JPH02183514A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH02183514A JPH02183514A JP1003310A JP331089A JPH02183514A JP H02183514 A JPH02183514 A JP H02183514A JP 1003310 A JP1003310 A JP 1003310A JP 331089 A JP331089 A JP 331089A JP H02183514 A JPH02183514 A JP H02183514A
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- Japan
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- ray
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- mask
- ray mask
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェハを保持するウェハチャックを有するＸ
線露光装置に係り、詳しくは特に、シンクロトロン放射
光（以下、ＳＲと記す）等高出力のＸ線露光を行うＸ線
露光装置において、高精度のサブミクロンパターン転写
を実現することができるＸ線露光装置に関する。
線露光装置に係り、詳しくは特に、シンクロトロン放射
光（以下、ＳＲと記す）等高出力のＸ線露光を行うＸ線
露光装置において、高精度のサブミクロンパターン転写
を実現することができるＸ線露光装置に関する。
近年、集積回路の高集積化に伴い最小寸法が０．２〜０
．５μｍの所謂サブミクロンリソグラフィが要求される
ようになってきている。ＳＲによるＸ線リソグラフィ
（ＳＲリソグラフィとも言う）は大強度の平行性の良い
５Ｒ（Ｘ線領域）を光源として使用するりソグラフィで
あり、Ｘ線リソグラフィの問題点であった露光時間が莫
大であることや半影ボケが生じるといった問題が解決さ
れ、次世代のサブミクロンリソグラフィ技術として注目
されている。
．５μｍの所謂サブミクロンリソグラフィが要求される
ようになってきている。ＳＲによるＸ線リソグラフィ
（ＳＲリソグラフィとも言う）は大強度の平行性の良い
５Ｒ（Ｘ線領域）を光源として使用するりソグラフィで
あり、Ｘ線リソグラフィの問題点であった露光時間が莫
大であることや半影ボケが生じるといった問題が解決さ
れ、次世代のサブミクロンリソグラフィ技術として注目
されている。
ＳＲリソグラフィに用いられるＸ線露光装置は大強度の
Ｘ線を使用するので、パターン転写に使用するＸ線マス
クとウェハの温度上昇が発生し、このＸ線マスクとウェ
ハの温度上昇に伴ってｘ′！ＦｆＡマスク、ウェハが熱
膨張する。このＸ線マスクとウェハの熱膨張によりパタ
ーン歪みが生ずるという問題がある。したがって、Ｘ線
マスク及びウェハが熱膨張してパターン歪みが生じない
ようなＸ線露光装置が要求されている。
Ｘ線を使用するので、パターン転写に使用するＸ線マス
クとウェハの温度上昇が発生し、このＸ線マスクとウェ
ハの温度上昇に伴ってｘ′！ＦｆＡマスク、ウェハが熱
膨張する。このＸ線マスクとウェハの熱膨張によりパタ
ーン歪みが生ずるという問題がある。したがって、Ｘ線
マスク及びウェハが熱膨張してパターン歪みが生じない
ようなＸ線露光装置が要求されている。
第４図は従来のＸ線露光装置を説明する図である。図示
例のＸ線露光装置はＳＲ等高出力のＸ線露光を行うＸ線
露光装置に適用することができる。
例のＸ線露光装置はＳＲ等高出力のＸ線露光を行うＸ線
露光装置に適用することができる。
この図において、３１は例えばＳｉからなるウェハ、３
２はウェハ３１を支持するウェハチャック、３３は例え
ばＨｅガス等のガスで、熱伝導率の良いガスが好ましい
。３４は例えばＳｉからなる基板、３５は例えばＳｉＣ
からなるＸ線を透過するＸ線透過膜、３６は水冷された
支持枠（リングとも言う）で、ジャケット３７内に冷却
水３８が導入されている。３９は例えばＷＳＴａあるい
はＡｕからなるＸ線吸収体、４０はＸ線、４１はＸ線４
０を発生するＸ線発生器である。
２はウェハ３１を支持するウェハチャック、３３は例え
ばＨｅガス等のガスで、熱伝導率の良いガスが好ましい
