JPS63454A - 透明導電性フイルムの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばタッチパネル型の透明スイッチ、エレ
クトロルミネセンス（ＥＬ）表示板の透明電極、その他
の透明電極に用いられる透明導電性フィルムのＷｍ方法
に関するものである。

〔発明の背景〕

一般に透明導電性フィルムは、ガラス電極に比して、素
子の軽量化および薄型化が可能であって、製造工程にお
いても取扱いが容易で、所望の形状に容易に成形が可能
であり、また連続生産が可能となるなど、種々の利点が
得られることから、例えば透明スイッチ、エレクトロル
ミネセンス（ＥＬ）表示板の透明電極、その他の素子の
導電部材として広く用いられている。

斯かる透明”ＩＩＭ性フィルムは、通常、シート状の透
明基体上に、金属酸化物よりなる透明導電層を設けて構
成される。この透明導電層の形成においては、従来、ス
パッタリング法、反応蒸着法、後加熱酸化処理法（特開
昭４８−５５２６７号公報参照）等の方法が採用されて
いる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、スパッタリング法または反応蒸着法を用
いて透明導電層を形成する場合には、透明基体の全体を
均一な温度に維持することが困難であることから、結晶
性の均一な透明導電層を形成することが困難である。そ
のため透明ＲＮ性フィルムによりエレクトロルミネセン
ス表示板の透明電極あるいは液晶表示素子の透明電極を
形成する場合には、透明電極の性能にバラツキが生ずる
問題点がある。すなわち、透明電極の製造工程において
は、透明導電層を酸等により溶解してパターニングする
処理を行うことが必要とされるが、当該処理においては
、透明導電層の溶解速度がその結晶性の程度によって異
なり、その結果パターンの形状精度が不均一となり、結
局高い性能の透明電極を形成することが困難である。

また後加熱酸化処理法は、透明基体上に金属酸化物を真
空蒸着することにより酸化度の低いいわば金属の低級酸
化物層を形成し、そしてこの金属の低級酸化物層をさら
に酸化性雰囲気中で加熱処理することにより酸化度が高
くて透明性の高い遇明導ｉ層を形成する方法であり、従
って酸化度の十分高い透明導電層とするためには、加熱
処理時間を長くするか、あるいは処理温度を高くする必
要がある０例えば大気中で後加熱酸化処理する時には１
８０℃で６０分間の処理が少なくとも必要とされ、また
酸素ガス中で後加熱酸化処理する時には１３０℃で６０
分間の処理が少なくとも必要とされ、その結果透明導電
性フィルムの生産性が低下し、また高い性能の透明電極
を形成することが困難である。また透明基体の温度を例
えば１５０〜３００℃程度に高くして、透明導電性素材
を基体上に蒸着またはスパック法で形成し、結晶性およ
び酸化度の高い透明導電層を形成する場合には、その後
透明導電性フィルムを室温に冷却したとき、透明基体と
透明導電層との熱膨張係数の差により、透明導電層に大
きな応力が発生し、従って透明導電層を酸等により溶解
してパターニングする工程においては、パターン部分が
湾曲して平面性が低下し、その結果液晶表示素子の透明
電極として用いる場合には、パターン部分において色相
が変化し透明性が低下する問題点がある。

〔発明の目的〕

本発明は、以上の如き事情に基いてなされたものであっ
て、その目的は、透明性が高く、しかも結晶性が高くて
均一な性能の透明導電層を有する透明導電性フィルムを
製造する方法を提供することにある。

Ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明の透明導電性フィルムの製造方法は、透明基体上
に、非晶性もしくは結晶性の低い金属酸化物よりなる透
明導電層を形成する第１工程と、この第１工程において
形成された透明導電層を加熱処理して当該透明導電層の
結晶性を高くする第２工程とを含むことを特徴とする。

〔発明の作用効果〕

本発明によれば、透明基体上に非晶性もしくは結晶性の
低い金属酸化物よりなる透明導電層を形成する第１工程
を遂行した後、これを加熱処理することにより透明導電
層の結晶性を高くするので、第１工程においては低温で
酸化度の高い透明導電層を形成することができ、従って
透明基体と透明導電層の熱膨張係数の差に起因して透明
導電層に大きな応力の生ずることを回避することができ
、また第１工程においてすでに十分な酸化度としである
ので、第２工程においては特に酸化度を高くする必要が
なく、短時間でかつ低い温度で加熱処理を行うことによ
り、結晶性の十分高い透明導電層とすることができる。

