JPH11219670A - 電子銃 - Google Patents
電子銃Info
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- JPH11219670A JPH11219670A JP2076698A JP2076698A JPH11219670A JP H11219670 A JPH11219670 A JP H11219670A JP 2076698 A JP2076698 A JP 2076698A JP 2076698 A JP2076698 A JP 2076698A JP H11219670 A JPH11219670 A JP H11219670A
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- Japan
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- grid
- outer sleeve
- electron gun
- cathode
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- Solid Thermionic Cathode (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 含浸型カソードを用いても第1グリッドや第
2グリッドの温度が必要以上に上昇することが無く、ス
トレーエミッション強度が過大となること等を防止でき
る電子銃を提供する。 【解決手段】 含浸型カソードKが一端に固着されたヒ
ータH内蔵の内スリーブ10を外スリーブ20内に挿入
固定し、外スリーブ20を第1グリッドG1と第2グリ
ッドG2が設けられたセラミックディスク22に連結支
持した電子銃Eにおいて、セラミックディスク22に支
持ピン51を植設する。線状の部材をV字状に屈曲して
なるVタブ52の一端を支持ピン51に、Vタブ52の
他端を外スリーブ20にそれぞれ抵抗溶接等で固着す
る。
2グリッドの温度が必要以上に上昇することが無く、ス
トレーエミッション強度が過大となること等を防止でき
る電子銃を提供する。 【解決手段】 含浸型カソードKが一端に固着されたヒ
ータH内蔵の内スリーブ10を外スリーブ20内に挿入
固定し、外スリーブ20を第1グリッドG1と第2グリ
ッドG2が設けられたセラミックディスク22に連結支
持した電子銃Eにおいて、セラミックディスク22に支
持ピン51を植設する。線状の部材をV字状に屈曲して
なるVタブ52の一端を支持ピン51に、Vタブ52の
他端を外スリーブ20にそれぞれ抵抗溶接等で固着す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、CRT(陰極線
管)等に用いられる電子銃、詳しくは、含浸型カソード
を用いた電子銃であって、カソードを加熱するヒータが
第1グリッドや第2グリッドに及ぼす熱影響の低減を図
った電子銃に関する。
管)等に用いられる電子銃、詳しくは、含浸型カソード
を用いた電子銃であって、カソードを加熱するヒータが
第1グリッドや第2グリッドに及ぼす熱影響の低減を図
った電子銃に関する。
【0002】
【従来の技術】CRTは、図4,図5に示すように、フ
ェースパネル部Fとネック部Nを有する管本体Tを備
え、フェースパネル部Fに蛍光層LとシャドウマスクM
が、ネック部Nに電子銃Eが設けられる。電子銃Eは、
トリニトロン方式であれば、3つのカソードKB,K
G,KRと、第1グリッドG1および第2グリッドG2
を有するプリフォーカスレンズ系と、第3グリッドG3
および第4グリッドG4(AB,C,DE)、第5グリ
ッドG5を有するメインレンズ系と、コンバーゼンス偏
向板CPやシールドCSを有する偏向系とを備える。な
お、DYは偏向ヨークである。
ェースパネル部Fとネック部Nを有する管本体Tを備
え、フェースパネル部Fに蛍光層LとシャドウマスクM
が、ネック部Nに電子銃Eが設けられる。電子銃Eは、
トリニトロン方式であれば、3つのカソードKB,K
G,KRと、第1グリッドG1および第2グリッドG2
を有するプリフォーカスレンズ系と、第3グリッドG3
および第4グリッドG4(AB,C,DE)、第5グリ
ッドG5を有するメインレンズ系と、コンバーゼンス偏