。３４は例えばＳｉからなる基板、３５は例えばＳｉＣ
からなるＸ線を透過するＸ線透過膜、３６は水冷された
支持枠（リングとも言う）で、ジャケット３７内に冷却
水３８が導入されている。３９は例えばＷＳＴａあるい
はＡｕからなるＸ線吸収体、４０はＸ線、４１はＸ線４
０を発生するＸ線発生器である。
なお、ここでのＸ線マスクは基板３４、ＸｙＡ透過膜３
５及びＸ線吸収体３９から構成されている。
５及びＸ線吸収体３９から構成されている。
上記従来のＸ線露光装置は、例えば半導体デバイスのパ
ターンを形成するには、半導体デバイスパターンに対応
したＸ線吸収体３９のパターンを有するＸ＆％マスクを
レジスト膜（図示せず）を表面に塗布したウェハ３１面
に対向するように近接配置した後、Ｘ線発生器４１から
Ｘ線４０を照射して、Ｘ線マスクを構成するＸ線吸収体
３９のパターンをウェハ３１面上のレジスト膜に露光し
、次いで現像することによって半導体デバイスパターン
を形成することができる。
ターンを形成するには、半導体デバイスパターンに対応
したＸ線吸収体３９のパターンを有するＸ＆％マスクを
レジスト膜（図示せず）を表面に塗布したウェハ３１面
に対向するように近接配置した後、Ｘ線発生器４１から
Ｘ線４０を照射して、Ｘ線マスクを構成するＸ線吸収体
３９のパターンをウェハ３１面上のレジスト膜に露光し
、次いで現像することによって半導体デバイスパターン
を形成することができる。
そして、上記従来のＸ線露光装置においては通常、Ｘ線
マスクを冷却する冷却手段を設けないと大強度のＸ線照
射によってＸ線マスクの温度が士数度上昇する。この温
度上昇に伴いＸ線マスクは熱膨張し、この温度上昇に伴
う熱膨張により露光するパターンが歪みを生じてしまう
。
マスクを冷却する冷却手段を設けないと大強度のＸ線照
射によってＸ線マスクの温度が士数度上昇する。この温
度上昇に伴いＸ線マスクは熱膨張し、この温度上昇に伴
う熱膨張により露光するパターンが歪みを生じてしまう
。
このため、第４図に示すように、Ｘ線マスクが熱膨張し
てパターン歪みを生じてしまうのを解決するために、Ｘ
線マスクを支持する支持枠３６にＸ線マスクを冷却する
手段として機能するように支持枠３６内にジャケット３
７を形成し、このジャケット３７内に冷却水３８を適宜
導入するようにしている。
てパターン歪みを生じてしまうのを解決するために、Ｘ
線マスクを支持する支持枠３６にＸ線マスクを冷却する
手段として機能するように支持枠３６内にジャケット３
７を形成し、このジャケット３７内に冷却水３８を適宜
導入するようにしている。
このように、水冷された支持枠３６を介して熱伝導によ
ってＸ’！ｔＭマスクを冷却するとともに、Ｘ線マスク
の置かれている雰囲気に熱伝導率が大きいＨｅガス３３
を導入することによってＸ線マスクを冷却している。し
たがって、大強度のＸ線照射によるＸ線マスクの温度上
昇を０．１〜０．３°Ｃ程度に抑えてＸ線マスクの熱膨
張をほとんど生じないような実用上問題のない値まで下
げることができる。
ってＸ’！ｔＭマスクを冷却するとともに、Ｘ線マスク
の置かれている雰囲気に熱伝導率が大きいＨｅガス３３
を導入することによってＸ線マスクを冷却している。し
たがって、大強度のＸ線照射によるＸ線マスクの温度上
昇を０．１〜０．３°Ｃ程度に抑えてＸ線マスクの熱膨
張をほとんど生じないような実用上問題のない値まで下
げることができる。
なお、ここでは冷却水３８を用いてＸ線マスクの冷却を
行う場合について説明したが、ベルチェ効果（熱電効果
）を有するペルチェ素子を用いてＸ線マスクの冷却を行
う場合であってもよい。ペルチェ素子は流す電流量と電
流の向きによって発熱または吸熱させることができるの
で、例えばＸ′ｇＡマスクに温度検出器を設けてこの温
度検出器に基づいてペルチェ素子を制御して温度制御を
行うようにすればＸ線マスクを冷却して、かつその温度
をほぼ一定にすることができる。
行う場合について説明したが、ベルチェ効果（熱電効果
）を有するペルチェ素子を用いてＸ線マスクの冷却を行
う場合であってもよい。ペルチェ素子は流す電流量と電
流の向きによって発熱または吸熱させることができるの
で、例えばＸ′ｇＡマスクに温度検出器を設けてこの温
度検出器に基づいてペルチェ素子を制御して温度制御を
行うようにすればＸ線マスクを冷却して、かつその温度
をほぼ一定にすることができる。
いる。
