JPH02183206A - 方向性結合器の作製方法 - Google Patents

方向性結合器の作製方法

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JPH02183206A
JPH02183206A JP1003445A JP344589A JPH02183206A JP H02183206 A JPH02183206 A JP H02183206A JP 1003445 A JP1003445 A JP 1003445A JP 344589 A JP344589 A JP 344589A JP H02183206 A JPH02183206 A JP H02183206A
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JP
Japan
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coupling
optical waveguide
directional coupler
metal
diffusion
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JP1003445A
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English (en)
Inventor
Kazunori Kurima
栗間 一典
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、方向性結合器の作製方法に関する。
より詳細には、強誘電体結晶基板中に金属原子を拡散さ
せて所定の形状の光導波路を形成し、方向性結合器を作
製する方法に関する。
従来の技術 方向性結合器を応用した装置の例として、方向性結合型
光スィッチの構成を第3図に示す。第3図の方向性結合
型光スィッチは、LiNbO5結晶基板3上に、光導波
路1および2を所定の長さの部分が近接するような形状
に形成し、光導波路1および2が近接している部分を結
合部4としたものである。光導波路1および2の結合部
4の上には、それぞれ電極5および6が設けられている
上記の方向性結合型光スィッチは、電極5.6間に電圧
が印加されていない状態で、光導波路」の一端11から
入射した光が、結合部4を進む間に光導波路2へ完全に
移行し、光導波路2の端部22から出射するように構成
されている。このときの光導波路1および2は完全結合
状態にあるといい、結合部4の長さは、完全結合長Lc
と呼ばれる。
電極5.6間に所定の電圧を印加すると、一方の光導波
路から他方の光導波路へ光が移行するのに要する伝搬長
さがLC/2に変化し、片方の光導波路を伝搬してきた
光は、結合部4を進む間に一度他方の光導波路へ移行し
、再びもとの光導波路へ移行する。
方向性結合型光スィッチにおいて、高い消光比を得るた
めには、電極5.6間に電圧が印加されていない状態で
、一方の光導波路の一端から入射した光が、結合部4を
進む間に他方の光導波路へ完全に移行しなければならな
い。そのためには、結合部4において光導波路1および
2が完全結合状態となるように、光導波路の形成過程で
高精度に制御しなくてはならない。
上記の方向性結合型光スィッチの作製工程を、第4図(
a)〜(d)を参照して説明する。最初に第4図(a)
に示すようにLtNbOs結晶基板3の所定の面上全面
に厚さ約500人のTi膜7を蒸着により形成する。次
にTi膜7を第4図ら)に示すよう、一部が近接して結
合部4となっている2本の光導波路1および2の形状に
フォトリングラフィにより成形する。Ti膜を成形した
後、加熱してTiをいNbO3結晶基板3中に拡散させ
て第4図(C)に示すように光導波路1および2を形成
する。その後電極5および6を第4図(d)に示すよう
に光導波路1および2の結合部40部分に形成して方向
性結合型光スィッチは作製される。
上記の強誘電体中に金属を拡散させて光導波路を形成す
る方法では、金属膜を予め所望の光導波路の形状に加工
してから金属を拡散させる。前記の拡散処理により完成
する光導波路の形状および寸法は、加工時とは異なるも
のになる。従って、方向性結合型光スィッチにおける光
導波路間の完全結合長も光導波路の形状ふよび寸法変化
とともに変化し、結合状態は、加工時の形状および寸法
だけでは制御できなかった。上記従来の方法では、結合
