JPH02182009A - Buffer amplifier circuit - Google Patents
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- JPH02182009A JPH02182009A JP118289A JP118289A JPH02182009A JP H02182009 A JPH02182009 A JP H02182009A JP 118289 A JP118289 A JP 118289A JP 118289 A JP118289 A JP 118289A JP H02182009 A JPH02182009 A JP H02182009A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
この発明は歪が小さく、かつ動作速度の速いバッファ増
幅回路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a buffer amplifier circuit with low distortion and high operating speed.
(従来の技術)
従来のホロワ回路の場合には、入力端子に大振幅の電圧
が印加された場合、ベース・コレクタ間(またはゲート
・ドレイン間)の接合容量値の電圧依存性により、高調
波歪を発生するとともに、その容量値により信号帯域が
制限されるという問題があった。(Prior art) In the case of a conventional follower circuit, when a large amplitude voltage is applied to the input terminal, harmonics are generated due to the voltage dependence of the base-collector (or gate-drain) junction capacitance value. There is a problem that distortion is generated and the signal band is limited by the capacitance value.
この問題は、上記ホロワ回路で発生する高調波歪が全体
回路の性能に影響を及ぼすような゛技術分野、すなわち
多数のホロワ回路が入力端子に並列に接続される並列型
A/D変換器、またはホロワ回路を主体に構成したサン
プル・ホールド回路において特に顕著であった。This problem occurs in technical fields where the harmonic distortion generated in the follower circuit affects the performance of the entire circuit, that is, parallel type A/D converters in which a large number of follower circuits are connected in parallel to the input terminal. This was especially noticeable in sample-and-hold circuits mainly composed of follower circuits.
第14図に従来のNビットの並列型A/D変換器を示す
。この図で10は並列型A/D変換器入力端子、11は
ノード、12〜1′4はトランジスタ、15〜17は定
電流源、36は電圧源、37は入力端子、この場合、入
力端子10に2N個のエミッタホロワ回路が並列に接続
される。FIG. 14 shows a conventional N-bit parallel A/D converter. In this figure, 10 is a parallel A/D converter input terminal, 11 is a node, 12 to 1'4 are transistors, 15 to 17 are constant current sources, 36 is a voltage source, and 37 is an input terminal.In this case, the input terminal 10 and 2N emitter follower circuits are connected in parallel.
第15図は、サンプルホールド回路の出力バッファアン
プとして用いられている第2の従来回路である。この図
で、100は入力端子、102〜107はトランジスタ
、108は電圧源、109は電流源、124,125は
ノードである。FIG. 15 shows a second conventional circuit used as an output buffer amplifier of a sample and hold circuit. In this figure, 100 is an input terminal, 102 to 107 are transistors, 108 is a voltage source, 109 is a current source, and 124 and 125 are nodes.
第16図は、サンプルホールド回路の出力バッファアン
プとして用いられている第3の従来回路である。この図
で、5oは入力端子、51.52はトランジスタ、53
.54は電流源、55は電圧源、56は出力端子である
。FIG. 16 shows a third conventional circuit used as an output buffer amplifier of a sample and hold circuit. In this figure, 5o is an input terminal, 51.52 is a transistor, 53
.. 54 is a current source, 55 is a voltage source, and 56 is an output terminal.
上記第14図の従来回路においては、入力端子10にお
けるベース・コレクタ間接合容量値は非常に大きな値と
なり、これに起因する高調波歪の発生ならびに信号帯域
の劣化が並列型A/D変換器の高速動作時のダイナミッ
ク精度の主な劣化要因の1つとなっていた。この並列型
A/D変換器の大きな人力容量を駆動するために、第1
4図に示すトランジスタ38と電流源39で構成される
エミッタホロワ回路が用いられてきた。しかし、この場
合にも、端子1oにおける高調波歪を低減するためには
トランジスタ3日の電流値を非常に大きくする必要があ
り、それに伴なってトランジスタ38のサイズ、すなわ
ち接合容量が大きくなり、新たな歪劣化要因をもたらす
という問題があった。In the conventional circuit shown in FIG. 14 above, the base-collector junction capacitance value at the input terminal 10 is a very large value, and this causes harmonic distortion and signal band deterioration in the parallel A/D converter. This is one of the main causes of deterioration of dynamic accuracy during high-speed operation. In order to drive the large human power capacity of this parallel A/D converter, the first
An emitter follower circuit composed of a transistor 38 and a current source 39 shown in FIG. 4 has been used. However, in this case as well, in order to reduce the harmonic distortion at the terminal 1o, it is necessary to make the current value of the transistor 3 very large, and accordingly, the size of the transistor 38, that is, the junction capacitance increases. There was a problem in that it introduced a new distortion deterioration factor.
