JPH02185966A - 幅方向に均一なシートプラズマ流の発生方法 - Google Patents
幅方向に均一なシートプラズマ流の発生方法Info
- Publication number
- JPH02185966A JPH02185966A JP379289A JP379289A JPH02185966A JP H02185966 A JPH02185966 A JP H02185966A JP 379289 A JP379289 A JP 379289A JP 379289 A JP379289 A JP 379289A JP H02185966 A JPH02185966 A JP H02185966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holes
- hollow cathode
- sheet plasma
- plasma
- uniform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、HCD (Hollow Cathode
Discharge)法にてイオンブレーティングを
行う際に用いるホローカソードガン(以下HCDガンと
いう)にて幅の広いプラズマ流、いわゆるシートプラズ
マ流を発生させる方法に関する。
Discharge)法にてイオンブレーティングを
行う際に用いるホローカソードガン(以下HCDガンと
いう)にて幅の広いプラズマ流、いわゆるシートプラズ
マ流を発生させる方法に関する。
プラズマを利用したイオンブレーティング法がTiN
、 TiC、Tt(CN)等のセラミックコーティング
に適用されている。イオンブレーティング法としては、
HCD法、E B (Electron Beam)
+ RF(Radio Frequency)法、マル
テイ・アーク法およびアーク放電法等の手法が実施され
ている。
、 TiC、Tt(CN)等のセラミックコーティング
に適用されている。イオンブレーティング法としては、
HCD法、E B (Electron Beam)
+ RF(Radio Frequency)法、マル
テイ・アーク法およびアーク放電法等の手法が実施され
ている。
これらの手法の中でHCD法はイオン化率が20〜60
%と高く、また成膜速度も0.05〜0.5 tt m
/winと比較的速いため、TiN 5Tic 5Ti
(CN)あるいはCrNなとのセラミックコーティング
に広く利用されている。特にHCD法はN2ガス流量、
真空度、バイアス電圧、基板温度、基板の前処理などの
要件が少々変化しても容易かつスムーズにセラミックコ
ーティングを行うことができる利点がある。
%と高く、また成膜速度も0.05〜0.5 tt m
/winと比較的速いため、TiN 5Tic 5Ti
(CN)あるいはCrNなとのセラミックコーティング
に広く利用されている。特にHCD法はN2ガス流量、
真空度、バイアス電圧、基板温度、基板の前処理などの
要件が少々変化しても容易かつスムーズにセラミックコ
ーティングを行うことができる利点がある。
HCD法イオンブレーティングに関しては、例えば金属
表面技術、35 (1) P、16〜24 (1984
)、粉末および粉末冶金32 (1985) P、55
〜60に開示がある。
表面技術、35 (1) P、16〜24 (1984
)、粉末および粉末冶金32 (1985) P、55
〜60に開示がある。
(従来の技術)
ところで現行のHCDガンはTa製の円筒からなる中空
陰極を用いており、サブストレイト上の蒸着領域は円形
状になるため、被蒸着面が広い広幅鋼板などにコーティ
ングを施すには板幅方向にHCDガンを移動させなくて
はならず、板幅方向に均一な被膜を得ることが難しい。
陰極を用いており、サブストレイト上の蒸着領域は円形
状になるため、被蒸着面が広い広幅鋼板などにコーティ
ングを施すには板幅方向にHCDガンを移動させなくて
はならず、板幅方向に均一な被膜を得ることが難しい。
幅の広い大面積のサブストレイト上へのコーティング処
理について、特開昭63−57767号、同63−50
463号および同63−50473号各広報には、複数
のるつぼに磁界を作用させ、圧力勾配型のプラズマガン
にて発生させたプラズマを複数のるつぼに分岐収束させ
て蒸着する方法が開示されている。
理について、特開昭63−57767号、同63−50
463号および同63−50473号各広報には、複数
のるつぼに磁界を作用させ、圧力勾配型のプラズマガン
にて発生させたプラズマを複数のるつぼに分岐収束させ
て蒸着する方法が開示されている。
しかしながらいずれの方法も複数のガンおよびるつぼが
それぞれ独立に存在するため、各るつぼからの蒸気流を