部の長さと正確に完全結合長とを一致させ、光導波路間
の結合状態を完全結合状態にするために−、光導波路の
形状とともに蒸着する金属膜厚を制御しティた(J、 
Appl、 Phys、 Vol、 49(9)、19
78IMp、 4677〜46g2>。
発明が解決しようとする課題 従来の方法で方向性結合型光スィッチを作製する場合、
結合部の長さと完全結合長とを一致させ、各光導波路間
の結合状態を完全結合状態とするために、Ti膜厚を1
0人〜20人と非常に高い精度で制御しなくてはならな
かった。しかしながら、光導波路を形成する際、Ti膜
は500八程度の厚さに蒸着するため、膜厚を10人〜
20人の精度で制御することは困難であった。また、方
向性結合器を利用して、任意の割合で光を分岐するデバ
イスを作製する場合も、光導波路を所望の結合状態にす
ることは困難であった。
そのため、方向性結合器を従来の方法で作製すると歩留
りが悪く、コスト高になっていた。
そこで本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し
た方向性結合器の歩留りがよい作製方法を提供するとこ
ろにある。
課題を解決するための手段 本発明に従うと、強誘電体結晶基板上に、互いに所定の
長さに亘って近接し合ってなる結合部を有する複数の光
導波路バタ:ンを金属膜で形成し、前記強誘電体結晶基
板中に前記金属膜の金属を拡散させて方向性結合器を作
製する方法において、前記金属を拡散させる処理を行っ
た後、前記複数の光導波路の結合状態を検査し、前記複
数の光導波路の結合状態が、所望の結合状態となるまで
再び金属を拡販させる処理を繰り返すことを特徴とする
方向性結合器の作製方法が提供される。
作用 本発明の方法は、強誘電体結晶基板に互いに近接し合っ
てなる結合部を有する複数の光導波路を金属拡散により
形成し、方向性結合器を作製する方法において、複数の
光導波路を、結合部において所望の結合状態とするため
に、金属を拡散させる処理を行った後、光導波路の結合
状態を検査し、必要に応じ再び金属を拡散させる処理を
行うところにその主要な特徴がある。
本発明者等の実験結果によると、金属の拡散処遅時間を
長くすると、光導波路の形状、間隔等が変化し、光導波
路間の完全結合長がある程度まで短くなるもので、本発
明の方法は、この原理を利用している。
本発明の方法の工程を第1図に示す。第1図の方法は、
金属としてTiを用いた場合を例としている。Ti膜を
強誘電体基板上に蒸着し、そのTi膜を光導波路に成形
するところまでは、従来の方法となんら変わらない。次
にTiを強誘電体基板中に拡散させるが、最初にTi拡
散を行うときに、拡散時間が長くなり過ぎないようにす
る。Ti拡散を行ったら、光導波路の結合状態をクロス
トーク測定により検査し、結合部が所望の結合状態にな
っていなければ、さらにTi拡散を行う。この工程を繰
り返し、結合状態が良好となったら、先の工程に進む。
従来の金属膜厚を制御する方法では、形成された光導波
路間の結合状態がよくなければ、方向性結合器は、その
まま不良品となるため、歩留りが低かった。本発明の方
法では、光導波路の結合状態を検査し、結合状態がよく
なければ、さらに金属を拡散させる処理を繰り返し行っ
て、光導波路の結合状態を完全結合状態とするため、歩
留りが向上する。
以下、本発明を実施例により、さらに詳しく説明するが
、以下の開示は本発明の単なる実施例に過ぎず、本発明
の技術的範囲をなんら制限するものではない。
実施例 本発明の方法の有効性を確認するため、第5図に示す同
一の基板上に結合部の長さが異なる光導波路パターンを
有する8種類の方向性結合器を作製した。LiNb0a
結晶基板上に、厚さ1000人のTi膜を蒸着し、幅7
μm1間隔5μmで光導波路を形成し、結合部の長さは
4〜1611101とした。上記のLiNbO3結晶基
板に対し、以下に示すような処理を行い、Ti拡散させ
た。
■1000℃で6時間T1拡散を行う。
■クロストークを測定し、測定結果から完全結合長を計
算する。
■1000℃で1時間T1拡散を行う。
■■の工程を繰り返す。
クロストークの測定結果から以下の手順で完全結合長を
求めた。第6図に示す方向性結合器において、光導波路
1の一端から入射した光の強度をPl、光導波路1の他
端から出射する光の強度をP−、光導波路2の他端から
出射する光の強度をP8とすると、第6図の光導波路l
および2の結合部長さβとP、/Pl(αF、/ (P
−+P、))の関係は、第7図のグラフのようになる。
