JPH0218233B2

JPH0218233B2 -

Info

Publication number: JPH0218233B2
Application number: JP59236443A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Oota; Hideo Watanabe; Mayumi Okasato
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1984-11-09
Filing date: 1984-11-09
Publication date: 1990-04-24
Also published as: JPS61114844A

Description

【発明の詳細な説明】

イ産業上の利用分野本発明は、導電性積層体に関し、更に詳述すれ
ば、例えば液晶表示装置等の表示装置に使用して
好適な導電性積層体に関する。ロ従来技術透明導電膜又は透明導電性積層体は、例えば液
晶デイスプレイ用の電極、エレクトロルミネツセ
ンス表示装置の電極、光導電性感光体用の電極を
はじめ、ブラウン管、各種測定器の窓部分の静電
遮蔽層、帯電防止層、発熱体等の電気、電子分野
に広く利用されている。これらのうち、選択的光
透過性を有する透明導電膜は、その赤外光反射能
によつて太陽エネルギー利用のためのコレクタ用
窓材として、又は建物の窓材として応用されてい
る。また、情報処理の発展に伴なつて、ブラウン
管に代わる表示装置として、エレクトロルミネツ
センス、液晶、プラズマ、強誘電体を用いた各種
の固体デイスプレイが開発されており、これらの
デイスプレイには透明電極が必ず用いられる。更
に、電気信号と光信号との相互作用又は相互変換
による新電気光学素子や記録材料が今後の情報処
理技術にとつて有用視されてきているが、これに
も透明性及び導電性を兼備した膜が必要とされ
る。一方、こうした透明導電層は自動車、飛行機
等における凝結防止用の窓ガラスとして、或いは
高分子やガラス等の帯電防止膜、太陽エネルギー
の放散防止用の透明断熱窓としても利用可能であ
る。特に、近年、液晶デイスプレイ、エレクトロ
ルミネツセンス、プラズマデイスプレイ、エレク
トロクロミツクデイスプレイ、螢光表示装置等に
於いては、高画素表示の要求が高まつており、こ
れに伴つて透明導電層からなる電極によつて画素
部を形成すると同時に、金属層からなる低抵抗電
極によつて信号印加ラインを形成し、画素の表示
速度の向上と画像の改良とを図ることが提案され
ている。ところで、液晶デイスプレイ等の表示装置にあ
つて、導電性積層体の透明導電層のパターニング
は一般にフオトエツチングによつており、導電性
積層体上に残存するフオトレジストを除去するた
めにアルカリ溶液に浸漬する工程及びパターニン
グ後に導電性積層体表面を酸で洗滌する工程があ
る。これらの工程に於いて、透明導電層に亀裂や
局部的な剥離が起ることがあり、後述するように
導電性積層体にとつて重大な欠陥となる。上記の現象の原因は明確には把握されていない
が、基体と透明導電層との熱膨張係数の差異に基
く透明導電層内に発生する内部応力が作用してい
るもののように考えられる。即ち、基体上に透明導電層を蒸着によつて被着
させるに際して蒸着層の酸化度を高めて透明性と
導電性を向上させるために、基体を例えば300℃
以下の温度に加熱する。また、基体の熱膨張係数
は広く用いられているポリエーテルサルホン
（PES）では5.5×10^-5cm／cm／℃、ポリエチレン
テレフタレート（PET）では1.5×10^-5cm／cm／
℃であるのに対して、透明導電層材料として広く
用いられている例えば酸化インジウム（In₂Ox、
ｘ≦３）やインジウム−錫酸化物（ITO）のそれ
は10^-6cm／cm／℃のオーダーであつて、基体と透
明導電層との熱膨張係数の差異が大きい。そのた
め、室温で透明導電層内には基体の収縮によつて
内部応力が発生し、この内部応力によつて酸又は
アルカリ液中で腐蝕が進行して亀裂や局部的剥離
を起こすものと考えられる。一方、透明基板上に酸化インジウム膜を形成
し、次いで酸化錫膜を形成した二層構成の透明導
電膜が提示されている（特開昭52−22789号公報）
が、この透明導電膜は、例えば液晶表示装置素子
用の透明電極板として使用する場合、パネルのシ
ールをガラスシール材を用いて強固に行うに際し
て500℃或いはそれ以上の温度とするのであるが、
この熱処理後の透明性と導電性を良好に保つこと
を目的としている。この透明導電膜では酸化錫層にピンホールや亀
裂があると前記の酸やアルカリに対して抵抗力が
低下する；酸化インジウム層と酸化錫層との溶解
性の相違のためにサイドエツチングが大きく、パ
ターニングが困難である；基体側に酸化インジウ
ム層を設けると耐酸性、耐アルカリ性共に満足で
きず、その結果、透明導電膜に亀裂や剥離が生じ
易い；等の問題がある。ハ発明の目的本発明は、上記のような従来の導電性積層体が
有する問題点を解消し、酸やアルカリに対して充
分な抵抗力を示す導電性積層体を提供することを
目的としている。ニ発明の構成即ち、本発明は、基体上に中間層と透明導電膜
とがこの順に前記基体の同一面側に形成されてな
