JPH0477074B2 - - Google Patents
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- JPH0477074B2 JPH0477074B2 JP6370788A JP6370788A JPH0477074B2 JP H0477074 B2 JPH0477074 B2 JP H0477074B2 JP 6370788 A JP6370788 A JP 6370788A JP 6370788 A JP6370788 A JP 6370788A JP H0477074 B2 JPH0477074 B2 JP H0477074B2
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はイオンプレーテイング装置、なかで
もいわゆるHCD（Hollow Cathode Discharge）
法にてイオンプレーテイングを行う際、良好な膜
質の被膜形成を可能にするための大量蒸着用
HCD法イオンプレーテイング装置に関する。
もいわゆるHCD（Hollow Cathode Discharge）
法にてイオンプレーテイングを行う際、良好な膜
質の被膜形成を可能にするための大量蒸着用
HCD法イオンプレーテイング装置に関する。
（従来の技術）
プラズマを利用したイオンプレーテイング法が
TiN，TiC，Ti（CN）等のセラミツクコーテイ
ングに適用されている。イオンプレーテイング法
としては、HCD法、EB（Electron Beam）＋RF
（Radio Frequency）法、マルテイ・アーク法お
よびアーク放電法等の手法が実施されている。
TiN，TiC，Ti（CN）等のセラミツクコーテイ
ングに適用されている。イオンプレーテイング法
としては、HCD法、EB（Electron Beam）＋RF
（Radio Frequency）法、マルテイ・アーク法お
よびアーク放電法等の手法が実施されている。
これらの手法の中でHCD法はイオン化率が20
〜40％と高く、また成膜速度も0.05〜0.5μm／
minと比較的速いため、TiN，TiC，Ti（CN）あ
るいはCrNなどのセラミツクコーテイングに広く
利用されている。特にHCD法はN2ガス流量、真
空度、バイアス電圧、基板温度、基板の前処理な
どの要件が少々変化しても容易かつスムーズにセ
ラミツクコーテイングを行うことができる利点が
ある。
〜40％と高く、また成膜速度も0.05〜0.5μm／
minと比較的速いため、TiN，TiC，Ti（CN）あ
るいはCrNなどのセラミツクコーテイングに広く
利用されている。特にHCD法はN2ガス流量、真
空度、バイアス電圧、基板温度、基板の前処理な
どの要件が少々変化しても容易かつスムーズにセ
ラミツクコーテイングを行うことができる利点が
ある。
すなわち、HCD法によるイオンプレーテイン
グに関しては、金属表面技術35〔１〕p16〜24
（1984）、粉末および粉末冶金32（1985）p55〜60
に解説されている。
グに関しては、金属表面技術35〔１〕p16〜24
（1984）、粉末および粉末冶金32（1985）p55〜60
に解説されている。
（発明が解決しようとする課題）
ところで最近では、建築材等に用いる大表面積
の鋼板についても耐食性や装飾性あるいは耐摩耗
性の改善のためにホローカソード法の利用が試み
られているが、現状では実用化にまでは至つてい
ない。というのはこのような鋼板では、 １ 鋼板とセラミツク被膜との密着性が良好であ
ること ２ 大表面積に均一にセラミツク被膜をコーテイ
ングできること、 ３ セラミツク被膜の膜質が良好であること、 ４ 耐食性に優れていること、 などが要求されるが、従来のホローカソード法で
は上記のような条件を充分に満足することはでき
なかつたからである。
の鋼板についても耐食性や装飾性あるいは耐摩耗
性の改善のためにホローカソード法の利用が試み
られているが、現状では実用化にまでは至つてい
ない。というのはこのような鋼板では、 １ 鋼板とセラミツク被膜との密着性が良好であ
ること ２ 大表面積に均一にセラミツク被膜をコーテイ
ングできること、 ３ セラミツク被膜の膜質が良好であること、 ４ 耐食性に優れていること、 などが要求されるが、従来のホローカソード法で
は上記のような条件を充分に満足することはでき
なかつたからである。
上記の条件を満足するためには、蒸発物質のイ
オン化率を高めて高速成膜を行う必要がある。
オン化率を高めて高速成膜を行う必要がある。
さて従来HCDガンの容量が300Aあるいは500A
程度の常用のイオンプレーテイング装置における
成膜速度は、例えばTiNコーテイングで0.05〜
0.5μm／min程度であり、またこのときイオン化
率も高々30〜40％程度であつたのに対し、近年成
膜速度を数μm／min程度まで上げるため、
1000Aあるいは1500A程度にも大容量の蒸発用
HCDガンの開発が進み、このようにHCDガンを
大容量化するとイオン化率が50％以上となつてイ
オンプレーテイングによる膜質が大幅に向上する
という利点がある。
程度の常用のイオンプレーテイング装置における
成膜速度は、例えばTiNコーテイングで0.05〜
