JPH0218734A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［利用分野］ 本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関し、更に詳しく
はターゲットの使用効率が高く生産性の良い量産に適し
た光磁気記録媒体の製造方法に関する。

［従来技術］ 光磁気記録媒体は周知の通りカー効果、ファラデイー効
果等の磁気光学効果を呈する希土類金属−遷移金鴛の非
晶質合金膜等を代表例とする光磁気記録膜を記録層とし
たもので、光ビームによる書き替えできる高密度記録媒
体として注目され、既に多くの提案がなさている。

光磁気記録膜としては、特公昭５７−２０６９１号公報
開示のＴｂ　−Ｆｅ　、特公昭５７−２０６９２号公報
開示のＤｙ　−Ｆｅ　、特開昭５８−７３７４６＠公報
開示のＴｂ−Ｆｅ　−Ｇｏ　、　ｏｙ　−Ｆｅ　−Ｃｏ
　、特開昭６０［７４３６号公報開示のＮｄ　−Ｇｄ　
−Ｆｅ　、特開昭６２−２２２６０９Ｑ公報開示）Ｎｄ
　−ＤＶ　−Ｆｅ　−Ｃ。

等の希土類金属−１！移金属系の他、磁性ガーネット模
等多くのものが知られている。

そしてこれら光磁気記録膜の製造方法としては、マグネ
トロン式スパッタ法が多用されている。又時開ｙａ６２
−２８５２５３号公報には対向したターゲットの対向方
向に垂直磁界を発生させて、その対向空間の側方に配し
た基板上に膜形成する対向ターゲッ１〜式スパッタ法に
よる光磁気記録膜の製造方法が開示されている。

ところで、これら製造方法を量産という面からみると、
共通した問題として、ターゲットのエロージョン領域が
マグネトロン式では環状領域、対向ターゲット式では中
心部に限定され、ターゲットの使用効率が悪く、又ター
ゲットの交換周期も短く生産性が悪いという問題がある
。

〈発明の目的〉 本発明はかかる問題に鑑みなされたもので、ターゲット
の利用効率が高く、生産性の良い光磁気記録媒体の製造
方法を目的としたものである。

〈発明の構成及び作用〉 上述の目的は以下の本発明により達成される。

すなわち、本発明は、所定距離隔てて対向したターゲッ
トの夫々の周囲に沿って磁界発生手段を設け、ターグツ
ｌ一対向方向の垂直磁界を発生させて、ターゲット間の
対向空間の側方に配置した基板上に膜形成する対向ター
ゲット式スパッタ法により少なくとも光磁気記録層を成
膜する光磁気記録媒体の製造方法におい−（、夫々のタ
ーゲットの周辺部又は／及び磁界発生手段の前面近傍に
電子を反撥する反射電極を設けると共に、前記夫々のタ
ーゲットの少なくとも周辺部の前面近傍に電子を捕捉す
るターゲットの面に平行な成分を有する補助磁界を形成
して、前記光磁気記録層を成膜することを特有とする光
磁気記録媒体の製造方法である。

ところで、上述の本発明は、以下のようにしてなされた
ものである。特開昭５７−１５８３８０号公報。

特開昭５８−１６４７８１号公報、特開昭５９−１１６
３７６号公報等に開示の従来の対向ターゲット式スパッ
タ法は、ターゲットホルダー回りを保護するため、その
周囲に陽極と同電位（通常アース電位）としたシールド
を設けている。ところが、この従来法による種々の膜形
成例を検討したところ、該シールドがターゲット間の対
向空間に捕捉されたプラズマ中の電子（γ電子、熱゛電
子）を吸収し、その密度を低下させる作用を奏している
のではないかと考えられた。そこでターゲット外周部に
沿って設けた磁界発生手段によって制御される電子の軌
道域に従来のシールドに替えてシールドと全く反対の作
用を奏する反射電極を設けて、電子を反撥させるように
したところ、放電特性が大巾に改良され、低ガス圧、低
電圧で内部歪の小さい良好な特性の膜形成ができること
が見出された。そして、更にターゲット外周部に沿って
、その前面近傍に電子を捕捉するターゲツト面に平行な
成分を有する補助磁界を形成すると、前記放電特性が更
に改良されると共に侵食＃４域が大巾に拡大し、場合に
より従来不可能と思われていたターゲット全面の均一な
侵食もでき、製造コスト上も非′常に右利となることが
見出された。本発明はこれら知見に基いてなされたちの
である。

