌＯの第１ＥＬＩは、磁極の長子軸を横断する好まし
い容易軸（６ａｓｙ ａｘｉｓ）を有している。ドメイ
ンの構造は、比較的大きく且つ均一な中央ドメイン１２
を有するような構成にされ、それに隣接する比較的小さ
な縁ドメイン１６が磁極チップ２０の領域にあり且つ細
長い縁ドメイン２２がヨーク領域２４にあるようにされ
る。この構成においては、媒体からの磁束が磁極チップ
２０の第１ドメインｄｉにおいて読み取られる。その結
果、磁束は、ヨーク部分２４に向かって進むにつれて回
転により導通され隣接するドメイン１２の下に直列に伝
播する。この導通機構は磁束パイプまたは磁束ビームと
称され、これは、チップからヨークを通して磁極を上方
に延びる平行な垂直ドツト線によって概略的に示されて
いる。
第２の層Ｌ２の上面図が第４図に示されている。層Ｌ２
の長手方向の容易軸は、磁極の長手軸に平行で且つ層Ｌ
ｌの長手軸に対して横方向である。ドメイン構造体はそ
の向きが実質的に長手方向である。その結果、磁束を回
転によって横方向に導通する。
の長手方向の容易軸は、磁極の長手軸に平行で且つ層Ｌ
ｌの長手軸に対して横方向である。ドメイン構造体はそ
の向きが実質的に長手方向である。その結果、磁束を回
転によって横方向に導通する。
第３図及び第４図において、ヨーク部分２４は、磁極チ
ップ２０から離れるように延びるにつれて巾が増加する
ように示されている。ヨーク部分がこのように広がって
いない場合には、磁束ビームの境界がドツト線で示され
たように定められ、上記した高い磁気抵抗の作用によっ
て動作に悪影響が及ぶ。しかしながら、この領域を広げ
たことにより、磁束ビームが、そで章マーク２３によっ
て示された領域の一部分を少なくとも含ませることによ
りドツト線内の領域に加えて若干法がることになる。こ
れにより、ヨークを通る磁気抵抗の導通路が効果的に形
成される。
ップ２０から離れるように延びるにつれて巾が増加する
ように示されている。ヨーク部分がこのように広がって
いない場合には、磁束ビームの境界がドツト線で示され
たように定められ、上記した高い磁気抵抗の作用によっ
て動作に悪影響が及ぶ。しかしながら、この領域を広げ
たことにより、磁束ビームが、そで章マーク２３によっ
て示された領域の一部分を少なくとも含ませることによ
りドツト線内の領域に加えて若干法がることになる。こ
れにより、ヨークを通る磁気抵抗の導通路が効果的に形
成される。
然し乍ら、この実施例においては、ヨークのみを単に広
げても、実質的に磁束を広げるには不充分であることが
明らかである。むしろ、磁極片１０の異なった配向にさ
れた層Ｌ１、Ｌ２が共働して、磁束を実質上容易に広げ
るようにし、それ故、ヨークはこれら層の相互作用を容
易にするために広げられる。第２図、第３図及び第４図
の実施例に用いられる磁束広げ機構の詳細な説明は以下
で述べる。
げても、実質的に磁束を広げるには不充分であることが
明らかである。むしろ、磁極片１０の異なった配向にさ
れた層Ｌ１、Ｌ２が共働して、磁束を実質上容易に広げ
るようにし、それ故、ヨークはこれら層の相互作用を容
易にするために広げられる。第２図、第３図及び第４図
の実施例に用いられる磁束広げ機構の詳細な説明は以下
で述べる。
磁束は、磁気媒体から、横方向に磁化される層Ｌｌの容
易軸に垂直に磁極チップ２０に存在する第１の横方向ド
メインｄｉに向かって送り込まれる。磁束は、これが低
磁気抵抗の経路に遭遇する限りその層の下で回転するこ
とによりドメイン１２からドメイン１２へと長手方向に
伝播される。
易軸に垂直に磁極チップ２０に存在する第１の横方向ド
メインｄｉに向かって送り込まれる。磁束は、これが低
磁気抵抗の経路に遭遇する限りその層の下で回転するこ
とによりドメイン１２からドメイン１２へと長手方向に
伝播される。
経路の長さ、ひいては、磁気抵抗が累積されるにつれて
、磁束の一部分がギャップｇを横切りそして長手方向に
向けられたドメインＬ２へと伝播し、従ってシステムの
磁気抵抗を下げる。磁束は層Ｌ２において横方向に伝播
し、やがて磁気抵抗が累積して、低磁気抵抗の経路を探
し求めそしてギャップをジャンプして横方向層Ｌｌに再
入する。横方向層において磁束が長手方向に伝播して磁
気抵抗が累積すると、再び磁束はギャップの反対側にあ
る長手方向活性層における低磁気抵抗路を探し求める。
、磁束の一部分がギャップｇを横切りそして長手方向に
向けられたドメインＬ２へと伝播し、従ってシステムの
磁気抵抗を下げる。磁束は層Ｌ２において横方向に伝播
し、やがて磁気抵抗が累積して、低磁気抵抗の経路を探
し求めそしてギャップをジャンプして横方向層Ｌｌに再
入する。横方向層において磁束が長手方向に伝播して磁
気抵抗が累積すると、再び磁束はギャップの反対側にあ
る長手方向活性層における低磁気抵抗路を探し求める。
このプロセスは、磁束がヨークを通して伝播されるまで
続けられるが、横方向の回転成分を磁束の流れに加える
というプロセスにより、磁束が次第に広くなるヨーク領
域内で広げられ、システムの全磁気抵抗が低減される。
続けられるが、横方向の回転成分を磁束の流れに加える
というプロセスにより、磁束が次第に広くなるヨーク領
域内で広げられ、システムの全磁気抵抗が低減される。
薄膜ヘッドは高いビット密度で使用される。
この高いビット密度を達成する１つの方法は、トラック
の巾を減少することによるものである。従っで、狭いト
ラック巾を有するが高い周波数でも作動するような薄膜
ヘッドを形成することも所望される。これは回転による
導通によって達成することができる。
の巾を減少することによるものである。従っで、狭いト
ラック巾を有するが高い周波数でも作動するような薄膜
ヘッドを形成することも所望される。これは回転による
導通によって達成することができる。
狭いトラックは高い非等方性磁界を有していなければな
らない。この高い非等方性磁界は縁ドメインを比較的小