しかしながら、このような従来のＸｖＡｎ光装置にあっ
ては、ウェハ３１は通常、Ｘ線マスクを構成する特にＸ
線透過膜３５に比べてはるかに厚く熱容量も大きいので
、温度が上昇し難いのであるが、ウェハ３１に対しては
Ｘ線マスクを冷却する水冷された支持枠３６のような積
極的な冷却手段を用いていないために、ウェハ３１はＸ
線マスクを透過してくるＸ線４０、Ｘ線マスクからの熱
輻射及びＨｅガス３３によるＸ線マスクからの熱伝導等
によって温度が１〜２度程度上昇する。この１〜２度の
温度上昇のために０，０５〜０６１ μｍ（距離１ｃｍ
を基準とする）ウェハ３１が熱膨張し、この熱膨張によ
り高精度のサブミクロンパターン転写が不可能になって
しまうという問題を生じていた。
ては、ウェハ３１は通常、Ｘ線マスクを構成する特にＸ
線透過膜３５に比べてはるかに厚く熱容量も大きいので
、温度が上昇し難いのであるが、ウェハ３１に対しては
Ｘ線マスクを冷却する水冷された支持枠３６のような積
極的な冷却手段を用いていないために、ウェハ３１はＸ
線マスクを透過してくるＸ線４０、Ｘ線マスクからの熱
輻射及びＨｅガス３３によるＸ線マスクからの熱伝導等
によって温度が１〜２度程度上昇する。この１〜２度の
温度上昇のために０，０５〜０６１ μｍ（距離１ｃｍ
を基準とする）ウェハ３１が熱膨張し、この熱膨張によ
り高精度のサブミクロンパターン転写が不可能になって
しまうという問題を生じていた。
そこで本発明は、ウェハの熱膨張を抑えて高精度のサブ
ミクロンパターン転写を実現することができるＸ線露光
装置を提供することを目的とじて〔課題を解決するため
の手段〕 本発明によるＸ線露光装置は上記目的達成のため、基板
上にＸ線透過膜が形成され、該Ｘ線透過膜上に選択的に
形成されたＸ線吸収体を有するＸ線マスクを備え、前記
Ｘ線マスクを構成する前記基板を保持するとともに、前
記Ｘ線マスクを冷却する冷却手段を有する支持枠が形成
され、前記Ｘ線マスクと対向してウェハが配置され、該
ウェハを保持するウェハチャックを有する構造のＸ線露
光装置において、前記ウェハチャックに前記ウェハを冷
却する冷却手段を設けている。
ミクロンパターン転写を実現することができるＸ線露光
装置を提供することを目的とじて〔課題を解決するため
の手段〕 本発明によるＸ線露光装置は上記目的達成のため、基板
上にＸ線透過膜が形成され、該Ｘ線透過膜上に選択的に
形成されたＸ線吸収体を有するＸ線マスクを備え、前記
Ｘ線マスクを構成する前記基板を保持するとともに、前
記Ｘ線マスクを冷却する冷却手段を有する支持枠が形成
され、前記Ｘ線マスクと対向してウェハが配置され、該
ウェハを保持するウェハチャックを有する構造のＸ線露
光装置において、前記ウェハチャックに前記ウェハを冷
却する冷却手段を設けている。
本発明は、ウェハチャックにウェハを冷却する冷却手段
を設けるように構成される。
を設けるように構成される。
したがって、第１図に示すように、Ｘ線マスクを用いＸ
線４０をウェハ３１に照射する際、ウェハチャック３に
設けたベルチェ素子２ （本発明に係る冷却手段に該当
する）によってウェハ３１を冷却するようにしているた
め、Ｘ線マスクを透過してくるＸ線、Ｘ線マスクからの
熱輻射、Ｈｅガス３３によるＸ線マスクからの熱伝導等
による熱を受けるウェハ３１の温度を上昇しないように
することができる。
線４０をウェハ３１に照射する際、ウェハチャック３に
設けたベルチェ素子２ （本発明に係る冷却手段に該当
する）によってウェハ３１を冷却するようにしているた
め、Ｘ線マスクを透過してくるＸ線、Ｘ線マスクからの
熱輻射、Ｈｅガス３３によるＸ線マスクからの熱伝導等
による熱を受けるウェハ３１の温度を上昇しないように
することができる。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係るＸ線露光装置の一実施例の装置概
略図である。図示例のＸ線露光装置は８８等高出力のＸ
線露光を行うｘ！？ｔｉ光装置に適用することができる
。
略図である。図示例のＸ線露光装置は８８等高出力のＸ
線露光を行うｘ！？ｔｉ光装置に適用することができる
。
この図において、第４図と同一符号は同一または相当部
分を示し、１はウェハ３１の温度をネ★出するための例
えば熱電対等からなる温度検出器、２はペルチェ効果を
有するベルチェ素子で、本発明に係る冷却手段に該当す