例えば、大気中において１３０℃で３０分間、あるいは
２００℃で１０分間にわたる熱処理で結晶性透明導電層
が得られる。熱処理は、所定温度に加熱された熱風を基
体上に吹き付け、あるいは加熱ロールまたは平板に接触
させ、あるいはシーズヒータ、加熱ランプにより輻射加
熱することによって行うことができる。

これらの結果透明性が高くてしかも均一な性能の透明導
電層を有する透明遵電性フィルムを製造することができ
、従って透明導電性フィルムにおいては、ンート砥抗、
光透過率等の諸特性が均一となり、その結果均一な性能
の透明電極を多数形成することができる。

従って、例えばエレクトロルミネセンス表示板の透明電
極、あるいは液晶表示素子の透明電極を形成するときに
透明導電層を酸等により溶解してパターニングする工程
においては、酸等による溶解速度が均一となり、しかも
湾曲することなく高い平面性が得られ、その結果形状精
度が高くて性能の価れた透明電極を形成することができ
る。

また透明導電層の結晶性が高いことから、透明導電層の
耐久性が向上し、従ってタッチ入力用の透明スイッチを
形成するときには、例えば１００万回以上のタッチ入力
を繰り返したときにも十分なスイッチング性能が得られ
、耐久性の優れた透明スイッチを得ることができる。

〔発明の具体的構成〕

以下、本発明を具体的に説明する。

本発明においては、透明基体上に、非晶性もしくは結晶
性の低い金属酸化物よりなる透明導電層を形成する第１
工程を遂行し、この第１工程を経た後に、当該第１工程
において得られた透明導電層を加熱処理して当該透明導
電層の結晶性を高くする第２工程を遂行し、もって透明
導電性フィルムを製造する。

本発明において、「非晶性もしくは結晶性の低い金属酸
化物よりなる透明導電層」とは、そのＸ線回折における
（２．２．２）ピークの値が、当該透明導電層を温度１
８０℃で３０分間にわたり加熱処理したときに得られる
透明導電層のＸ線回折における（２．２．２）のピーク
の値に対して２７３未満であるものをいう。

さらに具体的に説明すると、第１工程においては、透明
基体を例えば５０〜７０℃の比較的低い温度に維持した
状態で、当該透明基体上に、非晶性もしくは結晶性の低
い金属酸化物よりなる透明導電層を例えば蒸着等の手段
により形成する。この第１工程においては、金属酸化物
を透明導電層の形成材料として用いるので得られる透明
導電層は酸化度の高いものとなり、好ましくは酸化度が
１．３〜１．５のものとなり、従って十分な透明性を有
するものとなる。なお、酸化度とは、金属酸化物をＭ、
Ｏアと表したときの比ｙ／ｘをいう。また第１工程にお
いて得られる透明導電層は、その光透過率が波長５５０
ｎｍにおいて７０％以上であることが好ましい。

次いで第２工程においては、第１工程で形成された透明
導電層を有する透明導電性フィルムを、大気中、窒素ガ
ス中、あるいは真空中で、例えば第１工程における温度
よりは高いが１３０〜２００℃の比較的低い温度で、３
０〜１０分間程度の短時間で加熱処理する。この加熱処
理においては、非晶性もしくは結晶性の低い金属酸化物
よりなる透明導電層が徐々に結晶化し、最終的には結晶
性の高い透明導電層となる。

前記透明基体の材料としては、各種の無機材料あるいは
有機材料を用いることができる。無機材料としては、例
えば石英ガラス、ソーダガラス、カリガラス等のガラス
を挙げることができる。有機材料としては、例えばポリ
エチレンテレツクレート、ポリエチレンナフタレート、
ポリへキサメチレンジアミド、ポリエ−テルイミド、ポ
リメタキシレンジアミンテレフタルアミド、ビスフェノ
ールＡおよびそのハロゲン化物と酸ジクロライドを主成
分とする芳香族ポリエステル（例えばｒＮＡＰフィルム
Ｊ　　（１！淵化学社製））または芳香族ポリエステル
カーボネート、メタフェニレンジアミンとイソフタル酸
およびテレフタル酸の共重合体などのポリアミド、ポリ
カーボネート、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリアミ
ド、イミドポリベンズイミダゾール、ポリエーテルサル
ホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポ
リエーテルイミド、トリアセチルセルロースなどを挙げ
ることができる。また、透明基体は、偏光性フィルタ機
能を有していてもよいし、製造時に延伸を要する場合に
は１軸性のものもしくは２軸性のもののいずれをも用い
ることができ、また、結晶性もしくは非晶性のいずれの
ものをも用いることができる。