同一雰囲気にすることは難しく、かつ複数のガンをそな
えるため高価な装置となることから、実際に適用するに
は多くの問題が残されている。
それぞれ独立に存在するため、各るつぼからの蒸気流を
同一雰囲気にすることは難しく、かつ複数のガンをそな
えるため高価な装置となることから、実際に適用するに
は多くの問題が残されている。
(発明が解決しようとする課題)
そこでこの発明は、幅の広い大面積のサブストレイト上
での均一なコーティング処理を実現するのに最適なシー
トプラズマ流の有利な発生方法について提案することを
目的とする。
での均一なコーティング処理を実現するのに最適なシー
トプラズマ流の有利な発生方法について提案することを
目的とする。
(課題を解決するための手段)
すなわちこの発明は、
長方形の板状体に、短辺方向に延びるプラズマ発生用の
貫通孔を、長辺方向へ並列に設けた中空陰極をそなえる
ホローカソードガンを用いて、該貫通孔にプラズマソー
スガスを流しながら通電することによってシートプラズ
マ流を発生させるに当たり、貫通孔列の中央部とその両
端部とで異なる流量のプラズマソースガスを各貫通孔に
導くことを特徴とする幅方向に均一なシートプラズマ流
の発生方法(第1発明)および、 長方形の板状体に、短辺方向に延びるプラズマ発生用の
貫通孔を、長辺方向へ並列に設けた中空陰極をそなえる
ホローカソードガンにて発生させたシートプラズマ流の
幅を磁場によって拡げるに当たり、ホローカソードガン
出側のシートプラズマ流の幅中央部とその両端部とに分
割した磁場を、相異なる強さで作用させることを特徴と
する幅方向に均一なシートプラズマ流の発生方法(第2
発明)である。
貫通孔を、長辺方向へ並列に設けた中空陰極をそなえる
ホローカソードガンを用いて、該貫通孔にプラズマソー
スガスを流しながら通電することによってシートプラズ
マ流を発生させるに当たり、貫通孔列の中央部とその両
端部とで異なる流量のプラズマソースガスを各貫通孔に
導くことを特徴とする幅方向に均一なシートプラズマ流
の発生方法(第1発明)および、 長方形の板状体に、短辺方向に延びるプラズマ発生用の
貫通孔を、長辺方向へ並列に設けた中空陰極をそなえる
ホローカソードガンにて発生させたシートプラズマ流の
幅を磁場によって拡げるに当たり、ホローカソードガン
出側のシートプラズマ流の幅中央部とその両端部とに分
割した磁場を、相異なる強さで作用させることを特徴と
する幅方向に均一なシートプラズマ流の発生方法(第2
発明)である。
さて第1図に、この発明に用いて好適なHCDガンの中
空陰極を示す。中空陰極1は長方形の板状体に、その短
辺方向に延びる貫通孔2−1〜2−7を長辺方向へ、複
数、並列に形成したものである。また中空陰極1の材質
は一般に用いられているTaでもよいが、高融点のW又
はLaB6が有利に適合する。とくにLaB、は、初期
加熱が容易なこと、放電特性が良好であること、150
0°C以上の高温に耐えることおよび焼結処理にて複雑
な成形が実現できること等の利点がある。さらに中空陰
極の低温部がTa製に、高温部がWあるいはLaB6製
になる複合材としてもよい。
空陰極を示す。中空陰極1は長方形の板状体に、その短
辺方向に延びる貫通孔2−1〜2−7を長辺方向へ、複
数、並列に形成したものである。また中空陰極1の材質
は一般に用いられているTaでもよいが、高融点のW又
はLaB6が有利に適合する。とくにLaB、は、初期
加熱が容易なこと、放電特性が良好であること、150
0°C以上の高温に耐えることおよび焼結処理にて複雑
な成形が実現できること等の利点がある。さらに中空陰
極の低温部がTa製に、高温部がWあるいはLaB6製
になる複合材としてもよい。
上記した中空陰極をそなえるHCDガンにてプラズマ流
を発生させるには、各貫通孔内にプラズマソースガス、
例えばAr、 Heまたはそれらの混合ガスを流しなが
ら通電する。各貫通孔にて発生したプラズマ流は貫通孔
の出側で全体としてシート状のプラズマ流になるが、中
空陰極における位置によって、例えば長辺方向の中央部
とその両端部との温度に差があるとシートプラズマ流の
中央部とその両端部との間にも電子密度の差異が生じる
ため、プラズマ流の均一化を図らなくてはならない。
を発生させるには、各貫通孔内にプラズマソースガス、
例えばAr、 Heまたはそれらの混合ガスを流しなが
ら通電する。各貫通孔にて発生したプラズマ流は貫通孔
の出側で全体としてシート状のプラズマ流になるが、中
空陰極における位置によって、例えば長辺方向の中央部
とその両端部との温度に差があるとシートプラズマ流の
中央部とその両端部との間にも電子密度の差異が生じる
ため、プラズマ流の均一化を図らなくてはならない。