向板CPやシールドCSを有する偏向系とを備える。な
お、DYは偏向ヨークである。
【0003】そして、近年の電子銃は、カソード(以
下、符号Kで代表する)と第1グリッドG1と第2グリ
ッドG2をカソード構体Aとして一体的に組み付け、電
子ビームの制御性の改善が図られる。このカソード構体
は、図6に示すように、カソードKが一端に固着された
ヒータ(図示せず)内蔵の内スリーブ10をリボン状の
複数のストラップにより外スリーブ20内に間隔を隔て
挿入固定し、該外スリーブ20を筒状のホルダー21に
よりセラミックディスク22に取り付け、あるいは、外
スリーブ20をセラミックディスク22にロウ付け等で
直接に固着し、該セラミックディスク22に第1グリド
G1を、また、セラミックディスク22にスペーサ23
を介して第2グリッドG2を設けて構成される。
下、符号Kで代表する)と第1グリッドG1と第2グリ
ッドG2をカソード構体Aとして一体的に組み付け、電
子ビームの制御性の改善が図られる。このカソード構体
は、図6に示すように、カソードKが一端に固着された
ヒータ(図示せず)内蔵の内スリーブ10をリボン状の
複数のストラップにより外スリーブ20内に間隔を隔て
挿入固定し、該外スリーブ20を筒状のホルダー21に
よりセラミックディスク22に取り付け、あるいは、外
スリーブ20をセラミックディスク22にロウ付け等で
直接に固着し、該セラミックディスク22に第1グリド
G1を、また、セラミックディスク22にスペーサ23
を介して第2グリッドG2を設けて構成される。
【0004】ところで、近年、タングステン焼結体等の
多孔質基体にカソード材を充填してなる含浸型のカソー
ドKが開発され、この含浸型カソードKが上述した図6
に示す電子銃にも従来のオキサイドカソードに替えて用
いられている。周知のように、含浸型カソードKはオキ
サイドカソードと比較して電子放出密度が高いという利
点を有し、含浸型カソードを用いた電子銃はCRTの高
性能化が図れる。
多孔質基体にカソード材を充填してなる含浸型のカソー
ドKが開発され、この含浸型カソードKが上述した図6
に示す電子銃にも従来のオキサイドカソードに替えて用
いられている。周知のように、含浸型カソードKはオキ
サイドカソードと比較して電子放出密度が高いという利
点を有し、含浸型カソードを用いた電子銃はCRTの高
性能化が図れる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た含浸型のカソードKを用いた図6に示す電子銃は、含
浸型のカソードKの動作温度がオキサイドカソードに比
較して高く、具体的には、オキサイドカソードの動作温
度が800°C程度であるに対して含浸型のカソードK
の動作温度は1000°C前後と高く、内蔵ヒータHの
発熱量を大きくしてカソードを高温度に加熱しなければ
ならない。
た含浸型のカソードKを用いた図6に示す電子銃は、含
浸型のカソードKの動作温度がオキサイドカソードに比
較して高く、具体的には、オキサイドカソードの動作温
度が800°C程度であるに対して含浸型のカソードK
の動作温度は1000°C前後と高く、内蔵ヒータHの
発熱量を大きくしてカソードを高温度に加熱しなければ
ならない。
【0006】このため、内蔵ヒータHから外スリーブ2
0やセラミックディスク22等を経由して第1グリッド
G1と第2グリッドG2に伝達される熱量も大きく、こ
れらグリッドG1,G2が高温に加熱され、カソードK
から蒸散するBaやBaOがグリッドG1,G2に付着
してエミッションソースを構成し、これらエミッション
ソースから熱電子が放出され、ストレーエミッション強
度が大きくなり画質に悪影響を及ぼすのみならずフォー
カス特性にも悪影響を及ぼし、CRTの動作終了時に偏
向動作終了とともに画面中央が明るく輝く現象(いわゆ
る、面ストレー)等を引き起こし、また、グリッドG
1,G2からのリーク電流を招いて回路の誤動作を引き
起こすという問題があった。
0やセラミックディスク22等を経由して第1グリッド
G1と第2グリッドG2に伝達される熱量も大きく、こ
れらグリッドG1,G2が高温に加熱され、カソードK
から蒸散するBaやBaOがグリッドG1,G2に付着
してエミッションソースを構成し、これらエミッション
ソースから熱電子が放出され、ストレーエミッション強
度が大きくなり画質に悪影響を及ぼすのみならずフォー