0.5μm／min程度であり、またこのときイオン化
率も高々30〜40％程度であつたのに対し、近年成
膜速度を数μm／min程度まで上げるため、
1000Aあるいは1500A程度にも大容量の蒸発用
HCDガンの開発が進み、このようにHCDガンを
大容量化するとイオン化率が50％以上となつてイ
オンプレーテイングによる膜質が大幅に向上する
という利点がある。
ところがこのような大容量のHCDガンを用い
て、例えばTiNの成膜を行う場合、溶解したTi
のイオン化率は大幅に向上するが、反応ガスとし
てN2を単に真空槽内に導入したのでは良好な膜
質のTiN被膜は得難く、N2ガスのイオン化もは
かる必要があつた。
て、例えばTiNの成膜を行う場合、溶解したTi
のイオン化率は大幅に向上するが、反応ガスとし
てN2を単に真空槽内に導入したのでは良好な膜
質のTiN被膜は得難く、N2ガスのイオン化もは
かる必要があつた。
そこでこの発明は、上記のような種々の問題を
排除し、蒸発物質のイオン化のみならず反応ガス
のイオン化をも促進し得るイオンプレーテイング
装置について提案することを目的とする。
排除し、蒸発物質のイオン化のみならず反応ガス
のイオン化をも促進し得るイオンプレーテイング
装置について提案することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
発明者らは膜質の良好な被膜を形成するための
条件について種々検討したところ、大容量の
HCDガンを用いると成膜の高速化およびイオン
化率の上昇をはかれること、集束コイルをるつ
ぼ近傍から基板直近までに配設することによつて
集束コイル内で良好なプラズマ蒸気流を作り出せ
ること、さらに高速成膜となつた場合反応ガス
のイオン化を促進するホローカソードが必要とな
る、との知見を得てこの発明を完成するに至つ
た。
条件について種々検討したところ、大容量の
HCDガンを用いると成膜の高速化およびイオン
化率の上昇をはかれること、集束コイルをるつ
ぼ近傍から基板直近までに配設することによつて
集束コイル内で良好なプラズマ蒸気流を作り出せ
ること、さらに高速成膜となつた場合反応ガス
のイオン化を促進するホローカソードが必要とな
る、との知見を得てこの発明を完成するに至つ
た。
すなわちこの発明は、真空槽内に、蒸発用物質
を収容したるつぼ、蒸発用物質に電子ビームを照
射して、溶解、蒸発させると同時に蒸発物質をイ
オン化させるホローカソード、サブストレイトお
よび反応ガス導入口を配置する、HCD法イオン
プレーテイング装置において、さらに、るつぼか
らサブストレイトの直近までの蒸発物質移動径路
を取囲む集束コイルと、蒸発物質移動径路におけ
る反応ガスのイオン化を促進する反応ガスイオン
化用ホローカソードとを配置してなる大量蒸着用
HCD法イオンプレーテイング装置である。
を収容したるつぼ、蒸発用物質に電子ビームを照
射して、溶解、蒸発させると同時に蒸発物質をイ
オン化させるホローカソード、サブストレイトお
よび反応ガス導入口を配置する、HCD法イオン
プレーテイング装置において、さらに、るつぼか
らサブストレイトの直近までの蒸発物質移動径路
を取囲む集束コイルと、蒸発物質移動径路におけ
る反応ガスのイオン化を促進する反応ガスイオン
化用ホローカソードとを配置してなる大量蒸着用
HCD法イオンプレーテイング装置である。
また実施に当り、反応ガスイオン化ホローカソ
ードは管と細線を筒状に巻いて成形したスパイラ
ル管との組合わせになることが有利に適合する。
ードは管と細線を筒状に巻いて成形したスパイラ
ル管との組合わせになることが有利に適合する。
（作用）
この発明に従うイオンプレーテイング装置は、
大量の蒸発用物質を溶解、蒸発させると同時に蒸
発物質をイオン化させるホローカソードとは別
に、反応ガスのイオン化を促進するホローカソー
ドを設け、さらに蒸発物質移動径路を集束コイル
で取囲むことによつて、蒸発物質および反応ガス
のイオン化促進を同時に達成し、成膜の高速化と
膜質の向上とを実現する。
大量の蒸発用物質を溶解、蒸発させると同時に蒸
発物質をイオン化させるホローカソードとは別
に、反応ガスのイオン化を促進するホローカソー
ドを設け、さらに蒸発物質移動径路を集束コイル
で取囲むことによつて、蒸発物質および反応ガス
のイオン化促進を同時に達成し、成膜の高速化と
膜質の向上とを実現する。
（実施例）
第１図にこの発明に従うイオンプレーテイング
装置を示す。
装置を示す。
図中１は物質の蒸発とこの蒸発物質のイオン化
を同時に行う蒸発用ホローカソード、すなわち
HCDガン、２はるつぼ、３は蒸発用物質、４は
集束コイル、５は反応ガスイオン化用ホローカソ
ード、６は帯電用冷却板、７はサブストレイト
（基板）、８は蒸発物質の蒸気流、９はイオン化し
た反応ガス流、１０は真空槽、そして１１は反応
ガス導入口である。
を同時に行う蒸発用ホローカソード、すなわち
HCDガン、２はるつぼ、３は蒸発用物質、４は
集束コイル、５は反応ガスイオン化用ホローカソ
ード、６は帯電用冷却板、７はサブストレイト
（基板）、８は蒸発物質の蒸気流、９はイオン化し
た反応ガス流、１０は真空槽、そして１１は反応
ガス導入口である。
集束コイル４はるつぼ２からサブストレイト７
