JPH02186312A - 自動合焦照明装置 - Google Patents
自動合焦照明装置Info
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- JPH02186312A JPH02186312A JP1006744A JP674489A JPH02186312A JP H02186312 A JPH02186312 A JP H02186312A JP 1006744 A JP1006744 A JP 1006744A JP 674489 A JP674489 A JP 674489A JP H02186312 A JPH02186312 A JP H02186312A
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- optical system
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は半導体マスク等の検査装置に使用する照明装置
に係わり、特に、被検物の厚みを正確に把題し、被検物
の厚みに応じて透過照明光学系の合焦を自動的に行うこ
とのできる自動合焦照明装置に関するものである。
に係わり、特に、被検物の厚みを正確に把題し、被検物
の厚みに応じて透過照明光学系の合焦を自動的に行うこ
とのできる自動合焦照明装置に関するものである。
「従来の技術」
従来の半導体マスク等の検査装置に搭載されていた照明
装置は、検査やｌｔ察を行う結像光学系は焦点を自動的
に合わせることのできる自動合焦機能が採用されていた
。しかし、被検物を照明するための透過照明光学系には
、自動合焦ｆｌｌ＃ｔは採用されていなかった。そこで
半導体マスク等の検査を行う前に、まず、被検物に対す
る結像光学系の合焦を行い、ｙｇ過照明光学系の調整は
、被検物の厚み、屈折率等めパラメータを与え、このパ
ラメータに対応する位置に透過照明系の移動させること
により行っていた。即ち１個々の被検物に対して合焦操
作を行うのでなく、各種パラメータから得られた所定の
合焦位置に透過照明光学系を移動させて調整を行ってい
た。
装置は、検査やｌｔ察を行う結像光学系は焦点を自動的
に合わせることのできる自動合焦機能が採用されていた
。しかし、被検物を照明するための透過照明光学系には
、自動合焦ｆｌｌ＃ｔは採用されていなかった。そこで
半導体マスク等の検査を行う前に、まず、被検物に対す
る結像光学系の合焦を行い、ｙｇ過照明光学系の調整は
、被検物の厚み、屈折率等めパラメータを与え、このパ
ラメータに対応する位置に透過照明系の移動させること
により行っていた。即ち１個々の被検物に対して合焦操
作を行うのでなく、各種パラメータから得られた所定の
合焦位置に透過照明光学系を移動させて調整を行ってい
た。
「発明が解決しようとする課毬」
）−かしながら上記従も型の半導体マスク等力検査装置
に使用する照明り：置は、小型の被検１ダに対しては、
設定条件の透過照明位置でも実用上十分の均一な透過照
明を行うことができたが、比較的大型の被検物を検査す
る場合には、被検物が自重によって撓んでしまうので、
所定の透過照明位置では、均一な透過照明が行えないと
いう問題点が鳥うた。特に比較的大きなレクチル等を検
査する場合には、レクチル等の自重により数百μｍの単
位で撓んでしまうため、レクチル等の厚みのみで例えば
ケーラータイプの透過照明系の照明位置を設定してしま
うと、合焦ｒｉ置が照明め最良の位置から外れてしまう
という深刻な間と点があった。
に使用する照明り：置は、小型の被検１ダに対しては、
設定条件の透過照明位置でも実用上十分の均一な透過照
明を行うことができたが、比較的大型の被検物を検査す
る場合には、被検物が自重によって撓んでしまうので、
所定の透過照明位置では、均一な透過照明が行えないと
いう問題点が鳥うた。特に比較的大きなレクチル等を検
査する場合には、レクチル等の自重により数百μｍの単
位で撓んでしまうため、レクチル等の厚みのみで例えば
ケーラータイプの透過照明系の照明位置を設定してしま