る積層構造が唯１つ設けられ、前記中間層が無機
質で実質的に非晶質でありかつ前記透明導電層が
結晶質であることを特徴とする導電性積層体に係
る。上記「基体」は、その熱膨張係数が透明導電層
の熱膨張係数と明瞭な差異のある基体であり、そ
の材料としては高分子有機質、例えば、ポリエチ
レンテレフタレート（PET）、ポリエチレンナフ
タレート、ポリヘキサメチレンジアミド、ポリ−
γ−ブチロアミド、ポリメタキシレンジアミンテ
レフタルアミド、ビスフエノールＡ及びそのハロ
ゲン化物と酸ジクロライドを主成分とする芳香族
ポリエステルまたは芳香族ポリエステルカーボネ
ート、メタフエニレンジアミンとイソフタル酸及
びテレフタル酸との共重合体等のポリアミド、ポ
リカーボネート、ポリプロピレン、ポリイミド、
ポリアミド、イミドポリベンズイミダゾール、ポ
リエーテルサルホン（PES）、ポリエーテルエー
テルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルイミ
ド、トリアセチルセルロースが使用できる。ま
た、偏向性フイルタ機能を有していても良いし、
製造時に延伸を要する場合は１軸性及び２軸性の
いずれも使用可能である。基体の中間層や透明導電層を形成する面とは反
対側の面又は基体と中間層との間に複数個の高分
子樹脂を積層又は混合しても良い。例えば透水防
止のためのバリヤ層として、塩化ビニリデン樹脂
サランコートを積層擦ることも可能であり、其他
の機能を有する層、例えば反射防止、擦傷防止効
果、ガスバリヤ性樹脂を積層することも可能であ
る。例えば旭化成社製サランラテツクス（登録商
標）L520、L511からなるポリ塩化ビニリデン材
料を高分子フイルム基体にワイヤーバーコーテイ
ングしたとき、透水防止効果は極めて大きくな
る。そのコーテイング条件としては、例えば基体を
厚さ100μmのPET又はPESフイルム、サランラ
テツクス原液（固形分48％）を水で1.0〜３倍に
希釈、ワイヤーバーウエツト膜厚３〜60μm、搬
送速度100〜200ｍ／min、乾燥90〜140℃の熱風、
コーテイング層乾燥膜厚１〜30μmとして良い。基体の厚さは、100μm程度が好適である。透明導電層の材料としては、Au、Pd、Cr、Ni
のような金属薄膜、SnO₂、In₂O₃、ZnO、TiO₂、
CdO、CdO−SnO₂及び前記ITO等が好適である。
また、その厚さは200〜10000Åが、特に200〜
1000Åが好適である。但し、ITOの場合は錫10原
子％未満とするのが良く、また、上記成分に加え
て、Cd、Zn、Al等を含有させたものも使用でき
る。基体と透明導電層との間に設ける中間層は、非
晶質からなるものとし、ITO、酸化錫、酸化珪素
（SiO₂）、酸化アルミニウム（Al₂O₃）等の金属又
は半金属の酸化物を成分とするものが特に好適で
ある。その厚さは70Å以上、特に70〜300Åが良
い。その成膜は反応蒸着又は反応スパツタによる
ことができる。第１図は本発明に基く導電性積層体の断面を示
し、基体２上に中間層３、透明導電層４が順次被
着されている。中間層３と透明導電層４との間に
は、例えば光干渉効果によつて光透過率を向上さ
せるためのAl₂O₃層其他の無機物質からなる層、
或いは高分子物質からなる層等の其他の中間層
（これらの層は結晶質であつて良い。）を設けても
良い。ホ実施例以下、透明導電層材料に酸化インジウム又は
ITOを使用した例について説明する。先ず、本発明が完成するに至る経過について説
明する。以下の試験ではいずれも基体には厚さ
100μmのPES又は一軸延伸若しくは二軸延伸
PETを使用し、中間層、透明導電層の成膜は反
応蒸着（蒸発源In、In−Sn、In₂O₃、ITO）又は
反応スパツタ法（ターゲツトIn、In−Sn、
In₂O₃、ITO）によつた。予備試験１中間層を設けない従来の導電性積層体につい
て、透明導電層の錫含有量とシート抵抗との関係
を求めた。但し、成膜温度（蒸着時の基体温度）
は10〜200℃、膜厚は600Åである。試験結果は第２図に示す通りである。錫含有７原子％迄はシート抵抗Ｒは100Ω／□
と略々一定値を示し、これが７原子％を越えると
次第にシート抵抗が上昇し、10原子％で170Ω／
□に達する。錫含有量が10原子％を越えるとシー
ト抵抗が急激に上昇するようになり、シート抵抗
を一定に制御することが困難になると共に低抵抗
値を保持することができなくなる。従つて、透明
導電層の錫含有量は10原子％以下にすべきであ
り、特に７原子％以下であるのが望ましい。予備試験２ (i) 中間層を設けない従来の導電性積層体につい
て、成膜時の基体温度（成膜温度）と酸に浸漬
前後のシート抵抗の変化との関係より耐酸性を
調べた。成膜温度は10〜200℃の範囲である。
但し、透明導電層は酸化インジウム又は錫含有
量10原子％迄のITO、膜厚500Å、酸は0.05N
の塩酸、液温は20℃、浸漬時間は30分間であ
る。酸浸漬前のシート抵抗をR₀、酸浸漬後のシ
ート抵抗をＲとし、Ｒ／R₀≦２（Ｒ／R₀は１に
近い程望ましく、2.0以下であることが望まれ
る。）となるための成膜温度は、透明導電層の
錫含有量によつて変化しており、下記第１表に
示す通りであつた。

