JPH0218533B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0218533B2 JPH0218533B2 JP57073741A JP7374182A JPH0218533B2 JP H0218533 B2 JPH0218533 B2 JP H0218533B2 JP 57073741 A JP57073741 A JP 57073741A JP 7374182 A JP7374182 A JP 7374182A JP H0218533 B2 JPH0218533 B2 JP H0218533B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat shield
- cathode
- filament
- rod
- shaped cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電子ビームを発生させる棒状陰極
アツセンブリに関するものである。
アツセンブリに関するものである。
従来この種の装置として第１図に示すものがあ
つた。図において、１は先端面から電子ビームを
放出する円柱形の棒状陰極、２は棒状陰極１のま
わりに同軸に配置されたコイル状のフイラメン
ト、３は棒状陰極１およびフイラメント２から放
射・伝達される熱を反射断熱し、棒状陰極１およ
びフイラメント２の温度を均一にする熱シールド
であり、前面熱シールド４、内側円筒熱シールド
５、外側円筒熱シールド６、後面熱シールド７か
ら構成される。８は各円筒熱シールドの円周と前
面熱シールド４および後面熱シールド７を数個
所、機械的に固定する固定リブで前面熱シールド
固定リブ８ａと後面熱シールド固定リブ８ｂから
成る。９はセラミツク板、１０はウエネルト、１
１は陽極、１２は電子ビーム、１３はフイラメン
トサポートである。
つた。図において、１は先端面から電子ビームを
放出する円柱形の棒状陰極、２は棒状陰極１のま
わりに同軸に配置されたコイル状のフイラメン
ト、３は棒状陰極１およびフイラメント２から放
射・伝達される熱を反射断熱し、棒状陰極１およ
びフイラメント２の温度を均一にする熱シールド
であり、前面熱シールド４、内側円筒熱シールド
５、外側円筒熱シールド６、後面熱シールド７か
ら構成される。８は各円筒熱シールドの円周と前
面熱シールド４および後面熱シールド７を数個
所、機械的に固定する固定リブで前面熱シールド
固定リブ８ａと後面熱シールド固定リブ８ｂから
成る。９はセラミツク板、１０はウエネルト、１
１は陽極、１２は電子ビーム、１３はフイラメン
トサポートである。
第２図に棒状陰極先端面付近の拡大図を示す。
図において、Ｇは同軸に配置されたフイラメント
２と棒状陰極１との間〓、Ｄは前面熱シールド４
の孔径、H1はフイラメント２の先端部と前面熱
シールド４内面までの距離、H2はフイラメント
２の先端部と棒状陰極１の先端面までの距離であ
る。
図において、Ｇは同軸に配置されたフイラメント
２と棒状陰極１との間〓、Ｄは前面熱シールド４
の孔径、H1はフイラメント２の先端部と前面熱
シールド４内面までの距離、H2はフイラメント
２の先端部と棒状陰極１の先端面までの距離であ
る。
なお熱シールド３および固定リブ８は溶接性の
良いタンタルで構成されている。
良いタンタルで構成されている。
次に動作について説明する。第１図に示す部分
を真空に排気し、フイラメント２に直接通電して
フイラメント２を加熱する。フイラメント２をマ
イナス、棒状陰極１をプラスとして電圧を印加す
ると、棒状陰極１はフイラメント２からの熱電子
の衝撃で加熱される。さらに棒状陰極１をマイナ
ス、陽極１１をプラスとして高電圧を印加すると
棒状陰極先端面から放射された熱電子は電子ビー
ム１２を形成し、陽極孔を通り所期の目的に供せ
られる。
を真空に排気し、フイラメント２に直接通電して
フイラメント２を加熱する。フイラメント２をマ
イナス、棒状陰極１をプラスとして電圧を印加す
ると、棒状陰極１はフイラメント２からの熱電子