従って本発明によれば、ターゲットの侵食領域が略全面
均−となり、その使用効率が大巾に向上できると共に膜
厚分布の均一性が大巾に向上し、もって生産性が向上で
きる上、スパッタ電圧が低くでき、スパッタ膜質を向上
させることのできる高真空スパッタが容易に実現でき、
媒体の歪が小さくできる。このように本発明によれば、
従来の問題が解決された上、膜質の向上も期待できる光
磁気記録媒体の製造方法が実現される。

なお、本発明方法において本発明の適用できる光磁気記
録媒体は特に限定されず、前述したＴｂ−Ｆｅ　、　Ｄ
ｙ　−Ｆｅ　、　Ｔｂ　−Ｆｅ　−Ｃｏ　、　ａｙ　−
Ｆｅ　−Ｃｏ　、　Ｎｄ　−Ｇｄ　−Ｆｅ　、　Ｎｄ　
−ＤｙＦｅ−Ｃｏ等の希土類金属−１移金属の非晶質合
金膜、あるいはこれらに特性改善のためＴｉ。

Ｚｒ、Ｃｕ、Ｐｔ等の金属を微量添加したもの、更には
磁性ガーネット膜等従来より公知の磁気光学効果を呈す
る光磁気膜を記録層とした全てのものに適用できる。

又記録層を形成する基板としては、ガラス基板。

ポリメチルメタクリレ−１−（ＰＭＭＡ）基板、ポリカ
ーボネート基板等公知の基板が全て適用できるが、低温
スパッタができる点から有機樹脂基板に特に有利である
。

なお、光磁気記録媒体の構成としては、エンハンス効果
及び耐久性向上を目的として基板と記録層の光磁気膜と
の間にＡ旦Ｎ、ｓ＋　ＮＸ　。

Ｓｉ　０２　、ｌｎ　２０３　、ＡＪＬＳｔ　ＮＸ等の
窒化物、酸化物等からなる透明誘電体層を設けるもの、
この透明誘電体膜で光磁気膜をサンドイッチしたもの、
あるいはＴ１等の金属薄膜を介在させたもの、更にこれ
らの上に保護のため透明平面を貼り合わせたもの等知ら
れているが、これら全てに適用できる。特に透明誘電体
層を設けるものでは透明誘電体層も本発明方法により製
造することが連続生産面、媒体歪面等でも有利となり好
ましい。金属薄膜を介在させる場合には同様に本発明方
法により製造することが好ましい。

なお１本発明方法において、基板をアース具体的には真
空槽と絶縁して、陰楊ターゲッ１〜との間に所定のバイ
アス電圧を印加して成膜するようにすると、得られる薄
膜の膜質特に内部歪の制御が容易となることが期待でき
、精密な制御が必要な場合は好ましく適用できる。

以下本発明の詳細を実施例に基いて説明する。

第１図は実施例に用いた対向ターゲット式スパッタ装置
の全体構成を示す概略図、第２図はその一方のターゲッ
トの平面図、第３図は基板と直交する第２図のＡＳ線で
の側断面図である。

第１図から明らかな通り、本装置は前）本の特開昭５７
−１５８３８０号公報等で公知の対向ターゲット式スパ
ッタ装置と基本的に同じ構成となっている。

すなわち、図において１０は真空槽、　２０は真空槽１
０を排気する真空ポンプ等からなる排気系、３０は真空
槽１０内に所定のガスを導入して真空槽１０内の圧力を
１０−１〜１０→Ｔ　ｏｒｒ程度の所定のガス圧力に設
定するガス導入系である。