また、第15図の従来回路においては、サンプル時に入
力端子1o○に2Vpp程度の振幅の大きい信号が人力
されるため、第14図に示した従来回路の場合と同様、
トランジスタ102および105のベース・コレクタ間
接合容量値の電圧依存性により高調波歪を発生するとと
もに信号帯域を制限するという問題点があった。In addition, in the conventional circuit shown in FIG. 15, a signal with a large amplitude of about 2Vpp is manually applied to the input terminal 1o○ during sampling, so as in the case of the conventional circuit shown in FIG.
There is a problem in that the voltage dependence of the base-collector junction capacitance values of the transistors 102 and 105 generates harmonic distortion and limits the signal band.
さらに、第16図の従来回路は、サンプルホールド回路
の出力バッファアンプとして用いられている第3の従来
回路である。この回路において、サンプル時には入力端
子5oに振幅の大きい信号が人力されるため、第14図
に示した従来回路の場合と同様、トランジスタ51およ
び52のベース・コレクタ間接合容量値の電圧依存性に
より高調波歪を発生するとともに、信号帯域を制限する
という問題があった。Further, the conventional circuit shown in FIG. 16 is a third conventional circuit used as an output buffer amplifier of a sample-and-hold circuit. In this circuit, since a signal with a large amplitude is input to the input terminal 5o during sampling, the voltage dependence of the base-collector junction capacitance of the transistors 51 and 52 is There are problems in that it generates harmonic distortion and limits the signal band.
この発明の目的は、接合容量値を等価的にゼロにし、上
記接合容量値の電圧依存性に伴なう高調波歪の大幅な低
減と信号帯域の向上を図ることにある。An object of the present invention is to reduce the junction capacitance value to equivalently zero, thereby significantly reducing harmonic distortion caused by the voltage dependence of the junction capacitance value and improving the signal band.
この発明にかかるバッファ増幅回路は、第1のホロワ回
路の入力端子の電圧変化と同じ振幅で位相の等しい補償
電圧を発生するための第1のホロワ回路の入力端子また
は出力端子に接続された第2のホロワ回路、および補償
電圧を第1のホロワ回路のコレクタまたはドレイン端子
に供給する手段とを有するものである。The buffer amplifier circuit according to the present invention includes a buffer amplifier circuit connected to an input terminal or an output terminal of the first follower circuit for generating a compensation voltage having the same amplitude and phase as a voltage change at the input terminal of the first follower circuit. 2 follower circuits, and means for supplying a compensation voltage to the collector or drain terminal of the first follower circuit.
また、IC基板より分離されたn−ウェルまたはp−ウ
ェル内に形成されたトランジスタまたはダイオードにお
いて、n−ウェルまたはp−ウェルに隣接するrc基板
以外の電位変化をホロワ回路で検出し、その電位変化を
n−ウェルまたはp−ウェルに供給する手段を有するも
のである。In addition, in a transistor or diode formed in an n-well or p-well separated from an IC substrate, a follower circuit detects a potential change in a region other than the rc substrate adjacent to the n-well or p-well. It has means for applying changes to the n-well or p-well.
