JPH02182020A - Switching driving circuit - Google Patents

Switching driving circuit

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JPH02182020A
JPH02182020A JP1001158A JP115889A JPH02182020A JP H02182020 A JPH02182020 A JP H02182020A JP 1001158 A JP1001158 A JP 1001158A JP 115889 A JP115889 A JP 115889A JP H02182020 A JPH02182020 A JP H02182020A
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capacitor
gate
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transistor
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久雄 清水
Katsuhiko Nishimura
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Abstract

PURPOSE:To reduce the driving power of a switching element by forming a series resonance circuit comprising a parasitic capacitor such as a gate-source capacitor of a main switching element, a capacitor and a resonance inductor when the switching element is turned on. CONSTITUTION:With a transistor(TR) 11 turned off, a gate signal S3 is fed to a TR 18 and a series resonance circuit comprising a capacitor 13, a gate- source capacitor Cgs of the TR 11, a resonance inductance 16 and a diode 17 is formed via the TR 18 and a half wave of the resonance current flows through the diode 17. Then the charge charged in the gate-source capacitor Cgs of the TR 11 is transferred to the capacitor 13, the gate-source voltage Vgs of the TR 11 is made zero, which is turned off. Thus, the charge stored in the capacitor 13 is utilized to drive turn on/off of the TR 11.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、スイッチング電源装置等に於けるスイッチン
グ素子を駆動するスイッチング駆動回路に関するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a switching drive circuit that drives switching elements in switching power supplies and the like.

スイッチング電源装置は、トランスの一次巻線にMOS
 F ET等のスイッチング素子を接続し、トランスの
二次巻線に接続した整流平滑回路の出力の直流出力電圧
が設定値となるように、スイッチング素子のオン期間等
を制御するものである。
A switching power supply device uses MOS in the primary winding of the transformer.
A switching element such as an FET is connected, and the ON period of the switching element is controlled so that the DC output voltage of the output of a rectifying and smoothing circuit connected to the secondary winding of the transformer becomes a set value.

このようなスイッチング電源装置に於いては、小型化等
を図る為に、数100KHz以上の高周波スイッチング
動作を行わせる構成が採用されており、それに伴って高
速動作のスイッチング素子が使用され、このスイッチン
グ素子を駆動する為の効率向上が要望されている。
In order to reduce the size of such switching power supply devices, a configuration that performs high frequency switching operation of several hundred kilohertz or more is adopted, and accordingly, high-speed operation switching elements are used, and this switching There is a demand for improved efficiency in driving devices.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来例のスイッチング駆動回路は、例えば、第4図に示
すように、メインスイッチング素子としての電界効果ト
ランジスタ21をオンとする為のスイッチング素子23
と、オフとする為のスイッチング素子24とを備え、ス
イッチング素子23をオン、スイッチング素子24をオ
フとすると、直流電源22から電界効果トランジスタ2
1のゲート・ソース間に電圧が印加され、そのゲート・
ソース間容lcgsを充電する電流1glがスイッチン
グ素子23を介して流れ、電界効果トランジスタ21は
オンとなる。
For example, as shown in FIG. 4, a conventional switching drive circuit includes a switching element 23 for turning on a field effect transistor 21 as a main switching element.
and a switching element 24 for turning off, and when the switching element 23 is turned on and the switching element 24 is turned off, the field effect transistor 2 is connected to the DC power supply 22.
A voltage is applied between the gate and source of 1, and the gate and source of
A current 1 gl for charging the source-to-source capacitance lcgs flows through the switching element 23, and the field effect transistor 21 is turned on.

又スイッチング素子23をオフ、スイッチング素子24
をオンとすると、電界効果トランジスタ21のゲート・
ソース間がスイッチング素子24を介して短絡され、ゲ
ート・ソース間容量Cgsの充電電荷による電流1g2
がスイッチング素子24を介して流れ、電界効果トラン
ジスタ21はオフとなる。
Also, the switching element 23 is turned off, and the switching element 24 is turned off.
When turned on, the gate of the field effect transistor 21
The sources are short-circuited via the switching element 24, and a current of 1 g2 is generated by the charge of the gate-source capacitance Cgs.
flows through the switching element 24, and the field effect transistor 21 is turned off.