さく保つことにより磁束路を開放状態に保つように作用
する。その結果、本発明によればヨーク部分において構
造上の磁気抵抗が下げられたとしても回転機構を作動状
態に保つことができるが、高い非等方性磁界が構造体の
透磁率を減少させる。
らない。この高い非等方性磁界は縁ドメインを比較的小
さく保つことにより磁束路を開放状態に保つように作用
する。その結果、本発明によればヨーク部分において構
造上の磁気抵抗が下げられたとしても回転機構を作動状
態に保つことができるが、高い非等方性磁界が構造体の
透磁率を減少させる。
狭いトラックを設計する場合には、縁ドメイン及び１８
０°の壁を取り除くために積層膜がしばしば使用される
。それ故、これらの積層膜は通常の構成では磁束を充分
に広げるものではない。
０°の壁を取り除くために積層膜がしばしば使用される
。それ故、これらの積層膜は通常の構成では磁束を充分
に広げるものではない。
本発明の協働層をもたない公知の単一方向性の非等方性
ヘッドを各々相補的に示した第５ （Ａ及びＢ）図を参
照すれば、横方向に向けられた磁化の際に媒体から角度
φ（又は１８０°−φ）に課せられる磁束はこのような
角度による磁化の回転を生じることが明らかである。他
の全ての点については、均一なビームが磁極を通して後
方に導通されそしてヨークへと導通されるが、φの半分
だけ傾斜される。その結果、磁束ビームが著しく広がら
ないので、ヨークにおいて高い磁気インピーダンスが現
われることになる。
ヘッドを各々相補的に示した第５ （Ａ及びＢ）図を参
照すれば、横方向に向けられた磁化の際に媒体から角度
φ（又は１８０°−φ）に課せられる磁束はこのような
角度による磁化の回転を生じることが明らかである。他
の全ての点については、均一なビームが磁極を通して後
方に導通されそしてヨークへと導通されるが、φの半分
だけ傾斜される。その結果、磁束ビームが著しく広がら
ないので、ヨークにおいて高い磁気インピーダンスが現
われることになる。
本発明は、別の好ましい実施例において、積層磁極の上
部及び下部層の容易軸を横の磁気方向に対して±Ｏの角
度に配向することにより磁束を広げることができる。そ
の結果、磁束は、Ｏの値の２倍と磁束の回転により生じ
る付加的な角度成分φとの和のくさび状角度で広げられ
る。本発明のこのくさび形成実施例が第６ （Ａ％Ｂ
及びＣ）図に概念的に示されており、第６Ａ図において
は、第１の活性層Ｌ１がその横軸から測定した角度Ｏに
おいてその磁気配向の静的な角度変位を与えている。第
６Ｂ図には、休止状態において１８００−〇の角度に相
補的な磁気配向を有する第２の活性層Ｌ２が示されてい
る。横方向軸に直角なＬｌ及びＬ２層に磁束が当たると
、それにより得られる磁束ビームは、Ｏの２倍と各層に
対する回転成分φとの和に等しい広がりを生じる（即ち
、φの半分子φの半分）。従って、磁束ビームは、各層
の２つの角度的及び回転的に変位された磁束ビームの和
となり、これは、第６Ｃ図に示すように２０＋φに達す
る。この形態においては、２つの層間のギャップが休止
状態ドメイン磁束を通すに足るほど小さなものであるの
が好ましい。
部及び下部層の容易軸を横の磁気方向に対して±Ｏの角
度に配向することにより磁束を広げることができる。そ
の結果、磁束は、Ｏの値の２倍と磁束の回転により生じ
る付加的な角度成分φとの和のくさび状角度で広げられ
る。本発明のこのくさび形成実施例が第６ （Ａ％Ｂ
及びＣ）図に概念的に示されており、第６Ａ図において
は、第１の活性層Ｌ１がその横軸から測定した角度Ｏに
おいてその磁気配向の静的な角度変位を与えている。第
６Ｂ図には、休止状態において１８００−〇の角度に相
補的な磁気配向を有する第２の活性層Ｌ２が示されてい
る。横方向軸に直角なＬｌ及びＬ２層に磁束が当たると
、それにより得られる磁束ビームは、Ｏの２倍と各層に
対する回転成分φとの和に等しい広がりを生じる（即ち
、φの半分子φの半分）。従って、磁束ビームは、各層
の２つの角度的及び回転的に変位された磁束ビームの和
となり、これは、第６Ｃ図に示すように２０＋φに達す
る。この形態においては、２つの層間のギャップが休止
状態ドメイン磁束を通すに足るほど小さなものであるの
が好ましい。
動作中に、磁気媒体からの磁束は磁極に入り、両層にお
いて回転することによってヨーク接合部に導通して戻さ
れる。磁束がヨーク接合部に入ると、上層が磁極の対称
軸に対して角度Ｏで磁束ビームを案内し、そして下層が
１８０°−０の角度で磁束ビームを案内する。層間での
磁束の導通により、上層が下層の正のＯ領域に磁束を挿
入できるようにしそしてその反対のことも行なえるよう
にする。
いて回転することによってヨーク接合部に導通して戻さ
れる。磁束がヨーク接合部に入ると、上層が磁極の対称
軸に対して角度Ｏで磁束ビームを案内し、そして下層が
１８０°−０の角度で磁束ビームを案内する。層間での
磁束の導通により、上層が下層の正のＯ領域に磁束を挿
入できるようにしそしてその反対のことも行なえるよう
にする。
積層フィルムを用いた本発明の他の実施例においては、
２つ以上の活性磁気層を用いることができる。１つの磁
極が第７図に示された特定の実施例においては、４つの
活性磁気層（Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤ）が２対（ＡＢ及びＣＤ
）の層より成る。
２つ以上の活性磁気層を用いることができる。１つの磁
極が第７図に示された特定の実施例においては、４つの
活性磁気層（Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤ）が２対（ＡＢ及びＣＤ
）の層より成る。
層Ａ及びＢは同じ方向に向けられ、そしてＡとＢとの間
のギャップはそれらの間に休止状態トメ・イン磁束を結
合するに足るほどの小さなものである。
のギャップはそれらの間に休止状態トメ・イン磁束を結
合するに足るほどの小さなものである。