透明基体の厚さは、材質、用途等によって異なり、−概
には規定することができないが、例えば透明スイッチに
用いる場合には、７５〜１２５μｍ程度であり、例えば
エレクトロルミネセンス表示板の透明電極に用いる場合
には７５〜１００ｎ程度であり、例えば液晶表示素子の
透明電極に用いる場合には、１００〜２００μｍ程度で
ある。

第１工程において、非晶性もしくは結晶性の低い金属酸
化物よりなる透明導電層を形成するために用いることが
できる当該金属酸化物としては、例えば酸化インジウム
、酸化スズ、酸化インジウムとスズとの混合物、酸化ス
ズとアンチモンとの混合物、酸化カドミウムとスズとの
混合物等を挙げることができる。

この透明導電層の形成においては、反応蒸着法、反応ス
バンタ法、イオンブレーティング法、その他の薄膜製造
手段を用いることができる。例えば反応蒸着法により透
明導電層を形成する場合には、蒸着材料の加熱源として
、抵抗加熱源、電子銃加熱源などの適宜の加熱源を用い
ることができる。

またこれらの蒸着材料のほかに、透明導電層を形成する
材料として、あるいは透明導電層の形成を助長するもの
としてその他の物質を必要に応じて放電装置によりイオ
ン化あるいは活性化した状態で蒸着空間に供給してもよ
い。斯かるその他の物質としては、例え、ば酸素、酸素
とアルゴンの混合ガスなどを用いることができる。斯か
るその他の物質の供給量は例えば３０〜２００ｃｃ／ｌ
ｌｌ１ｎ程度であり、また真空度は２Ｘ１０−’〜５　
ｘ　１０−　’Ｔｏｒｒ程度である。

そして放電装置においては、例えば出力が１００〜１０
００Ｗ程度の高周波放電により上記物質をイオン化ある
いは活性化することが好ましい。

第１工程において形成する透明導電層の厚さは、その材
質、用途等によって異なり、−概には規定することがで
きないが、例えば透明スイッチ、エレクトロルミネセン
ス表示板の透明電極、液晶表示素子の透明電極に用いる
場合には２００〜２０００人程度である。

第２工程において透明導電層を加熱処理するために用い
ることができる加熱手段としては、例えば熱風の吹付け
、シーズヒータまたはハロゲンランプ等による輻射加熱
、または加熱ドラム、加熱平板等に接触させる熱伝導加
熱等の手段を挙げることができる。加熱処理の温度は、
通常、１３０〜２００℃の範囲内であることが好ましい
、この加熱処理温度が高い場合には、基体と透明導電層
の熱膨張係数の違いにより、透明導電層にクランクが発
生し、また基体である高分子フィルムの熱による変質が
起こるおそれがあり、一方加熱処理温度が低い場合には
、透明導電層の結晶性が十分高くならず、その結果透明
導電層の耐久性等の特性が低下するおそれがある。

第２工程において透明導電層の加熱処理に要する時間は
、加熱処理の温度によっても異なるが、通常、１０〜６
０分間程度であることが好ましい。加熱処理時間が過小
の場合には、透明導電層の結晶性が不十分となるおそれ
がある。

本発明においては、透明基体および透明導電層のほかに
、必要に応じてその他の層を設けて透明ぶ電性フィルム
を製造してもよい。斯かるその他の層としては、例えば
、透明導電層と透明基体との密着性を高めるための下引
層、透明導電層に擦り傷等が発生するのを防止するため
の保護層、透明基体に擦り傷あるいは汚れ等が発生する
のを防止するためのハードコート層、水分あるいは酸素
等の透過を抑制して透明基体の劣化を防止するためのバ
リア一層等を挙げることができる。