そして、真空槽１０内には、図示のごとくターゲット部
１００．　１００’　によりＲ板Ｓに面する辺が長い長
方形の１対のターゲットＴ、Ｔ’が、空間を隔てて平行
に対面するように配設しである。

ターゲット部１００．　１００’　は全く同じ構成であ
り、以下その一方のターゲット　１００に基いて説明す
る。

ターゲット部１００は従来と異なり、第２図、第３図か
ら明らかなように、プラズマ捕捉用垂直磁界と補助磁界
を形成するように磁界発生手段１２０がターゲットＴ背
後でなく、その周囲に配置され、且つその前面にγ電子
等の電子を反撥する負電位の反射Ｎ極１１０を設けた構
成となっている。すなわち、第２図、第３図において１
０１は、その上にターゲットＴが取着されるターゲット
ホルダーで、ターゲットＴと同じ外形の所定肉厚の筒状
体からなり、その上には、テフロン（デュポン社商品名
）等の絶縁材からなる絶縁ブロック１０２を介して、図
で上面にターゲットＴを冷却するための第２図に点線で
示すようなジグザグの連続した冷却溝１０３ａを全面に
亘って穿設したステンレス等の熱電導性の良い材からな
る冷却板１０３がボルトにより固定されている。そして
、冷却板１０３上には、ターゲットＴがその周囲に所定
間隔で穿設したボルト穴１０４を介してボルト１０４ａ
で固定される。冷却板１０３のこの冷却溝１０３ａには
、接続口１０３ｂに図示省略した冷却配管が接続され、
冷却媒体の循環により直接ターゲットＴ全面を冷却する
ようになっている。なお、ターゲットホルダー１０１の
上面。

絶縁ブロック　１０２．冷却板１０３．ターゲットＴの
各接触面は、当然の事ながらパツキン（図示省略）によ
りシールされている。以上の構成によりターゲットＴの
交換が簡単になると共にターゲットＴは隅々迄均−冷却
が可能となり、従来の磁石内蔵型に比較するとターゲッ
トの冷却効率は１０倍以上となり、堆積速度が大巾に向
上し、生産性、安定運転面で効果大である。

電子を反射する反射電極１１０は、本例では断面１字型
の鉄等により図示の通りターゲットＴの周囲に沿った枠
構成として、冷却板１０３の側面に直接ボルトで取着し
、冷却板１０３を介して冷却できるようにすると共にそ
の電位はターゲットＴと同電位になるようになっている
。

なお、本例では反射電極１１０は、その対向辺部１１０
ａがターゲットＴの前面より対向空間側（図で上方）に
数層程度突き出すように配置しである。

これは磁性体ターゲットの場合に対向辺部１１０ａを後
述の磁界発生手段１２０の磁極として用いるためである
。

ターゲットホルダー　１０１の外側にはステンレス等の
非磁性導電材からなるチャンネル型の磁石ホルダー１０
５がボルト（図示省略）により固定されている。磁石ホ
ルダー１０５は、その内部に磁界発生手段１２０のコア
　１２１．永久磁石１２２が収納できるようにその先端
部外側にチャ〕／ネル型ホルダー部１０５ａが形成され
ており、又ターゲットＴ及び冷却板１０３と所定の間隙
１０６を有するように配置されている。

磁界発生手段１２０のコア１２１と永久磁石１２２とは
、図示の通り、鉄、パーマロイ等の軟磁性材の板状体か
らなる発生磁界を全周に亘って均一化するためのコア１
２１が図で上部の前面側に位置し、その背摸に永久磁石
１２２がターゲット王のスパッタ面に垂直方向の磁界を
発生する磁極配置で、非磁性体ターゲットの場合に有効
な補助磁界が形成できるようにコア　１２１の前面が略
ターゲットＴの前面に略一致するように磁石ホルダー　
１０５にボルト等により固定される。なお、永久磁石１
２２は所定長の角棒状磁石をその合成磁界が航記プラズ
マ捕捉用磁界を形成するように並設したものである。