層Ｃ及びＤも同様に構成されるが、それらの配向は異な
った角度にされる。層ＢからＣへのギャップは休止状態
ドメイン磁束を導通しないような大きなものであるが、
信号磁束を導通するに足るほどの小さなものである。例
えば、Ａ及びＢは長手方向に配向できるが、Ｃ及びＤは
横方向に配向できる。或いは又、Ａ及びＢは横方向に対
して十〇で配向でき、一方、Ｃ及びＤは１８’Ｏ°−〇
で配向できる。
った角度にされる。層ＢからＣへのギャップは休止状態
ドメイン磁束を導通しないような大きなものであるが、
信号磁束を導通するに足るほどの小さなものである。例
えば、Ａ及びＢは長手方向に配向できるが、Ｃ及びＤは
横方向に配向できる。或いは又、Ａ及びＢは横方向に対
して十〇で配向でき、一方、Ｃ及びＤは１８’Ｏ°−〇
で配向できる。
第７図の実施例の別の態様が設けられ、これは、３つの
活性５Ａ、Ｂ及びＣを有し、Ａ及びＢは上記したように
対にされ、そして横方向に配向される。層ＢからＣへの
ギャップは、休止状態ドメイン磁束を阻止するに充分な
ほど大きいが、信号磁束を導通するに足るほどの小さな
ものである。
活性５Ａ、Ｂ及びＣを有し、Ａ及びＢは上記したように
対にされ、そして横方向に配向される。層ＢからＣへの
ギャップは、休止状態ドメイン磁束を阻止するに充分な
ほど大きいが、信号磁束を導通するに足るほどの小さな
ものである。
層Ｃは長手方向に配向される。対Ａ及びＢは、トラック
ｒｌＪが狭くても磁束を長手方向に導通する。
ｒｌＪが狭くても磁束を長手方向に導通する。
層Ｃは、磁束を横方向に広げることにより、高インピー
ダンスの磁束ビーム作用を回避する。或いは又、Ａ及び
Ｂを長手方向に配向し、モしてＣを横方向に配向するこ
とができる。
ダンスの磁束ビーム作用を回避する。或いは又、Ａ及び
Ｂを長手方向に配向し、モしてＣを横方向に配向するこ
とができる。
第８図は、一般的な２極ヨークＨＩ７成を示しており、
ヨークの上半分と下半分は対称的でありそしてチップは
はゾギャップｇにセンタリングされている。本発明の上
記構成をこの形態に適用することができる。これにより
、回転による磁束の広がりが達成される一方、回転によ
る磁束導通が長手方向に与えられる。各磁極は、２つの
活性磁極層Ｅ、Ｆ及びＥｌ、Ｆｌに積層されて示されて
いる。
ヨークの上半分と下半分は対称的でありそしてチップは
はゾギャップｇにセンタリングされている。本発明の上
記構成をこの形態に適用することができる。これにより
、回転による磁束の広がりが達成される一方、回転によ
る磁束導通が長手方向に与えられる。各磁極は、２つの
活性磁極層Ｅ、Ｆ及びＥｌ、Ｆｌに積層されて示されて
いる。
本発明のこれらの上記構成は、第９図及び第１Ｏ図に示
された形態にも適用することができる。
された形態にも適用することができる。
ここで、本発明は、回転による磁束の広げを達成するだ
けでなく、回転による横方向の磁束導通を容易にするも
のである。例えば、第９図に示す構成では、磁極Ｐ１及
びＰ２が水平である。それらの第１ＩＬＩは長手方向に
配向される。Ｌ２は横方向に配向される。領域ＲＰにお
いてギャップ付近で右側の磁極チップ付近に入る磁束は
、長手方向に配向された上層の右側へ最初に導通される
。
けでなく、回転による横方向の磁束導通を容易にするも
のである。例えば、第９図に示す構成では、磁極Ｐ１及
びＰ２が水平である。それらの第１ＩＬＩは長手方向に
配向される。Ｌ２は横方向に配向される。領域ＲＰにお
いてギャップ付近で右側の磁極チップ付近に入る磁束は
、長手方向に配向された上層の右側へ最初に導通される
。
磁束が領域ＲＪにおいて右側の脚部との接合部に到達す
ると、下層へ転送され、その横方向に配向された層にお
いてその磁極の後方に向かって導通される。磁束は、ヨ
ークの後部に到達すると、回転によって左へ移動するた
めに上層へジャンプして戻らなければならない。磁束は
、相補的な仕方で進んで、左側の磁極チップに戻る磁束
路を完成する。
ると、下層へ転送され、その横方向に配向された層にお
いてその磁極の後方に向かって導通される。磁束は、ヨ
ークの後部に到達すると、回転によって左へ移動するた
めに上層へジャンプして戻らなければならない。磁束は
、相補的な仕方で進んで、左側の磁極チップに戻る磁束
路を完成する。
第１Ｏ図において、磁極ＰＩ及びＰ２は積層される。第
１層Ｌ１は各磁極の上に延びており、技手方向に配向さ
れる。層Ｌ２は横方向に配向され、各磁極上に延びてい
る。各層の各部分間を確実に結合するためにヨークにバ
イアスが与えられる。この実施例においては、第９図の
実施例の場合と同じプロセスが行なわれるが、経路にお
ける向きの切り換えは急激ではない。又、磁極チップは
積層される。
１層Ｌ１は各磁極の上に延びており、技手方向に配向さ
れる。層Ｌ２は横方向に配向され、各磁極上に延びてい
る。各層の各部分間を確実に結合するためにヨークにバ
イアスが与えられる。この実施例においては、第９図の
実施例の場合と同じプロセスが行なわれるが、経路にお
ける向きの切り換えは急激ではない。又、磁極チップは
積層される。
上記装置の信号磁束から電気信号を発生するためにはヨ
ークにトランスジューサを組合せねばならないことが明
らかであろう。本発明を実施に伴い種々のトランスジュ
ーサ構成を機能させることができる。
ークにトランスジューサを組合せねばならないことが明
らかであろう。本発明を実施に伴い種々のトランスジュ
ーサ構成を機能させることができる。
１皿
乾式の真空蒸着構成においては、ウェハ基体を蒸着中に
横方向に配向された磁界中におくことにより横方向に配
向された層をウェハ上に付着することができる。（或い
は又、結晶学的に配向される軸を横方向におくような結
晶配向でフィルムを成長させることによりこれを行なっ
てもよい。）横方向に配向された磁界は、例えば、コイ
ルによって供給することもできるし、或いはスパッタリ