透明導電性フィルムの具体的構成例を第１図〜第７図に
示す。これらの図において、９０は透明基体、９１は透
明導電層、９２は下引層、９３は保護層、９４はハード
コート層、９５はバリア一層である。

第１図に示した例は、透明基体９０上に透明導電層９１
を積層した構成、第２図に示した例は、透明基体９０上
に下引層９２を積層し、この下引層９２上に透明導電層
９１を積層した構成、第３図に示した例は、透明基体９
０上に、下引層９２、透明導電層９１、保：ｉ層９３を
この順に積層した構成、第４図に示した例は、透明基体
９０の一面上にハードコート層９４を積層し、透明基体
９０の他面上に、下引層９２、透明導電層９１をこの順
に積層した構成、第５図に示した例は、透明基体９０の
一面上にバリア一層９５を積層し、透明基体９０の池面
上に、下引層９２、透明導電層９１をこの順に積層した
構成、第６図に示した例は、透明基体９０の一面上に、
バリア一層９５、ハードコート層９４をこのＩ＋［に積
層し、透明基体９０の他面上に、下引層９２、透明導電
層９１をこの順に積層した構成、第７図に朱した例は、
透明基体９０の一面上に、バリア一層９５、透明導電層
９１をこの順に積層し、透明基体９０の他面上に、ハー
ドコート層９４を積層した構成である。

下引層９２、保護層９３、ハードコート層９４の構成材
料としては、種々の有機高分子物質、無機物質を用いる
ことができる。を機高分子物質としては、例えばシリコ
ーン樹脂、シラン系カンプリング剤、シラノール系樹脂
、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂等の熱硬化性樹脂；
アクリル系樹脂等の紫外線硬化性梼脂；等を挙げること
ができる。また無機物質としては、例えば酸化シリコン
、酸化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化
インジウム−スズ混合物、酸化ジルコニウム、酸化タン
タル、酸化ニオビウム、酸化セリウム等を挙げることが
できる。また無機物質よりなる下引層としては、特願昭
５９−２３６４４３号明細書に記載されている非晶性の
酸化スズ等の非晶性の酸化物質を好ましく用いることが
できる。

バリア一層９５の構成材料としては、例えば塩化ビニリ
デン樹脂、エチレンビニルアルコール共重合体樹脂等を
用いることができる。またエチレンビニルアルコール共
重合体樹脂として市販されている具体的製品としては、
゛例えばｒＥＶＡ−ＥＰ−ＦＩＯＩＪ、ｒ　Ｅ　Ｖ　Ａ
　−Ｅ　Ｐ　−Ｆ　１０４　Ｊ、ｒＥＶＡ−ＢＰ−Ｆ２
Ｏ３Ｊ　　（以上、■クラレ製）等を挙げることができ
る。また、無機物質も用いることができ、当該無機物質
としては、例えば酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸
化インジウム、酸化スズ等を挙げることができる。

これらの下引層、保護層、ハードコート層、バリア一層
は、例えばワイヤーバー塗布法、グラビアロール塗布法
等の手段により形成することができる。下引層の厚さは
例えば高分子物質では０．１〜５ｐｍ程度であり、無機
物質では５０〜２０００人程度が好ましい、ハードコー
ト層および保護層の厚さは例えば高分子物質では１〜１
０μ宵程度であり、無機物質では５００〜２０００人程
度が好ましい。バリア一層の厚さは例えば高分子物質で
は５〜３０ｕｍ程度であり、無機物質では１００〜１０
００人程度が好ましい。

第８図および第９図は本発明を実施するために用いるこ
とができる製造装置の一例の概略を示す説明図であり、
第９図は第１工程を遂行するための蒸着装置を示し、第
１０図は第２工程を遂行するための加熱処理装置を示す
。　　　　　　゛蒸着装置の内部は、第８図に示すよう
に、４つの室１１　、１２．１３．１４に仕切られ、そ
れぞれ排気ポンプ（図示せず）により所定の真空度に保
持されている０両側の室ＩＬ　１４にはそれぞれフィル
ム状の透明基体ｌＯの供給ロール１５および巻取ロール
１６が配置され、供給ロール１５よりの透明基体１０は
、処理時には搬送ローラ２１，２２，２３．２４および
蒸着ローラ２０を介して巻取ロール１６により一様な速
度で巻取られる。