の衝撃で加熱される。さらに棒状陰極１をマイナ
ス、陽極１１をプラスとして高電圧を印加すると
棒状陰極先端面から放射された熱電子は電子ビー
ム１２を形成し、陽極孔を通り所期の目的に供せ
られる。
各電極が接触しないことを前提に、投入された
フイラメント２を加熱する電力および棒状陰極１
を衝撃して加熱する電力で棒状陰極１の先端面が
効率良く高温に加熱するためには、第２図におけ
るＧ、H1、H2およびＤが出来るだけ小さくした
幾何学配置になるので、熱シールド３の構成の中
で前面熱シールド４の孔付近あるいは内側円筒熱
シールド５の前面熱シールド４に近い部分が棒状
陰極１およびフイラメント２の輻射熱を多く受け
て最も高温になる。これらに蓄積された熱は熱伝
導で前面熱シールド４および内側円筒熱シールド
５全域が高温に加熱される。同様に後面熱シール
ド７は棒状陰極１およびフイラメント２の輻射熱
を受け、外側円筒熱シールド６は内側円筒熱シー
ルド５の放射熱を受け、各々高温になる。ところ
で各構成熱シールドは固定リブ８を介してスポツ
ト溶接で強固に固定されているが、固定リブ８を
介して熱が伝導することは少なく、各構成熱シー
ルドの温度は輻射伝熱で決まる。例えば、材料が
タングステンである棒状陰極１およびフイラメン
ト２を約2850Kに加熱した時、0.1tのタンタルで
作られた前面熱シールド４は約1800K、内側円筒
熱シールド５は約1950K、外側円筒熱シールド６
は約1700K、後面熱シールド７は約1750Kであ
る。熱シールド３が高温に加熱された場合、構造
上、前面熱シールド４と後面熱シールド７は径方
向に熱膨張し、内側円筒熱シールド５と外側円筒
熱シールド６は軸方向に熱膨張する。
フイラメント２を加熱する電力および棒状陰極１
を衝撃して加熱する電力で棒状陰極１の先端面が
効率良く高温に加熱するためには、第２図におけ
るＧ、H1、H2およびＤが出来るだけ小さくした
幾何学配置になるので、熱シールド３の構成の中
で前面熱シールド４の孔付近あるいは内側円筒熱
シールド５の前面熱シールド４に近い部分が棒状
陰極１およびフイラメント２の輻射熱を多く受け
て最も高温になる。これらに蓄積された熱は熱伝
導で前面熱シールド４および内側円筒熱シールド
５全域が高温に加熱される。同様に後面熱シール
ド７は棒状陰極１およびフイラメント２の輻射熱
を受け、外側円筒熱シールド６は内側円筒熱シー
ルド５の放射熱を受け、各々高温になる。ところ
で各構成熱シールドは固定リブ８を介してスポツ
ト溶接で強固に固定されているが、固定リブ８を
介して熱が伝導することは少なく、各構成熱シー
ルドの温度は輻射伝熱で決まる。例えば、材料が
タングステンである棒状陰極１およびフイラメン
ト２を約2850Kに加熱した時、0.1tのタンタルで
作られた前面熱シールド４は約1800K、内側円筒
熱シールド５は約1950K、外側円筒熱シールド６
は約1700K、後面熱シールド７は約1750Kであ
る。熱シールド３が高温に加熱された場合、構造
上、前面熱シールド４と後面熱シールド７は径方
向に熱膨張し、内側円筒熱シールド５と外側円筒
熱シールド６は軸方向に熱膨張する。
上記したように前面熱シールド５は後面熱シー
ルド７よりも温度が高いため熱膨張量も大きい
が、前面熱シールド固定リブ８ａで内側円筒熱シ
ールド５および外側円筒熱シールド６とスポツト
溶接されているため、径方向の熱膨張量に対応し
て軸方向に歪んでしまう。又、内側円筒熱シール
ド５は外側円筒熱シールド６よりも温度が高いた
め熱膨張量も大きいので、前面熱シールド４を内
側から押す。その結果、前面熱シールド４は軸方
向に脹んだ形の歪みを起こす。
ルド７よりも温度が高いため熱膨張量も大きい
が、前面熱シールド固定リブ８ａで内側円筒熱シ
ールド５および外側円筒熱シールド６とスポツト
溶接されているため、径方向の熱膨張量に対応し
て軸方向に歪んでしまう。又、内側円筒熱シール
ド５は外側円筒熱シールド６よりも温度が高いた
め熱膨張量も大きいので、前面熱シールド４を内
側から押す。その結果、前面熱シールド４は軸方
向に脹んだ形の歪みを起こす。
この熱歪みを軽減するため前面熱シールド４の