この発明においては、第2のホロワ回路によって第1の
ホロワ回路の入力端子の電圧変化と同じ振幅で位相の等
しい補償電圧が発生され、この補償電圧が第1のホロワ
回路のコレクタまたはドレイン端子に供給され、ベース
・コレクタ間またはゲート・トレイン間のバイアス電圧
を一定に保ち、接合容量値を等価的にゼロにする。In this invention, the second follower circuit generates a compensation voltage having the same amplitude and phase as the voltage change at the input terminal of the first follower circuit, and this compensation voltage is applied to the collector or drain terminal of the first follower circuit. The base-collector or gate-train bias voltage is kept constant, and the junction capacitance value is made equivalent to zero.
また、n−ウェルまたはp−ウェルに隣接するIC基板
以外の電位変化をホロワ回路で検出し、その電位変化を
n−ウェルまたはp−ウェルに供給することにより接合
容量値を等価的にゼロにする。In addition, by detecting potential changes in areas other than the IC substrate adjacent to the n-well or p-well using a follower circuit, and supplying the potential changes to the n-well or p-well, the junction capacitance value can be equivalently reduced to zero. do.
第1図は、第14図に示す従来の並列型NビットA/D
変換器にこの発明を適用した第1の実施例である。この
図で、1〜4はトランジスタ、5は電流源、6〜8は抵
抗体、20は入力端子、21はノード、22.23は電
圧源である。並列型A/D変換器18の入力端子10の
電圧変化をトランジスタ2からなるエミッタホロワ回路
で検出し、抵抗体6で電圧電流変換し、この電流をトラ
ンジスタ3を介して抵抗体8に供給し、抵抗体8で電流
電圧変換して補償電圧を発生し、トランジスタ4を介し
て並列型A/D変換器を構成するエミッタホロワ回路の
コレクタ端子11に同相で供給している。この時、抵抗
体6と抵抗体8の値を等しく設定することにより、並列
型A/D変換器18の入力部のエミッタホロワ回路のベ
ース端子つまり入力端子1oとコレクタ端子11の電圧
変化が等しくなり、ベース・コレクタ間接合容量値を等
価的にゼロにできる。さらに同じ目的のため、トランジ
スタ1のコレクタ端子もコレクタ端子11に接続してい
る。従来の8ビツトA/DI換器にこの発明を適用する
ことにより、第14図に示すトランジスタ38のエミッ
タホロワ回路を用いた従来技術に比べ、入力端子10に
おける高調波歪を入力信号周波数200MHz時におい
て、約25分の1以下に低減できることを回路シュミレ
ーションにより確認した。Figure 1 shows the conventional parallel N-bit A/D shown in Figure 14.
This is a first embodiment in which the present invention is applied to a converter. In this figure, 1 to 4 are transistors, 5 is a current source, 6 to 8 are resistors, 20 is an input terminal, 21 is a node, and 22.23 is a voltage source. A voltage change at the input terminal 10 of the parallel A/D converter 18 is detected by an emitter follower circuit consisting of a transistor 2, converted into voltage and current by a resistor 6, and this current is supplied to a resistor 8 via a transistor 3. The resistor 8 performs current-voltage conversion to generate a compensation voltage, which is supplied in phase to the collector terminal 11 of an emitter follower circuit constituting a parallel A/D converter via the transistor 4. At this time, by setting the values of the resistors 6 and 8 to be equal, the voltage changes at the base terminal, that is, the input terminal 1o and the collector terminal 11 of the emitter follower circuit at the input section of the parallel A/D converter 18 are made equal. , the base-collector junction capacitance value can be equivalently reduced to zero. Further, for the same purpose, the collector terminal of the transistor 1 is also connected to the collector terminal 11. By applying the present invention to a conventional 8-bit A/DI converter, harmonic distortion at the input terminal 10 can be reduced at an input signal frequency of 200 MHz, compared to the conventional technology using an emitter follower circuit of the transistor 38 shown in FIG. , it was confirmed through circuit simulation that it could be reduced to about 1/25th or less.