ング装置のマグネトロンターゲット磁石によって供給す
ることもできる。又、蒸着は、表面に直角な角度で行な
ってもよいし、入射方向が好ましい軸を確立する場合に
は表面に直角な角度以外の角度で行なってもよい。例え
ば、１つの層が横方向に対して十〇の磁界方向を有し、
そして他方の層が一〇で配向されてもよい。その後の加
熱処理中に、全ての磁界を取り去ると、２つの層を自己
バイアスできるようになる。更に、他のヘッド層を配向
するために外部の横方向磁界を存在させねばならない構
成においては、両層の容易軸をθより若干大きな角度に
設定して、アニールの後に、角度θに弛緩するようにす
ることができる。
横方向に配向された磁界中におくことにより横方向に配
向された層をウェハ上に付着することができる。（或い
は又、結晶学的に配向される軸を横方向におくような結
晶配向でフィルムを成長させることによりこれを行なっ
てもよい。）横方向に配向された磁界は、例えば、コイ
ルによって供給することもできるし、或いはスパッタリ
ング装置のマグネトロンターゲット磁石によって供給す
ることもできる。又、蒸着は、表面に直角な角度で行な
ってもよいし、入射方向が好ましい軸を確立する場合に
は表面に直角な角度以外の角度で行なってもよい。例え
ば、１つの層が横方向に対して十〇の磁界方向を有し、
そして他方の層が一〇で配向されてもよい。その後の加
熱処理中に、全ての磁界を取り去ると、２つの層を自己
バイアスできるようになる。更に、他のヘッド層を配向
するために外部の横方向磁界を存在させねばならない構
成においては、両層の容易軸をθより若干大きな角度に
設定して、アニールの後に、角度θに弛緩するようにす
ることができる。
第１層が敷設された後に、緩衝層（非磁気）を付着する
ことができる。乾式付着の場合には、金属よりも薄く形
成できるセラミックを使用し、このセラミックにより第
１層と次の層との間の交換結合を停止するようにするの
が便利である。例えば、直交構成においては、第２の磁
気層は、ウェハを第１付着位置に対して９０″回転する
か又は磁界を９０°回転させて付着される。これらの層
が付着された後に、マスク式のイオンミリングプロセス
によってヨークを形成することができる。
ことができる。乾式付着の場合には、金属よりも薄く形
成できるセラミックを使用し、このセラミックにより第
１層と次の層との間の交換結合を停止するようにするの
が便利である。例えば、直交構成においては、第２の磁
気層は、ウェハを第１付着位置に対して９０″回転する
か又は磁界を９０°回転させて付着される。これらの層
が付着された後に、マスク式のイオンミリングプロセス
によってヨークを形成することができる。
各々の配向層をサブ積層＄７４成にすることが便利であ
ると考えられる場合には、−緒に対にされるサブ居にお
ける磁化の配向が同じ方向になるのが好ましい。乾式付
着は、この形式の重積層構造体に適していることが分か
っている。
ると考えられる場合には、−緒に対にされるサブ居にお
ける磁化の配向が同じ方向になるのが好ましい。乾式付
着は、この形式の重積層構造体に適していることが分か
っている。
湿式プロセスにおいては、バイアス磁界中でメツキマス
クを通して各層が付着されて、適当な磁気ドメイン配向
が確立される。非磁気層は、例えば、それがＮ１−Ｐ、
Ａｕ、Ｃｕ、等の金属である場合にメツキすることがで
きる。緩衝層としてセラミックを用いる場合には、マス
クを除去した後にこれをスパッタリングしなければなら
ない。
クを通して各層が付着されて、適当な磁気ドメイン配向
が確立される。非磁気層は、例えば、それがＮ１−Ｐ、
Ａｕ、Ｃｕ、等の金属である場合にメツキすることがで
きる。緩衝層としてセラミックを用いる場合には、マス
クを除去した後にこれをスパッタリングしなければなら
ない。
これで、この構造体は、次の磁気層を受は入れる準備が
でき、その際に種層及びマスクが敷設され、その上に層
がメツキされる。
でき、その際に種層及びマスクが敷設され、その上に層
がメツキされる。
上記した技術に伴う問題は、非常に高い温度に曝したと
きに（例えば、ＮｉＦｅ磁極の場合には２００℃以上に
３０分以上）、磁界中での付着によって得られる誘起さ
れる非等方性に悪影響が及ぶことである。このような鋭
敏性は、入射角度による解決策を用いて乾式付着につい
て上記した非等力性を誘起することによって解消するこ
とができる。特に、長平方向に配向された磁界中でヨー
クの底の第１層を付着することができる。この層は、プ
ロセスの他部分に用いられるプロセス温度よりも相当に
高い温度において磁界中でアニールすることができる。
きに（例えば、ＮｉＦｅ磁極の場合には２００℃以上に
３０分以上）、磁界中での付着によって得られる誘起さ
れる非等方性に悪影響が及ぶことである。このような鋭
敏性は、入射角度による解決策を用いて乾式付着につい
て上記した非等力性を誘起することによって解消するこ
とができる。特に、長平方向に配向された磁界中でヨー
クの底の第１層を付着することができる。この層は、プ
ロセスの他部分に用いられるプロセス温度よりも相当に
高い温度において磁界中でアニールすることができる。
次いで、ヨーク下部の上層及びヨーク上部の下層が横方
向磁界中で付着され、この磁界は高温プロセス中維持さ
れる。その後、上部ヨークの上層が技手方向磁界中で付
着され、これはアニールされない。次いで、下層のみが
非等方性低減アニールを受け、その配向の若干のみを保
持するようにする。しかし、この最も下の居の配向は、
ヨークの導電率にとっては重要であるが、磁極チップの
導電率にとっては重要なものでな（、従って、このよう
な導電率を減少することができる。
向磁界中で付着され、この磁界は高温プロセス中維持さ
れる。その後、上部ヨークの上層が技手方向磁界中で付
着され、これはアニールされない。次いで、下層のみが
非等方性低減アニールを受け、その配向の若干のみを保