板厚を厚くすると逆に固定リブ８あるいは他の構
成熱シールドに熱応力が加わり、固定リブ８が外
れたり破損すると共に他の構成熱シールドが熱歪
みを起こす。
板厚を厚くすると逆に固定リブ８あるいは他の構
成熱シールドに熱応力が加わり、固定リブ８が外
れたり破損すると共に他の構成熱シールドが熱歪
みを起こす。
特に熱シールド３および固定リブ８にスポツト
溶接性の良い高融点材料であるタンタルを使用し
ているため、真空中に残留する水素分子によりタ
ンタルが水素脆性を起すので熱シールド３の劣化
が激しく、長時間の加熱で熱シールド３としての
原形をとどめない場合もある。
溶接性の良い高融点材料であるタンタルを使用し
ているため、真空中に残留する水素分子によりタ
ンタルが水素脆性を起すので熱シールド３の劣化
が激しく、長時間の加熱で熱シールド３としての
原形をとどめない場合もある。
第３図に従来の熱シールド３の分解図を示す。
１４は熱シールドサポートである。熱シールド３
の組立手順を下記に示す。
１４は熱シールドサポートである。熱シールド３
の組立手順を下記に示す。
(i) 前もつて組立てられている棒状陰極１と同軸
に後面熱シールド７と熱シールドサポート１４
を固定する。
に後面熱シールド７と熱シールドサポート１４
を固定する。
(ii) 後面熱シールド７とスポツト溶接で円筒にし
た内側円筒熱シールド５を後面熱シールド固定
リブ８ｂを介して同軸にスポツト溶接する。
た内側円筒熱シールド５を後面熱シールド固定
リブ８ｂを介して同軸にスポツト溶接する。
(iii) 棒状陰極１と同軸にフイラメント２をフイラ
メントサポート１３で固定する。
メントサポート１３で固定する。
(iv) 内側円筒熱シールド５と前面熱シールド４を
前面熱シールド固定リブ８ａを介して同軸にス
ポツト溶接する。
前面熱シールド固定リブ８ａを介して同軸にス
ポツト溶接する。
(v) 内側円筒熱シールド５の外側に外側円筒熱シ
ールド６を同軸に配し、スポツト溶接で円筒に
した後、その両端を後面熱シールド固定リブ８
ｂおよび前面熱シールド固定リブ８ａを介して
それぞれ後面熱シールド７および前面熱シール
ド４にスポツト溶接する。
ールド６を同軸に配し、スポツト溶接で円筒に
した後、その両端を後面熱シールド固定リブ８
ｂおよび前面熱シールド固定リブ８ａを介して
それぞれ後面熱シールド７および前面熱シール
ド４にスポツト溶接する。
以上の手順説明から明らかなように、従来の熱
シールド３は各構成部材の組立に精度が要求され
るにもかかわらず組立治具の使用が困難な個所が
あると共に非常に複難な構成になつているため組
立時間がかかる。
シールド３は各構成部材の組立に精度が要求され
るにもかかわらず組立治具の使用が困難な個所が
あると共に非常に複難な構成になつているため組
立時間がかかる。
従来の棒状陰極の熱シールド３は以上のように
構成されており、欠点を下記に列挙する。
構成されており、欠点を下記に列挙する。
(i) 陰極の高温加熱で熱シールド３の中で特に前
面熱シールド４が熱歪みを起こし、他の電極と
接触する。
面熱シールド４が熱歪みを起こし、他の電極と
接触する。
(ii) 熱シールド３の材料を高融点で溶接性の良い
タンタルで構成する必要があるため、水素脆性
を起こし、寿命が短かい。
タンタルで構成する必要があるため、水素脆性
を起こし、寿命が短かい。
(iii) 構成が複雑なため、組立時間が長くかつ組立
精度が悪い。
精度が悪い。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、スポツト溶接の組
立からヘミング組立に変えることにより、熱シー
ルドの熱歪みを軽減し、水素脆化を防止し、かつ
組立時間の短縮と精度の向上が計れる熱シールド
を有する棒状陰極アツセンブリを提供することを
目的としている。
去するためになされたもので、スポツト溶接の組
立からヘミング組立に変えることにより、熱シー
ルドの熱歪みを軽減し、水素脆化を防止し、かつ
組立時間の短縮と精度の向上が計れる熱シールド
を有する棒状陰極アツセンブリを提供することを