カス特性にも悪影響を及ぼし、CRTの動作終了時に偏
向動作終了とともに画面中央が明るく輝く現象(いわゆ
る、面ストレー)等を引き起こし、また、グリッドG
1,G2からのリーク電流を招いて回路の誤動作を引き
起こすという問題があった。
【0007】一方、上述した問題は、図7に示すよう
に、セラミックに替えて熱伝導率が小さいハーメチック
ガラスによりディスク22を構成して外スリーブ20と
直接に固着することで解決できるとも考えられるが、ハ
ーメチックガラスは高価であるため、製造コストの増大
という新たな問題を生じる。この発明は、上記各問題に
鑑みてなされたもので、含浸型カソードを用いても第1
グリッドや第2グリッドが高温に加熱されることが無
く、ストローエミション等の不都合を防止できる電子銃
を安価に提供することを目的とする。
に、セラミックに替えて熱伝導率が小さいハーメチック
ガラスによりディスク22を構成して外スリーブ20と
直接に固着することで解決できるとも考えられるが、ハ
ーメチックガラスは高価であるため、製造コストの増大
という新たな問題を生じる。この発明は、上記各問題に
鑑みてなされたもので、含浸型カソードを用いても第1
グリッドや第2グリッドが高温に加熱されることが無
く、ストローエミション等の不都合を防止できる電子銃
を安価に提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、含浸型カソードが一端に固着されたヒ
ータ内蔵の内スリーブを外スリーブ内に挿入固定し、該
外スリーブを第1グリッドと第2グリッドが設けられた
ディスクに取り付けた電子銃において、前記ディスクに
支持ピンを植設し、前記支持ピンに線状または帯状の取
付片の一端を止着し、前記取付片の他端を前記外スリー
ブに止着し、該外スリーブを前記ディスクに前記取付片
を介して取り付けたことを特徴とする。
め、この発明は、含浸型カソードが一端に固着されたヒ
ータ内蔵の内スリーブを外スリーブ内に挿入固定し、該
外スリーブを第1グリッドと第2グリッドが設けられた
ディスクに取り付けた電子銃において、前記ディスクに
支持ピンを植設し、前記支持ピンに線状または帯状の取
付片の一端を止着し、前記取付片の他端を前記外スリー
ブに止着し、該外スリーブを前記ディスクに前記取付片
を介して取り付けたことを特徴とする。
【0009】この発明にかかる電子銃は、ヒータにより
発生する熱でカソードのみならず内スリーブも加熱され
るが、外スリーブとディスクとは支持ピンと線状(また
は帯状)の取付片を直列に介して連結し、熱の伝導抵抗
が大きい。このため、ディスクを安価なセラミックから
構成しても、外スリーブからディスクに伝導する熱量を
少なくできる。したがって、ヒータの消費電力を小さく
でき、また、第1および第2グリッドに伝播する熱量も
少なくなり、これらグリッドの温度が必要以上の高温に
上昇することが無く、ストレーエミッション強度の増大
を抑制でき、面ストレー等の不都合を防止できる。
発生する熱でカソードのみならず内スリーブも加熱され
るが、外スリーブとディスクとは支持ピンと線状(また
は帯状)の取付片を直列に介して連結し、熱の伝導抵抗
が大きい。このため、ディスクを安価なセラミックから
構成しても、外スリーブからディスクに伝導する熱量を
少なくできる。したがって、ヒータの消費電力を小さく
でき、また、第1および第2グリッドに伝播する熱量も
少なくなり、これらグリッドの温度が必要以上の高温に
上昇することが無く、ストレーエミッション強度の増大
を抑制でき、面ストレー等の不都合を防止できる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。図1a,bはこの発明の一の実
施の形態にかかる電子銃を示し、図1aが同電子銃の要
部を拡大した模式断面図、図1bが図1aの底面図であ
る。なお、前述した図に示す従来の電子銃(CRT)と
同一の部分は同一の符号を付して一部の図示と説明を割
愛する。
面を参照して説明する。図1a,bはこの発明の一の実
施の形態にかかる電子銃を示し、図1aが同電子銃の要
部を拡大した模式断面図、図1bが図1aの底面図であ
る。なお、前述した図に示す従来の電子銃(CRT)と
同一の部分は同一の符号を付して一部の図示と説明を割
愛する。
【0011】図1a,bに示すように、セラミックディ
スク22には外スリーブ20を中心として点対称的に2