うと、合焦ｒｉ置が照明め最良の位置から外れてしまう
という深刻な間と点があった。
二のなめ透過照明光学系にも、別個の自動合焦装置を装
備させることも考えられるが１位置検出手段を結合光学
系とは別体に設けなければならず。
備させることも考えられるが１位置検出手段を結合光学
系とは別体に設けなければならず。
装置が複雑化してコストが上がり、装置全体の小型化を
図ることができないという問題点があった。
図ることができないという問題点があった。
「課題を解決するための手段」
本発明は上記ａｌｌ！に鴬み案出されたもので、＊検物
の位置を検出するための位置検出手段を有する結像光学
系と、この被検物を照明するための透過照明光学系とか
らなり、結像光学系には、前記位置検出手段の検出信号
に基き、結合光学系を合焦させるための第１の駆動手段
と、この第１の駆動手段による移動量を検出し、被検物
の厚みを検出するための移動量検出手段とが備えられて
おり。
の位置を検出するための位置検出手段を有する結像光学
系と、この被検物を照明するための透過照明光学系とか
らなり、結像光学系には、前記位置検出手段の検出信号
に基き、結合光学系を合焦させるための第１の駆動手段
と、この第１の駆動手段による移動量を検出し、被検物
の厚みを検出するための移動量検出手段とが備えられて
おり。
前記透過照明光学系には、ＦＪ記記動動量検出手段検出
信号に基き、前記透過照明光学系の合焦を行うための第
２の駆動手段が備えられていることを特徴としている。
信号に基き、前記透過照明光学系の合焦を行うための第
２の駆動手段が備えられていることを特徴としている。
Ｃｒｆ！用ノ
以上の櫟に構成された本発明は、第１の駆動手段が位置
検出手段の検出信号に基き、結合光学系を合焦させる。
検出手段の検出信号に基き、結合光学系を合焦させる。
そして移動量検出手段が第１の駆動手段の移動量を検出
しＪｌ！検物の厚みを計測する。更に第２の駆動手段が
前記移動量検出手段の検出信号に基き、透過照明系を合
焦させるようになっている。
しＪｌ！検物の厚みを計測する。更に第２の駆動手段が
前記移動量検出手段の検出信号に基き、透過照明系を合
焦させるようになっている。
「実ｊ１例」
本発明の一実施例を図面に基いて説明する。第１図は本
実施例の自動合焦装置の構成を示すもので、自動合焦！
装置は結像光学系１と透過照明系２の２つの光学系を有
している。結合光学系１は。
実施例の自動合焦装置の構成を示すもので、自動合焦！
装置は結像光学系１と透過照明系２の２つの光学系を有
している。結合光学系１は。
発光部１１と反射部材１２１〜１２４と、受光部１）と
３位置検出手段１４と、第１の駆動［１５と、移動量検
出部１６とからなっている。５！光部１１は、赤外線や
レーザー光線を放射させるためのもので、赤外ＬＥＤや
半導体レーザー等が採用される。この発光部１１から放
射された光線は。
３位置検出手段１４と、第１の駆動［１５と、移動量検
出部１６とからなっている。５！光部１１は、赤外線や
レーザー光線を放射させるためのもので、赤外ＬＥＤや
半導体レーザー等が採用される。この発光部１１から放
射された光線は。
第１の反射部材１２１と第２の反射部材１２２で反射さ
れ、被検物２００の被検面に斜めに照射される。被検？
ｖ２００の被検面で反射された光線は。
れ、被検物２００の被検面に斜めに照射される。被検？
ｖ２００の被検面で反射された光線は。
第３の反射部材１２３．第４の反射部材１２４で反射さ
れ、受光部１）に入射されるようになっている。この光
路は、光テコを構成する様になっている。受光部１）は
、入射光から被検物２００の被検面の位置を計測するも
のであり１本実施例では半導体装置検出器（ＰＳＤ）が
採用されている。
れ、受光部１）に入射されるようになっている。この光
路は、光テコを構成する様になっている。受光部１）は
、入射光から被検物２００の被検面の位置を計測するも
のであり１本実施例では半導体装置検出器（ＰＳＤ）が
採用されている。
二の半導体装置検出器（ＰＳＤ）は、この半導体装置検
出１表面における光スポットの輝度中心を出力するため
のものである。