このように電界効果トランジスタ21がオンとなると、
スイッチング電源装置に於いては、直流電源27からト
ランス25の一次巻線に電流が流れ、そのトランス25
の二次巻線に誘起した電圧が整流平滑回路26により整
流平滑化されて直流出力電圧となる。この直流出力電圧
が設定値となるように、図示を省略した制御回路によっ
て、電界効果トランジスタ21のオン、オフが制御する
為に、スイッチング素子23.24が制御されることに
なる。
When the field effect transistor 21 is turned on in this way,
In the switching power supply device, current flows from the DC power supply 27 to the primary winding of the transformer 25.
The voltage induced in the secondary winding is rectified and smoothed by the rectifying and smoothing circuit 26 to become a DC output voltage. The switching elements 23 and 24 are controlled by a control circuit (not shown) to turn on and off the field effect transistor 21 so that the DC output voltage becomes a set value.

第5図は動作説明図であり、(alはスイッチング素子
23のオン(ON)、オフ(OFF)動作、(b)はス
イッチング素子24のオン(ON)、オフ(OFF)動
作、tc+はスイッチング素子23を介して電界効果ト
ランジスタ21のゲートに流れる電流1 g 1 、(
d)はスイッチング素子24を介して電界効果トランジ
スタ21のゲートから流れる電流1g2、(e)は電界
効果トランジスタ21のドレイン・ソース間電圧Vds
及びドレイン電流1dの一例を示す。
FIG. 5 is an explanatory diagram of the operation, (al is the on (ON) and off (OFF) operation of the switching element 23, (b) is the on (ON) and off (OFF) operation of the switching element 24, and tc+ is the switching A current 1 g 1 , (
d) is the current 1g2 flowing from the gate of the field effect transistor 21 via the switching element 24, and (e) is the drain-source voltage Vds of the field effect transistor 21.
An example of drain current 1d is shown.

電界効果トランジスタ21のゲート・ソース間容i1c
gsは数1.000 p F程度であり、スイッチング
素子24をオフ、スイッチング素子23をオンとした時
に、直流電源22からそのゲート・ソース間容量Cgs
を充電するように、fc)に示す電流1glが流れ、電
界効果トランジスタ21はオンとなる。それにより、t
e+に示すようにドレイン電流1dが流れ、トランス2
5の一次巻線にその電流Idを供給することができる。
Gate-source capacitance i1c of field effect transistor 21
gs is approximately several 1,000 pF, and when the switching element 24 is turned off and the switching element 23 is turned on, the gate-source capacitance Cgs from the DC power supply 22 is
A current of 1 gl shown in fc) flows to charge the field effect transistor 21, and the field effect transistor 21 is turned on. Thereby, t
Drain current 1d flows as shown at e+, and transformer 2
The current Id can be supplied to the primary winding of 5.

又スイッチング素子23をオフ、スイッチング素子24
をオンとした時に、電界効果トランジスタ21のゲート
・ソース間容量Cgsに充電された電荷が放電し、(d
lに示す電流Ig2が流れ、電界効果トランジスタ21
はオフとなる。従って、電界効果トランジスタ21のド
レイン・ソース間電圧Vdsは(a)に示すように直流
電源27の電圧に対応した値となる。
Also, the switching element 23 is turned off, and the switching element 24 is turned off.
When turned on, the charge stored in the gate-source capacitance Cgs of the field effect transistor 21 is discharged, and (d
A current Ig2 shown in l flows, and the field effect transistor 21
is off. Therefore, the drain-source voltage Vds of the field effect transistor 21 has a value corresponding to the voltage of the DC power supply 27, as shown in (a).