そこで貫通孔に導くプラズマソースガスの流量を、貫通
孔2−1.2と2−3.4.5と2−6.7とで、それ
ぞれ独立に制御することによって幅方向にわたって均一
なシートプラズマ流とする。
孔2−1.2と2−3.4.5と2−6.7とで、それ
ぞれ独立に制御することによって幅方向にわたって均一
なシートプラズマ流とする。
なお上記したプラズマソースガスの流量制御は、例えば
マスフローコントローラーを用いて行う。
マスフローコントローラーを用いて行う。
マスフローコントローラーは、従来から常用されている
流量計と異なり、管内の流量を電気的に制御することを
基本としているので、わずかなガス量の制御でも正確に
行うことが出来る。
流量計と異なり、管内の流量を電気的に制御することを
基本としているので、わずかなガス量の制御でも正確に
行うことが出来る。
次に第2発明に使用するHCDガンをそなえたイオンブ
レーティング装置について、第2図に示す。
レーティング装置について、第2図に示す。
図中3は第1図に示した中空陰極をそなえるHCDガン
、4は第1電極、5は第2電極、6は磁石、7はHCD
ガンからのシートプラズマ流、8は例えばTiなどの蒸
発源、9はるつぼ、10は磁石、11は蒸発物質の経路
となる集束コイル、12は計などの反応ガスの導入管、
13はサブストレイトとなる銅帯、14は巻き戻しリー
ル、15は巻き取りリール、16は排気口、そして17
は真空槽である。
、4は第1電極、5は第2電極、6は磁石、7はHCD
ガンからのシートプラズマ流、8は例えばTiなどの蒸
発源、9はるつぼ、10は磁石、11は蒸発物質の経路
となる集束コイル、12は計などの反応ガスの導入管、
13はサブストレイトとなる銅帯、14は巻き戻しリー
ル、15は巻き取りリール、16は排気口、そして17
は真空槽である。
このイオンブレーティング装置において、低電圧、大電
流の条件下にてHCDガン3から発生させたプラズマビ
ーム7は、第3図に示すように、磁石6による磁場(以
下刃ブス磁場という)にてさらに幅広のシートプラズマ
流とする。ついでこのシートプラズマ流を、磁石10に
よって真空槽17内のるつぼ9へと導き、蒸発源8の溶
解およびイオン化をはかる。イオン化した蒸発物質は集
束コイル11内の高プラズマ雰囲気中を通って反応ガス
と反応し、鋼帯13上に蒸着される。
流の条件下にてHCDガン3から発生させたプラズマビ
ーム7は、第3図に示すように、磁石6による磁場(以
下刃ブス磁場という)にてさらに幅広のシートプラズマ
流とする。ついでこのシートプラズマ流を、磁石10に
よって真空槽17内のるつぼ9へと導き、蒸発源8の溶
解およびイオン化をはかる。イオン化した蒸発物質は集
束コイル11内の高プラズマ雰囲気中を通って反応ガス
と反応し、鋼帯13上に蒸着される。
ここでシートプラズマ流の幅をより広げる磁石6は、磁
石6Aと6Bとを所定の間隔を置いて対向配置したもの
で、この間隙にシートプラズマ流を導いてより幅広のプ
ラズマ流とする。さらに磁石6八および6Bは幅方向に
3分割され、すなわち中央部に磁石6A−1および6B
−1、そして両端部に磁石6A−2,3および6B−2
,3をそれぞれ配してなり、磁石6A−1および6B−
1、同6A−2および6B=2、同6A−3および6B
−3の間の磁場強さを調整して幅方向に電子密度の均一
なシートプラズマ流とする。具体的には磁石と電磁石と
を組合わせることによって達成できる。
石6Aと6Bとを所定の間隔を置いて対向配置したもの
で、この間隙にシートプラズマ流を導いてより幅広のプ
ラズマ流とする。さらに磁石6八および6Bは幅方向に
3分割され、すなわち中央部に磁石6A−1および6B
−1、そして両端部に磁石6A−2,3および6B−2
,3をそれぞれ配してなり、磁石6A−1および6B−
1、同6A−2および6B=2、同6A−3および6B
−3の間の磁場強さを調整して幅方向に電子密度の均一
なシートプラズマ流とする。具体的には磁石と電磁石と
を組合わせることによって達成できる。
上記の操作によって、幅方向にわたって均一なシートプ
ラズマ流をるつぼ9へ向けて照射でき、したがって幅方
向に広いサブストレイトであっても幅方向に均一な蒸着
被膜を被成することが可能になる。
ラズマ流をるつぼ9へ向けて照射でき、したがって幅方
向に広いサブストレイトであっても幅方向に均一な蒸着
被膜を被成することが可能になる。
なお磁石6Aおよび6Bは通常永久磁石を用いるが、こ
の発明のように幅方向にわたって磁場の強さを制御する
場合には電磁石を適用することが、高精度制御の上で望
ましい。
の発明のように幅方向にわたって磁場の強さを制御する
場合には電磁石を適用することが、高精度制御の上で望
ましい。