室１３は、蒸着処理を施すための基若空間１７を区画す
るものであり、この室１３には上部に蒸着用ローラ２０
が配置され、下部には、蒸着材料容器３１およびこの容
器内に収納された蒸着材料３２と、この蒸着材料３２を
加熱して蒸発せしめるための加熱源（図示せず）と、必
要に応じて設けられる放電装置３３とが配置されている
。この放電装置３３からは例えば透明導電層の構成物質
となる物質あるいは透明導電層の形成を助長する物質が
イオン化または活性化された状態で蒸着空間１７に供給
される。

蒸着ローラ２０は詳細は図示しないがその内部にヒータ
ーが配設され、そのローラ表面に接触して当該蒸着用ロ
ーラ２０の回転に追随して搬送される透明基体１０を、
例えば５０〜７０℃の範囲内の温度に保持することがで
きる構成となっている。

加熱処理装置は、第９図に示すように、３つの室４１．
４２．４３に区画され、室４１には第１の工程を経て形
成された、非晶性もしくは結晶性の低い金属酸化物より
なる透明導電層が積層された透明基体１０の供給ロール
５１が配置され、室４３には当該透明基体ｌＯの巻取ロ
ール５２が配置されている。６０は加熱機構であり、例
えばシーズ線抵抗加熱ヒータ、ハロゲンランプ輻射ヒー
タ、温風ヒータ等よりなる、この加熱機構６０は室４２
の下部に配置されている。供給ロール５１よりの透明導
電層が積層された透明基体１０は、加熱処理時において
は搬送ローラ５３、５４を介して巻取ロール５２により
一様な速度で巻取られる。

これらの’Ｗｉｆｆを用いて、例えば次のようにして透
明導電性フィルムを製造することができる。

策士工程 供給ロール１５から搬送ローラ２１，２２を介して供給
され、蒸着用ローラ２０の表面に接触して当該蒸着用ロ
ーラ２０の回転に追随するよう蒸着空間１７内に導入さ
れた透明基体１０を、当該蒸着用ローラ２０により例え
ば温度５０〜７０℃の範囲内の温度に保持した状態で、
加熱源により金属酸化物よりなる蒸着材料３２を加熱し
て蒸着空間１７に蒸発させ、これにより透明基体１０上
に非晶性もしくは結晶性の低い金属酸化物よりなる透明
導電層を形成する。

この場合において、放電装置３３からイオン化または活
性化状態の物質を蒸着空間１７に導入して、これを蒸着
材料３２の蒸発物質と化合させ、あるいは当該蒸発物質
を活性化させるようにしてもよい。

このようにして透明導電層が形成された透明基体１０は
搬送ローラ２３．２４を介して巻取ロール１６に巻取ら
れる。

透明基体１０の搬送速度は、透明導電層の成長速度との
関係から定められるが、−例を挙げると５０〜２００ｃ
ｍ／ｍｉｎの範囲内が好ましい。

第２工程 次′いで、透明導Ｔｉ層が積層された透明基体１０を、
供給ロール５１から搬送ローラ５３を介して室４２内に
導入し、当該室４２内においては加熱機構６０により例
えば温度１３０〜２００℃の範囲内の一定温度に保持す
ることにより透明基体ｌＯ上の透明導電層を加熱処理し
、次いでこれを搬送ローラ５４を介して巻取ロール５２
に巻取り、もって透明導電性フィルムを製造する。

このような装置においては透明基体１０を一様な速度で
連続的に搬送しながら透明導電層を形成することができ
るので大量生産が可能であって透明導電性フィルムを安
価に製造することができ、しかも特性の揃った透明導電
性フィルムを製造することができる。

〔実施例〕

以下、本発明の具体的実施例について説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。

〈実施例１〉 第１工程 ポリエーテルサルホンよりなる厚さ１００μ■のフィル
ム状の透明基体上に、非晶性の酸化スズよりなる厚さ５
０人の下引層を形成し、透明基体の温度を約９０°Ｃに
維持した状態で、下引層上に、酸化インジウム−スズを
蒸発源材料として反応基若法により、非晶性もしくは結
晶性の低い酸化インジウム−スズ（スズ含有割合＝６重
量％）よりなる厚さ５００人の透明導電層を形成した。