出１表面における光スポットの輝度中心を出力するため
のものである。
ニーで、半導体装置検出器（ＰＳＤ）１）の構造を第３
図に基いて説明する。半導体装置検出器１）は、高抵抗
半導体表面の片面、或は両面に均一な抵抗Ｎ１）１が形
成されており、この抵抗層１）１の両端に信号収り出し
用の一対のＩＥ極１）２．１）３が設けられている９表
面層はＰＮ接合を形成しており、光ｔ、＊果により光電
流を生成する様に構成されている。
図に基いて説明する。半導体装置検出器１）は、高抵抗
半導体表面の片面、或は両面に均一な抵抗Ｎ１）１が形
成されており、この抵抗層１）１の両端に信号収り出し
用の一対のＩＥ極１）２．１）３が設けられている９表
面層はＰＮ接合を形成しており、光ｔ、＊果により光電
流を生成する様に構成されている。
ＰＳＤのｔ極Ａ１）２とｔ伍Ｂ１）３との距離をり、［
抗をＲＬとし、 ′ｒｔｆｆｉＡ １）１’う光）入射
位置を丈での距離をＸ、その部分の抵抗をＲにとする。
抗をＲＬとし、 ′ｒｔｆｆｉＡ １）１’う光）入射
位置を丈での距離をＸ、その部分の抵抗をＲにとする。
光の入射位置で発生した光生成電荷は、光の入射エネル
ギに比例する光Ｗｌａ （Ｔ ｏ）として抵抗層１）１
に到達す′る。そして光ＩＥ流は、それぞれの電極１）
２．１）３までの抵抗値に逆比例する様に分割される。
ギに比例する光Ｗｌａ （Ｔ ｏ）として抵抗層１）１
に到達す′る。そして光ＩＥ流は、それぞれの電極１）
２．１）３までの抵抗値に逆比例する様に分割される。
したがって、ｔ［ｘＡ１）２及びｔ！１ｆｔ８１）３か
ら収り出せる電流ＩＡ Ｅ＊は次の様に計算される。
ら収り出せる電流ＩＡ Ｅ＊は次の様に計算される。
！、４ −１１１ ２Ｘ
となり、抵抗層１）１は均一で、長さと抵抗値！虚比例
すると仮定すれば。
すると仮定すれば。
１ｍ＝Ｔｏ ・□
・ ・ ・ （４）
と表すことができる。そして位置信号をＰとし。
■、とｌ、の和と差を計算し、これらを除すれ（ｉ′。
となり、受光位置を計算することができる。
本実施例では、これらの原理の検出器を２個装備した２
次元ＰＳＤを採用しているが、１次元ＰＳＤを採用し、
−次元の位置を計測することもできる。
次元ＰＳＤを採用しているが、１次元ＰＳＤを採用し、
−次元の位置を計測することもできる。
次に第４図に基いて位置検出部１４を説明する。
位置検出＃！１４は、受光部１）の出力信号から竣検？
１２００の被検面の位置を演算するものである９この位
置検出部１４は、前置増幅器１４１と加算用演算器１４
２と減算用演算器１４３と除算用演算器１４４とからな
っている。前置増幅器１４１は、ＰＳＤ１）の出力信号
を増幅するためのものである。第１の前置＃ＩＩｉ器１
４１１Ｊｌ：第２の前置増幅器１４１２とが、Ｙ軸方向
の位置を検出する出力信号を増幅し、第３の増幅器１４
１）と第４の増幅器１４１４とが、Ｘ軸方向の位置を検
出する出力信号を増幅する様に構成されている。第１の
加算用演算器１４２１は、Ｙ軸方向検出用の出力信号で
あるＹ、、Ｙ、の加算を行うものである。
１２００の被検面の位置を演算するものである９この位
置検出部１４は、前置増幅器１４１と加算用演算器１４
２と減算用演算器１４３と除算用演算器１４４とからな
っている。前置増幅器１４１は、ＰＳＤ１）の出力信号
を増幅するためのものである。第１の前置＃ＩＩｉ器１
４１１Ｊｌ：第２の前置増幅器１４１２とが、Ｙ軸方向
の位置を検出する出力信号を増幅し、第３の増幅器１４
１）と第４の増幅器１４１４とが、Ｘ軸方向の位置を検
出する出力信号を増幅する様に構成されている。第１の
加算用演算器１４２１は、Ｙ軸方向検出用の出力信号で
あるＹ、、Ｙ、の加算を行うものである。
更に、第１の減算用演算器１４３１は、Ｙ軸方向検出用
の出力信号であるＹ、、￥２の減算を行うものである。
の出力信号であるＹ、、￥２の減算を行うものである。
第１の除算用演算器１４４１は、第１の減算用演算器１
４３１の出力信号を、第１の加算用演算器１４２１の出
力信号で除算するものである。この第１の除算用演算器
１４４１の出力は、上記（５）式を演算した結果と等価