持するようにする。しかし、この最も下の居の配向は、
ヨークの導電率にとっては重要であるが、磁極チップの
導電率にとっては重要なものでな（、従って、このよう
な導電率を減少することができる。
他の実施例については、請求の範囲から明らかであろう
。
。
上記プロセスに用いられる磁極の材料は、ニッケル、鉄
及びコバルトの合金や、磁気ガーネットや、フェライト
結晶を含むが、これに限定されるものではない。
及びコバルトの合金や、磁気ガーネットや、フェライト
結晶を含むが、これに限定されるものではない。
第１ａ図は、公知磁極の上層の概略図、第１ｂ図は、第
１ａ図の公知磁極の２層構成を示す断面図、 第２図は、本発明の好ましい実施例の２層磁極を示す概
略図、 第３図は、第２図の磁極の上層を示す概略図、第４図は
、第２図の磁極の下層を示す概略図、第５図は、公知の
単一方向性非等方性ヘッドを示す２つの概略図、 第６図は、本発明の別の実施例を示す３つの概略図で、
角度及び回転成分より成る磁束ビームを示す図、 第７図は、各々が平行なサブ層を有する２つの層を備え
た本発明の別の積層実施例を示す概略図、 第８図は、一般の積層された２極描成を示す図、 第９図は、磁極ＰＬ及びＰ２が同じ水平面内にある本発
明の別の実施例を示す概略図、そして第１０図は、磁極
Ｐ１及びＰ２が積層された本発明の別の実施例を示す概
略図である。 １０・・・磁極 １２・・・ドメイン１６・・・小さ
な縁ドメイン ２０・・・磁極チップ ２２・・・細長い縁ドメイン ２３・・・そで章マーク ２４・・・ヨーク領域 Ｌ１％Ｌ２・・・層 ｇ・・・ギャップ 図面のｉ？コ（出立に変更なし） 縁ドメインを取り扱うために ／ｐご（１千ヤツフ ＦＩＧ、８ ＦＩＧ、 ５ ヨーク トラック幅 平成 年 月 （可
１ａ図の公知磁極の２層構成を示す断面図、 第２図は、本発明の好ましい実施例の２層磁極を示す概
略図、 第３図は、第２図の磁極の上層を示す概略図、第４図は
、第２図の磁極の下層を示す概略図、第５図は、公知の
単一方向性非等方性ヘッドを示す２つの概略図、 第６図は、本発明の別の実施例を示す３つの概略図で、
角度及び回転成分より成る磁束ビームを示す図、 第７図は、各々が平行なサブ層を有する２つの層を備え
た本発明の別の積層実施例を示す概略図、 第８図は、一般の積層された２極描成を示す図、 第９図は、磁極ＰＬ及びＰ２が同じ水平面内にある本発
明の別の実施例を示す概略図、そして第１０図は、磁極
Ｐ１及びＰ２が積層された本発明の別の実施例を示す概
略図である。 １０・・・磁極 １２・・・ドメイン１６・・・小さ
な縁ドメイン ２０・・・磁極チップ ２２・・・細長い縁ドメイン ２３・・・そで章マーク ２４・・・ヨーク領域 Ｌ１％Ｌ２・・・層 ｇ・・・ギャップ 図面のｉ？コ（出立に変更なし） 縁ドメインを取り扱うために ／ｐご（１千ヤツフ ＦＩＧ、８ ＦＩＧ、 ５ ヨーク トラック幅 平成 年 月 （可
Claims (75)
- （１）第１軸に沿って信号磁束を導通することのできる
薄膜磁気装置において、 少なくとも１組の磁気ドメインを具備し、 上記磁気ドメインの第１は、上記第１軸に対してある角
度で第１方向に信号磁束を導通することができ、 上記磁気ドメインの第２は、上記第１方向とは異なる第
２方向に信号磁束を導通することができ、そして 上記ドメインは、上記信号磁束を上記第１軸に沿って流
すことができるように互いに接続されたことを特徴とす
る薄膜磁気装置。 - （２）少なくとも２つの磁気層を更に備え、上記第１ド
メインは上記第１層にありそして上記第２ドメインは上
記第２層にあり、上記層は、休止状態における各層のド
メイン状態が互いに独立したものとなるように互いに分
離される請求項１に記載の装置。 - （３）少なくとも２つの磁気層を更に備え、上記第１ド
メインは上記第１層にありそして上記第２ドメインは上
記第２層にあり、上記層は、休止状態における各層のド
メインの状態が互いに独立したものとならないよう互い
に分離されない請求項１に記載の装置。 - （４）上記第１層は、２つの平行な磁気層を備えている
請求項２に記載の装置。 - （５）上記第１層は、２つの平行な磁気層を備えている
請求項３に記載の装置。 - （６）上記第２層は、２つの平行な磁気層を備えている
請求項２に記載の装置。 - （７）上記第２層は、２つの平行な磁気層を備えている
請求項３に記載の装置。 - （８）上記第１層は２つの平行な磁気層を備えそして上
記第２層は２つの平行な磁気層を備えている請求項２に
記載の装置。 - （９）上記第１層は２つの平行な磁気層を備えそして上
記第２層は２つの平行な磁気層を備えている請求項３に
記載の装置。 - （１０）上記第１ドメイン及び第２ドメインは互いに垂
直な向きにされる請求項１に記載の装置。 - （１１）上記第１ドメイン及び第２ドメインは傾斜した
向きにされる請求項１に記載の装置。 - （１２）上記第１及び第２ドメインは、各々、上記第１
及び第２の方向に信号磁束を導通することができる請求
項１に記載の装置。 - （１３）ヨーク部分において互いに接続された少なくと
も２つの磁極を備え、これらの磁極はその先端において
ギャップによって分離されて一方が他方の上に積層され
そしてこれらの磁極は上記第１及び第２ドメインに接続
される請求項１に記載の装置。 - （１４）ヨーク部分において互いに接続された少なくと
も２つの磁極を備え、これらの磁極はその先端において
ギャップによって分離されて一方が他方の上に積層され
、上記磁極は単一の平面内において互いに隣接配置され
そして上記の磁極は上記第１及び第２ドメインに接続さ
れる請求項１に記載の装置。 - （１５）上記装置は、更に、同一の配置平面上に存在す
る２つの極を備え、これらの極は、上記２つの方向に回
転することによって導通することができ、これにより、
上記装置は磁気記録ヘッドとして働くことができる請求