従って磁界は反射Ｎ極１１０の材質によりコア　１２１
又は反射電極１１０の対向辺部１１０ａの前面を磁極と
して発生するので、ターゲットＴの周辺に均一な前述の
垂直磁界及び補助磁界からなるプラズマ捕捉用磁界を生
ずる。なお磁界発生手段１２０はターゲットホルダー　
１０１を介して設置されでいる。

接地されたリング状のアノード電極１３０が、反射電極
１１０前方（図で上部）の近傍空間にターゲット間空間
を囲むように設けられている。このアノード電極１３０
の配置によって、スパッタ時のγ゛市子捕集を調節でき
、その位置によりターゲラ１〜下の侵食及び基板巾方向
の膜厚分布の調節が出来る。

磁石ホルダー　１０５のホルダ一部１０５ａの外面には
、ステンレス等からなる金網１０７が布設されている。

金網１０７により、これら部位に堆積するスパッタ付着
物のスパッタ中での剥離すなわち異常放電が防止され、
又清掃が簡単になり、生産性、安全運転面で大きな効果
が傳られる。反射電極１１０は冷却板１０３に直接取り
付（プ、アノード電極１３０は冷却媒体を通づ冷却路１
３１を設けてあり、水冷することによりこれらの加熱が
防止されるため、スパッタ速度をあげても、基板への輻
射熱が少ないので基板の熱変形が少なく、高速生産性が
実現される。

アノード電極１３０の材質は導電材であれば良く、前）
！のコア１２１と同様の軟磁性材でも良く、その他銅、
ステンレス等でも良い。反ＩＩＪ％ｉ極１１０は目的に
応じ導電材、絶縁材共に適用される。例えば電位を電源
から積極的にかける場合は導電材が、直流スパッタリン
グで自己バイアスを利用する場合は絶縁材が適用される
。図の配置及び後述するその作用から明らかな通り、反
射電極１１０はスパッタされるので、反！）Ｊ電極１１
０の材質はターゲツト材そのもの、又はこれらの構成材
の一つあるいはその組み合わせを用いることが、形成さ
れる薄膜に余分の成分が混入する恐れがない点で好まし
い。

なお、本例では、反射電極１１０の電位をターゲットＴ
と同一にしているがγ電子等を反射するに必要な負電位
になるようにターゲット電位と異なる電源又は、ターゲ
ット電位とアース電位とを分割して形成することが出来
る。そして反射電極１１０はスパッタされない電位にす
ることが好ましい。

第１図に戻って、以上の構成のターゲット部１００、　
１００’　に取着された対向ターゲットＴ。

Ｔ′の側方には、その対向空間に対面ｊるように基板Ｓ
を保持する基板保持手段４０が設けられている。

なお、ターゲット部１００．　１００’　の他のく図で
左側の）側方に、もう１つの基板Ｓを保持する基板保持
手段（図示せず）を設けることが出来る。

一方、スパッタ電力を供給する直流電源からなる電力供
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットＴ、Ｔ’　に夫々接続する。従って、電力供給手段
５０からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、タ
ーゲットＴ、Ｔ’　をカソードとして、アノード、カソ
ード間に供給される。

なお、本例では導電材ターゲットに適した直流電源を示
したが、絶縁物ターゲラ１−の場合には必要に応じ公知
の高周波電源に変更すればよい。

以上の通り、上述の構成は前述の特開昭５７１５８３８
０号公報のものと基本的には同じ構成であり、公知の通
り高速低温スパッタが可能となる。すなわら、ターゲッ
トＴ、Ｔ’間の空間に、プラズマ捕捉用磁界の作用によ
りスパッタガスイオン、スパッタにより放出されたγ電
子等が束縛された高密度プラズマが形成される。従って
、ターゲットＴ、Ｔ’　のスパッタが促進されて前記空
間より析出量が増大し、基板Ｓ上への堆積速度が増し、
高速スパッタが出来る上、基板ＳがターゲットＴ。