(作°用)
この発明は、プラズマの発生部となる貫通孔が複数、並
列しているHCDガンを用いることによって貫通孔から
放出されるプラズマビームの束を幅方向に拡げかつ各貫
通孔内に導(Ar、He等のガス量を調整して幅方向に
わたって電子密度の均一なシートプラズマ流の発生を実
現している。
列しているHCDガンを用いることによって貫通孔から
放出されるプラズマビームの束を幅方向に拡げかつ各貫
通孔内に導(Ar、He等のガス量を調整して幅方向に
わたって電子密度の均一なシートプラズマ流の発生を実
現している。
また上記のHCDガンにて発生させたシートプラズマ流
をカブス磁場によってさらに幅広にすることが可能で、
この場合に各貫通孔内に導くガス量の調整を併用するこ
とが有利である。
をカブス磁場によってさらに幅広にすることが可能で、
この場合に各貫通孔内に導くガス量の調整を併用するこ
とが有利である。
以上のように発生させたシートプラズマ流をイオンブレ
ーティング処理に適用することによって、幅方向に長い
蒸着源に対応したビームスポットが得られ、よって茶着
流は幅方向に長くなって幅方向における均一蒸着が可能
となる。
ーティング処理に適用することによって、幅方向に長い
蒸着源に対応したビームスポットが得られ、よって茶着
流は幅方向に長くなって幅方向における均一蒸着が可能
となる。
なおこの磁場によるプラズマ流形状の幅広化を従来の円
筒状の中空陰極からのプラズマビームに適用すると、ビ
ーム強度は低下し薄着速度が遅くなる不利をまねく。し
たがって磁場によるプラズマビーム形状の最適化は、こ
の発明に従うHCDガンの適用によって初めて実現され
得るものとなる。
筒状の中空陰極からのプラズマビームに適用すると、ビ
ーム強度は低下し薄着速度が遅くなる不利をまねく。し
たがって磁場によるプラズマビーム形状の最適化は、こ
の発明に従うHCDガンの適用によって初めて実現され
得るものとなる。
(実施例)
C: 0.031 wt%、Cr:18.7 wt%、
Mn:0.01 wt%、P : 0.013 wt%
およびS : 0.011 wt%を含有するステンレ
ス銅板(厚さ: 0.25mm、幅:500mn+)の
表面に、第2・図に示したイオンブレーティング装置を
用いて、TiN膜を1.5 mm厚で被成するに当たり
、中空陰極の各貫通孔に導入した計ガス流量を下表のよ
うに調整し、また第3図に示したカブス磁場の調整も下
表のように行った。
Mn:0.01 wt%、P : 0.013 wt%
およびS : 0.011 wt%を含有するステンレ
ス銅板(厚さ: 0.25mm、幅:500mn+)の
表面に、第2・図に示したイオンブレーティング装置を
用いて、TiN膜を1.5 mm厚で被成するに当たり
、中空陰極の各貫通孔に導入した計ガス流量を下表のよ
うに調整し、また第3図に示したカブス磁場の調整も下
表のように行った。
さらに比較として、Arガス流量やカプス磁場を調整し
ないでのイオンブレーティング処理も行った。
ないでのイオンブレーティング処理も行った。
かくして得られた製品の被膜の色調、均一性および密着
性について調べた結果を、下表に併記する。
性について調べた結果を、下表に併記する。
上表から明らかなように、この発明に従って得られたシ
ートプラズマ流を用いたイオンブレーティング処理によ
る被膜は、色調および膜厚ともに均一で、また密着性も
良好であった。
ートプラズマ流を用いたイオンブレーティング処理によ
る被膜は、色調および膜厚ともに均一で、また密着性も
良好であった。
(発明の効果)
この発明に従って得られたシートプラズマ流をイオンブ
レーティング処理に用いれば、幅方向に均一な被膜をと
くにサブストレイトが広幅の場合であっても形成するこ
とができ、したがってサブストレイトの幅に影響されな
い被膜処理を実現し得る。
レーティング処理に用いれば、幅方向に均一な被膜をと
くにサブストレイトが広幅の場合であっても形成するこ
とができ、したがってサブストレイトの幅に影響されな
い被膜処理を実現し得る。
第1図はこの発明に用いるHCDガンを示す斜視図、
第2図はこの発明の実施に好適なイオンブレーティング
装置を示す模式図、 第3図はシートプラズマ流のカプス磁場による広幅化を
説明する斜視図である。 1・・・中空陰極 2−1〜2−7・・・貫通孔 3・・・HCDガン 4・・・第1電極5・・
・第2電極 6.6A−1〜6A−3,6B−1〜6B−3・・・磁
石7・・・シートプラズマ流 8・・・蒸発源9・・
・るつぼ 10・・・磁石11・・・集束
コイル 12・・・導入管13・・・鋼帯
14・・・巻き戻しリール15・・・巻き
取りリール 16 排気口17・・・真空槽
装置を示す模式図、 第3図はシートプラズマ流のカプス磁場による広幅化を
