JPH0411624B2 - - Google Patents
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- JPH0411624B2 JPH0411624B2 JP61142962A JP14296286A JPH0411624B2 JP H0411624 B2 JPH0411624 B2 JP H0411624B2 JP 61142962 A JP61142962 A JP 61142962A JP 14296286 A JP14296286 A JP 14296286A JP H0411624 B2 JPH0411624 B2 JP H0411624B2
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- JP
- Japan
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- target
- magnetic field
- facing
- targets
- sputtering apparatus
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［利用分野］
本発明は、ターゲツトを対向させた対向ターゲ
ツト式スパツタ装置に関し、更に詳しくは磁気記
録媒体等の製造に好適な、巾の広い長尺の基板を
移送しつつ連続的に所望の薄膜を形成する対向タ
ーゲツト式スパツタ装置に関する。
ツト式スパツタ装置に関し、更に詳しくは磁気記
録媒体等の製造に好適な、巾の広い長尺の基板を
移送しつつ連続的に所望の薄膜を形成する対向タ
ーゲツト式スパツタ装置に関する。
［従来技術］
前述の対向ターゲツト式スパツタ装置は、特開
昭57−158380号、特開昭59−53680号公報等で公
知の通り、真空槽内で対向させたターゲツトの対
向方向に磁界を発生させ、ターゲツトの側方に配
した基板上に膜形成するスパツタ装置で、各種材
料中でも磁性材の低温、高速の膜形成できる特徴
を有し、磁性薄膜、薄膜型磁気記録媒体等の製造
に利用されている。
昭57−158380号、特開昭59−53680号公報等で公
知の通り、真空槽内で対向させたターゲツトの対
向方向に磁界を発生させ、ターゲツトの側方に配
した基板上に膜形成するスパツタ装置で、各種材
料中でも磁性材の低温、高速の膜形成できる特徴
を有し、磁性薄膜、薄膜型磁気記録媒体等の製造
に利用されている。
ところが、従来の対向ターゲツト式スパツタ層
を用いて膜形成例えば垂直磁気記録媒体のCo−
Cr合金膜を連続形成した場合、ターゲツトはそ
の中心部に侵食が集中し、ターゲツトの利用効率
が低いことがわかつた（IEEE Trans on
Magnetics MAG17.p3175（1981））。又基板の巾
方向においても膜厚分布が生じ、生産性面で問題
があることがわかつた。
を用いて膜形成例えば垂直磁気記録媒体のCo−
Cr合金膜を連続形成した場合、ターゲツトはそ
の中心部に侵食が集中し、ターゲツトの利用効率
が低いことがわかつた（IEEE Trans on
Magnetics MAG17.p3175（1981））。又基板の巾
方向においても膜厚分布が生じ、生産性面で問題
があることがわかつた。
これに対して、本発明者らは特開昭58−164781
号公報及び特開昭59−116376号公報において、第
５図の構成すなわち、ターゲツトの周囲に磁界発
生機構のコアを配置し、磁界をターゲツトの周囲
に発生させるようにした構成を提案した。すなわ
ち、同図は、対向ターゲツト式スパツタ装置のタ
ーゲツト部のみ示したもので、対向ターゲツト
Ｔ，T′の周囲にシールドを兼ねて、端部３０１
ａ，３０２ａをターゲツトT1，T2の表面に臨む
ように折曲させたコア３０１，３０２の脚部３０
１ｂ，３０２ｂに磁界を発生させるコイル又は永
久磁石からなる磁界発生源３０１′，３０２′を磁
気的に結合させて設け、図示の如く磁界Ｈをター
ゲツトＴ，T′の周囲のみ発生させるようにした
ものである。図において３１０は真空槽壁、３１
１，３１２はターゲツトホルダー、３１１ａ，３
１２ａはターゲツト冷却のための冷却配管であ