目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。
る。
第４図において、５ａは内側円筒熱シールド５
の突起片（以後、第１の耳と呼ぶ）、６ａは外側
円筒熱シールド６と前面熱シールド４とを固定す
る突起片（以後、第２の耳と呼ぶ）、６ｂは外側
円筒熱シールド６と後面熱シールド７とを固定す
る突起片（以後、第３の耳と呼ぶ）、６ｃは外側
円筒熱シールド６の周端部を上記と同様に耳形状
にして曲折げた外側円筒ヘミング、７ａは後面熱
シールド７に開けられた矩形状の孔、７ｂは後面
熱シールドの円周上に切欠けられた溝である。熱
シールドの各部品はモリブデンで構成されてい
る。
の突起片（以後、第１の耳と呼ぶ）、６ａは外側
円筒熱シールド６と前面熱シールド４とを固定す
る突起片（以後、第２の耳と呼ぶ）、６ｂは外側
円筒熱シールド６と後面熱シールド７とを固定す
る突起片（以後、第３の耳と呼ぶ）、６ｃは外側
円筒熱シールド６の周端部を上記と同様に耳形状
にして曲折げた外側円筒ヘミング、７ａは後面熱
シールド７に開けられた矩形状の孔、７ｂは後面
熱シールドの円周上に切欠けられた溝である。熱
シールドの各部品はモリブデンで構成されてい
る。
ここでヘミングとは板状の突起物（例えば上記
耳）を板孔あるいは板のへりに沿せて折曲げるこ
とにより両者を機械的に固定する方法である。
耳）を板孔あるいは板のへりに沿せて折曲げるこ
とにより両者を機械的に固定する方法である。
次に動作について説明する。陰極部に加熱電力
が投入されたとき、前記したように棒状陰極１と
フイラメント２の加熱部に対して幾何学的に最と
も近接した前面熱シールド４に輻射熱が入熱して
高温になり、径方向に熱膨張するが、外側円筒ヘ
ミング６ｃで外側円筒熱シールド６は熱膨張の変
動を吸収できるスプリング機構を有しているの
で、両部品間で熱応力の発生がなくなる。
が投入されたとき、前記したように棒状陰極１と
フイラメント２の加熱部に対して幾何学的に最と
も近接した前面熱シールド４に輻射熱が入熱して
高温になり、径方向に熱膨張するが、外側円筒ヘ
ミング６ｃで外側円筒熱シールド６は熱膨張の変
動を吸収できるスプリング機構を有しているの
で、両部品間で熱応力の発生がなくなる。
さらに従来の前面熱シールド４と内側円筒熱シ
ールド５を固定していた前面熱シールド固定リブ
８ａを除去したので、高温に加熱されたととき軸
方向に熱膨張する内側円筒熱シールド５の円周端
面と前面熱シールド４の内壁面が接触しないよう
に配慮しておきさえすれば相互間に熱応力が加わ
ることがない。
ールド５を固定していた前面熱シールド固定リブ
８ａを除去したので、高温に加熱されたととき軸
方向に熱膨張する内側円筒熱シールド５の円周端
面と前面熱シールド４の内壁面が接触しないよう
に配慮しておきさえすれば相互間に熱応力が加わ
ることがない。
以上より、前面熱シールド４の熱歪みはほとん
どなくなる。事実、従来と同様に陰極部を約
2850Kに設定し、800hr以上の連続運転を行なつ
た後、熱シールド３各部の熱歪みを測定した結
果、熱歪み量はほぼ零であつた。又、熱シールド
の各部品をモリブデンで構成することができ、そ
のため水素脆性はなかつた。
どなくなる。事実、従来と同様に陰極部を約
2850Kに設定し、800hr以上の連続運転を行なつ
た後、熱シールド３各部の熱歪みを測定した結
果、熱歪み量はほぼ零であつた。又、熱シールド
の各部品をモリブデンで構成することができ、そ
のため水素脆性はなかつた。
第４図に従い、従来と同様に熱シールド３の組
立手順を以下に列挙する。
立手順を以下に列挙する。
(i) 前もつて組立てられている棒状陰極１と同軸
に後面熱シールド７と熱シールドサポート１４
を固定する。
に後面熱シールド７と熱シールドサポート１４
を固定する。
(ii) ヘミングで円筒にした内側円筒熱シールド５
の第１の耳５ａを後面熱シールド７の矩形状の
孔７ａに挿入し、ヘミングで固定する。
の第１の耳５ａを後面熱シールド７の矩形状の
孔７ａに挿入し、ヘミングで固定する。