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

前述のように、従来例のスイッチング駆動回路に於いて
は、電界効果トランジスタ21のゲート・ソース間容量
Cgsに、直流電源22の電圧をVgとすると、 Eg= (1/2)Cg s −Vg”     −−
(11のエネルギが蓄積される。この蓄積エネルギは、
スイッチング素子24をオンとすることにより放出され
る。従って、電界効果トランジスタ21をオンとする毎
に、直流電源から(11式に示すエネルギを供給する必
要があり、スイッチング周波数を高くするに従って電界
効果トランジスタ21の駆動電力が大きくなる欠点が生
じる。
As mentioned above, in the conventional switching drive circuit, when the gate-source capacitance Cgs of the field effect transistor 21 is the voltage of the DC power supply 22 as Vg, Eg=(1/2)Cg s −Vg ” --
(Eleven energy is accumulated. This accumulated energy is
It is released by turning on the switching element 24. Therefore, each time the field effect transistor 21 is turned on, it is necessary to supply the energy shown in equation (11) from the DC power supply, and as the switching frequency becomes higher, the driving power of the field effect transistor 21 increases.

本発明は、前述のような電界効果トランジスタ等のスイ
ッチング素子の駆動電力を低減することを目的とするも
のである。
The present invention aims to reduce the driving power of switching elements such as field effect transistors as described above.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のスイッチング駆動回路は、共振電流を利用して
駆動電力を低減するものであり、第1図を参照して説明
する。
The switching drive circuit of the present invention reduces drive power by using resonance current, and will be explained with reference to FIG. 1.

周期的にオンとなって直流電源2からコンデンサ3を充
電する第1のスイッチング素子4と、この第1のスイッ
チング素子4のオフ期間にオンとなって、電界効果トラ
ンジスタ等のメインスイソチング素子lのゲートにコン
デンサ3の端子電圧を印加して、このメインスイッチン
グ素子1をオンとする為の第2のスイッチング素子5と
、第1及び第2のスイッチング素子4,5のオフ期間に
オンとなって、メインスイッチング素子1のゲート・ソ
ース間容量のような寄生容量と共振用インダクタンス6
とコンデンサ3との直列共振回路にダイオード7を介し
て半波の共振電流が流れて、寄生容量の充電電荷がコン
デンサ3に放出されるように制御される第3のスイッチ
ング素子8とを備えたものである。
A first switching element 4 that is periodically turned on to charge the capacitor 3 from the DC power supply 2, and a main switching element such as a field effect transistor that is turned on during the off period of the first switching element 4. The terminal voltage of the capacitor 3 is applied to the gate of the second switching element 5 to turn on the main switching element 1, and the second switching element 5 is turned on during the off period of the first and second switching elements 4 and 5. Therefore, the parasitic capacitance such as the gate-source capacitance of the main switching element 1 and the resonant inductance 6
and a third switching element 8 that is controlled so that a half-wave resonant current flows through the diode 7 in a series resonant circuit with the capacitor 3 and the charged charge of the parasitic capacitance is released to the capacitor 3. It is something.

〔作用〕[Effect]

メインスイッチング素子1のゲート・ソース間容量Cg
s等の寄生容量と、コンデンサ3と、共振用インダクタ
ンス6とにより、第3のスイッチング素子8をオンとし
た時に直列共振回路が形成され、ダイオード7によりそ
の共振電流の半波が流れるものである。第2図は動作説
明図であり、(11は第2のスイッチング素子5、(2
)は第3のスイッチング素子8、(3)は第1のスイッ
チング素子4のそれぞれオン(ON)、オフ(OFF)
動作を示し、(4)は第1のスイッチング素子4がオン
となった時に直流型R2から供給される電流11を示す
。又(5)はメインスイッチング素子1のゲート・ソー
ス間容fJCgsによるゲート・ソース間電圧V g 
3 、+61はコンデンサ3の端子電圧V c 、 (
7)はダイオード7を流れる電流12 、(81はメイ
ンスイッチング素子1のゲートに流れる電流I3の一例
を示す。
Gate-source capacitance Cg of main switching element 1
When the third switching element 8 is turned on, a series resonant circuit is formed by the parasitic capacitance such as s, the capacitor 3, and the resonant inductance 6, and a half wave of the resonant current flows through the diode 7. . FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation, (11 is the second switching element 5, (2
) is the third switching element 8, and (3) is the on (ON) and off (OFF) of the first switching element 4, respectively.
The operation is shown, and (4) shows the current 11 supplied from the DC type R2 when the first switching element 4 is turned on. In addition, (5) is the gate-source voltage V g due to the gate-source capacitance fJCgs of the main switching element 1.
3, +61 is the terminal voltage V c of capacitor 3, (
7) shows an example of the current 12 flowing through the diode 7, (81 shows an example of the current I3 flowing through the gate of the main switching element 1.