項１に記載の装置。 - （１６）上記装置は、更に、積層ヨークを備え、該ヨー
クは上記２つの方向に回転することによって導通するこ
とができ、これにより、上記装置は変成器として働くこ
とができる請求項１に記載の装置。 - （１７）上記装置は、更に、上記２つの方向に回転する
ことにより信号磁束を導通できる積層磁気構造体を備え
、これにより、上記装置は磁界センサとして働くことが
できる請求項１に記載の装置。 - （１８）上記装置は、更に、上記２つの方向に信号磁束
を回転することにより外部磁界に応答できる少なくとも
１つの積層素子を備えており、これにより、上記装置は
バブルメモリ磁界構造体として働くことができる請求項
１に記載の装置。 - （１９）上記装置は、更に、上記２つの方向に信号磁束
を回転することにより外部磁界に応答できる積層構造体
を備えており、これにより、上記装置は積層磁気メモリ
素子として働くことができる請求項１に記載の装置。 - （２０）上記装置は、更に、上記２つの方向に信号磁束
を回転することにより外部磁界に応答できる積層構造体
を備えており、これにより、上記装置は積層磁界シール
ドとして働くことができる請求項１に記載の装置。 - （２１）第１軸に沿って信号磁束を導通することのでき
る薄膜磁気装置において、 少なくとも１組の磁気ドメインを具備し、 上記組の各ドメインは、第１及び第２の平面内方向に信
号磁束を導通することができ、 上記ドメインは、上記第１軸に沿って信号磁束を流せる
ように互いに接続されることを特徴とする薄膜磁気装置
。 - （２２）信号磁束を導通することのできる薄膜磁気記録
ヘッド装置において、 ２つの磁気層を有する少なくとも１つの極を具備し、 上記磁気層の第１は第１の方向に向けられたドメインを
有し、上記磁気層の第２は第２の別の方向に向けられた
ドメインを有し、 上記層は、それらの間に信号磁束を流せるように互いに
接続されていることを特徴とする薄膜磁気記録ヘッド装
置。 - （２３）上記層は互いに垂直であり、休止状態における
各々のドメイン状態が互いに独立したものとなるように
互いに分離される請求項２２に記載の装置。 - （２４）上記第１及び第２の方向は互いに傾斜され、上
記層は、休止状態における各層のドメイン状態が互いに
独立したものとならないよう分離されない請求項２２に
記載の装置。 - （２５）上記第１層に対して磁気的に平行な向きにされ
そしてそこから分離されておらず、休止状態における各
々のドメイン状態が互いに独立したものとならないよう
にされた少なくとも１つの付加的な磁気層を更に備えた
請求項２２に記載の装置。 - （２６）少なくとも２つの付加的な磁気層を具備し、１
つのこのような付加的な層の向きは上記第１層の向きと
平行であって上記第１層から分離されず、休止状態にお
ける各々のドメインの状態が互いに独立したものとなら
ず、そして第２の上記付加的な層の向きは上記第２の磁
気層の向きと平行であってそこから分離されおらず、休
止状態における各々のドメインの状態が互いに独立した
ものとならず、そして上記第１の磁気層及び上記第２の
磁気層は、休止状態における各々のドメインの状態が互
いに独立したものとなるように互いに分離される請求項
２２に記載の装置。 - （２７）第２の磁極を更に具備し、これら磁極は一方が
他方の上に積層される請求項２２に記載の装置。 - （２８）第２の磁極を更に具備し、これら磁極は１つの
平面内で互いに隣接配置される請求項２２に記載の装置
。 - （２９）少なくとも２つの軸に沿って信号磁束を回転す
ることにより信号を導通することのできる薄膜磁気装置
において、 少なくとも２つの磁気層を具備し、 上記磁気層の第１は、上記信号磁束を第１方向に導通す
るように配置され、 上記磁気層の第２は、上記第１方向とは異なる第２方向
に信号磁束を導通するよう配置され、そして 上記層は、それらの間に上記信号磁束を流すことができ
るように互いに接続されたことを特徴とする薄膜磁気装
置。 - （３０）上記層は、休止状態における各々のドメイン状
態が互いに独立したものとなるように互いに分離される
請求項２９に記載の装置。 - （３１）上記層は、休止状態における各々のドメインの
状態が互いに独立したものとならないように互いに分離
されない請求項２９に記載の装置。 - （３２）上記第１層は２つの平行な磁気層を備えている
請求項２９に記載の装置。 - （３３）上記第２層は２つの平行な磁気層を備えている
請求項２９に記載の装置。 - （３４）上記第１層は２つの平行な磁気層を備え、上記
第２層は２つの平行な磁気層を備えている請求項２９に
記載の装置。 - （３５）上記第１層は、休止状態における各々のドメイ
ンの状態が互いに独立したものとなるように上記第２層
から分離される請求項３４に記載の装置。 - （３６）上記第１層は、休止状態における各々のドメイ
ンの状態が互いに独立したものとならないように上記第
２層から分離されない請求項３４に記載の装置。 - （３７）上記第１及び第２の方向は互いに垂直である請
求項２９に記載の装置。 - （３８）上記第１及び次の方向は互いに傾斜される請求
項２９に記載の装置。 - （３９）ヨーク部分において互いに接続された少なくと
も２つの磁極を更に備え、これら磁極はそれらの先端に
おいてギャップで分離されて一方が他方の上に積層され
、そしてこれらの磁極は上記層に接続される請求項２９
に記載の装置。 - （４０）ヨーク部分において互いに接続された少なくと
も２つの磁極を更に備え、これら磁極はそれらの先端に
おいてギャップで分離されて一方が他方の上に積層され
、これら磁極はヨーク領域において互いに隣接して存在
しそしてこれら磁極は上記層に接続される請求項２９に
記載の装置。 - （４１）上記装置は、更に、同じ配置平面上に存在する
２つの極を備え、これらの極は、上記２つの方向に回転
することによって導通することができ、これにより、上
記装置は磁気記録ヘッドとして働くことができる請求項