Ｔ′の側方にあるので低温スパッタが出来る。

ところで、ターゲットＴ、Ｔ′の表面からスパッタされ
る高いエネルギーを持つγ電子は前述のターゲットＴ、
Ｔ’　の空間に放射されるが、ターゲットの中央部では
磁界の影響を受けないため、はぼ−様なγ電子密度にな
りスパッタに使われるがＡｒ＋イオンの形成がターゲッ
トＴ、Ｔ’の全面でほぼ一様になされる。一方、ターゲ
ット外周縁部に形成されている強い磁界領域には、第４
図に示すようにターゲットＴ、Ｔ’　に亘るターゲツト
面に垂直方向の垂直磁力線Ｍのほか、ターゲットＴを介
しての帰還磁気回路によりターゲツト面に平行な成分を
有する補助磁力線Ｍ′が形成されている。図で点線は非
磁性ターゲットで非磁性の反射電極１１０を用いた場合
すなわち１ｉ極がコア１２１の前面となる場合、−点鎖
線は磁性ターゲットで磁性の反射電極１１０を用いた場
合すなわち磁極が反射電極１１０の前面となる場合であ
る。このためターゲラ１−丁、Ｔ′の中央部の表面から
放射された陰ｉ電位降下部（ターゲット表面数Ｍの間隔
）で加速されるγ電子は、垂直磁力線Ｍに泊ってつる巻
き状に拘束され、ターゲットＴ、Ｔ’の間を往復運動す
るが、ターゲット外縁部で生ずるγ電子の一部は、補助
磁力線Ｍ′に拘束されて磁界発生手段１２０のコア１２
１面に向かって運動する。

ところが、前述の従来技術で使用しているアノードとし
て作用する接地されたシールドを磁界発生手段１２０上
に設ける場合又はそのコアと兼ねて用いる場合にはター
ゲット外縁部に捕捉されたγ電子の一部はシールドに吸
収されると考えられ、従って、ターゲット周辺部ではプ
ラズマ密度が中央部より小さくなり、ターゲットの工Ｏ
−ジョン。

形成される躾の厚さが中心部に片寄る傾向があった。こ
れを解決するためにはターゲットＴ、Ｔ’で発生するγ
電子をターゲツト面で吸収されることなく往復させる必
要があり、スパッタ電圧を高くする、あるいはスパッタ
ガス圧を高める等の対策が考えられるが、その効果には
限界があり、又それに伴う膜質等別の問題があった。

これに対して本発明では、磁界発生手段１２０のコア１
２１部の前面にγ電子を反射する負電位の反射電極１１
０を設けているので、第４図から明らかなごとく、磁力
線Ｍ、Ｍ’　に沿って運動する捕捉されたγ電子は、反
射電極１１０表面で反射し、吸収されることなくターゲ
ットＴ、Ｔ’　間に戻される。従って、周縁部の強い磁
界で捕捉されたγ電子等は吸収されることなくターゲッ
ト間空間に蓄積されるので、後述の膜形成例に示す通り
放電特性が大巾に改良され、従来実現が困難であった低
電圧、低ガス圧のスパッタが可能となり内部歪やアルゴ
ンガス等の混入の少ない高品質薄膜の形成が可能となっ
たと考えられる。

又、大巾にターゲットのエロージョン領域が改良される
が、これは次のように考えられる。すなわち、補助磁力
線Ｍ′によりターゲット周縁部にはターゲツト面と平行
な磁界によりマグネトロンスパッタと同様な捕捉磁界が
形成され、反射電極１１０で反射された電子等が効果的
に周縁部表面に捕捉され周縁部のプラズマ密度が高くで
き、よって周縁部まで略均−なスパッタすなわちエロー
ジョンが達成できると考えられる。また、アノード電極
１３０の配置によっては、γ電子の吸収を調節すること
ができる。

このため、本発明によれば、ターゲットＴ。

Ｔ′の全面を一様にスパッタできることはもちろん、γ
電子の拘束を厳密に行なうことができるので、基板の巾
方向の膜厚分布を広い範囲に亘って任意に調節すること
ができる作用が得られるのである。