本の支持ピン51,51が後方に向かって植設され、こ
れら支持ピン51,51と外スリーブ20との間にそれ
ぞれVタブ(取付片)52が介設される。前述したよう
に、外スリーブ20には内スリーブ10が間隔を隔て挿
通されてストラップ19により周方向に等間隔に離間し
た3カ所で保持され、内スリーブ10の前端に含浸型カ
ソードKが設けられ、また、セラミックディスク22に
は第1グリッドG1がロウ付け等で、第2グリッドG2
がスペーサ23を介して固定される。
スク22には外スリーブ20を中心として点対称的に2
本の支持ピン51,51が後方に向かって植設され、こ
れら支持ピン51,51と外スリーブ20との間にそれ
ぞれVタブ(取付片)52が介設される。前述したよう
に、外スリーブ20には内スリーブ10が間隔を隔て挿
通されてストラップ19により周方向に等間隔に離間し
た3カ所で保持され、内スリーブ10の前端に含浸型カ
ソードKが設けられ、また、セラミックディスク22に
は第1グリッドG1がロウ付け等で、第2グリッドG2
がスペーサ23を介して固定される。
【0012】Vタブ52はそれぞれ、熱伝導率が10W
/m・K〜100W/m・K程度の材料、例えば、ニッ
ケル・モリブデン合金等からなる線状部材を略V字状に
屈曲して構成される。これらVタブ52はそれぞれ、屈
曲端が支持ピン51に抵抗溶接等で固着され、開放端が
外スリーブ20の外周面に180°離間した位置で抵抗
溶接等で固着され、外スリーブ20とセラミックディス
ク22を連結する。
/m・K〜100W/m・K程度の材料、例えば、ニッ
ケル・モリブデン合金等からなる線状部材を略V字状に
屈曲して構成される。これらVタブ52はそれぞれ、屈
曲端が支持ピン51に抵抗溶接等で固着され、開放端が
外スリーブ20の外周面に180°離間した位置で抵抗
溶接等で固着され、外スリーブ20とセラミックディス
ク22を連結する。
【0013】この実施の形態にあっては、含浸型カソー
ドKを用いるため、動作温度がオキサイドカソードより
も約200°C程度高く、カソードKのみならず内スリ
ーブ10もヒータHにより高温に加熱され、内スリーブ
10の熱がストラップ19を経た伝導や輻射により外ス
リーブ20に伝播して外スリーブ20の温度も上昇す
る。しかしながら、外スリーブ20は外周面の2カ所で
Vタブ52と支持ピン51を直列に介してセラミックデ
ィスク22と連結するにすぎないため、外スリーブ20
からセラミックディスク22に伝導する熱量が少なく、
第1グリッドG1および第2グリッドG2が必要以上の
高温に上昇することが防止され、また、ヒータの消費電
力も少なくできる。
ドKを用いるため、動作温度がオキサイドカソードより
も約200°C程度高く、カソードKのみならず内スリ
ーブ10もヒータHにより高温に加熱され、内スリーブ
10の熱がストラップ19を経た伝導や輻射により外ス
リーブ20に伝播して外スリーブ20の温度も上昇す
る。しかしながら、外スリーブ20は外周面の2カ所で
Vタブ52と支持ピン51を直列に介してセラミックデ
ィスク22と連結するにすぎないため、外スリーブ20
からセラミックディスク22に伝導する熱量が少なく、
第1グリッドG1および第2グリッドG2が必要以上の
高温に上昇することが防止され、また、ヒータの消費電
力も少なくできる。
【0014】すなわち、Vタブ52は線状部材で断面積
が小さく、また、支持ピン51も断面積が比較的小さ
く、これらVタブ52と支持ピン51を直列に連結する
ため、熱の伝導抵抗が大きくなる。したがって、外ディ
スク20が高温に熱せられてもセラミックディスク22
に伝導する熱量が少なく、セラミックディスク22に設
けられたグリッドG1,G2が必要以上の高温となるこ
とが防止され、ヒータの消費電力も小さくできる。この
結果として、第1グリッドG1や第2グリッドG2から
の熱電子の放出を抑制でき、ストレーエミッション強度
を低減させることができ、良好な画質が得られ、また、
フォーカス特性も損なわれることが無く、さらに、面ス
トレー等の不都合の発生も防止できる。
が小さく、また、支持ピン51も断面積が比較的小さ
く、これらVタブ52と支持ピン51を直列に連結する
ため、熱の伝導抵抗が大きくなる。したがって、外ディ
スク20が高温に熱せられてもセラミックディスク22
に伝導する熱量が少なく、セラミックディスク22に設