であり、Ｙ軸方向の位置信号を得ることができる。同様
に、第２の加算用演算器１４２２と第２の減算用演算器
１４３２と第２の除算用演算器」４４２とを接続すれば
、Ｘ軸方向の位置信号を得ることができる。
４３１の出力信号を、第１の加算用演算器１４２１の出
力信号で除算するものである。この第１の除算用演算器
１４４１の出力は、上記（５）式を演算した結果と等価
であり、Ｙ軸方向の位置信号を得ることができる。同様
に、第２の加算用演算器１４２２と第２の減算用演算器
１４３２と第２の除算用演算器」４４２とを接続すれば
、Ｘ軸方向の位置信号を得ることができる。
第１の駆動部１５は、結合光学系１を被検物２ＱＯの被
検面に合焦させるためのものである。この合焦は１発光
ｆｌｊｌｌから発光された光線が、被検物２００の被検
面で反射し、この反射光が受光部１）に入射するが、受
光部１）に入射する入射光の位置が、被検部２００との
距離により変化することを利用することができる。即ち
、位置検出部ｌ１１の出力信号により、＊横面２００ま
での距離を計測することが可能である。従って第１の駆
動部１５が５被検物２００の被検面までの距離に応じて
光学系を移動させ、結像光学系ｌを合焦させることがで
きる。更に移動量検出部１６は、第１の駆動部１５の合
焦動作による光学系の移動距離を計測するものである、
移動検出部１６は、リニアスケール等を使用してもよく
、駆動手段にエンコーダー等を収り付けて計測してもよ
い、即ち、合焦動作による光学系の移動手段の移動量を
計測できる物であれば足りる。
検面に合焦させるためのものである。この合焦は１発光
ｆｌｊｌｌから発光された光線が、被検物２００の被検
面で反射し、この反射光が受光部１）に入射するが、受
光部１）に入射する入射光の位置が、被検部２００との
距離により変化することを利用することができる。即ち
、位置検出部ｌ１１の出力信号により、＊横面２００ま
での距離を計測することが可能である。従って第１の駆
動部１５が５被検物２００の被検面までの距離に応じて
光学系を移動させ、結像光学系ｌを合焦させることがで
きる。更に移動量検出部１６は、第１の駆動部１５の合
焦動作による光学系の移動距離を計測するものである、
移動検出部１６は、リニアスケール等を使用してもよく
、駆動手段にエンコーダー等を収り付けて計測してもよ
い、即ち、合焦動作による光学系の移動手段の移動量を
計測できる物であれば足りる。
次に、透過光学系２を説明する。ｙ！１過光学系２は、
光源部２１と電光手段２２と第２の駆動部２３とから構
成されている。光源部２１は、被検物２００を照明する
ための光源であり、適宜のランプ等が使用される。１１
．光手段２２は、光源部２１の光線を被検物２００の被
検面に合焦させ、被検面を照明するものである。第２の
駆動手段２３は、結合光学系１の移動量検出部１６の検
出信号に基き、電光手段２２をｒＩＲ整して透過照明光
学系２を被検物２００の被検面に合焦させるものである
。
光源部２１と電光手段２２と第２の駆動部２３とから構
成されている。光源部２１は、被検物２００を照明する
ための光源であり、適宜のランプ等が使用される。１１
．光手段２２は、光源部２１の光線を被検物２００の被
検面に合焦させ、被検面を照明するものである。第２の
駆動手段２３は、結合光学系１の移動量検出部１６の検
出信号に基き、電光手段２２をｒＩＲ整して透過照明光
学系２を被検物２００の被検面に合焦させるものである
。
コンピュータ３は、位置検出部１４と移動量検出部１６
の出力信号に基き、第１の駆動部１５と第２の駆動部２
３を制御駆動するためのものである。
の出力信号に基き、第１の駆動部１５と第２の駆動部２
３を制御駆動するためのものである。
以上の様に構成された本実施例は、マスクパターンが形
成された半導体マスク（被検物２００）を基準台４に載
置する１次に、発光部１１から光線を発光させ、半導体
マスク２００に照射させる。
成された半導体マスク（被検物２００）を基準台４に載
置する１次に、発光部１１から光線を発光させ、半導体
マスク２００に照射させる。
半導体マスク２００からの反射光を受光部１）に入射さ