【表】表中、at.％は原子％を表わす（以下同じ）。同表から、Ｒ／R₀を2.0以下にするためには、
透明導電層の錫含有量が高くなる程成膜温度を
高くする必要があることが解る。なお、第１表に示した条件では、Ｒ／R₀は
2.0以下であつたが、酸浸漬後に透明導電層に
亀裂が発生していて、耐酸性は満足できるもの
ではなかつた。また、第１表に示した必要成膜
温度以上で作つた透明導電層はＸ線回折試験に
より、結晶質であることが判明した。従つて、
耐酸性に於いて少なくともＲ／Ｒ≦2.0とする
には、透明導電層を結晶質にすることが有効で
ある。 (ii) 透明導電層の錫含有量を３原子％とし、成膜
温度と耐アルカリ性との関係を調べたところ、
下記第２表に示す結果が得られた。なお、耐ア
ルカリ性は、５重量％のKOH水溶液（20℃）
に10分間浸漬したときの浸漬前R₀と浸漬後Ｒ
のシート抵抗変化Ｒ／R₀及び表面状態変化で
調べた。同表中、〇、△、×は下記の状態を示す（以
降の試験にお於いても同様である。）。〇：Ｒ／R₀≦2.0、亀裂、剥離共に認めず △：Ｒ／R₀≦2.0、亀裂発生、剥離を認めず ×：Ｒ／R₀＞2.0、亀裂、剥離共に発生