第2のスイッチング素子5がオンとなると、コンデンサ
3からメインスイッチング素子1のゲート・ソース間容
量Cgsを充電する電流が(8)に示すように流れ、コ
ンデンサ3の端子電圧Vcは(6)に示すように低下す
る。又ゲート・ソース間電圧Vgsは(5)に示すよう
に高くなる。そして、メインスイッチング素子1はター
ンオンする。
When the second switching element 5 is turned on, a current flows from the capacitor 3 to charge the gate-source capacitance Cgs of the main switching element 1 as shown in (8), and the terminal voltage Vc of the capacitor 3 becomes (6). decrease as shown. Furthermore, the gate-source voltage Vgs increases as shown in (5). Then, the main switching element 1 is turned on.

次に第2のスイッチング素子5をオフ、第3のスイッチ
ング素子8をオンとすると、前述のように直列共振回路
が形成され、ダイオード7を介して(7)に示す共振電
流の半波の電流I2が流れ、メインスイッチング素子l
のゲート・ソース間容量Cgsの充電電荷が完全にコン
デンサ3に流入して、ゲート・ソース間電圧VgsはO
となり、メインスイッチング素子1はターンオフし、コ
ンデンサ3の端子電圧Vcは流入した電流I2により上
昇する。即ち、メインスイッチング素子1をターンオン
する為に寄生容量に充電された電荷が、コンデンサ3に
帰還されて、次のターンオン制御の時に、コンデンサ3
から供給されることになるから、理想的には、コンデン
サ3の初期充電を行えば、直流電源2を省略することが
できる。
Next, when the second switching element 5 is turned off and the third switching element 8 is turned on, a series resonant circuit is formed as described above, and a half wave of the resonant current shown in (7) flows through the diode 7. I2 flows, and the main switching element l
The charged charge of the gate-source capacitance Cgs completely flows into the capacitor 3, and the gate-source voltage Vgs becomes O
As a result, the main switching element 1 is turned off, and the terminal voltage Vc of the capacitor 3 rises due to the flowing current I2. That is, the electric charge charged in the parasitic capacitance to turn on the main switching element 1 is fed back to the capacitor 3, and at the time of the next turn-on control, the charge charged in the parasitic capacitance is fed back to the capacitor 3.
Ideally, if the capacitor 3 is initially charged, the DC power supply 2 can be omitted.

しかし、各部の回路損失が僅かでも存在するから、その
損失を補充する為に、直流電源2から第1のスイッチン
グ素子4をオンとしてコンデンサ3に(4)に示す電流
I、を流して充電することになる。この場合、共振電流
の半波により充電されたコンデンサ3の端子電圧をVc
1、直流電源2からの電流1.により充電されたコンデ
ンサ3の端子電圧をVc2とすると、直流電源2から供
給するエネルギEcは、 Ec−(1/2)Cg s  (Vc 2”  −Vc
 12 )となる。そして(Vc 2” −Vc l”
 )<VH2の関係となるから、(1)式と比較すれば
明らかなように、ごのエネルギEcは僅かとなり、駆動
電力を低減することができる。
However, since there is a small amount of circuit loss in each part, in order to compensate for this loss, the first switching element 4 is turned on from the DC power supply 2, and the current I shown in (4) is passed through the capacitor 3 to charge it. It turns out. In this case, the terminal voltage of the capacitor 3 charged by the half wave of the resonant current is Vc
1. Current from DC power supply 2. When the terminal voltage of the capacitor 3 charged by
12). and (Vc 2” −Vc l”
)<VH2, so as is clear from the comparison with equation (1), the energy Ec of the motor becomes small, and the driving power can be reduced.