せる。受光部１）は１反射光の入射位置に相当する電流
を出力し、位置検出手段１４が演算処理して位置信号を
コンピュタ３に出力する。コンピュタ３は１位置検出手
段１４の位置信号に基き、半導体マスク２００までの距
離を算出する。
せる。受光部１）は１反射光の入射位置に相当する電流
を出力し、位置検出手段１４が演算処理して位置信号を
コンピュタ３に出力する。コンピュタ３は１位置検出手
段１４の位置信号に基き、半導体マスク２００までの距
離を算出する。
そして結合光学系１が、半導体マスク２００の被検面で
合焦させるために、第１の駆動部１５を駆動させる。こ
の結果、結像光学系１は自動的に合焦する。更に移動量
検出部１６が、第１の駆動部１５による結合光学系１の
移動量を検出する。即ち、規準台４の位置から半導体マ
スク２００の合焦位置までの距離を計測すれば、半導体
マスク２００の厚みを計測することが可能となる、この
移動量検出部１６の検出信号は、コンピュータ３に出力
され、コンピュータ３が、半導体マスク２００の厚みを
考慮して透過照明光学系２の合焦位置を算出する。そし
て、コンピュータ３は第２の駆動部２３を駆動させ、透
過照射光学系２を半導体マスク２００の被検面に合焦さ
せ、正確に照明させることができる。
合焦させるために、第１の駆動部１５を駆動させる。こ
の結果、結像光学系１は自動的に合焦する。更に移動量
検出部１６が、第１の駆動部１５による結合光学系１の
移動量を検出する。即ち、規準台４の位置から半導体マ
スク２００の合焦位置までの距離を計測すれば、半導体
マスク２００の厚みを計測することが可能となる、この
移動量検出部１６の検出信号は、コンピュータ３に出力
され、コンピュータ３が、半導体マスク２００の厚みを
考慮して透過照明光学系２の合焦位置を算出する。そし
て、コンピュータ３は第２の駆動部２３を駆動させ、透
過照射光学系２を半導体マスク２００の被検面に合焦さ
せ、正確に照明させることができる。
次に１本実施例を半導体マスク検査装置に応用した例を
第２図に基いて説明する。この半導体マスク検査装置は
、半導体マスクのパターンを検査するもので、対物レン
ズ５と、ハーフミラ−６と。
第２図に基いて説明する。この半導体マスク検査装置は
、半導体マスクのパターンを検査するもので、対物レン
ズ５と、ハーフミラ−６と。
ＣＣＤ７と、駆動回路８と、Ａ、／Ｄコンバータ９と１
判断部１００と、正規パターンデータｆＩ１１１０と、
コンピュータ１２０と、外部記憶装置１）０と、ＴＶカ
メラ１４０と、モニタ１５０とからなっている。
判断部１００と、正規パターンデータｆＩ１１１０と、
コンピュータ１２０と、外部記憶装置１）０と、ＴＶカ
メラ１４０と、モニタ１５０とからなっている。
前述の自動合焦装置により結像光学系１と透過照明系２
とが共に合焦した後２本実施例である半導体マスク検査
装置を動作させる。対物レンズ５が、被検物である半導
体マスク２００の像をハーフ８ラーを透過して、ＣＣＤ
（電荷結合素子）７上に＠像させる。ＣＣＤ７は、結像
された半導体マスクに対応する電気信号を駆動回路８に
送出する。駆動回路８ではＣＣＤ７の出力信号を増ＩＩ
等処理した後、Ａ 、、／ Ｄコンバータ９に出力する
。Ａ−’Ｄコンバータ９は、駆動回路８の画像信号を高
速にＡＤ変換する。そして判断部１００が、正規パター
ンデータ部Ｊ１０に記憶されている画像データとＣＣＤ
７で撮像し５た画像、データが一致するか占かパターン
マｙ％Ｈチングを行う、そして、コンピュータ１２０が
、半導体マスク２００に傷等の破損部が在るか否かを判
訪処理し１判断結果を外部記憶装置１）０であるフロッ
ピディスク苓に記憶させる。この際、Ｃ０Ｄ７で撮像し
なｉＩ像をモニタ１５０に描出させることができ４．な
お、ハーフミラ−６で反射させた光線による像をコ゛＼
パｈメラ１４０でｔｉ＊Ｌ、モニタ１５０に表示するこ
とができる。この様に構成すれば、コンピュータ１２０
に、入力されている画像データが適当であるかチエ・リ
フすることができる。
とが共に合焦した後２本実施例である半導体マスク検査
装置を動作させる。対物レンズ５が、被検物である半導