説明する斜視図である。 1・・・中空陰極 2−1〜2−7・・・貫通孔 3・・・HCDガン 4・・・第1電極5・・
・第2電極 6.6A−1〜6A−3,6B−1〜6B−3・・・磁
石7・・・シートプラズマ流 8・・・蒸発源9・・
・るつぼ 10・・・磁石11・・・集束
コイル 12・・・導入管13・・・鋼帯
14・・・巻き戻しリール15・・・巻き
取りリール 16 排気口17・・・真空槽
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、長方形の板状体に、短辺方向に延びるプラズマ発生
用の貫通孔を、長辺方向へ並列に設けた中空陰極をそな
えるホローカソードガンを用いて、該貫通孔にプラズマ
ソースガスを流しながら通電することによってシートプ
ラズマ流を発生させるに当たり、 貫通孔列の中央部とその両端部とで異なる流量のプラズ
マソースガスを各貫通孔に導くことを特徴とする幅方向
に均一なシートプラズマ流の発生方法。 2、長方形の板状体に、短辺方向に延びるプラズマ発生
用の貫通孔を、長辺方向へ並列に設けた中空陰極をそな
えるホローカソードガンにて発生させたシートプラズマ
流の幅を磁場によって拡げるに当たり、 ホローカソードガン出側のシートプラズマ流の幅中央部
とその両端部とに分割した磁場を、相異なる強さで作用
させることを特徴とする幅方向に均一なシートプラズマ
流の発生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP379289A JPH02185966A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 幅方向に均一なシートプラズマ流の発生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP379289A JPH02185966A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 幅方向に均一なシートプラズマ流の発生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02185966A true JPH02185966A (ja) | 1990-07-20 |
Family
ID=11567038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP379289A Pending JPH02185966A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 幅方向に均一なシートプラズマ流の発生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02185966A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04224673A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-13 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | イオンプレーティング装置 |
| JPH04268073A (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-24 | Chugai Ro Co Ltd | 圧力勾配型プラズマガンによるプラズマ発生装置 |
| WO2007049454A1 (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-03 | Canon Anelva Corporation | シート状プラズマ発生装置およびこれを用いた成膜方法並びに成膜装置 |
| WO2008136130A1 (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-13 | Canon Anelva Corporation | プラズマ発生装置およびこれを用いた成膜方法並びに成膜装置 |
-
1989
- 1989-01-12 JP JP379289A patent/JPH02185966A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04224673A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-13 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | イオンプレーティング装置 |