第2図はこの発明の第2の実施例で、従来の並列型A/
D変換器にこの発明を適用した例である。第1の実施例
と同様、並列型A/D変換器18の入力端子10の電圧
変化をトランジスタ2で検出し、電圧電流変換した後、
トランジスタ44と45および抵抗体42と43で構成
されるカレントミラー回路およびトランジスタ47を介
して、抵抗体8で電流・電圧変換して補償電圧を発生す
る。この時、抵抗体41,42,43゜46.48およ
び8の値をそれぞれR411R42+R43,R461
R411およびR8とするとR42・R4a・Ra −
(R41+R42) ・R4s・R4aとなるように
、抵抗体8の抵抗値を設定することにより、振幅と位相
が入力端子と等しい補償電圧を発生することができる。FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention, in which a conventional parallel type A/
This is an example in which the present invention is applied to a D converter. As in the first embodiment, the voltage change at the input terminal 10 of the parallel A/D converter 18 is detected by the transistor 2, and after voltage-current conversion is performed,
A current/voltage conversion is performed by a resistor 8 through a current mirror circuit including transistors 44 and 45 and resistors 42 and 43 and a transistor 47 to generate a compensation voltage. At this time, the values of resistors 41, 42, 43°46.48 and 8 are set to R411R42+R43, R461, respectively.
R411 and R8 are R42・R4a・Ra −
(R41+R42) By setting the resistance value of the resistor 8 so that it becomes R4s and R4a, it is possible to generate a compensation voltage whose amplitude and phase are equal to those of the input terminal.
第3図はこの発明の第3の実施例で、第14図に示す従
来の並列型A/D変換器18にこの発明を適用した例で
ある。並列型A/D変換器1日の入力端子10の電圧変
化をPNP型のトランジスタ23で構成するエミッタホ
ロワ回路で検出し、ダイオード24.25でレベルシフ
トを行いトランジスタ4を介して、並列型A/D変換器
18を構成するエミッタホロワ回路のコレクタ端子11
に同相で供給している。さらに同じ目的のため、トラン
ジスタ1のコレクタ端子にも同じ電圧を供給している。FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention, which is an example in which the present invention is applied to the conventional parallel type A/D converter 18 shown in FIG. The voltage change at the input terminal 10 of the parallel type A/D converter during one day is detected by an emitter follower circuit composed of a PNP type transistor 23, level shifted by the diodes 24 and 25, and the voltage change at the input terminal 10 of the parallel type A/D converter is detected via the transistor 4. Collector terminal 11 of the emitter follower circuit that constitutes the D converter 18
are supplied in phase. Furthermore, for the same purpose, the same voltage is also supplied to the collector terminal of transistor 1.
第4図はこの発明の第4の実施例で、第3図に示す第3
の実施例において、補償電圧を発生するためのエミッタ
ホロワ回路用のトランジスタ23のベース・コレクタ間
接合容量の電圧依存性により新たに発生する高調波歪を
低減するために、さらにこの発明を適用した例である。FIG. 4 shows a fourth embodiment of the present invention, in which the third embodiment shown in FIG.
An example in which the present invention is further applied to reduce harmonic distortion newly generated due to the voltage dependence of the base-collector junction capacitance of the transistor 23 for the emitter follower circuit for generating a compensation voltage in the embodiment. It is.
同図において、トランジスタ23のベースの電圧変化を
トランジスタ29で検出し、ダイオード30、トランジ
スタ31を介してトランジスタ23のコレクタ端子34
に同相で供給している。In the same figure, a voltage change at the base of the transistor 23 is detected by the transistor 29, and the voltage change at the collector terminal 34 of the transistor 23 is detected via the diode 30 and the transistor 31.
are supplied in phase.
第5図はこの発明の第5の実施例で、第3図に示す第3
の実施例において、補償電圧を発生するためのエミッタ
ホロワ回路用のトランジスタ23のベース・コレクタ間
接合容量の電圧依存性により新たに発生する高調波歪を
低減するために、並列型A/D変換器18の入力端子1
0とトランジスタ23のベース端子の間に、バッファ回
路としてトランジスタ23,35.抵抗体36よりなる
エミッタホロワ回路を用いた例である。FIG. 5 shows a fifth embodiment of the present invention, in which the third embodiment shown in FIG.