体マスク２００の像をハーフ８ラーを透過して、ＣＣＤ
（電荷結合素子）７上に＠像させる。ＣＣＤ７は、結像
された半導体マスクに対応する電気信号を駆動回路８に
送出する。駆動回路８ではＣＣＤ７の出力信号を増ＩＩ
等処理した後、Ａ 、、／ Ｄコンバータ９に出力する
。Ａ−’Ｄコンバータ９は、駆動回路８の画像信号を高
速にＡＤ変換する。そして判断部１００が、正規パター
ンデータ部Ｊ１０に記憶されている画像データとＣＣＤ
７で撮像し５た画像、データが一致するか占かパターン
マｙ％Ｈチングを行う、そして、コンピュータ１２０が
、半導体マスク２００に傷等の破損部が在るか否かを判
訪処理し１判断結果を外部記憶装置１）０であるフロッ
ピディスク苓に記憶させる。この際、Ｃ０Ｄ７で撮像し
なｉＩ像をモニタ１５０に描出させることができ４．な
お、ハーフミラ−６で反射させた光線による像をコ゛＼
パｈメラ１４０でｔｉ＊Ｌ、モニタ１５０に表示するこ
とができる。この様に構成すれば、コンピュータ１２０
に、入力されている画像データが適当であるかチエ・リ
フすることができる。
以上の櫟に構成された本実施例は、半導体マスク２００
の厚みを考慮して結像光学系１と透過照明光学系２の合
焦が行わわるので、照明位置が狂うことなく、！＆適な
条件で半導体マスク２００の検査を行うことができる。
の厚みを考慮して結像光学系１と透過照明光学系２の合
焦が行わわるので、照明位置が狂うことなく、！＆適な
条件で半導体マスク２００の検査を行うことができる。
そして、自動合焦をリアルタイムに行うことができるの
で、正確かつ効率的に半導体マスクの検査を行うことが
できるという効果がある。
で、正確かつ効率的に半導体マスクの検査を行うことが
できるという効果がある。
「効果」
以上の様に構成された本発明は、第１の駆動手段が、位
置検出手段の検出信号に基き、結合光学系を合焦させる
と共に、移動量検出手段が、第１の駆動手段の移動量を
検出し、被検物の厚みを計測し、第２の駆動手段が、前
記移動量検出手段の噴出信号（；基さ、透過照明系を合
焦させるように渚戎されているので１位置検出手段と移
動量検出手段によって透過照明光学系を合焦させること
ができる。透過照明光学系も被検物の厚みや自重による
撓みを考慮して合焦するので、正確に被検面を照明する
ことができるという効果がある。特に本発明の自動合焦
装置は、結像光学系のみに搭載すればよいので、Ｗｉ造
が複雑化せず、コストも安い上、装置全体の小型化が可
能であるという卓越した効果がある。
置検出手段の検出信号に基き、結合光学系を合焦させる
と共に、移動量検出手段が、第１の駆動手段の移動量を
検出し、被検物の厚みを計測し、第２の駆動手段が、前
記移動量検出手段の噴出信号（；基さ、透過照明系を合
焦させるように渚戎されているので１位置検出手段と移
動量検出手段によって透過照明光学系を合焦させること
ができる。透過照明光学系も被検物の厚みや自重による
撓みを考慮して合焦するので、正確に被検面を照明する
ことができるという効果がある。特に本発明の自動合焦
装置は、結像光学系のみに搭載すればよいので、Ｗｉ造
が複雑化せず、コストも安い上、装置全体の小型化が可
能であるという卓越した効果がある。
図は本発明の一実施例を示すもので、第１図は本実施例
の構成を説明する図であり、第２図は本実施例を半導体
マスク検査装置に応用した例を示す図、第３図はＰＳＤ
の構造を示す図であり、第４図は位置検出部の構成を示
す図である。 ２ ・ ・ ２３・ ３・ ・ ４ ・ ・ 透過照明光学系 第２の駆動部 コンピュータ 基準台 １・・・結像光学系 １４・・位置検出部 １５・・第１の駆動部 １６・・移動量検出部
の構成を説明する図であり、第２図は本実施例を半導体
マスク検査装置に応用した例を示す図、第３図はＰＳＤ
の構造を示す図であり、第４図は位置検出部の構成を示
す図である。 ２ ・ ・ ２３・ ３・ ・ ４ ・ ・ 透過照明光学系 第２の駆動部 コンピュータ 基準台 １・・・結像光学系 １４・・位置検出部 １５・・第１の駆動部 １６・・移動量検出部
Claims (1)