けられたグリッドG1,G2が必要以上の高温となるこ
とが防止され、ヒータの消費電力も小さくできる。この
結果として、第1グリッドG1や第2グリッドG2から
の熱電子の放出を抑制でき、ストレーエミッション強度
を低減させることができ、良好な画質が得られ、また、
フォーカス特性も損なわれることが無く、さらに、面ス
トレー等の不都合の発生も防止できる。
【0015】図2はこの発明の他の実施の形態にかかる
電子銃を示し、要部の模式斜視図である。なお、この実
施の形態および後述する実施の形態においては、前述し
た実施の形態と同一の部分には同一の番号を付して説明
と図示を省略する。
電子銃を示し、要部の模式斜視図である。なお、この実
施の形態および後述する実施の形態においては、前述し
た実施の形態と同一の部分には同一の番号を付して説明
と図示を省略する。
【0016】この実施の形態は、取付片として帯状片7
1を用いる。この帯状片71は、中間部に半円状の湾曲
部71aを有し、この湾曲部71aが外スリーブ20の
外周を囲繞して抵抗溶接(図中、×で示す)等で固着さ
れ、また、両端が支持ピン51に抵抗溶接等で固着され
る。この実施の形態にあっても、帯状片71の熱伝導抵
抗が大きいため、第1グリッドG1および第2グリッド
G2が必要以上の温度に上昇することが防止できる。
1を用いる。この帯状片71は、中間部に半円状の湾曲
部71aを有し、この湾曲部71aが外スリーブ20の
外周を囲繞して抵抗溶接(図中、×で示す)等で固着さ
れ、また、両端が支持ピン51に抵抗溶接等で固着され
る。この実施の形態にあっても、帯状片71の熱伝導抵
抗が大きいため、第1グリッドG1および第2グリッド
G2が必要以上の温度に上昇することが防止できる。
【0017】図3はこの発明のまた他の実施の形態にか
かる電子銃を示し、要部の模式斜視図である。この実施
の形態は、上述した図2の実施の形態における帯状片7
1を2つ用いて外スリーブ20を挟持し、各帯状片71
の端部を支持ピン51に抵抗溶接等で固着する。この実
施の形態にあっても、前記と同様に、帯状片71の熱伝
導抵抗が大きいため、第1グリッドG1および第2グリ
ッドG2が必要以上の温度に上昇することが防止でき
る。
かる電子銃を示し、要部の模式斜視図である。この実施
の形態は、上述した図2の実施の形態における帯状片7
1を2つ用いて外スリーブ20を挟持し、各帯状片71
の端部を支持ピン51に抵抗溶接等で固着する。この実
施の形態にあっても、前記と同様に、帯状片71の熱伝
導抵抗が大きいため、第1グリッドG1および第2グリ
ッドG2が必要以上の温度に上昇することが防止でき
る。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、この発明にかかる
電子銃によれば、カソードが取り付けられたヒータ内蔵
の内スリーブを外スリーブ内に挿通して保持し、この外
スリーブを第1および第2グリッドが設けられたセラミ
ックディスクに線状または帯状の取付片により取り付け
るため、外スリーブからセラミックディスクに至る熱伝
導経路の熱伝導抵抗を大きくでき、カソードとして動作
温度がオキサイドカソードよりも高い含浸型カソードを
用いても、第1グリッドや第2グリッドの温度が必要以
上に高温度に上昇することが無く、ストレーエミッショ
ン強度を低減でき、また、画質やフォーカス特性が損な
われることを防止でき、グリッドからのリーク電流の発
生も防止できる。
電子銃によれば、カソードが取り付けられたヒータ内蔵
の内スリーブを外スリーブ内に挿通して保持し、この外
スリーブを第1および第2グリッドが設けられたセラミ
ックディスクに線状または帯状の取付片により取り付け
るため、外スリーブからセラミックディスクに至る熱伝
導経路の熱伝導抵抗を大きくでき、カソードとして動作
温度がオキサイドカソードよりも高い含浸型カソードを
用いても、第1グリッドや第2グリッドの温度が必要以
上に高温度に上昇することが無く、ストレーエミッショ
ン強度を低減でき、また、画質やフォーカス特性が損な
われることを防止でき、グリッドからのリーク電流の発
生も防止できる。
【図1】この発明の一の実施の形態にかかる電子銃を示
し、aが要部を示す模式断面図、bが底面図である。
し、aが要部を示す模式断面図、bが底面図である。
【図2】この発明の他の実施の形態にかかる電子銃の要
部の斜視図である。