In this embodiment, in order to reduce harmonic distortion newly generated due to the voltage dependence of the base-collector junction capacitance of the transistor 23 for the emitter follower circuit for generating the compensation voltage, a parallel A/D converter is used. 18 input terminals 1
0 and the base terminal of transistor 23, transistors 23, 35 . This is an example using an emitter follower circuit consisting of a resistor 36.
第6図はこの発明の第6の実施例を示すもので、第1図
に示す第1の実施例において、並列型A/D変換器18
を構成するトランジスタ12〜14の各コレクタ端子に
補償電圧を供給するためのトランジスタ4をエミッタホ
ロワの数(2N個)に分割し、トランジスタ300〜3
02として各エミッタホロワに1個ずつ分配したもので
ある。なお、303は端子、304は電圧源である。こ
の目的は、並列型A/D変換L S Iのパターンレイ
アウトにおいて、トランジスタ12〜14のコレクタ端
子に流れる電流は、ベース端子に流れる電流のhr−(
各トランジスタの電流増幅率)倍と大きいため、配線パ
ターン幅も広くなり、パターンの寄生容量が大きくリン
ギングが生じる可能性があるため上記構造とし、トラン
ジスタ300〜302のトランジスタ12〜14の直近
にレイアウトすることによりこの問題を解決することに
ある。各トランジスタのべ、−ス抵抗の挿入がリンギン
グの低減に有効なのは、従来技術と同様である。FIG. 6 shows a sixth embodiment of the invention. In the first embodiment shown in FIG.
The transistor 4 for supplying a compensation voltage to the collector terminal of each of the transistors 12 to 14 constituting the transistor is divided into the number of emitter followers (2N pieces), and the transistors 300 to
02, one is distributed to each emitter follower. Note that 303 is a terminal, and 304 is a voltage source. The purpose of this is that in the pattern layout of the parallel A/D conversion LSI, the current flowing through the collector terminals of the transistors 12 to 14 is equal to the current flowing through the base terminals by hr-(
Since the current amplification factor of each transistor is twice as large, the width of the wiring pattern is also wide, and the parasitic capacitance of the pattern is large, which may cause ringing. The aim is to solve this problem by doing so. As in the prior art, inserting a base resistor in each transistor is effective in reducing ringing.
第7図はこの発明の第7の実施例を示すもので、第6図
における端子303の駆動用として、さらにトランジス
タ305を付加したものである。第2図〜第5図に示す
他の実施例についても第6図、第7図と同様の技術が適
用できる。FIG. 7 shows a seventh embodiment of the present invention, in which a transistor 305 is further added for driving the terminal 303 in FIG. The same techniques as in FIGS. 6 and 7 can be applied to the other embodiments shown in FIGS. 2 to 5.
第8図は、この発明の第8の実施例を示すもので、第1
5図に示す従来回路にこの発明を適用した例である。入
力端子100の電圧変化をエミッタホロワ回路102,
108で検出し、トランジスタ114を介して端子11
5に供給している。FIG. 8 shows an eighth embodiment of the invention.
This is an example in which the present invention is applied to the conventional circuit shown in FIG. The voltage change at the input terminal 100 is transmitted to the emitter follower circuit 102,
108 and the terminal 11 through the transistor 114.
5.
端子115と端子124の電位差および端子115と1
25の電位差は常に一定であるため、この構成によりト
ランジスタ102および105のベース・コレクタ間電
圧値が常に一定に保たれるため、これらのベース・コレ
クタ間接合容量が等価的にゼロとなり、高調波歪の低減
と入力帯域の改善が可能である。さらに、トランジスタ
102〜105のバイアス電圧が常に一定に保たれるた
め、ドループのバイアス依存性を低減することも可能で
ある。Potential difference between terminal 115 and terminal 124 and terminal 115 and 1
Since the potential difference between transistors 102 and 105 is always constant, this configuration always keeps the base-collector voltage value of transistors 102 and 105 constant, so the junction capacitance between these bases and collectors becomes equivalently zero, and harmonics It is possible to reduce distortion and improve the input band. Furthermore, since the bias voltages of the transistors 102 to 105 are always kept constant, it is also possible to reduce the bias dependence of droop.