| JPH04268073A (ja) * | 1991-02-21 | 1992-09-24 | Chugai Ro Co Ltd | 圧力勾配型プラズマガンによるプラズマ発生装置 |
| WO2007049454A1 (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-03 | Canon Anelva Corporation | シート状プラズマ発生装置およびこれを用いた成膜方法並びに成膜装置 |
| JP2007119804A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Canon Anelva Corp | シート状プラズマ発生装置および成膜装置 |
| WO2008136130A1 (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-13 | Canon Anelva Corporation | プラズマ発生装置およびこれを用いた成膜方法並びに成膜装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1321772C (en) | Apparatus for the application of thin layers to a substrate by means of cathode sputtering | |
| US4919968A (en) | Method and apparatus for vacuum vapor deposition | |
| US5000834A (en) | Facing targets sputtering device | |
| US5215638A (en) | Rotating magnetron cathode and method for the use thereof | |
| EP0278494A2 (en) | Hollow cathode gun and deposition device for ion plating process | |
| JP2021528815A (ja) | 単一ビームプラズマ源 | |
| JPH0372067A (ja) | 複数の蒸発ルツボを備えたアーク放電型蒸発器 | |
| JPH02185966A (ja) | 幅方向に均一なシートプラズマ流の発生方法 | |
| US4911784A (en) | Method and apparatus for etching substrates with a magnetic-field supported low-pressure discharge | |
| US20100003423A1 (en) | Plasma generating apparatus and film forming apparatus using plasma generating apparatus | |
| JP3903509B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| US6302056B1 (en) | Device for coating substrates with a material vapor in negative pressure or vacuum | |
| JPS60251269A (ja) | イオンプレ−テイング方法および装置 | |
| JPH02133569A (ja) | イオンプレーティング用ホローカソードガン | |
| JP3399570B2 (ja) | 連続真空蒸着装置 | |
| KR20010021341A (ko) | 아크형 이온 플레이팅 장치 | |
| KR20080049135A (ko) | 시트상 플라즈마 발생 장치 및 이를 이용한 성막 방법 및성막 장치 | |
| JPH06340967A (ja) | 蒸着装置 | |
| JP3741160B2 (ja) | 連続真空蒸着装置および連続真空蒸着方法 | |
| JPH04268073A (ja) | 圧力勾配型プラズマガンによるプラズマ発生装置 | |
| JPH0470392B2 (ja) | ||
| KR100701365B1 (ko) | Pvd 시 플라즈마 소스에 따른 스퍼터링 효과 개선 방법및 장치 | |
| JPH0688222A (ja) | スパッタイオンプレーティング装置 | |
| JPH04254583A (ja) | イオンプレーティング装置における膜質制御装置 | |
| JPH0477074B2 (ja) |