JPH02181984A - 超電導回路の製造方法 - Google Patents
超電導回路の製造方法Info
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- JPH02181984A JPH02181984A JP1002340A JP234089A JPH02181984A JP H02181984 A JPH02181984 A JP H02181984A JP 1002340 A JP1002340 A JP 1002340A JP 234089 A JP234089 A JP 234089A JP H02181984 A JPH02181984 A JP H02181984A
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- Japan
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- substrate
- thin film
- ion beam
- ions
- superconducting thin
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は超電導回路、詳しくは超電導薄膜回路、の製造
方法に関する。
方法に関する。
〈従来の技術〉
超電導薄膜回路を製作するには、従来、基板上にＮｂ等
の超電導体を蒸着させて−様な超電導薄膜を形成し、次
いでその表面にレジストを塗布し、露光および現像後に
エツチングを行い、更にレジストを除去するという工程
により、所望のパターンを有する超電導薄膜を得ていた
。
の超電導体を蒸着させて−様な超電導薄膜を形成し、次
いでその表面にレジストを塗布し、露光および現像後に
エツチングを行い、更にレジストを除去するという工程
により、所望のパターンを有する超電導薄膜を得ていた
。
〈発明が解決しようとする課題〉
上述のような従来の超電導薄膜回路の製造方法によると
、工程が多く繁雑で、完成までに長時間を要するととも
に、光露光のためにはフォトマスクを製作する必要があ
り、また、薄膜を人気中にさらし、あるいは大気中と真
空中を往復させる工程があるため、大気からの吸着汚染
の惧れもある。
、工程が多く繁雑で、完成までに長時間を要するととも
に、光露光のためにはフォトマスクを製作する必要があ
り、また、薄膜を人気中にさらし、あるいは大気中と真
空中を往復させる工程があるため、大気からの吸着汚染
の惧れもある。
本発明の目的は、簡単な工程で、しかも、工程途中で超
電導薄膜を大気にさらす必要のない、超電導薄膜回路の
製造方法を提供することにある。
電導薄膜を大気にさらす必要のない、超電導薄膜回路の
製造方法を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため、本発明では、実施例に対応
する第１図に示すように、基板１上の表面に、超電導薄
膜の素材をイオン化して作った集束イオンビームＢを所
定のエネルギに減速して所定パターンで照射することに
より、そのイオンを基板１表面に直接蒸着させる。
する第１図に示すように、基板１上の表面に、超電導薄
膜の素材をイオン化して作った集束イオンビームＢを所
定のエネルギに減速して所定パターンで照射することに
より、そのイオンを基板１表面に直接蒸着させる。
く作用〉
集束イオンビームをターゲットの直前であるエネルギ以
下に減速すると、そのイオンはクーゲノトの表面に蒸着
して膜を作る。
下に減速すると、そのイオンはクーゲノトの表面に蒸着
して膜を作る。
本発明はこの性質を利用したもので、超電導薄膜素材を
イオン化して集束イオンビームを作り、これを直接蒸着
可能なエネルギにまで減速して基板１上に所望のパター
ンで照射すれば、基板１の表面にそのパターンの超電導
薄膜２が形成される。
イオン化して集束イオンビームを作り、これを直接蒸着
可能なエネルギにまで減速して基板１上に所望のパター
ンで照射すれば、基板１の表面にそのパターンの超電導
薄膜２が形成される。
〈実施例〉
第１図は本発明実施例の工程説明図で、第２図はその工
程に使用される減速機能付の集束・イオンビーム装置の
構造説明図である。
程に使用される減速機能付の集束・イオンビーム装置の
構造説明図である。
まず、石英、Ｓｉ等の基板１の表面を清浄化し、これを
第２図に例示する減速機能付の集束イオンビーム装置の
サンプルステージ１７上に装着する。
第２図に例示する減速機能付の集束イオンビーム装置の
サンプルステージ１７上に装着する。
この減速機能付の集束イオンビーム装置は、チャンバ（
図示せず）内に液体金属イオン源１１、引出し電極１２
、静電型レンズ１３ａおよび１３ｂ１マスフイルタ１４
、偏向電極１５、減速電極１６、およびサンプルステー
ジ１７等を設けるとともに、イオンに加速エネルギを与
える加速電源１８と、・イオン源１１と引出し電極１２
間に電位差を与える引出し電源１９、および、イオンに
減速エネルギを与える減速電源２０を備えている。この
構成により、イオン源１１から引出されたイオンビーム
Ｂは静電型レンズ１３ａ、１３ｂで集束されると同時に
、マスフィルタ１４で所望イオンのみが選別されてサン
プルステージ１７に導かれるが、この集束イオンビーム
Ｂがサンプルステージ１７に到達するときのエネルギは
、加速電源１８と減速電源２０との出力電圧差に等しい
ものとなる。
図示せず）内に液体金属イオン源１１、引出し電極１２
、静電型レンズ１３ａおよび１３ｂ１マスフイルタ１４
、偏向電極１５、減速電極１６、およびサンプルステー
ジ１７等を設けるとともに、イオンに加速エネルギを与
える加速電源１８と、・イオン源１１と引出し電極１２
間に電位差を与える引出し電源１９、および、イオンに
減速エネルギを与える減速電源２０を備えている。この
構成により、イオン源１１から引出されたイオンビーム
Ｂは静電型レンズ１３ａ、１３ｂで集束されると同時に
、マスフィルタ１４で所望イオンのみが選別されてサン
プルステージ１７に導かれるが、この集束イオンビーム
Ｂがサンプルステージ１７に到達するときのエネルギは
、加速電源１８と減速電源２０との出力電圧差に等しい
ものとなる。
すなわち、集束イオンビームＢは、減速電極１６に近づ
くまでは加速電源１８で与えられるエネルギを持ってい
るが、減速電極１日とサンプルステージ１７の電位を減
速電源２０によって上げると、基板１に入射する集束イ
オンビームＢはその分だけ減速される。従って、減速電
源２０の出力調整により、原理的には、０〜加速電源１
８出力までの間で、連続的に集束イオンビームＢの基板
１への到達エネルギを変化させ得ることになる。
くまでは加速電源１８で与えられるエネルギを持ってい
るが、減速電極１日とサンプルステージ１７の電位を減
速電源２０によって上げると、基板１に入射する集束イ
オンビームＢはその分だけ減速される。従って、減速電
源２０の出力調整により、原理的には、０〜加速電源１
８出力までの間で、連続的に集束イオンビームＢの基板
１への到達エネルギを変化させ得ることになる。
さて、このような装置のチャンバ内を真空引きするとと
もに、イオン源１１に例えばＮｂ−Ｎ合金を封入し、Ｎ