部の斜視図である。
【図3】この発明のまた他の実施の形態にかかる電子銃
の要部の斜視図である。
の要部の斜視図である。
【図4】この発明にかかる電子銃が適用されるCRTの
模式断面図である。
模式断面図である。
【図5】同CRTの概念図である。
【図6】従来の電子銃の一部を拡大した模式断面図であ
る。
る。
【図7】従来の他の電子銃の要部を拡大した模式断面図
である。
である。
10……内スリーブ、20……外スリーブ、23……セ
ラミックディスク、51……支持ピン、52……Vタブ
(取付片)、71……帯状片(取付片)、E……電子
銃、G1……第1グリッド、G2……第2グリッド、K
……含浸型カソード。
ラミックディスク、51……支持ピン、52……Vタブ
(取付片)、71……帯状片(取付片)、E……電子
銃、G1……第1グリッド、G2……第2グリッド、K
……含浸型カソード。
Claims (4)
- 【請求項1】 含浸型カソードが一端に固着されたヒー
タ内蔵の内スリーブを外スリーブ内に挿入固定し、該外
スリーブを第1グリッドと第2グリッドが設けられたデ
ィスクに取り付けた電子銃において、 前記ディスクに支持ピンを植設し、 前記支持ピンに線状または帯状の取付片の一端を止着
し、 前記取付片の他端を前記外スリーブに止着し、該外スリ
ーブを前記ディスクに前記取付片を介して取り付けた、 ことを特徴とする電子銃。 - 【請求項2】 前記内カソードの前記含浸型カソードが
設けられた端部と逆側の端部と、前記外スリーブの第1
グリッド側端部とをストラップにより連結するととも
に、前記外スリーブの第1グリッドと反対側の端部に取
付片の他端を止着した請求項1に記載の電子銃。 - 【請求項3】 前記取付片を抵抗溶接により前記支持ピ
ンと前記外スリーブに止着した請求項1に記載の電子
銃。 - 【請求項4】 前記第1グリッドを前記ディスクに直接
に取り付け、前記第2グリッドを前記ディスクにスペー
サを介して取り付けた請求項1に記載の電子銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2076698A JPH11219670A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2076698A JPH11219670A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電子銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219670A true JPH11219670A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12036311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2076698A Pending JPH11219670A (ja) | 1998-02-02 | 1998-02-02 | 電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219670A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108269724A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 宁波创润新材料有限公司 | 电子枪及其工作方法 |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP2076698A patent/JPH11219670A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108269724A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 宁波创润新材料有限公司 | 电子枪及其工作方法 |
| CN108269724B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-10-25 | 宁波创润新材料有限公司 | 电子枪及其工作方法 |
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