の直近までの蒸発物質移動径路を取囲んで設置
し、集束コイル４内に良好なプラズマ状態を実現
する。
の直近までの蒸発物質移動径路を取囲んで設置
し、集束コイル４内に良好なプラズマ状態を実現
する。
反応ガスイオン化用ホローカソード５は、真空
槽１０内に反応ガスを導入する反応ガス導入口１
１に接続する導入管の役目を担い、同時にこの反
応ガスのイオン化を促進するものである。
槽１０内に反応ガスを導入する反応ガス導入口１
１に接続する導入管の役目を担い、同時にこの反
応ガスのイオン化を促進するものである。
なお反応ガスイオン化用ホローカソード５を反
応カス導入口１１に接続させずに、反応ガス導入
口１１に新たに導入管を接続してもよい。
応カス導入口１１に接続させずに、反応ガス導入
口１１に新たに導入管を接続してもよい。
ここで蒸着用の物質を溶解しイオン化する
HCDガン１の容量は1000〜3000A、50〜150Vで、
一方反応ガスイオン化用ホローカソード５の容量
は50〜500A、５〜50V程度が有利に適合する。
HCDガン１の容量は1000〜3000A、50〜150Vで、
一方反応ガスイオン化用ホローカソード５の容量
は50〜500A、５〜50V程度が有利に適合する。
次に第２図に、反応ガスイオン化用ホローカソ
ードの別態様を示す。
ードの別態様を示す。
同図ａに示す反応ガスイオン化用ホローカソー
ドは、真空槽１０内に挿入して設置した管５ａと
この管５ａの先端に取付けた、細線を筒状に巻い
てなる２層構造のスパイラル管５ｂとを組合わせ
たもので、管５ａは通常の反応ガス導入管であつ
てもホローカソードであつてもよい。
ドは、真空槽１０内に挿入して設置した管５ａと
この管５ａの先端に取付けた、細線を筒状に巻い
てなる２層構造のスパイラル管５ｂとを組合わせ
たもので、管５ａは通常の反応ガス導入管であつ
てもホローカソードであつてもよい。
同図ｂに示す反応ガスイオン化用ホローカソー
ドは、管５ａの端面を真空槽１０の内壁面と一致
させて設置し、スパイラル管５ｂを内壁面から延
設したものである。
ドは、管５ａの端面を真空槽１０の内壁面と一致
させて設置し、スパイラル管５ｂを内壁面から延
設したものである。
反応ガスの漏れを防ぐには同図ａに示した態様
が有利であり、高温になる先端をスパイラル管５
ｂとしているためその交換も容易となる。
が有利であり、高温になる先端をスパイラル管５
ｂとしているためその交換も容易となる。
上記のようにホローカソードにスパイラル管を
適用すれば、通常のホローカソードに比較して内
壁に凹凸を多数付与でき、反応ガスのイオン化が
促進される利点がある。
適用すれば、通常のホローカソードに比較して内
壁に凹凸を多数付与でき、反応ガスのイオン化が
促進される利点がある。
なおスパイラル管５ｂを構成する細線の径は
0.1〜５mm程度が好適であり、その間隔は可能な
限り小さくして細線を接触させることが望まし
い。さらに細線の材質には、Ta，Ｗ，Moが有利
に適合する。
0.1〜５mm程度が好適であり、その間隔は可能な
限り小さくして細線を接触させることが望まし
い。さらに細線の材質には、Ta，Ｗ，Moが有利
に適合する。
また第３図ａ，ｂは実施に好適な反応ガスイオ
ン化ホローカソードを示し、同図ａは第２図ａに
示したホローカソードを複数組合わせた例、同図
ｂは大表面積のサブストレイトへの蒸着に適し
た、シート状に成形した例、をそれぞれ示す。
ン化ホローカソードを示し、同図ａは第２図ａに
示したホローカソードを複数組合わせた例、同図
ｂは大表面積のサブストレイトへの蒸着に適し
た、シート状に成形した例、をそれぞれ示す。
さらに実際のイオンプレーテイングについて具
体的に述べると、従来のHCD法イオンプレーテ
イング装置の成膜速度が0.05〜0.5μm／min程度
であつたのに対し、この発明装置では１〜6μm／
min以上と従来に比べて数倍〜数十倍の成膜速度
が得られる。
体的に述べると、従来のHCD法イオンプレーテ
イング装置の成膜速度が0.05〜0.5μm／min程度
であつたのに対し、この発明装置では１〜6μm／
min以上と従来に比べて数倍〜数十倍の成膜速度
が得られる。
またイオン化率についても、従来が20〜40％程
度であつたのに対し、50％以上と大幅に向上し
た。
度であつたのに対し、50％以上と大幅に向上し
た。
次に第１図に示したイオンプレーテイング装置
を用いて、実際にTiN被膜を形成させたときの
成膜速度とイオン化率について調べた結果を、従
来例と比較して述べる。
を用いて、実際にTiN被膜を形成させたときの
成膜速度とイオン化率について調べた結果を、従
来例と比較して述べる。
蒸発用HCDガン：加速電圧88V、加速電流
1500A、反応ガスイオン化用ホローカソード：電
圧30V、ホローカソード電流300Aの条件下に
TiN被膜を形成させたところ、3.5μm／minの成
膜速度でイオン化率55％を得た。
1500A、反応ガスイオン化用ホローカソード：電
圧30V、ホローカソード電流300Aの条件下に
TiN被膜を形成させたところ、3.5μm／minの成
膜速度でイオン化率55％を得た。
上記の値は従来のHCD法による成膜速度
0.5μm／minおよびイオン化率30％に比較してき