(iii) 棒状陰極１と同軸にフイラメント２をフイラ
メントサポート１３で固定する。
メントサポート１３で固定する。
(iv) ヘミングで円筒にした外側円筒熱シールド６
と前面熱シールド４とを第２の耳６ａを使つて
ヘミングで固定する。
と前面熱シールド４とを第２の耳６ａを使つて
ヘミングで固定する。
(v) 後面熱シールド７の切欠け溝７ｂに第３の耳
６ｂを挿入し、ヘミングで固定する。
６ｂを挿入し、ヘミングで固定する。
このように、従来の熱シールド３はスポツト溶
接を主体に組立てられていることと比較して、本
発明はヘミングで組立てられているので、特別な
技能者が不必要であり、組立時間が著しく短縮さ
れると共に、簡易治具の使用で精度も保証され
る。
接を主体に組立てられていることと比較して、本
発明はヘミングで組立てられているので、特別な
技能者が不必要であり、組立時間が著しく短縮さ
れると共に、簡易治具の使用で精度も保証され
る。
なお、上記実施例では前面熱シールド４を平板
プレス加工したものを示したが、第５図に示すよ
うに同心状の段を設けたプレス加工を行なうこと
により径方向の熱膨張が吸収できる機能を付加す
れば熱歪みは一層軽減できる。又、第６図に示す
ように前面熱シールド４と外側円筒熱シールド６
を一体プレス加工することにより、熱放射面を大
きくし、熱歪みを小さくする構成にしても良い。
説明上、材料の寸法および陰極温度等について具
体的数字を示したが、これにより本発明の基本機
能が制約されないのは勿論である。
プレス加工したものを示したが、第５図に示すよ
うに同心状の段を設けたプレス加工を行なうこと
により径方向の熱膨張が吸収できる機能を付加す
れば熱歪みは一層軽減できる。又、第６図に示す
ように前面熱シールド４と外側円筒熱シールド６
を一体プレス加工することにより、熱放射面を大
きくし、熱歪みを小さくする構成にしても良い。
説明上、材料の寸法および陰極温度等について具
体的数字を示したが、これにより本発明の基本機
能が制約されないのは勿論である。
以上のように、この発明によれば熱シールドの
各部品をモリブデンにより形成し、その組立をヘ
ミングで行ない、相互に加わる熱応力が零になる
ように構成したので、熱歪みが少なく他電極と接
触せず、また水素脆性のない長寿命の陰極アツセ
ンブリが得られる。さらに熱シールドの構成を単
純で精度が出しやすい構成にしたので、組立に特
殊な技能者がいらず、組立時間が大巾に短縮さ
れ、陰極が安価にできる効果がある。
各部品をモリブデンにより形成し、その組立をヘ
ミングで行ない、相互に加わる熱応力が零になる
ように構成したので、熱歪みが少なく他電極と接
触せず、また水素脆性のない長寿命の陰極アツセ
ンブリが得られる。さらに熱シールドの構成を単
純で精度が出しやすい構成にしたので、組立に特
殊な技能者がいらず、組立時間が大巾に短縮さ
れ、陰極が安価にできる効果がある。
第１図は従来の電子ビーム発生用熱陰極の一例
で、棒状陰極形の構成を示す断面図、第２図は第
１図に示す棒状陰極の一部を拡大した断面図、第
３図は従来の熱シールドを分解した立体図、第４
図はこの発明の一実施例である熱シールドを分解
した立体図、第５図はこの発明の他の実施例であ
る熱シールドを分解した立体図、第６図はこの発
明のさらに他の実施例である熱シールドを示す斜
視図である。 １は棒状陰極、２はフイラメント、３は熱シー
ルド、４は前面熱シールド、５は内側円筒熱シー
ルド、６は外側円筒熱シールド、７は後面熱シー
ルド、５ａ，６ａ，６ｂは突起片、６ｃはヘミン
グ、７ａは孔、７ｂは溝、１２は電子ビームであ
る。なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を
示す。
で、棒状陰極形の構成を示す断面図、第２図は第
１図に示す棒状陰極の一部を拡大した断面図、第
３図は従来の熱シールドを分解した立体図、第４
図はこの発明の一実施例である熱シールドを分解
した立体図、第５図はこの発明の他の実施例であ
る熱シールドを分解した立体図、第６図はこの発
明のさらに他の実施例である熱シールドを示す斜