る。３はウェハ３１を保持するウェハチャックである。
分を示し、１はウェハ３１の温度をネ★出するための例
えば熱電対等からなる温度検出器、２はペルチェ効果を
有するベルチェ素子で、本発明に係る冷却手段に該当す
る。３はウェハ３１を保持するウェハチャックである。
なお、ここでのウェハチャック３はウェハ３１が保持さ
れている表面側と反対側の裏面側に形成されたベルチェ
素子２と、ウェハ３１温度を検出す、るための温度検出
器１とから構成されている。温度検出器１はここでは、
ウェハ３１支持面近傍のウェハチャック３内の部分の温
度を検出することで相対的にウェハ３１温度を測定する
場合であるが、温度検出器１をウェハ３１に直接接する
ように設けてウェハ３１温度を測定する場合であっても
よい。また、Ｘ線マスクは基板３４、Ｘ線透過膜３５及
びｘ′ｆｒｆＡ吸収体３９から構成されている。
れている表面側と反対側の裏面側に形成されたベルチェ
素子２と、ウェハ３１温度を検出す、るための温度検出
器１とから構成されている。温度検出器１はここでは、
ウェハ３１支持面近傍のウェハチャック３内の部分の温
度を検出することで相対的にウェハ３１温度を測定する
場合であるが、温度検出器１をウェハ３１に直接接する
ように設けてウェハ３１温度を測定する場合であっても
よい。また、Ｘ線マスクは基板３４、Ｘ線透過膜３５及
びｘ′ｆｒｆＡ吸収体３９から構成されている。
次に、その動作原理について説明する。
例えば半導体デバイスパターンを形成する形成方法は、
第４図に示した従来のＸ線露光装置を用いる場合と同様
、半導体デバイスパターンに対応したＸ線吸収体３９の
パターンを有するＸ線マスクをレジスト膜（図示せず）
を表面に塗布したウェハ３１面に対向するように近接配
置した後、Ｘ線発生器４１からＸ線４０を照射してＸ線
マスクを構成するＸ線吸収体３９のパターンをウェハ３
１面上のレジスト膜に露光し、次いで現像することによ
って半導体デバイスパターンを形成することができる。
第４図に示した従来のＸ線露光装置を用いる場合と同様
、半導体デバイスパターンに対応したＸ線吸収体３９の
パターンを有するＸ線マスクをレジスト膜（図示せず）
を表面に塗布したウェハ３１面に対向するように近接配
置した後、Ｘ線発生器４１からＸ線４０を照射してＸ線
マスクを構成するＸ線吸収体３９のパターンをウェハ３
１面上のレジスト膜に露光し、次いで現像することによ
って半導体デバイスパターンを形成することができる。
すなわち、上記実施例では、Ｘ線マスクを用いＸ線４０
をウェハ３１に照射する際、ウェハチャック３に設けた
ベルチェ素子２によってウェハ３１を冷却するようにし
ているため、Ｘ線マスクを透過してくるＸ線、Ｘ線マス
クからの熱輻射、Ｈｅガス３３によるＸ線マスクからの
熱伝導等による熱を受けるウェハ３１の温度を上昇しな
いようにすることができる。更に、ここでは、ウェハチ
ャック３内に設けた温度検出器ｌによってウェハ３１支
持面近傍の温度を検出して温度調節機構駆動回路（図示
せず）に信号を送り、この温度調節機構駆動回路に基づ
いてベルチェ素子２を適宜発熱または吸熱するように制
御することができるので、ウェハ３１温度をほぼ一定に
することができる。したがって、高精度のサブミクロン
パターン転写を実現することができる。
をウェハ３１に照射する際、ウェハチャック３に設けた
ベルチェ素子２によってウェハ３１を冷却するようにし
ているため、Ｘ線マスクを透過してくるＸ線、Ｘ線マス
クからの熱輻射、Ｈｅガス３３によるＸ線マスクからの
熱伝導等による熱を受けるウェハ３１の温度を上昇しな
いようにすることができる。更に、ここでは、ウェハチ
ャック３内に設けた温度検出器ｌによってウェハ３１支
持面近傍の温度を検出して温度調節機構駆動回路（図示
せず）に信号を送り、この温度調節機構駆動回路に基づ
いてベルチェ素子２を適宜発熱または吸熱するように制
御することができるので、ウェハ３１温度をほぼ一定に
することができる。したがって、高精度のサブミクロン
パターン転写を実現することができる。
なお、上記実施例では、ウェハ３１を冷却する冷却手段
としてベルチェ素子２を用い、このベルチェ素子２を制
御してウェハ３１が温度上昇しないようにウェハ３１温
度をコントロールするという好ましい態様について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ウェ