〔実施例〕〔Example〕

以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

11はメインスイッチング素子としての電界効果トラン
ジスタ(MOSFET) 、12は直流電源、13はコ
ンデンサ、14は第1のスイッチング素子としての電界
効果トランジスタ、15は第2のスイッチング素子とし
ての電界効果トランジスタ、16は共振用インダクタン
ス、17はダイオード、18は第3のスイッチング素子
としての電界効果トランジスタ、19は制御回路である
11 is a field effect transistor (MOSFET) as a main switching element, 12 is a DC power supply, 13 is a capacitor, 14 is a field effect transistor as a first switching element, 15 is a field effect transistor as a second switching element, 16 17 is a diode, 18 is a field effect transistor as a third switching element, and 19 is a control circuit.

以下簡単化の為に各スイッチング素子としての電界効果
トランジスタをトランジスタと略称する。
Hereinafter, for the sake of simplicity, each field effect transistor serving as a switching element will be abbreviated as a transistor.

制御回路19にトランジスタ11のオン、オフを制御す
る制御信号が加えられ、第1〜第3のスイッチング素子
としてのトランジスタ14,15.18を制御するゲー
ト信号31.S2.S3が出力される。このゲート信号
s1は第2図の(3)、ゲート信号S2は第2図の(1
)、ゲート信号s3は第2図の(2)に対応する。従っ
て、制御回路19は比較的簡単な論理回路等により実現
することができる。
A control signal for controlling on/off of the transistor 11 is applied to the control circuit 19, and a gate signal 31. for controlling the transistors 14, 15, 18 as the first to third switching elements is applied. S2. S3 is output. This gate signal s1 is shown in (3) in FIG. 2, and the gate signal S2 is shown in (1) in FIG.
), the gate signal s3 corresponds to (2) in FIG. Therefore, the control circuit 19 can be realized by a relatively simple logic circuit or the like.

この制御回路19にトランジスタ11のオン信号が加え
られると、トランジスタ15にゲート信号S2が加えら
れ、コンデンサ13からトランジスタ15を介してトラ
ンジスタ11のゲートに電圧が印加され、ゲート・ソー
ス間容量Cgsが充電されてトランジスタ11はターン
オンする。
When the ON signal of the transistor 11 is applied to the control circuit 19, the gate signal S2 is applied to the transistor 15, a voltage is applied from the capacitor 13 to the gate of the transistor 11 via the transistor 15, and the gate-source capacitance Cgs increases. Charged, the transistor 11 is turned on.

トランジスタ11をターンオフする場合は、トランジス
タ18にゲート信号S3が加えられ、トランジスタ18
はオン、又トランジスタ15はオフとなり、トランジス
タ18を介して、コンデンサ13と、トランジスタ11
のゲート・ソース問答ICgsと、共振用インダクタン
ス16と、ダイオード17とを含む直列共振回路が形成
され、ダイオード17により共振電流の半波が流れる。
To turn off the transistor 11, a gate signal S3 is applied to the transistor 18, and the transistor 18 is turned off.
is on, transistor 15 is off, and capacitor 13 and transistor 11 are connected via transistor 18.
A series resonant circuit is formed including the gate-source ICgs, a resonant inductance 16, and a diode 17, and the diode 17 causes a half wave of the resonant current to flow.

それによって、トランジスタ11のゲート・ソース問答
ICgsの充電電荷はコンデンサ13に転送されて、ト
ランジスタ11のゲート・ソース間電圧Vgsは0とな
り、トランジスタ11はターンオフする。
As a result, the charge in the gate-source ICgs of the transistor 11 is transferred to the capacitor 13, the gate-source voltage Vgs of the transistor 11 becomes 0, and the transistor 11 is turned off.

従って、コンデンサ13からトランジスタ15を介して
トランジスタ11のゲート・ソース間容量Cgsに充電
された電荷は、トランジスタ18を介して共振電流の半
波によりコンデンサ13に戻されることになり、各部の
損失を零とすると、コンデンサ13に初期充電しておけ
ば、このコンデンサ13の充電電荷を利用して、トラン
ジスタ11のオン、オフ駆動を行うことができる。
Therefore, the charge charged in the gate-source capacitance Cgs of the transistor 11 from the capacitor 13 via the transistor 15 is returned to the capacitor 13 via the transistor 18 by a half wave of the resonant current, reducing losses in each part. If the capacitor 13 is initially charged, the charge of the capacitor 13 can be used to turn on and off the transistor 11.