【表】なお、第１表に示した必要成膜温度（錫３原
子％；140℃以上）よりも更に高い成膜温度に
於いて、耐酸性の点では亀裂発生があるが、
Ｒ／R₀≦2.0である。然し、耐アルカリ性の点
で性は高温になる程アルカリ浸漬による表面の
亀裂が甚しくなり、更に、剥離を起こすことも
あり、やがてＲ／R₀が2.0を越えるようになる。成膜温度が高くなると酸又はアルカリ浸漬時
に透明導電層に亀裂が発生するようになるの
は、基体と透明導電層との熱膨張係数の差に基
く透明導電層中に発生する内容応力が大きくな
り、これが酸又はアルカリ浸漬時の亀裂発生を
誘発することによるもののように考えられる。以上のように、基体上に直接透明導電層を形
成した導電性積層体では、耐酸性、耐アルカリ
性の双方共に満足し得るものは得られていな
い。なお、第２表に於いて成膜温度140℃以上
の透明導電層はＸ線回折試験に於いて結晶性を
有しており、他方、80℃以下に於いては、成膜
温度が下がる程非晶質性を有する度合が高い。上記の結果から、耐酸性に於いてＲ／R₀を
低くするためには透明導電層の成膜温度は錫含
有量に応じた或る温度以上（結晶性）とするこ
とを要するが、成膜温度を上げると、耐酸性及
び耐アルカリ性に於いて亀裂発生の傾向が強ま
る。透明導電層に発生する亀裂は、微細なもの
であればＲ／R₀の増大は僅かであるが、透明
導電層を細かいパターンにパターニングした際
には（特に細かい配線を設けた場合には）、微
細な亀裂であつてもこれが断線の原因となつ
て、この導電性積層体を使用した液晶デイスプ
レイ其他の表示装置に作動しない個所が生ずる
ようになる。このような場合、微細な亀裂でも
導電性積層体にとつて重大な欠陥である。上記の事情から、成膜温度を上げても亀裂発生
を防止できれば甚だ好都合である。予備試験３第１図に示した構造の導電性積層体１につい
て、中間層３の材料を非晶質酸化錫とし、その厚
さと酸浸漬前後のシート抵抗の変化Ｒ／R₀との
関係を求めた。成膜温度は200℃以下、例えば100
℃である。透明導電層４は錫０〜８原子％を含有
する酸化インジウム又はITO、成膜温度は第１表
に示した必要成膜温度以上とし、特に100〜200℃
（錫０原子％で100℃、錫６原子％で200℃）、厚さ
は400Åである。R₀は400〜600Ω／□、酸浸漬前
の光透過率は82〜75％である。膜厚の測定は300
Å以上ではタリステツプにより行い、それ以下の
厚さは蒸発速度、成膜時間から計算によつて求め
た（以降の試験も同様である。）。試験結果は第３図に示す通りである。中間層の厚さが80Åよりも小さくなると、Ｒ／
R₀が急激に上昇する。これは、酸浸漬によつて
透明導電層に多量の亀裂が発生（中には剥離を起
こすものもある。）による結果である。中間層の厚さ80ÅではＲ／R₀は1.4で、この厚
さが増すに従つてＲ／R₀は小さくなり、500Å以
上ではＲ／R₀が１になつている。中間層の厚さ
80Å以上では透明導電層中に亀裂を認めなかつ
た。中間層の材料を10原子％の錫を含むITOとした
場合も上記と略々同様の結果となつた。また、中
間層はＸ線回折試験に於いて非晶質であり、他
方、透明導電層は結晶質になつている。以上の結果から、中間層の厚さは80Å以上で非
晶質とするのが良く、更に、透明導電層は結晶質
とするのが良いことが理解できる。次に、本発明の実施例を比較例と較べながら具
体的に説明する。基体と透明導電層との間に、錫含有量を変えて