- （１）被検物の位置を検出するための位置検出手段を有
する結像光学系と、この被検物を照明するための透過照
明光学系とからなり、結像光学系には、前記位置検出手
段の検出信号に基き、結合光学系を合焦させるための第
１の駆動手段と、この第１の駆動手段による移動量を検
出し、被検物の厚みを検出するための移動量検出手段と
が備えられており、前記透過照明光学系には、前記移動
量検出手段の検出信号に基き、前記透過照明光学系の合
焦を行うための第２の駆動手段が備えられていることを
特徴とする自動合焦照明装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01006744A JP3120176B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 自動合焦照明装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01006744A JP3120176B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 自動合焦照明装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02186312A true JPH02186312A (ja) | 1990-07-20 |
| JP3120176B2 JP3120176B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=11646715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01006744A Expired - Fee Related JP3120176B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 自動合焦照明装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120176B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1123952A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Nec Corp | オートフォーカス装置及びこれを利用したレーザ加工装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6168321U (ja) * | 1984-10-06 | 1986-05-10 | ||
| JPS61194723A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Hitachi Ltd | 光学装置 |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP01006744A patent/JP3120176B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6168321U (ja) * | 1984-10-06 | 1986-05-10 | ||
| JPS61194723A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Hitachi Ltd | 光学装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1123952A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Nec Corp | オートフォーカス装置及びこれを利用したレーザ加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3120176B2 (ja) | 2000-12-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |