JPH041323B2 - - Google Patents

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JPH041323B2
JPH041323B2 JP55164093A JP16409380A JPH041323B2 JP H041323 B2 JPH041323 B2 JP H041323B2 JP 55164093 A JP55164093 A JP 55164093A JP 16409380 A JP16409380 A JP 16409380A JP H041323 B2 JPH041323 B2 JP H041323B2
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JP
Japan
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waveguide
refractive index
layer
optical waveguide
diffusion
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP55164093A
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English (en)
Other versions
JPS5788411A (en
Inventor
Minoru Kyono
Hiroki Nakajima
Itsupei Sawaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS5788411A publication Critical patent/JPS5788411A/ja
Publication of JPH041323B2 publication Critical patent/JPH041323B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/134Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
    • G02B6/1342Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using diffusion

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光導波路の形成方法、より詳しく
は、金属熱拡散型光導波路において、拡散源とな
る金属を二重蒸着またはスパツタリングによつて
段状に形成した後に、当該金属の熱拡散によつて
希望される屈折率プロフイル(態様)をもつた光
導波路を形成する方法に関する。
従来の技術によつて光の導波路を形成する場
合、光導波路基板に、該物質の屈折率より大なる
屈折率を有する物質を拡散して導波路を形成する
こと、例えば、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)の
基板にチタン(Ti)を拡散して導波路を形成す
ることが行われている。その場合に、拡散源たる
金属の厚さを場所により変えることなく導波路を
形成してきたものであるため、導波路内の屈折率
プロフイルが画一的で自由度が得られなかつた。
本発明は、拡散源となる金属を、希望される光
分布をもたらすための導波路の屈折率プロフイル
に応じて段状に形成し、しかる後に熱拡散によつ
て希望される屈折率プロフイルを得ようとするも
のである。そのために、光導波路基板に該基板物
質の屈折率より大なる屈折率を有する拡散源物質
を拡散して光伝播用の光導波路を形成する方法に
おいて、希望される導波路内の屈折率態様に応じ
て同一拡散物質を2段又は多段にかつ各層のパタ
ーン形状が異なるように形成し、かかる2段又は
多段構造の拡散物質を熱拡散することにより光導
波路内の光分布特性を制御することを特徴とする
光導波路の形成方法を提供する。
以下、本発明の方法の実施例を、添付図面を例
に参照して説明する。
第1図の断面説明図を参照すると、LiNbO3
基板1に形成される拡散層3のプロフイルは、同
図のaとbに示されるように、拡散源金属である
Ti2の形状によつて決められる。同図のaとb
を比較するとTi2の幅を変えることにより拡散
層3のプロフイルも横方向及び深さ方向に変化す
る。しかしながらこの屈折率プロフイルはTi幅
が決まつてしまえばこの場合決まつてしまう。つ
まり、同図に示される実施例において、拡散要素
ともいうべきものはTi2の幅だけであり、従つ
て、これらの実施例において、屈折率プロフイル
をこれ以上変えうるものは拡散層の厚さ(深さ)
だけしかないことになる。
ところで、導波路で光分布を、すなわち屈折率
プロフイルを変えることが希望されることがあ
る。第2図の交叉する導波路の平面図aとbを参
照する。同図aに示される交叉導波路4,5が交
叉する部分において、光の他方導波路へのもれ込
みを防止し、光が真直ぐに伝播することが希望さ
れるとする。そのためには、すなわち導波路を光
が直進するようにするためには、導波路の中央に
屈折率の高い部分6を作り、光の分布において中
央部分に光が集中するようにしたい。このような
構造とする事により交叉部での複雑な屈折率構造
部分を短かくでき光の屈曲や乱れを防止し、入射
した光が真直ぐに進み易いようにした構造であ
る。なお、ここで壁というのは、基板物質と拡散
層の接触面である。
他方、導波路交叉部において光の反射を増加
し、光があたかもミラーに当つた場合の如くに反
射して他方の導波路に分岐することが希望される
場合もある。そのときは、第2図bに示される如
く、交叉部のほぼ中央部分に、図示される如く屈
折率の高い部分7を形成し、そこに当る光が曲折
するように、すなわち部分7をあたかもミラーの
如くに働かせるとよい。
ところが、従来の光導波路形成方法によつて
は、せいぜい第1図のaとbに示される形状の拡
散層が得られるだけで、第2図aまたはbに示さ
れる如き導波路を形成することはできなかつた。
本出願の発明者は、拡散源金属の2段構成によ
つて、第2図に示される如き導波路が形成されう
ることを見出した。このような構成とする事によ
り導波路の屈折率プロフイルを色々と調整する事
ができ所望の光エネルギー分布で光を導波させる
事ができる。
そのためには、拡散源金属例えばTiを2段構
造にする。第3図aの断面説明図を参照すると、
LiNbO3基板1の上に先ずTi層を蒸着またはスパ
ツタリングで形成し、導波路の形状に応じてTi
層をパターニングし、第1段目のTi層2を得る。
Ti層2の幅は導波路の幅を決定する。次に、全