中間層を設けた導電性積層体について、前記と同
様の耐酸、耐アルカリ試験を行つた。第４図に示す蒸着装置を使用して、一方の面に
予め厚さ１〜30μm、例えば20μmの塩化ビニリデ
ン樹脂からなる透水防止層を被着させた厚さ
100μmのPESシート基体のこの透水防止層とは反
対側の面上に、中間層及び透明導電層を順次堆積
させ、透明導電性積層体とした。蒸着装置は各室３０，３１ｂ，３１ａ，３２に
仕切られていて、両側の室３２，３０にはシート
基体２の巻取ロール３６、供給ロール３３が配さ
れ、両ロール間で基体２が順次送られながら次の
ような処理が行われる。先ず、室３０内で５個の搬送ローラ２６によつ
てシート基体２が蛇行して搬送され、シート基体
２の間に配されたハロゲンヒータランプ２７によ
つて予備加熱してシート基体２の吸着水分を除去
し、放電装置２５で放電処理して清浄される。室３０内での操作条件は次の通りである。加熱温度：80〜150℃、減圧度：10^-4〜
10^-5Torr、放電処理：使用ガスはO₂ガス、Arガス又はAr
＋O₂混合ガス、DC又はAC放電（０〜1000W
（0Wは放電処理を施さず。））次いでシート基体２は室３１ｂ内に搬送され、
恒温ローラ２９（−10℃〜250℃に制御可能）に
密着して所定温度に保持されながら蒸発源４２ｂ
から発生する蒸気によつて蒸着、中間層を形成す
る。中間層の厚さは水晶振動式膜厚モニタ２８に
よつて検知、制御される。室３１ｂ内での操作条件は次の通りである。蒸発源４２ｂ：Sn、SnとInとの二元蒸着、
SnO₂又はSn7原子％以上を含有
するITO 加熱方法：電子銃加熱（SnO₂又はITO）抵抗
加熱（Sn又はSn、Inの二元蒸着）ガス放電装置３７：高周波放電（詳細は後述す
る。）蒸発速度：100〜1000Å／min 酸素圧力：５×10^-4〜3.0×10^-3Torr 高周波電力：200〜800W（13.56MHz）基体保持温度：70〜100℃ 次いで、シート基体２は室３１ｂと同様の構造
を有する室３１ａ内に搬送され、中間層上に透明
導電層が形成される。室３１ａ内での操作条件は次の通りである。蒸発源４２ａ：In又はSn10原子％以下のITO 加熱方法：電子銃加熱又は抵抗加熱放電装置３７：前記と同じ蒸発速度：100〜2000Å／min 酸素圧力：３×10^-4〜3.0×10^-3Torr 高周波電力：前記と同じ基体保持温度：蒸発源にSnを含有しない場合
は90℃以上、例えば130℃、蒸
発源にSn5原子％を含む場合は
180℃以上、例えば190℃ 其他は室３１ｂ内に於けると同様である。最後に、シート基体２は室３２内に搬送され、
シート抵抗モニタ２４によつて２本の搬送ローラ
２６間でシート抵抗を測定され、巻取ロール３６
に巻取られる。室３１ｂ，３１ａ内に配された高周波放電装置
３７の詳細を述べると、次の通りである。第５図に示すように、放電用電極はガス（酸
素）導入管４３の周面を内包する如くに配された
複数のリング４５ａ，４５ｂからなつている。放
電装置３７全体には水冷管を巻付けてこれを冷却
するようにしてあるが、この水冷管は図示省略し
てある。一方のリング状電極４５ａはリード線６
７によつて高周波導入端子４８に接続され、他方
のリング状電極４５ｂはリード線５８により金属
製の防着部材４４に接続されて金属製の取付け板
３９を介して接地されている。上記電極４５ａ，
４５ｂは例えば内径２〜10cmφ、幅0.5〜10cmの
銅製、ステンレス製又は白金製の帯リングからな
り、Ｃカツプリング型（容量結合型）の放電を導
入管４３内で生ぜしめる。前記帯リングは、水冷
管を巻付け、冷却する事により、高電力の高周波
の導入が長時間可能となる。上記の如くガス放電装置３７を使用する反応蒸
着方法は、従来の方法に比較して次の(1)〜(6)の如
き特徴を有している。 (1) 放電装置に高周波電圧を印加して反応用ガス
を活性化又はイオン化しているので、反応用ガ
スの反応性を高めて蒸着物質との反応を促進で
きると共に、放電部では放電電極４５を放電領
域５７に接しない位置に設けることができる。
従つて、放電時に電極４５がボンバードされる
ことはなく、電極材料がガス中に混入して蒸着
膜を汚染することがない。これに反し、放電装
置に直流電圧を加えて放電させることも考えら
れるが、この場合には電極が放電領域に接して
配する必要があるから不適当である。 (2) 放電用電極４５を導入管４３の外周に配した
ことにより、蒸着空間内のガス圧を高くするこ
となしにガス圧を高く保持した導入管４３のガ
スを効率良くイオン化又は活性化できる。従つ
て、ガスの導入量及び導入率を大きくすること
もできる。また蒸着空間のガス圧を低下させ得
て蒸発物質の電場加速が不要となり、蒸発材料
を金属、酸化物のいずれも使用可能であつて、
その選択範囲が向くなり、而も被蒸着基板の材
質を広範囲に選べると共に、良質な蒸着膜の成
膜が可能となる。而も、基板温度の選択範囲が
広がり、その加熱、冷却も簡略に行える。 (3) ガス放電域が導入管４３内に限られ、電極４
５とは隔絶されているから、放電時に生じるガ
スイオンによつて電極４５がボンバードされる
ことを防止できる。つまり、電極材料の加熱や
ボンバードによるその蒸発を防止し、蒸着空間
の汚染を防ぐことができる。 (4) 導入管４３及び電極４５を内包する如く防着
部材４４，４６を設けたので、導入管４３、電
極４５、高周波導入端子４８への蒸発物質の付
着を防止できると共に、取付け板３９、電極４
５、導入管４３を介しての高周波の漏れも効果
的に防止して放電を安定に行わせることができ
る。 (5) ガス放電装置３７は、ベルジヤー内に設置台
を介して簡単な構造で取付可能であるから、取
付又は取外し作業が容易となる。而も、大面積
基体に対して成膜するときは、その設置位置及
び個数を調整して最適化することにより、均一
な成膜が可能となる。例えば、放電装置を適切
な位置にセツトしたり、或いは均一成膜のため
に複数個セツトできる。 (6) ガス放出口の指向方向が容易に変更可能な為
に、蒸発速度の変化に対しても放電が乱れない
様に設定可能となる。特にガス放出口が蒸発源
と基体の間を指向しないようにガス放電装置を
設置すると、放電が安定に持続し、蒸着膜の膜
質を均一化できる。 (7) 取付台、放電電極４５、防着部材４４を水冷
することにより、放電中の加熱が防止され、高
電力の高周波が導入でき、反応蒸着を促進でき
る。かくして、第６図に示すように、基体２の一方
の面上に中間層３、透明導電層４が順次形成し、
他方の面に透水防止層５が形成した透明導電性積
層体を得た。前述した室３１ｂ，３１ａ内での操作条件毎
に、得られた透明導電性積層体のシート抵抗、光
透過率、前記試験５、６に於けると同様の耐酸
性、耐アルカリ性の評価を行つた。その結果の例を挙げると、下記第３表に示す通
りである。同表中、Tsは基体保持温度である。

【表】

【表】これら導性積層耐の内、耐酸性、耐アルカリ性
共に優れた導電性積層体は、No.１、３、５、８、
９、12、13、15、16、17であつて、中間層の錫含
有量が７原子％以上のものであり、これらの中間
層を形成した状態で、いずれもＸ線回折試験の結
果、中間層は非晶質であることが確認された。そ
の他の導電性積層体の中間層は結晶質又は結晶質
を含んでいた。また、No.１、３、５、８、９、
12、13、15、16、17の透明導電層は結晶質又は一
部結晶質を含んでいた。なお、上記No.１、５、９、13、15と同一組成の
中間層を第３表に記載の成膜温度よりも高い温度
で成膜した場合は、中間層に結晶質が含まれるよ
うになり、その上に透明導電層を形成した導電性
積層体は酸又はアルカリ浸漬によつて透明導電層
に亀裂や剥離の発生が観察された。また、上記No.
１、５、９、13、15の成膜温度で中間層の錫含有
量を上記よりも低くした場合も同様であつた。以上の結果から、中間層の錫含有量が高い程、
また、中間層の成膜温度が低い程、中間層が非晶
質になり易く、導電性積層体の耐酸性、耐アルカ
リ性が改善されることが解る。これは次のような理由によるものと考えられ
る。 (1) 成膜温度が低い程、蒸着層は蒸着時に基体に
熱を奪われて急冷され、非晶質になり易い。 (2) ITO蒸着層の錫含有量が高くなる程、非晶質
になり易い。 (3) 従つて、ITO蒸着層の錫含有量が高くなる
程、非晶質となり得る成膜温度の上限が高くな
る。中間層を酸化珪素（SiO₂）又は酸化アルミニ
ウム（Al₂O₃）とし、成膜温度を前者は150℃以
下、後者では170℃以下として、反応蒸着又は反
応スパツタによつて非晶質中間層を形成し、その
上に透明導電層を形成した導電性積層体でも、前
記の実施例と同様に優れた耐酸性、耐アルカリ性
を示した。中間層をAl₂O₃で形成（反応蒸着）した例を挙
げると、下記第４表に示す通りである。

【表】次に、透明導電層を金属薄膜とした実験の一例
を挙げると下記第５表に示す通りである。

【表】本発明に基く導電性積層体の透明導電層及び中
間層を所定のパターンにパターンエツチングして
液晶デイスプレイとした例を、第７図に示す。透明基板２上にパターニングされた中間層３及
び透明導電層４を順序積層してなる透明導電性積
層体１が、透明導電層４を互に対向して位置し、
配向膜７を介して液晶６を挟んでサンドイツチ状
を呈し、液晶デイスプレイ９が構成されている。
透明基板２の両側には、透水防止層５、偏向膜８
が順次被着している。なお、本発明に基く導電性積層体は、液晶デイ
スプレイのみならず、エレクトロルミネツセンス
デイスプレイ、エレクトロクロミツクデイスプレ
イ、螢光デイスプレイ等、種々の表示装置にも使
用して好適である。ヘ発明の効果以上説明したように、本発明に基く導電性積層
体は、基体と結晶質の透明導電層との間に、実質
的に非晶質からなる中間層が設けられた構造とし
てあるので、基体と透明導電層との熱膨張係数の
差異に基いて透明導電層内に発生する内部応力が
上記中間層の存在によつて緩和される。その結
果、酸やアルカリに対する抵抗力が大きく、例え
ば液晶デイスプレイに使用する際、パターニング
の後処理に於いてレジスト除去のためにアルカリ
洗浄をしたり、透明導電層表面洗浄のために酸を
用いても、表面に亀裂や剥離を起すようなことが
なく、充分に信頼して使用することができる。

【図面の簡単な説明】

図面はいずれも本発明の実施例を示すものであ
つて、第１図は導電性積層体の断面図、第２図は
透明導電層の錫含有量とシート抵抗との関係を示
すグラフ、第３図は非晶質酸化錫中間層の膜厚と
酸浸漬によるシート抵抗の変化との関係を示すグ
ラフ、第４図は成膜に使用した蒸着装置の概略断
面図、第５図は蒸着装置中のガス放電装置の斜視
図、第６図は他の導電性積層体の断面図、第７図
は液晶デイスプレイの断面図である。なお、図面に示された符号に於いて、１……導
電性積層体、２……基体、３……中間層、４……
透明導電層、５……透水防止層、６……液晶、７
……配向膜、８……偏向膜、９……液晶デイスプ
レイ、２９……恒温ローラ、３７……ガス放電装
置、４２ａ，４２ｂ……蒸発源である。

Claims

【特許請求の範囲】

１基体上に、中間層と透明導電層とがこの順に
前記基体の同一面側に形成されてなる積層構造が
唯１つ設けられ、前記中間層が無機質で実質的に
非晶質でありかつ前記透明導電層が結晶質である
導電性積層体。