わめて優れたものである。
0.5μm／minおよびイオン化率30％に比較してき
わめて優れたものである。
（発明の効果）
かくしてこの発明装置を用いれば、高いイオン
化率でかつ高成膜速度の下に、イオンプレーテイ
ングを実施することができ、また形成される被膜
の膜質も向上し得る。
化率でかつ高成膜速度の下に、イオンプレーテイ
ングを実施することができ、また形成される被膜
の膜質も向上し得る。
第１図は、この発明に従うイオンプレーテイン
グ装置の好適例を示す模式図、第２図ａ，ｂおよ
び第３図ａ，ｂは反応ガスイオン化用ホローカソ
ードの構成を示す模式図である。 １……蒸発用HCDガン、２……るつぼ、３…
…蒸発用物質、４……集束コイル、５……反応ガ
スイオン化用ホローカソード、６……帯電用冷却
板、７……サブストレイト、８……蒸気流、９…
…イオン化した反応ガス流、１０……真空槽。
グ装置の好適例を示す模式図、第２図ａ，ｂおよ
び第３図ａ，ｂは反応ガスイオン化用ホローカソ
ードの構成を示す模式図である。 １……蒸発用HCDガン、２……るつぼ、３…
…蒸発用物質、４……集束コイル、５……反応ガ
スイオン化用ホローカソード、６……帯電用冷却
板、７……サブストレイト、８……蒸気流、９…
…イオン化した反応ガス流、１０……真空槽。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空槽内に、蒸発用物質を収容したるつぼ、
蒸発用物質に電子ビームを照射して、溶解、蒸発
させると同時に蒸発物質をイオン化させるホロー
カソード、サブストレイトおよび反応ガス導入口
を配置する、HCD法イオンプレーテイング装置
であつて、 さらに、るつぼからサブストレイトの直近まで
の蒸発物質移動径路を取囲む集束コイルと、蒸発
物質移動径路における反応ガスのイオン化を促進
する反応ガスイオン化用ホローカソードとを設置
してなる大量蒸着用HCD法イオンプレーテイン
グ装置。 ２ 反応ガスイオン化ホローカソードは、管と細
線を筒状に巻いて成形したスパイラル管との組合
わせになる特許請求の範囲第１項に記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6370788A JPH01240646A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 大量蒸着用ｈｃｄ法イオンプレーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6370788A JPH01240646A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 大量蒸着用ｈｃｄ法イオンプレーティング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01240646A JPH01240646A (ja) | 1989-09-26 |
| JPH0477074B2 true JPH0477074B2 (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=13237116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6370788A Granted JPH01240646A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 大量蒸着用ｈｃｄ法イオンプレーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01240646A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1279238B1 (it) * | 1995-06-19 | 1997-12-09 | Galileo Vacuum Tec Spa | Sistema continuo di evaporazione con ossidazione assistita da plasma, per depositare sotto vuoto ossidi di metalli su pellicole plastiche |
| US6946031B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-09-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Rod for a coating device, and process for producing the same |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6370788A patent/JPH01240646A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01240646A (ja) | 1989-09-26 |
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