第9図はこの発明の第9の実施例を示すもので、第15
図に示す従来回路にこの発明を適用した例である。この
回路は、第8図に示す第8の実施例においてトランジス
タ108のベース・コレクタ間接合容量により発生する
高調波歪を低減するためにこの発明を適用した実施例で
ある。トランジスタ108のベース電位をエミッタホロ
ワ回路119で検出し、トランジスタ121を介してト
ランジスタ108のコレクタ端子122に供給している
。FIG. 9 shows the ninth embodiment of this invention, and the fifteenth embodiment shows the ninth embodiment of the present invention.
This is an example in which the present invention is applied to the conventional circuit shown in the figure. This circuit is an embodiment in which the present invention is applied to reduce harmonic distortion generated by the base-collector junction capacitance of the transistor 108 in the eighth embodiment shown in FIG. The base potential of the transistor 108 is detected by an emitter follower circuit 119 and supplied to the collector terminal 122 of the transistor 108 via the transistor 121.
第10図はこの発明の第10の実施例を示すもので、第
16図に示す従来回路にこの発明を適用した例である。FIG. 10 shows a tenth embodiment of the present invention, which is an example in which the present invention is applied to the conventional circuit shown in FIG.
入力端子50の電圧変化をそれぞれエミッタホロワ回路
57と63で検出し、トランジスタ60および66を介
してトランジスタ51のコレクタ端子61とトランジス
タ52のコレクタ端子67に供給している。さらに、ト
ランジスタ51.52のバイアス電圧が常に一定に保た
れているため、ドループのバイアス依存性を低減するこ
とも可能である。Voltage changes at input terminal 50 are detected by emitter follower circuits 57 and 63, respectively, and supplied to collector terminal 61 of transistor 51 and collector terminal 67 of transistor 52 via transistors 60 and 66. Furthermore, since the bias voltages of the transistors 51 and 52 are always kept constant, it is also possible to reduce the bias dependence of droop.
第11図はこの発明の第11の実施例を示すもので、第
10図に示すトランジスタ57および63のベース・コ
レクタ間接合容量を等価的にゼ旧とするためにこの発明
を適用した例である。トランジスタ57およびトランジ
スタ63のコレクタ端子をそれぞれ端子67および61
に接続することによりこれを実現している。FIG. 11 shows an eleventh embodiment of the present invention, which is an example in which the present invention is applied to equivalently eliminate the base-collector junction capacitance of transistors 57 and 63 shown in FIG. be. The collector terminals of transistor 57 and transistor 63 are connected to terminals 67 and 61, respectively.
This is achieved by connecting to.
第12図はこの発明の第12の実施例を示すもので、ダ
イオードブリッジをスイッチとして用いた従来のサンプ
ルホールド回路にこの発明を適用した場合の例である。FIG. 12 shows a twelfth embodiment of the present invention, which is an example in which the present invention is applied to a conventional sample-and-hold circuit using a diode bridge as a switch.
入力端子150に2Vpp程度の大振幅のアナログ信号
が人力されるため、ダイオードブリッジとして用いてい
るPNPトランジスタのコレクタ基板間容量値の電圧依
存性により高調波歪を発生する。入力端子150と同電
位の出力端子158の電圧値をバッファアンプ160、
トランジスタ162,165を介してn−ウェル構造を
有するつまり、p形の基板にn−ウェルを作成し、この
n−ウェル中にp層、n層、p層からなるコレクタ、ベ
ース、エミッタからなるPNP形のトランジスタ151
〜156の各n−ウェルに供給することにより、n−ウ
ェルとトランジスタの各端子間の電位差を常に一定に保
ち、上記高調波歪を低減することが可能である。このn
−ウェルとICチップのp基板間の容量値も電圧依存性
を有するが、この容量はトランジスタ165によって駆
動され、また、信号のメインバスに入っていないため、
歪特性にはほとんど影響を及ぼさない。以上、n−ウェ
ルを有するPNPトランジスタをブリッジに用いた場合
について説明したが、p−ウェルを有するNPNトラン
ジスタまたはウェルの中に形成されたダイオードに対し
ても同様に適用することが可能である。なお、157は
n−ウェル、163,164はダイオード、166.1
68,169,171は電流源、167は電圧源、17
0はスイッチである。Since an analog signal with a large amplitude of about 2 Vpp is input to the input terminal 150, harmonic distortion is generated due to the voltage dependence of the collector-substrate capacitance value of the PNP transistor used as a diode bridge. The voltage value of the output terminal 158, which has the same potential as the input terminal 150, is transferred to the buffer amplifier 160.