しかし、実際には、各部の抵抗分により損失が生じるか
ら、トランジスタ15.18のオフ期間内に、トランジ
スタ14にゲート信号S1を加えてオンとし、直流電源
12からコンデンサ13に損失分を補充するように充電
する。即ち、第2図の(3)に示すようにオン(ON)
とし、(4)に示すように、直流電源からコンデンサに
電流1.を供給するものである。その場合、直流電源1
2がらコンデンサ13への充電が完了すれば、トランジ
スタ14をオフとすることができるものである。即ち、
第2図の(3)のオン(ON)期間を短くすることも可
能である。
However, in reality, losses occur due to the resistance of each part, so during the off period of transistors 15 and 18, gate signal S1 is applied to transistor 14 to turn it on, and the loss is replenished from DC power supply 12 to capacitor 13. Charge like this. That is, as shown in (3) in FIG.
As shown in (4), a current of 1. It is intended to supply In that case, DC power supply 1
When charging of the capacitor 13 is completed, the transistor 14 can be turned off. That is,
It is also possible to shorten the ON period (3) in FIG.

前述のように、直流電源からコンデンサに供給する電流
■1は、トランジスタ11を駆動する為の電流I3に比
較して僅かで済むことになり、従来例に比較して駆動電
力を低減し、効率を向上することができる。
As mentioned above, the current ■1 supplied from the DC power source to the capacitor is small compared to the current I3 for driving the transistor 11, which reduces driving power and improves efficiency compared to the conventional example. can be improved.

本発明は、前述の実施例にのみ限定されるものではなく
、バイポーラ・トランジスタ等により第1〜第3のスイ
ッチング素子を構成することも可能であり、又メインス
イッチング素子として他の電圧駆動型半導体素子を用い
ることも可能である。
The present invention is not limited only to the above-described embodiments, but it is also possible to configure the first to third switching elements using bipolar transistors, etc., or use other voltage-driven semiconductors as the main switching element. It is also possible to use elements.

又スイッチング電源装置のメインスイッチング素子のみ
でなく、各種のスイッチング素子を駆動する場合にも通
用することができるものである。
Moreover, it can be used not only for driving the main switching element of a switching power supply device but also for driving various switching elements.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明は、第1及び第2のスイッ
チング素子4,5がオフの期間に、第3のスイッチング
素子8をオンとして、メインスイッチング素子1のゲー
ト・ソース間容ICgs等の寄生容量と、コンデンサ3
と、共振用インダクタンス6と、ダイオード7とを含む
直列共振回路を形成し、メインスイッチング素子1をオ
ンとする為に寄生容量に充電された電荷を、共振電流の
半波によりコンデンサ3に転送し、次にメインスイッチ
ング素子1をオンとする時に、このコンデンサ3の充電
電荷を、メインスイッチング素子1のゲートに、第1の
スイッチング素子4を介して駆動エネルギを補うように
加えるものであり、メインスイッチング素子1をオンと
する為にコンデンサ3から供給したエネルギは、メイン
スイッチング素子lの寄生容量に蓄積されるが、メイン
スイッチング素子lをオフとする時に、コンデンサ3に
帰還されて次のメインスイッチング素子lのターンオン
時に使用されるから、直情型tA2からコンデンサ3に
供給する電力は僅かなものとなる。
As explained above, the present invention turns on the third switching element 8 during the period when the first and second switching elements 4 and 5 are off, and changes the gate-source capacitance ICgs, etc. of the main switching element 1. Parasitic capacitance and capacitor 3
A series resonant circuit including a resonant inductance 6 and a diode 7 is formed, and in order to turn on the main switching element 1, the charge charged in the parasitic capacitance is transferred to the capacitor 3 by a half wave of the resonant current. Then, when the main switching element 1 is turned on, the charge of the capacitor 3 is added to the gate of the main switching element 1 via the first switching element 4 to supplement the drive energy, and the main switching element 1 is then turned on. The energy supplied from the capacitor 3 to turn on the switching element 1 is accumulated in the parasitic capacitance of the main switching element 1, but when the main switching element 1 is turned off, it is fed back to the capacitor 3 and used for the next main switching. Since it is used when turning on the element 1, the power supplied from the direct type tA2 to the capacitor 3 is small.