以上から明らかな通り、本発明の反射電極は、磁力線Ｍ
、Ｍ’　に拘束された電子を反射するものであれば良く
、従ってターゲットと同極性の電位具体的に負電位であ
ることが必要であるが、電位の大きさは形成する膜等に
より異なり実験的に決めるべきである。ターゲットと同
電位にすると電源が簡略できる点で有利である。なお直
流スパッタリングの場合には車に絶縁体を配するのみで
も良い。

又反射電極の設置箇所は、前）ホの電子を最も効果的に
反射できる磁束発生手段のコア前面が好ましいが、この
近傍又は／及びターゲット周辺部の近傍であっても良い
ことはその作用から明らかである。

その形状も、ターゲット周囲を連続して囲むリング状が
好ましく、更には板状体でターゲットと磁界発生手段と
の間の隙間をカバーするものが好ましいが、場合によっ
ては必要箇所に部分的に設けるのみでも良く、その形状
も棒状体、網状体等でも良いことはその作用から明らか
である。

また、補助磁界は、実施例の如く垂直磁界発生用の磁界
発生手段と共用すると構成が簡単となり、好ましいが、
別体としても良いことは云うまでもない。また、磁界発
生手段も構成簡単な永久磁石を用いる例を示したが、前
述の特開昭５９−１６６３７６号公報等に開示のコア板
を用いる構成等公知の他の構成も適用できることは云う
までもない。

又、アノード電極も、電子の吸収が適切にできる位置に
設ければ良く、各反射電極、ターゲットの近傍又は周囲
に設（Ｊて良く、又ターゲット間の中間位置に１個設け
ても良い。その形状も実施例の棒状リングの他、網状体
等でも良く、ターゲット全周に亘ってシールドと兼ねて
設けても、必要な箇所のみに設【プても良い。ターゲッ
トのエロージョンの均−化部からはその全周に亘ってそ
のターゲット間空間を囲むように設けることが好ましい
。アノード電極の配置は形成される膜の膜厚分布に大ぎ
な相関を有するので、目的に応じて実験的に定めること
が好ましい。

又、本発明が適用されるターゲットの形状も矩形１円形
等特に限定されないことは本発明の趣旨から明らかであ
るが、膜厚分布の制御、エロージョンの不均一化等で問
題の多い巾広の長方形ターゲットにおいて本発明の効果
はより大きく発現する。なお、本発明は先に本発明者ら
が特願昭６１１４２９６２号で提案した分割されたター
ゲットにも適用できる。

以下、本発明を前記装置による実施例に基づいて具体的
に説明する。

実施例 前述の装置を用いて以下のようにしてスパッタを行った
。基板Ｓは膜厚分布、　Ｉｌｌ歪を検問するため、５個
の５０ａｍ＋ＷＸ　１００ｓ＋ＨＸ　１，２ＭＲｔのポ
リカーボネート板を用い、ターゲット丁、Ｔ′の全中に
亘るように等間隔で配置した。ターゲットＴ。

Ｔ′は１５０＃ＩＸ　３３６履の長方形で厚さが６ｍの
Ｔｂｚｔｙ　Ｆｅａ３Ｃｏ　７からなるターゲット、タ
ーゲットＴ、Ｔ’　の間隔りは１２０ｓで、ターゲット
Ｔ。

Ｔ′の夫々の前面から２Ｍ突き出して鉄製の反射電極１
１０を配置し、その電位をターゲラ１−と同電位とした
。磁界発生手段１２０にアルニー１７１６石を用い、反
射電極１１０表面の磁場強度を、ターゲット表面と垂直
方向に３３０ガウスとした。ターゲットＴ、Ｔ’　の夫
々に対して棒状のアノードリング１３０を反射電極１１
０面より１０ｍ５＋はなした空間に反射電極１１０の路
外縁上に沿って配した。第５図にスパッタ特性の１例を
示す。Ａｒガス圧２Ｐａ〜０，２Ｐａの範囲テ４５０〜
８００■トスクレタ電圧−電流特性を示した。−点鎖線
は、比較のため、反射電極１１０をターゲットと絶縁し
て接地し、γ電子の反射に用いるのでなく、従来の接地
されたシールド板（アノードとして作用）として用いた
従来例の場合である。Ａｒガス圧２Ｐａの場合でも、ス
パッタ電圧が高くなる様子がわかる。