２９に記載の装置。 - （４２）上記装置は、更に、積層ヨークを備え、このヨ
ークは上記２つの方向に回転することによって導通する
ことができ、これにより、上記装置は変成器として働く
ことができる請求項２９に記載の装置。 - （４３）上記装置は、更に、上記２つの方向に回転する
ことによって信号磁束を導通できる積層磁気構造体を備
え、これにより、上記装置は、磁界センサとして働くこ
とができる請求項２９に記載の装置。 - （４４）上記装置は、更に、上記２つの方向に磁束を回
転することにより外部磁界に応答することのできる少な
くとも１つの積層素子を備えており、これにより、上記
装置は、バブルメモリ磁界構造体として働くことができ
る請求項２９に記載の装置。 - （４５）上記装置は、更に、上記２つの方向に磁束を回
転することにより外部磁界に応答することのできる積層
構造体を備えており、これにより、上記装置は、積層磁
気メモリ素子として働くことができる請求項２９に記載
の装置。 - （４６）上記装置は、更に、上記２つの方向に磁束を回
転することにより外部磁界に応答することのできる積層
構造体を備えており、これにより、上記装置は、積層磁
気シールドとして働くことができる請求項２９に記載の
装置。 - （４７）第１軸に沿って少なくとも１つの磁極を有する
薄膜磁気導通装置を製造する方法において、 ａ）ドメインが第１方向に向けられた第１磁気層を構成
し、 ｂ）ドメインが次の方向に向けられた次の磁気層を構成
し、そして ｃ）信号磁束が上記層間に流れることができるようにこ
れら層を互いに接続するという段階を具備することを特
徴とする方法。 - （４８）上記層は、休止状態における各々のドメイン状
態が互いに独立したものとなるように互いに分離される
請求項４７に記載の方法。 - （４９）上記層は、休止状態における各々のドメイン状
態が互いに独立したものとならないように互いに分離さ
れない請求項４７に記載の方法。 - （５０）上記段階ａ）は、上記第１層に複数の平行なサ
ブ磁気層を構成する段階を含み、このサブ磁気層は互い
に分離されておらず、休止状態における各々のドメイン
状態が互いに独立したものとならないようにされる請求
項４７に記載の方法。 - （５１）上記段階ｂ）は、上記次の層に複数の平行な磁
気サブ層を構成する段階を備え、このサブ層は互いに分
離されず、休止状態における各々のドメイン状態が互い
に独立したものとならないようにされる請求項５０に記
載の方法。 - （５２）上記段階ｂ）は、上記次の層に複数の平行な磁
気サブ層を構成する段階を備え、このサブ層は互いに分
離されず、休止状態における各々のドメイン状態が互い
に独立したものとならないようにされる請求項４７に記
載の方法。 - （５３）上記第１方向は上記第１軸に沿っており、そし
て上記次の方向は上記第１軸に直角である請求項４７に
記載の方向。 - （５４）上記第１方向は、上記第１軸に対してある角度
で横に傾斜されており、上記次の方向は、上記第１方向
が上記第１軸に対して横に傾斜される角度とは相補的な
角度で上記第１軸に対して横に傾斜される請求項４７に
記載の方向。 - （５５）上記第１磁気層を基体上に真空蒸着する段階を
備えた請求項４７に記載の方法。 - （５６）上記第１磁気層にギャップ層を付着する段階を
含む請求項５５に記載の方法。 - （５７）上記ギャップ層に上記次の磁気層を形成する段
階を更に備えた請求項５６に記載の方法。 - （５８）上記付着は乾式付着プロセスである請求項５７
に記載の方法。 - （５９）上記付着はメッキプロセスである請求項５７に
記載の方法。 - （６０）上記ギャップ層はセラミック材料で形成される
請求項５６に記載の方法。 - （６１）上記第１磁気層はアニールされる請求項４７に
記載の方法。 - （６２）上記第１磁気層は結晶学的な配向にされる請求
項４７に記載の方法。 - （６３）上記第１方向は、上記第１層の横軸に沿って向
けられる請求項４７に記載の方法。 - （６４）上記第１方向は、上記第１層の長手軸に沿って
向けられる請求項４７に記載の方法。 - （６５）上記第１軸層は、磁歪によって第１方向に配向
される請求項４７に記載の方法。 - （６６）上記第１磁気層は、強力な磁界によって上記第
１方向に配向される請求項４７に記載の方法。 - （６７）上記第１磁気層は、全てが同じ第１方向に配向
された多数の積層より成る請求項４７に記載の方法。 - （６８）横の同一平面方向に広がる磁束を回転によって
生じることができるように単に横の同一平面方向にない
非等方性の構造体を提供することより成る磁束導通方法
。 - （６９）磁束を回転して横の同一平面方向に広げること
のできる装置において、好ましい休止状態が単に横の同
一平面方向にないような磁束導通構造体を具備すること
を特徴とする装置。 - （７０）信号磁束を所望の方向に回転することにより休
止方向に磁気を有する磁気構造体に導通する方法におい
て、上記磁気を休止方向に配向して、信号磁束を回転に
よって上記構造体に導通するための長手方向及び横方向
の比較的好ましい信号磁束導通経路が存在するようにし
たことを特徴とする方法。 - （７１）信号磁束を所望の方向に回転することにより構
造体平面に垂直な休止方向に磁気を有する磁気構造体に
導通する方法において、上記磁気を休止方向に配向して
、信号磁束を回転によって上記構造体に導通するための
長手方向及び横方向の好ましい信号磁束導通経路が存在
するようにしたことを特徴とする方法。 - （７２）磁気装置において、磁束が長手方向の信号磁束
導通軸に沿って伝播するときに磁束を横方向に広げるこ
とのできる方法において、２つの低磁気抵抗信号磁束導
通路を設けることを特徴とする方法。 - （７３）磁気装置においてドメインの回転により信号磁
束を導通する方法において、２つの比較的低磁気抵抗の