得られたフィルムを「フィルムＡ」とする。

このフィルムＡの酸化度は約１．３であり、組成比に直
すとＩｎｔＯｚ、ｂである。また、波長５５０ｎｍの光
に対する光透過率は８４％であり、シート抵抗は２５０
Ω／口であった。

なお、透明導電層の酸化度は、ＥＳＣＡＳＣ法により求
めた。第１０図にＥＳＣＡ分析による結果を示す、この
ＥＳＣＡ分析の結果に基いて、Ｉｎ：＋ｄ、５ｎｘａ、
０８．の各ピーク高さを測定し、これらのピーク高さを
それぞれ下記第１表に示した補正値で割り、得られたＩ
ｎｘａ、５ｎ３４．０７．の比率をそれぞれＩｎ、、　
Ｓｎｓ　Ｏの濃度（ａｔ％）とし、次式により酸化度を
算出した。

酸化度＝０１．濃度／Ｉｎｘａ濃度 第　　１　　表 また、上記フィルムＡの透明導電層をＸ線回折により調
べたところ、Ｘ線回折における（２．２．２）ピークの
値が、当該３明導電層を温度１８０℃で３０分間にわた
り加熱処理したときに得られる透明導電層のＸ線回折に
おける（２．２．２）のピークの値に対して約１０％以
下程度であり、結晶性が低いことがｌ＋１！認できた・ 第２工程 第１工程で得られたフィルムＡを、大気圧中において、
温度１３０℃で３０分間にわたり加熱処理し、もって本
発明に係る透明導電性フィルムを得た。

これを「透明導電性フィルムｌ」とする。

この透明導電性フィルム１における透明導電層をＸ線回
折により調べたところ、第１１図に示すように、（２，
２，２）において高いピークを示していることが確認さ
れ、透明導電層の結晶性が高いことが確認され、またＥ
ＳＣＡ分析の結果により酸化度を測定したところ、約１
．３と加熱処理前と同様でほとんど変化していないこと
が確認できた。

豊血成狭 以上のようにして得られた透明導電性フィルムｌを２Ｃ
Ｉ１１×２Ｃ１１の小片に分割し、各小片についてそれ
ぞれシート抵抗および波長５５０ｎｓにおける光に対す
る光透過率を測定したとごろ、シート抵抗は２００±５
０．Ω／口と均一性が高く、また光ｉ３過率も８４±１
％と均一性が高いものであった。

バ叉二王ｌ久拭Ｍ 以上のようにして得られた透明ＲＭ性フィルムｌの透明
導電層上に、レジストインキ「アクアレジストインキ」
　（十条加工社製）を用いてスクリーン印刷法により、
ライン幅１ｍａ＋のパターンを印刷し、次いで温度９０
℃で６０分間にわたり熱処理してレジストインキを乾燥
させた。

次に、これを臭化水素（ＨＢｒ）水溶液（２５℃、濃度
４５〜５０重量％）中に２０秒間にわたり浸１ｔｌＬで
透明導電層の露出部分を溶解処理し、次いで水洗、乾燥
後、アルカリ液によりレジスト膜を除去し、さらに水洗
、乾燥し、もって透明導電層よりなるライン状の電極を
形成した。

得られたライン状の電極を顕微鏡で観察したところ、形
状精度が均一であり、また平面性が高（優れた透明電極
であることが確認できた。

耐スイッチング特性 以上のようにして得られた透明導電性フィルム１を用い
て実用に則してタッチ入力用の透明スイッチを作製し、
これらの透明スイッチについて第１２図に示した構成の
実験装置を用いて耐打鍵性を調べる実験を行った。この
第１２図において、７０は直流電源、７１は抵抗、８０
は透明スイッチであり、透明スイッチ８０の一方の透明
導電層８１は抵抗７１を介して直流電源７０の正極に接
続され、透明スイッチ８０の他方の透明導電層８２は直
接直流電源７０の負極に接続されている。７２は打鍵部
である。　８３．８４はそれぞれ一方および他方の透明
基体であり、８５゜８６はスペーサである。透明基体８
３．８４の厚さは１２５μ霞、透明導電層８１．８２の
厚さは共に５００人、ギャップ８７の長さＤは０．５ｍ
ｍである。実験は前記打鍵部７２を上下に往復動させる
ことにより透明スイッチ８０の開閉を繰返して行ったと
ころ、約１５０万回においても透明スイッチを流れるＴ
Ｌ流波形に乱れがなく依然として良好なスイッチング特
性が得られ、機械的耐久性が優れていて十分な耐打鍵性
を有していること力ｆ％’ｆｆｌ認できた。なお、スイ
ッチング電流はＩｎ＋Ａ、電圧は５■である。また、打
鍵部は、その先端にゴム硬度が６度で直径８關の球形の
ゴム製の打鍵部が設けられたものである。