ｂ”イオンをサンプルステージ１６上の基板１に導くよ
うセツティングする。そして、減速電源２０の調節によ
り、Ｎｂ”が基板１の表面に直接蒸着できる程度（２０
０ｅＶ以下程度）に減速した集束イオンビームＢを発生
させる。この減速された集束イオンビームＢを偏向電極
１５で偏向させることにより、第１図に示すようにｕ＋
５．１の表面に所定のパターンで照射する。
もに、イオン源１１に例えばＮｂ−Ｎ合金を封入し、Ｎ
ｂ”イオンをサンプルステージ１６上の基板１に導くよ
うセツティングする。そして、減速電源２０の調節によ
り、Ｎｂ”が基板１の表面に直接蒸着できる程度（２０
０ｅＶ以下程度）に減速した集束イオンビームＢを発生
させる。この減速された集束イオンビームＢを偏向電極
１５で偏向させることにより、第１図に示すようにｕ＋
５．１の表面に所定のパターンで照射する。
これにより、基板１の表面にはそのパターンのＮｂ製の
超電導薄膜２が形成される。
超電導薄膜２が形成される。
なお、超電導薄膜２の材質としては、Ｎｂのほか、Ｐｂ
、ＴｃあるいはＶ等を使用することができ、本発明の方
法によってこれらを用いた超電導薄膜回路を製造するこ
とができる。
、ＴｃあるいはＶ等を使用することができ、本発明の方
法によってこれらを用いた超電導薄膜回路を製造するこ
とができる。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、超電導薄膜素材
をイオン化した集束イオンビームを減速して基ヰ反に照
射することによって、そのイオンを基板表面に直接蒸着
させて所望のパターンの超電導薄膜を形成するので、従
来の製造方法に比してその工程を著しく簡略化すること
ができ、製造の所要時間の短縮とコストダウンを達成で
きる。
をイオン化した集束イオンビームを減速して基ヰ反に照
射することによって、そのイオンを基板表面に直接蒸着
させて所望のパターンの超電導薄膜を形成するので、従
来の製造方法に比してその工程を著しく簡略化すること
ができ、製造の所要時間の短縮とコストダウンを達成で
きる。
また、従来の製法のようにレジストの塗布工程や露光、
現像工程等を必要とせず、マスクの製作が不要となると
ともに、工程の途中で大気中に超電導薄膜をさらす必要
がなくなり、吸着汚染の惧れがなく、信頼性の高い超電
導回路が得られる。
現像工程等を必要とせず、マスクの製作が不要となると
ともに、工程の途中で大気中に超電導薄膜をさらす必要
がなくなり、吸着汚染の惧れがなく、信頼性の高い超電
導回路が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明実施例の工程説明図、
第２図はその工程で使用される減速機能付の集束イオン
ビーム装置の構造説明図である。 １・・・基板 ２ ・ ・ 」＝【１′１１１：≦（１【ンＷ膜Ｂ・
・・集束イオンビーム
ビーム装置の構造説明図である。 １・・・基板 ２ ・ ・ 」＝【１′１１１：≦（１【ンＷ膜Ｂ・
・・集束イオンビーム
Claims (1)
- 超電導薄膜素材のイオンからなる集束イオンビームを、
所定のエネルギに減速して基板の表面に所定パターンで
照射し、そのイオンを基板表面に直接蒸着させることを
特徴とする超電導回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002340A JP2890431B2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 超電導回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002340A JP2890431B2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 超電導回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02181984A true JPH02181984A (ja) | 1990-07-16 |
| JP2890431B2 JP2890431B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=11526570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1002340A Expired - Lifetime JP2890431B2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 超電導回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2890431B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06158292A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-07 | Shimadzu Corp | 集束イオンビーム蒸着装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186342A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-16 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS60137012A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Ulvac Corp | イオンビ−ムエピタキシヤル成長装置 |
| JPS6396921A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法 |
-
1989
- 1989-01-09 JP JP1002340A patent/JP2890431B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186342A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-16 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS60137012A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Ulvac Corp | イオンビ−ムエピタキシヤル成長装置 |
| JPS6396921A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06158292A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-07 | Shimadzu Corp | 集束イオンビーム蒸着装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2890431B2 (ja) | 1999-05-17 |
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