ハチャックにウェハを冷却する冷却手段を設ける場合で
あればよく、具体的には例えば第２図に示すように、ウ
ェハ３１を冷却する冷却手段としてウェハチャック１３
に形成されたジャケット１４内に冷却水１５を導入した
場合であってもよく、このように冷却水１５を導入する
ことでＸ線４０をウェハ３１に照射する際、ウェハ３１
温度をほとんど上昇しないようにすることができる。こ
の場合、ウェハチャック１３がＸ線４０露光中に受けた
ウェハ３１からの熱を逃がすように温度調節器１１によ
って温度調節されたベルチェ素子１６を冷却手段として
用い、非露光期間中に保持部１７で保持されたベルチェ
素子１２を駆動させてウェハチャック１３にベルチェ素
子１２を当ててウェハチャック１３を適宜冷却すればウ
ェハ３１温度をほぼ一定にすることができ、パターン転
写を好ましく行うことができる。
としてベルチェ素子２を用い、このベルチェ素子２を制
御してウェハ３１が温度上昇しないようにウェハ３１温
度をコントロールするという好ましい態様について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ウェ
ハチャックにウェハを冷却する冷却手段を設ける場合で
あればよく、具体的には例えば第２図に示すように、ウ
ェハ３１を冷却する冷却手段としてウェハチャック１３
に形成されたジャケット１４内に冷却水１５を導入した
場合であってもよく、このように冷却水１５を導入する
ことでＸ線４０をウェハ３１に照射する際、ウェハ３１
温度をほとんど上昇しないようにすることができる。こ
の場合、ウェハチャック１３がＸ線４０露光中に受けた
ウェハ３１からの熱を逃がすように温度調節器１１によ
って温度調節されたベルチェ素子１６を冷却手段として
用い、非露光期間中に保持部１７で保持されたベルチェ
素子１２を駆動させてウェハチャック１３にベルチェ素
子１２を当ててウェハチャック１３を適宜冷却すればウ
ェハ３１温度をほぼ一定にすることができ、パターン転
写を好ましく行うことができる。
第１図、第２図に示す各実施例では、ウェハ３１を冷却
する冷却手段をウェハチャック内に一様に設ける場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、第３図に示すように、ウェハ３１を冷却する冷却
手段としてのベルチェ素子を、ウェハ３１下部のウェハ
チャック２３内にベルチェ素子２２ａ、２２ｂ、２２ｃ
というように３分割（３分割でなくてもよい）にして設
けてもよい。
する冷却手段をウェハチャック内に一様に設ける場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、第３図に示すように、ウェハ３１を冷却する冷却
手段としてのベルチェ素子を、ウェハ３１下部のウェハ
チャック２３内にベルチェ素子２２ａ、２２ｂ、２２ｃ
というように３分割（３分割でなくてもよい）にして設
けてもよい。
この場合、ベルチェ素子２２ａ、２２ｂ、２２Ｃをそれ
ぞれ独立に制御する温度調節器２１ａ、２１ｂ、２１ｃ
をウェハ３１側のウェハチャック２３内に設け、この温
度調節器２１ａ、２１ｂ、２１ｃによってそれぞれのウ
ェハ３１支持面近傍の温度を検出し、この検出信号に基
づいてそれぞれベルチェ素子２２ａ、２２ｂ、２２ｃを
独立に制御するようにする。ウェハ３１が受ける熱は主
に露光される範囲に限られ、ウェハ３１面内に温度分布
（高温のところと低温のところ）が生じ易いのであるが
、上記のように構成することでウェハ３１面内の温度分
布を第１図及び第２図に示した上記実施例よりも更に好
ましく均一にすることができる。これは、特にステップ
アンドリピート方式のＸ線露光装置に好ましく適用する
ことができる。
ぞれ独立に制御する温度調節器２１ａ、２１ｂ、２１ｃ
をウェハ３１側のウェハチャック２３内に設け、この温
度調節器２１ａ、２１ｂ、２１ｃによってそれぞれのウ
ェハ３１支持面近傍の温度を検出し、この検出信号に基
づいてそれぞれベルチェ素子２２ａ、２２ｂ、２２ｃを
独立に制御するようにする。ウェハ３１が受ける熱は主
に露光される範囲に限られ、ウェハ３１面内に温度分布
（高温のところと低温のところ）が生じ易いのであるが
、上記のように構成することでウェハ３１面内の温度分
布を第１図及び第２図に示した上記実施例よりも更に好