〈実施例２〉 実施例１において、第２工程における加熱処理温度を下
記第２表に示すように変更したほかは同様にして透明導
電性フィルムを製造した。

またさらに第２工程における加熱処理の雲囲気を窒素ガ
ス中としたほかは上記と同様にして透明導電性フィルム
を製造した。

これらの透明導電性フィルムのそれぞれについて、透明
扉Ｔ、層の結晶性をＸ線回折により調べた。

結果を併せて第２表に示す、なお、第２表における「○
」、「△」、「×」の評価は次の通りである。

ｒＯＪ：Ｘ線回折における（２．２．２）ピークの値が
、当該透明導電層を温度１８０℃で３０分間にわたり加
熱処理したときに得られる透明導電層のＸ線回折におけ
る（２．２．２）のピークの値に対して２／３以上であ
ることを示す。

「△」　：Ｘ線回折における（２．２．２）ピークの値
が、当該透明導電層を温度１８０℃で３０分間にわたり
加熱処理したときに得られる透明導電層のＸ線回折にお
ける（２．２．２）のピークの値に対して２／３未満で
あることを示す。

ｒＸＪ：Ｘ線回折においてピークが全く認められないこ
とを示す。

第　　２　　表 この第２表の結果から、加熱処理温度が１３０℃以上の
場合には透明導電層の結晶化が十分に進行することが理
解される。

また実施例１と同様にして、タッチ入力用の透明スイッ
チを作製し、耐スインチング特性を調べる試験を行い、
スイッチングが不良となるまでの耐打鍵回数を求めた。

結果を併せて第２表に示す。

この第２表の結果から理解されるように、第２工程にお
ける加熱処理温度が１３０℃以上である透明”４７４性
フイルムを用いた場合には、耐打鍵回数がｌＯＯ万回以
上とａ械的耐久性の優れていることかに’ｆｆｌ　Ｆ！
できた。これに対して、第２工程における加熱処理温度
が１２０℃以下である透明導電性フィルムを用いた場合
には、耐打鍵回数が１０〜７０万回程度と低く機械的耐
久性が劣るものであった。

〈実施例３〉 第１工程 第８図に示した構成の装置を用い、ポリエチレンテレフ
タレートよりなる厚さ１００μのフィルム状の透明基体
上に、下記の条件に従って厚さ４００人の透明導電層を
設け、もってシート抵抗が３００〜４００Ω／口、波長
５５０ｎｍにおける光に対する光ｉ３過率が８０〜８３
％、透明導電層の酸化度が１．３〜１．５のフィルムを
得た。これを「フィルムＣ」とする。

またこのフィルムＣにおける透明導電層の結晶性をＸ線
回折により調べたところ、Ｘ線回折における（２．２．
２）ピークの値が、当該透明４電層を温度１８０℃で３
０分間にわたり加熱処理したときに得られる透明導電層
のＸ線回折における（２．２．２）のピークの値に対し
て約１０〜２０％であった。

０蒸着ロールの表面温度：５０〜７０℃Ｏｆ着材料：酸
化インジウム−スズ（ＩＴＯ）０蒸着材料の加熱法：電
子銃加熱法 ０蒸発速度＝１００〜５００人／分 ０放電装置：高周波放電装置 （周波数−１３，５６ＭＨｚ、放電電力−３００〜５０
０Ｗ）０放電装置からの導入ガス：酸素ガス （ガス圧＝　２　Ｘｌ０−’〜３　Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ
）ｙＪ２工程 第９図に示した構成の装置を用い、第１工程で得られた
フィルムＣを、大気圧中において、温度１５０°Ｃで３
０分間にわたり加熱処理し、もって本発明に係る透明導
電性フィルムを得た。これを「透明導電性フィルム３」
とする。