第６図には、上記検討後におけるターゲットＴ。

Ｔ′のエロージョンの状態を斜線で示した。ターゲット
Ｔ、Ｔ’　をホルダーと固定するために使用しているボ
ルト穴部まで−様なスパッタがなされ、全面はぼ−様な
深さに侵食され、その侵食比はターゲットＴ、Ｔ’全面
積の９０％以上であった。

第７図には、アルゴンガス圧ＩＰａ、電圧６００Ｖの条
件下で８００人厚転成膜した場合のターゲットＴ、Ｔ’
の端部から１ｏｏｓの位置に設けた静止基板Ｓのターゲ
ットＴ、Ｔ’の巾方向の膜厚分布及び保磁力）１ｃの分
布特性を示した。図より複数枚のディスク、例えば５イ
ンチディスクであれば２枚並設しても充分膜厚及び保磁
力）（Ｃ換言すれば組成が均一なディスクが製造できる
ことがわかる。又、膜形成後においても基板Ｓにはそり
等の変形は観察されず、膜歪の小さい膜が形成できるこ
とがわかった。なお、保磁力ＨＣはカール−プの測定結
果から決定した。

〈発明の効果〉 以上の通り本発明によればターゲットＴ、Ｔ’のエロー
ジョンはターゲット全面でほぼ均一におこなわれること
、ターゲットの冷却効率が向上し、スパッタ電圧を低く
できたので極めて生産性に優れ、量産に適した光磁気記
録媒体の製造方法が実現できる。

とくに光磁気記録媒体の光磁気記録層に希土類金属と遷
移金属の非晶質合金膜を用いる場合、高価なターゲット
を有効に利用できるので、コスト低下に大きな効果が得
られる。

さらに第７図の如く巾広く平坦な膜厚分布を示すことは
、膜厚を補正することなくいわゆる通過型タイプの媒体
製造に拡張できるので、工業生産に適した連続製造が実
現できる。

このように本発明は光磁気記録媒体の量産に大きな寄与
をなすものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例に用いた対向ターゲット式ス
パッタ装置の全構成の説明図、第２図はそのターゲット
部の平面図、第３図は第２図のＡ−Ｂ線での断面図、第
４図は本発明の詳細な説明するため磁力線の分布の説明
図、第５図は実施例でのスパッタ特性を示す電圧Ｖと電
流ｌの関係のグラフ、第６図は同例でのターゲットのエ
ロージョンの説明図、第７図は同じく同例で得られた薄
膜のターゲット巾方向の膜厚分布及び保磁力分布を示す
グラフである。 Ｔ、Ｔ’　・・・ターゲット、１０：真空槽。 １１０：反射電極、　　１２０：！ｉ界発生手段。 １３０ニアノード電極、Ｍ：Ｉ直磁力線。 Ｍ′　：補助磁力線 大２図 （Ａ） （Ｖ） 大５図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．　所定距離隔てて対向したターゲットの夫々の周囲
   に沿って磁界発生手段を設け、ターゲット対向方向の垂
   直磁界を発生させて、ターゲット間の対向空間の側方に
   配置した基板上に膜形成する対向ターゲット式スパッタ
   法により少なくとも光磁気記録層を成膜する光磁気記録
   媒体の製造方法において、夫々のターゲットの周辺部又
   は／及び磁界発生手段の前面近傍に電子を反撥する反射
   電極を設けると共に、前記夫々のターゲットの少なくと
   も周辺部の前面近傍に電子を捕捉するターゲットの面に
   平行な成分を有する補助磁界を形成して、前記光磁気記
   録層を成膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造
   方法。
2. ２．　前記光磁気記録媒体が基板上に透明誘電体層及び
   光磁気記録層を形成したものであり、透明誘電体層及び
   光磁気記録層を成膜する請求項第１項記載の光磁気記録
   媒体の製造方法。
3. ３．前記基板が有機樹脂からなるディスクである請求項
   第１項若しくは第２項記載の光磁気記録媒体の製造方法
   。