導通路を上記装置に設けることを特徴とする方法。 - （７４）上記ギャップは約３００ないし２０００Åであ
る請求項５６に記載の方法。 - （７５）上記ギャップは約３００ないし２０００Åであ
る請求項３９に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US227808 | 1988-08-03 | ||
| US07/227,808 US5089334A (en) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | Flux spreading thin film magnetic devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02181402A true JPH02181402A (ja) | 1990-07-16 |
Family
ID=22854551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1200126A Pending JPH02181402A (ja) | 1988-08-03 | 1989-08-01 | 信号磁束を広げる薄膜磁気装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5089334A (ja) |
| EP (1) | EP0353911B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02181402A (ja) |
| AT (1) | ATE133807T1 (ja) |
| DE (1) | DE68925548T2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5085935A (en) * | 1988-08-03 | 1992-02-04 | Digital Equipment Corporation | Flux spreading thin film magnetic devices |
| US5089334A (en) * | 1988-08-03 | 1992-02-18 | Digital Equipment Corporation | Flux spreading thin film magnetic devices |
| US5184267A (en) * | 1989-06-02 | 1993-02-02 | Digital Equipment Corporation | Transducer with improved inductive coupling |
| US5195005A (en) * | 1989-06-02 | 1993-03-16 | Digital Equipment Corporation | Tranducer with improved inductive coupling |
| US5311386A (en) * | 1989-06-02 | 1994-05-10 | Digital Equipment Corporation | Transducer with improved inductive coupling |
| US5428893A (en) * | 1989-06-02 | 1995-07-04 | Quantum Corporation | Method of making a transducer with improved inductive coupling |
| US5379172A (en) * | 1990-09-19 | 1995-01-03 | Seagate Technology, Inc. | Laminated leg for thin film magnetic transducer |
| US5187628A (en) * | 1990-10-12 | 1993-02-16 | Fujitsu Limited | Thin film magnetic head having magnetic anisotropy with in-plane and perpendicular components |
| JP3022023B2 (ja) | 1992-04-13 | 2000-03-15 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録再生装置 |
| US5375023A (en) * | 1992-12-29 | 1994-12-20 | International Business Machines Corporation | Submicron thin film inductive head with self-aligned staggered pole-tips |
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| US5982177A (en) * | 1997-08-08 | 1999-11-09 | Florida State University | Magnetoresistive sensor magnetically biased in a region spaced from a sensing region |
| JP2000284028A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Kaneo Mori | 薄膜磁性体ｍｉ素子 |
| US6846396B2 (en) * | 2002-08-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Active magnetic shielding |
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