It has an n-well structure via the transistors 162 and 165, that is, an n-well is created in a p-type substrate, and in this n-well, a collector consisting of a p layer, an n layer, a collector consisting of a p layer, a base, and an emitter are formed. PNP type transistor 151
By supplying it to each of the n-wells of 156 to 156, it is possible to keep the potential difference between the n-well and each terminal of the transistor constant at all times and reduce the harmonic distortion. This n
- The capacitance value between the well and the p-substrate of the IC chip also has voltage dependence, but since this capacitance is driven by the transistor 165 and is not included in the main signal bus,
It has almost no effect on distortion characteristics. Although the case where a PNP transistor having an n-well is used as a bridge has been described above, the present invention can be similarly applied to an NPN transistor having a p-well or a diode formed in a well. In addition, 157 is an n-well, 163 and 164 are diodes, and 166.1
68, 169, 171 are current sources, 167 is a voltage source, 17
0 is a switch.
第13図はこの発明の第13の実施例を示すもので、n
−ウェルを有するPNP)−ランジスタを主体に構成し
た従来の差動増幅器において、PNPトランジスタのコ
レクタ・n−ウェル基板間の接合容量に起因する高調波
歪の発生と、周波数帯域の劣化を低減するために、この
発明を適用した実施例である。同図のように、トランジ
スタ208.209のコレクタ電圧をそれぞれトランジ
スタ212,213で検出し、それぞれのn−ウェル端
子204,205に供給している。それぞれのトランジ
スタのn−ウェル基板とICチップのp基板間の接合容
量はトランジスタ212,213で構成されているエミ
ッタホロワ回路で駆動される。FIG. 13 shows a thirteenth embodiment of the present invention.
- PNP with a well) - Reduces harmonic distortion caused by junction capacitance between the collector of the PNP transistor and the N-well substrate and deterioration of the frequency band in a conventional differential amplifier mainly composed of transistors. This is an embodiment to which the present invention is applied. As shown in the figure, the collector voltages of transistors 208 and 209 are detected by transistors 212 and 213, respectively, and are supplied to respective n-well terminals 204 and 205. The junction capacitance between the n-well substrate of each transistor and the p-substrate of the IC chip is driven by an emitter follower circuit comprised of transistors 212 and 213.
この発明は以上説明したように、第1のホロワ回路の入
力端子の電圧変化と同じ振幅で位相の等しい補償電圧を
発生するための第1のホロワ回路の入力端子または出力
端子に接続された第2のホロワ回路、および補償電圧を
第1のホロワ回路のコレクタまたはドレイン端子に供給
する手段とを有するものであり、また、IC基板より分
離されたn−ウェルまたはp−ウェル内に形成されたト
ランジスタまたはダイオードにおいて、n−ウェルまた
はp−ウェルに隣接するIC基板以外のp層またはnF
Jの電位変化と同じ振幅で位相の等しい補償電圧を発生
するための前記p層またはn層に接続されたホロワ回路
および前記補償電圧を前記n−ウェルまたはp−ウェル
に供給する手段を有するので、エミッタホロワまたはソ
ースホロワ回路を用いて構成する従来のバッファ増幅回
路にこの発明を適用することにより、高調波歪と信号帯
域を大幅に改善することができる利点がある。As described above, the present invention provides a compensation voltage connected to the input terminal or output terminal of the first follower circuit for generating a compensation voltage having the same amplitude and phase as the voltage change at the input terminal of the first follower circuit. 2 follower circuits and means for supplying a compensation voltage to the collector or drain terminal of the first follower circuit, and is formed in an n-well or p-well separated from the IC substrate. In a transistor or diode, a p-layer or nF layer other than the IC substrate adjacent to the n-well or p-well
A follower circuit connected to the p layer or n layer for generating a compensation voltage with the same amplitude and phase as the potential change of J, and means for supplying the compensation voltage to the n-well or p-well. By applying the present invention to a conventional buffer amplifier circuit configured using an emitter follower or source follower circuit, there is an advantage that harmonic distortion and signal band can be significantly improved.