視図である。 １は棒状陰極、２はフイラメント、３は熱シー
ルド、４は前面熱シールド、５は内側円筒熱シー
ルド、６は外側円筒熱シールド、７は後面熱シー
ルド、５ａ，６ａ，６ｂは突起片、６ｃはヘミン
グ、７ａは孔、７ｂは溝、１２は電子ビームであ
る。なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を
示す。
Claims (1)
- １ 陰極と、この陰極のまわりに配置されたフイ
ラメントと、上記陰極およびフイラメントからの
放射・伝達される熱を反射断熱し上記陰極とフイ
ラメントとの温度を均一にする前面熱シールド、
内側円筒熱シールド、外側円筒熱シールドおよび
後面熱シールドからなる熱シールドとを備えた陰
極アツセンブリにおいて、上記内側円筒熱シール
ドおよび上記外側円筒熱シールドはそれぞれ軸方
向後端側に突起片をと突設し、また上記後面熱シ
ールドには上記内側円筒熱シールドの突起片が挿
入する孔および上記外側円筒熱シールドの突起片
が係止する切欠溝が形成され、前面熱シールドは
上記外側円筒熱シールドの軸方向前端側に形成さ
れた突起片により係止され、かつこれら各熱シー
ルドはモリブデンによつて形成されたことを特徴
とする陰極アツセンブリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073741A JPS58189939A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 陰極アツセンブリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073741A JPS58189939A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 陰極アツセンブリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189939A JPS58189939A (ja) | 1983-11-05 |
| JPH0218533B2 true JPH0218533B2 (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=13526965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57073741A Granted JPS58189939A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 陰極アツセンブリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58189939A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0537677B1 (en) * | 1991-10-16 | 1998-08-19 | Sony Corporation | Method of forming an SOI structure with a DRAM |
| WO2008140080A1 (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 電子源 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826767B2 (ja) * | 1977-06-23 | 1983-06-04 | 三菱電機株式会社 | 棒状熱陰極アツセンブリ |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP57073741A patent/JPS58189939A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58189939A (ja) | 1983-11-05 |
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