−この透明導電性フィルム３における透明導電層の結晶
性をＸ線回折により調べたところ、Ｘ線回折における（
２．２．２）ピークが増大し、その値は当該透明導電層
を温度１８０℃で３０分間にわたり加熱処理したときに
得られる透明導電層のＸ線回折における（２．２．２）
のピークの値に対して約８０％の大きさであり、十分高
い結晶性を有している、：とが確認できた。

また透明導電性フィルム３のシート抵抗、光透過率、酸
化度をそれぞれ調べたが、第１工程で得られたフィルム
Ｃとほぼ同様であり、これらの特性において変化がほと
んど認められなかった。

以上のようにして得られた透明導電性フィルム３につい
て、実施例１と同様の特性試験を行ったところ、シート
抵抗は３５０±５０Ω／口と均一性が高く、また光透過
率も８２±１％と均一性が高いものであった。

さらに以上のようにして得られた透明、’−７ｉ　ｅ性
フイルム３を用いて、実施例１と同様のパターニング試
験を行ったところ、得られたライン状の電極の形状精度
が均一であり、また平面性が高く優れた透明電極である
ことが確認できた。

また透明導電性フィルム３を用いて実施例１と同様にし
て、タッチ入力用の透明スイッチを作製し、耐スイッチ
ング特性を調べる試験を行い、スイッチングが不良とな
るまでの耐打鍵回数を求めたところ、耐打鍵回数が１５
０万回以上とＪＲｔＪ的耐久性の優れていることが確認
できた。

また比較のため、第１工程で得られたフィルムＣを用い
て同様にしてタッチ入力用の透明スイッチを作製し、耐
打鍵回数を調べたところ、わずか５０〜８０万回程度と
低く機械的耐久性が劣るものであった。

また第２工程における加熱処理温度を１５０℃に変えた
ほかは上記と同様にして透明導電性フィルムを製造した
ところ、上記の透明導電性フィルム３とほぼ同様の性能
を有する透明導電性フィルムが得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第７図はそれぞれ透明導電性フィルムの具体
的構成例を示す説明用断面図、第８図は本発明において
第１工程を遂行するために用いることができる製造装置
の一例の概略を示す説明用断面図、第９図は本発明にお
いて第２工程を遂行するために用いることができる製造
装置の一例の概略を示す説明用断面図、第１０図は第１
工程で形成された透明導電層の酸化度を求めるためのＥ
ＳＣＡ分析による結果を示す説明図、第１１図は第２工
程で得られる透明導電層の結晶性を調べるためのＸ線回
折による結果を示す説明図、第１２図は耐打鍵性を調べ
るための実験装置の一例を示す現用図である。 ９０・・・透明基体　　　　　９１・・・透明導′：４
．層９２・・・下引層　　　　　　９３・・・保ＡＩ層
９４・・・ハードコート層　　９５・・・バリア一層１
１．１２，１３．１４・・・室　　　１０・・・透明基
体１５・・・供給ロール　　　　１６・・・巻取ロール
２０・・・１着ローラ ２１．２２，２３．２４・・・搬送ローラ３１・・・蒸
着材料容器　　　３２・・・蒸着材料３３・・・放電装
置　　　　　１７・・・蒸着空間４１．４２．４３・・
・室　　　　　５１・・・供給ロール５２・・・巻取ロ
ール　　　　６０・・・加熱機構５３．５４・・・搬送
ローラ　　７０・・・直流電源７１・・・抵抗　　　　
　　　７２・・・打鍵棒８０・・・透明スイッチ　　　
８１．８２・・・透明導電層８３　、８４・・・透明基
体　　　８５．８６・・・スペーサ８７・・・ギャップ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）透明基体上に、非晶性もしくは結晶性の低い金属酸
   化物よりなる透明導電層を形成する第１工程と、この第
   １工程において形成された透明導電層を加熱処理して当
   該透明導電層の結晶性を高くする第２工程とを含むこと
   を特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 ２）第１工程における透明導電層の酸化度が１．３〜１
   ．５で、光透過率が波長５５０ｎｍにおいて７０％以上
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の透
   明導電性フィルムの製造方法。 ３）第２工程における加熱処理の温度が１３０〜２００
   ℃であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
   第２項記載の透明導電性フィルムの製造方法。