ましく均一にすることができる。これは、特にステップ
アンドリピート方式のＸ線露光装置に好ましく適用する
ことができる。
本発明によれば、ウェハの熱膨張を抑えて高精度のサブ
ミクロンパターン転写を実現することができるという効
果がある。
ミクロンパターン転写を実現することができるという効
果がある。
第１図は本発明に係るＸ線露光装置の一実施例の装置概
略図、 第２図及び第３図は他の実施例の装置概略図、第４図は
従来例の装置概略図である。 １・・・・・・温度検出器、 ２・・・・・・ベルチェ素子、 ３・・・・・・ウェハチャック、 ３１・・・・・・ウェハ、 ３３・・・・・・Ｈｅガス、 ３４・・・・・・基板、 ３５・・・・・・Ｘ線透過膜、 ３６・・・・・・支持枠、 ３７・・・・・・ジャケット、 ３８・・・・・・冷却水、 ３９・・・・・・Ｘ線吸収体、 ４０・・・・・・Ｘ線、 ４１・・・・・・Ｘ線発生器。 他の実施例の装置概略図 第２図 他の実施例の装置概略図 従来例の装置概略図 ＄４図
略図、 第２図及び第３図は他の実施例の装置概略図、第４図は
従来例の装置概略図である。 １・・・・・・温度検出器、 ２・・・・・・ベルチェ素子、 ３・・・・・・ウェハチャック、 ３１・・・・・・ウェハ、 ３３・・・・・・Ｈｅガス、 ３４・・・・・・基板、 ３５・・・・・・Ｘ線透過膜、 ３６・・・・・・支持枠、 ３７・・・・・・ジャケット、 ３８・・・・・・冷却水、 ３９・・・・・・Ｘ線吸収体、 ４０・・・・・・Ｘ線、 ４１・・・・・・Ｘ線発生器。 他の実施例の装置概略図 第２図 他の実施例の装置概略図 従来例の装置概略図 ＄４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上にＸ線透過膜が形成され、該Ｘ線透過膜上に選択
的に形成されたＸ線吸収体を有するＸ線マスクを備え、
前記Ｘ線マスクを構成する前記基板を保持するとともに
、前記Ｘ線マスクを冷却する冷却手段を有する支持枠が
形成され、前記Ｘ線マスクと対向してウェハが配置され
、該ウェハを保持するウェハチャックを有する構造のＸ
線露光装置において、 前記ウェハチャックに前記ウェハを冷却する冷却手段を
設けたことを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003310A JPH02183514A (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003310A JPH02183514A (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02183514A true JPH02183514A (ja) | 1990-07-18 |
Family
ID=11553786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1003310A Pending JPH02183514A (ja) | 1989-01-10 | 1989-01-10 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02183514A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013502063A (ja) * | 2009-08-11 | 2013-01-17 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | マスクの大きさを一定に維持するための方法および装置 |
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1989
- 1989-01-10 JP JP1003310A patent/JPH02183514A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013502063A (ja) * | 2009-08-11 | 2013-01-17 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | マスクの大きさを一定に維持するための方法および装置 |
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