面にレジストを塗布し、レジスト層をパターニン
グし、このレジストパターンを用い、同様に第1
段目のTi層2とパターン形状の異なる第2段目
のTi層12を形成する。続いて、基板1を950〜
1050℃で4〜11時間熱処理すると、Tiは拡散し
て、同図のbとcに示される如き拡散層のプロフ
イルが得られる。なお、同図bは拡散層の平面
図、cは断面図であり、2′は1重拡散部であつ
て屈折率の変化量(Δn)は小であり、12′は2
重拡散部であつて屈折率変化量(Δn)は大であ
る。同図cのプロフイルにおいては、屈折率変化
量の大なる部分がそれの小なる部分に囲まれてい
るから、光の閉じ込め効果が大であることが理解
されうる。
以上述べたように、希望される光の分布構造、
すなわち任意の光分布構造をもつた導波路は、単
一Ti蒸着層の拡散では得られず、第3図に示さ
れる如きTi層の2段又は多段構造に依存しなけ
ればならない。第4図のa,b,cには希望され
る光の分布構造が示される。Ti層の2段構造は、
希望される光分布構造に応じて、同図のa′,b′,
c′に示される如くに構成すればよい。そのこと
は、第4図aと第3図との対比によつて理解され
うるところである。
上記から明らかなように、本発明の方法による
と、光の導波路を形成するに際しては、希望され
る光の分布構造を基本にし、それに応じた2段又
は多段構造に拡散源材料を構成し、それの熱拡散
によつて任意の光分布構造の導波路が得られるも
ので、導波路に各種の機能素子を形成することが
可能になるものである。
なお、上記した説明において、Ti層は2段構
造にすべく2回の工程で形成するが、熱拡散は1
度だけで行なうので、本発明に従う導波路形成は
比較的容易になされうる。また、実施例は
LiNbO3基板にTiを拡散する例について説明した
が、本発明の範囲はそれに限定されるものでな
く、また光分布構造も図示のものに限られない。
【図面の簡単な説明】
第1図のaとbはLiNbO3基板に形成されたTi
拡散層の断面説明図、第2図のaとbは交叉導波
路の平面図、第3図のaは本発明の方法に従う
Tiの2段構造の断面説明図、bとcはaに示さ
れるTiの熱拡散による拡散層の平面図と断面説
明図、第4図は各種の光分布構造の線図とそれを
作るためのTiの2段構造の断面説明図、である。 1……LiNbO3基板、2,12……Ti層、3…
…Ti拡散層、4,5……導波路、6,7……高
屈折率部分、2′,12′……Ti拡散層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 光導波路基板に該基板物質の屈折率より大な
    る屈折率を有する拡散源物質を拡散して光伝播用
    の光導波路を形成する方法において、希望される
    導波路内の屈折率態様に応じて同一拡散物質を2
    段又は多段にかつ各層のパターン形状が異なるよ
    うに形成し、かかる2段又は多段構造の拡散物質
    を熱拡散することにより光導波路内の光分布特性
    を制御することを特徴とする光導波路の形成方
    法。
JP55164093A 1980-11-21 1980-11-21 Forming method of optical waveguide Granted JPS5788411A (en)

Priority Applications (1)

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JP55164093A JPS5788411A (en) 1980-11-21 1980-11-21 Forming method of optical waveguide

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JP55164093A JPS5788411A (en) 1980-11-21 1980-11-21 Forming method of optical waveguide

Publications (2)

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JPS5788411A JPS5788411A (en) 1982-06-02
JPH041323B2 true JPH041323B2 (ja) 1992-01-10

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JP55164093A Granted JPS5788411A (en) 1980-11-21 1980-11-21 Forming method of optical waveguide

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2615006B1 (fr) * 1987-05-04 1991-10-04 Thomson Csf Guide d'onde optique integre, son procede de fabrication, et son utilisation dans un modulateur electro-optique
JPH01134402A (ja) * 1987-11-20 1989-05-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路の製造方法
US20050232538A1 (en) * 2002-05-13 2005-10-20 Teem Photonics Integrated optics multiplexer/demultiplexer comprising a cladding and method for making same

Family Cites Families (2)

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JPS5353342A (en) * 1976-10-26 1978-05-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical waveguide formation method
JPS5855647B2 (ja) * 1978-08-29 1983-12-10 東芝機械株式会社 温度補償型ソレノイド

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JPS5788411A (en) 1982-06-02

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