第7図のグラフをsinで近似することにより、完全結
合長Lcを求めることができる。第7図のグラフは、y
=sin(π/2・l/L、c) と近似でき、これにより、 (2/π)sirr’y”” = l / Lc第8図
に示す(2/π) s 1n−1y l / 2とβと
のグラフの傾きからLcを求めた。最終的に処理時間が
合計12時間になるまでTi拡散を行い、拡散時間と完
全結合長との関係を求めた。結果を第2図に示す。
この結果、Ti拡散時間が長くなると、完全結合長が短
くなることがわかった。従って、最初に行うTi拡散の
処理時間を短めにし、クロストークを測定して結合状態
をモニターしながら拡散時間を制御することにより、高
クロストークのスイッチを作製することが可能である。
上記の結果を利用し、1171000人、幅7μm、間
隔5μmで光導波路を形成し、結合部長さ3+++mの
方向性結合器を作製し、1000℃でT1拡散を5時間
30分行なった後に、クロスポートの消光比を測定した
ところ0.6であった。さらに、10分ずつTi拡散を
行いながらクロストーク測定をくり返したところ、合計
拡散処理時間が6時間20分となったところで、クロス
トークが0.99(〜20dB)以上となった。
以上の結果、本発明の方法により、方向性結合型光スィ
ッチの光導波路の結合部の長さと完全結合長とを確実に
一致させることが可能であることが証明された。また、
本実施例においては、方向性結合型光スィッチに使用す
る方向性結合器についてのみ説明したが、任意の割合で
光を分岐する方向性結合器を作製する場合にも、本発明
の方法は全く同様に応用できる。
発明の詳細 な説明したように、本発明の方法に従うことにより、高
性能な方向性結合器を、歩留りよく作製することが可能
である。これは、本発明の方法が、光導波路の結合状態
をモニターしながら、必要に応じてT1拡散時間を追加
して、光導波路の結合状態を所望の結合状態とするため
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の方法の工程を示す工程図であり、 第2図は、Ti拡散時間と完全結合長との関係を示すグ
ラフであり、 第3図は、方向性結合型光スィッチの構成を示す図であ
り、 第4図(a)〜(d)は、従来の方向性結合型光スィッ
チの作製工程を示す図であり、 第5図は、本発明の方法の有効性を確認するた給に行っ
た実験に使用した方向性結合器の平面図であり、 第6図は、方向性結合器の平面図であり、第7図は、第
6図の光導波路1および2の結合部長さpとクロストー
クP、/P+(αP、/(P−+P、))の関係を示す
グラフであり、 第8図は、 (2/ π)、1n−1y1/2と1との
グラフである。 〔主な参照番号〕 1.2・・光導波路、 3・・・LtNbO3基板、 4・・・結合部、 5.6・・電極、 7・・・Ti膜、 11.12.21.22・・光導波路端面特許出願人 
 住友電気工業株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 強誘電体結晶基板上に、互いに所定の長さに亘って近接
    し合ってなる結合部を有する複数の光導波路パターンを
    金属膜で形成し、前記強誘電体結晶基板中に前記金属膜
    の金属を拡散させて方向性結合器を作製する方法におい
    て、前記金属を拡散させる処理を行った後、前記複数の
    光導波路の結合状態を検査し、前記複数の光導波路の結
    合状態が、所望の結合状態となるまで再び金属を拡散さ
    せる処理を繰り返すことを特徴とする方向性結合器の作
    製方法。
JP1003445A 1989-01-10 1989-01-10 方向性結合器の作製方法 Pending JPH02183206A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0943442A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Nec Corp 光回路とその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0943442A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Nec Corp 光回路とその製造方法

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