第1図〜第13図はこの発明の第1〜第3の実施例を示
す回路図、第14図〜第16図は従来のバッファ回路の
例をそれぞれ示す回路図である。
図中、1〜4.12〜14はトランジスタ、5.15〜
17は定流源、7.8は抵抗体、10は入力端子、11
はコレクタ端子、18は並列型A/D変換器、20は入
力端子、21は端子、22.23は電圧源、150は入
力端子、151〜156.162,165はトランジス
タ、163〜164はダイオード、166.168,1
69.171は電流源、167は電圧源である。
第1図
第
図
第
図
第
図
第
図
B
第
図
第
図
第
図
第
]O
図
第
図
166、le)ろ、10テ、111 電1瀝167
電麿濾
第
図
第
図1 to 13 are circuit diagrams showing first to third embodiments of the present invention, and FIGS. 14 to 16 are circuit diagrams showing examples of conventional buffer circuits, respectively. In the figure, 1-4.12-14 are transistors, 5.15-
17 is a constant current source, 7.8 is a resistor, 10 is an input terminal, 11
is a collector terminal, 18 is a parallel type A/D converter, 20 is an input terminal, 21 is a terminal, 22.23 is a voltage source, 150 is an input terminal, 151 to 156, 162, 165 are transistors, 163 to 164 are diodes ,166.168,1
69.171 is a current source, and 167 is a voltage source. 166, le) ro, 10 te, 111 den 1 167
Denmaro Diagram Diagram
Claims (2)
幅で位相の等しい補償電圧を発生するための前記第1の
ホロワ回路の入力端子または出力端子に接続された第2
のホロワ回路、および前記補償電圧を前記第1のホロワ
回路のコレクタまたはドレイン端子に供給する手段とを
有することを特徴とするバッファ増幅回路。(1) A second circuit connected to the input terminal or output terminal of the first follower circuit for generating a compensation voltage having the same amplitude and phase as the voltage change at the input terminal of the first follower circuit.
A buffer amplifier circuit comprising: a follower circuit; and means for supplying the compensation voltage to a collector or drain terminal of the first follower circuit.
ェル内に形成されたトランジスタまたはダイオードにお
いて、n−ウェルまたはp−ウェルに隣接するIC基板
以外のp層またはn層の電位変化と同じ振幅で位相の等
しい補償電圧を発生するための前記p層またはn層に接
続されたホロワ回路および前記補償電圧を前記n−ウェ
ルまたはp−ウェルに供給する手段を有するバッファ増
幅回路。(2) In a transistor or diode formed in an n-well or p-well separated from an IC substrate, it is the same as the potential change of the p layer or n layer other than the IC substrate adjacent to the n-well or p-well. A buffer amplifier circuit comprising a follower circuit connected to the p-layer or n-layer for generating compensation voltages having equal amplitude and phase, and means for supplying the compensation voltage to the n-well or p-well.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP118289A JPH02182009A (en) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | Buffer amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP118289A JPH02182009A (en) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | Buffer amplifier circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02182009A true JPH02182009A (en) | 1990-07-16 |
Family
ID=11494312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP118289A Pending JPH02182009A (en) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | Buffer amplifier circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02182009A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009088587A (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Tdk Corp | Amplification circuit and optical pickup having the same |
| JP2013126129A (en) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | Amplifier and multistage amplifier |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130906A (en) * | 1983-12-19 | 1985-07-12 | Pioneer Electronic Corp | Source follower circuit |
| JPS60136405A (en) * | 1983-12-24 | 1985-07-19 | Pioneer Electronic Corp | Source follower circuit |
-
1989
- 1989-01-09 JP JP118289A patent/JPH02182009A/en active Pending
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