即ち、メインスイッチング素子Iの駆動電力を低減し、
効率を向上することができる利点がある。
That is, the driving power of the main switching element I is reduced,
There is an advantage that efficiency can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理説明図、第2図は本発明の動作説
明図、第3図は本発明の実施例の回路図、第4図は従来
例の駆動回路、第5図は従来例の動作説明図である。 1はメインスイッチング素子、2は直流電源、3はコン
デンサ、4,5.8は第1.第2.第3のスイッチング
素子、6は共振用インダクタンス7はダイオードである
。 特許出願人  富士通電装株式会社 代理人弁理士   相 谷 昭 司 代理人弁理士   渡 邊 弘 − 本発明の実施例の回路図 第3因 本発明の原理説明図 第1図 本発明の動作説明図 第2図 従来例の駆動回路 第4図 従来例の動作説明図 第5図
Fig. 1 is an explanatory diagram of the principle of the present invention, Fig. 2 is an explanatory diagram of the operation of the present invention, Fig. 3 is a circuit diagram of an embodiment of the invention, Fig. 4 is a drive circuit of a conventional example, and Fig. 5 is a conventional example. FIG. 6 is an explanatory diagram of an example operation. 1 is a main switching element, 2 is a DC power supply, 3 is a capacitor, 4, 5.8 is a first . Second. The third switching element 6, a resonant inductance 7, is a diode. Patent Applicant: Fujitsu Denso Co., Ltd. Representative Patent Attorney Akio Aitani Representative Patent Attorney Hiroshi Watanabe - Circuit diagram of an embodiment of the present invention Third factor Diagram explaining the principle of the present invention Figure 1 Diagram explaining the operation of the present invention Figure 2. Conventional example drive circuit Figure 4. Conventional example operation diagram Figure 5.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 メインスイッチング素子(1)を駆動するスイッチング
駆動回路に於いて、 周期的にオンとなって直流電源(2)からコンデンサ(
3)を充電する第1のスイッチング素子(4)と、 該第1のスイッチング素子(4)のオフ期間にオンとな
って前記メインスイッチング素子(1)のゲートに前記
コンデンサ(3)の端子電圧を印加して前記メインスイ
ッチング素子(1)をオンとする為の第2のスイッチン
グ素子(5)と、前記第1、第2のスイッチング素子(
4,5)のオフ期間にオンとなって、前記メインスイッ
チング素子(1)の寄生容量と共振用インダクタンス(
6)と前記コンデンサ(3)との直列共振回路にダイオ
ード(7)を介して半波の共振電流が前記メインスイッ
チング素子(1)の寄生容量から前記コンデンサ(3)
に流れるように制御される第3のスイッチング素子(8
)と を備えたことを特徴とするスイッチング駆動回路。
[Claims] In the switching drive circuit that drives the main switching element (1), the circuit is periodically turned on to supply electricity from the DC power supply (2) to the capacitor (
3); a first switching element (4) for charging the capacitor (3); and a terminal voltage of the capacitor (3) that is turned on during the off period of the first switching element (4) and is applied to the gate of the main switching element (1). a second switching element (5) for turning on the main switching element (1) by applying
4, 5) is turned on during the off period, and the parasitic capacitance of the main switching element (1) and the resonant inductance (
6) and the capacitor (3), a half-wave resonant current flows through the diode (7) from the parasitic capacitance of the main switching element (1) to the capacitor (3).
A third switching element (8
) A switching drive circuit characterized by comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2003047103A1 (en) * 2001-11-21 2003-06-05 Tropian Inc. Switch mode power supply and driving method for efficient rf amplification
JP2009527935A (en) * 2006-02-21 2009-07-30 オスラム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Circuit for switching a voltage controlled transistor

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