る。この構成により磁界はターゲツトを経由しな
いで直接コア間に形成されるので、磁界の分布が
ターゲツト材の透磁率、飽和磁化、ターゲツトの
厚みに影響されず安定し且つ、プラズマ捕捉用磁
界がターゲツト周囲に形成されるのでその侵食領
域が中心部から周辺部へ拡大し、ターゲツトの利
用率が向上した。しかしながら、基板巾が広くな
りターゲツトの巾が広くなると、前述の基板巾方
向でその中心部と端部の薄膜差が大きくなると共
に、中心部の侵食が速く全体としてのターゲツト
の利用率が低下するという問題があることがわか
つた。
号公報及び特開昭59−116376号公報において、第
５図の構成すなわち、ターゲツトの周囲に磁界発
生機構のコアを配置し、磁界をターゲツトの周囲
に発生させるようにした構成を提案した。すなわ
ち、同図は、対向ターゲツト式スパツタ装置のタ
ーゲツト部のみ示したもので、対向ターゲツト
Ｔ，T′の周囲にシールドを兼ねて、端部３０１
ａ，３０２ａをターゲツトT1，T2の表面に臨む
ように折曲させたコア３０１，３０２の脚部３０
１ｂ，３０２ｂに磁界を発生させるコイル又は永
久磁石からなる磁界発生源３０１′，３０２′を磁
気的に結合させて設け、図示の如く磁界Ｈをター
ゲツトＴ，T′の周囲のみ発生させるようにした
ものである。図において３１０は真空槽壁、３１
１，３１２はターゲツトホルダー、３１１ａ，３
１２ａはターゲツト冷却のための冷却配管であ
る。この構成により磁界はターゲツトを経由しな
いで直接コア間に形成されるので、磁界の分布が
ターゲツト材の透磁率、飽和磁化、ターゲツトの
厚みに影響されず安定し且つ、プラズマ捕捉用磁
界がターゲツト周囲に形成されるのでその侵食領
域が中心部から周辺部へ拡大し、ターゲツトの利
用率が向上した。しかしながら、基板巾が広くな
りターゲツトの巾が広くなると、前述の基板巾方
向でその中心部と端部の薄膜差が大きくなると共
に、中心部の侵食が速く全体としてのターゲツト
の利用率が低下するという問題があることがわか
つた。
［発明の目的］
本発明はかかる問題に鑑みなされたもので、巾
の広いターゲツトにおいても上述の問題のない生
産性の良い改良された対向ターゲツト式スパツタ
装置を目的とするものである。
の広いターゲツトにおいても上述の問題のない生
産性の良い改良された対向ターゲツト式スパツタ
装置を目的とするものである。
［発明の構成及び作用］
すなわち、本発明は、前述の特開昭58−164781
号公報、特開昭59−116376号公報開示の対向ター
ゲツト式スパツタ装置の改良で、所定距離を隔て
て対向したターゲツトの周囲に磁界発生手段によ
りターゲツト対向方向の磁界を発生させ、ターゲ
ツトの側方をその対向方向に移送される基板上に
膜形成するようにした対向ターゲツト式スパツタ
装置において、前記ターゲツトは基板巾方向が長
い長方形で、長辺側で複数に分割されており、且
つ前記磁界発生手段はターゲツトの分割個所に前
記磁界を発生するようになされていることを特徴
とする対向ターゲツト式スパツタ装置である。
号公報、特開昭59−116376号公報開示の対向ター
ゲツト式スパツタ装置の改良で、所定距離を隔て
て対向したターゲツトの周囲に磁界発生手段によ
りターゲツト対向方向の磁界を発生させ、ターゲ
ツトの側方をその対向方向に移送される基板上に
膜形成するようにした対向ターゲツト式スパツタ
装置において、前記ターゲツトは基板巾方向が長
い長方形で、長辺側で複数に分割されており、且
つ前記磁界発生手段はターゲツトの分割個所に前
記磁界を発生するようになされていることを特徴
とする対向ターゲツト式スパツタ装置である。
本発明はターゲツトを長辺側で分割して適当な
長さにすると共に、その分割個所にプラズマ捕捉
用磁界を発生させプラズマ空間も分割することに
より、各分割領域は、独立なターゲツトと同様に
作用し、全体はその重ね合せとなり、侵食領域が
平均化してターゲツトの利用率が向上すると共に
基板巾方向の膜厚分布も均一領域が大巾に拡大す
ることを見出しなされたものである。
長さにすると共に、その分割個所にプラズマ捕捉
用磁界を発生させプラズマ空間も分割することに
より、各分割領域は、独立なターゲツトと同様に
作用し、全体はその重ね合せとなり、侵食領域が
平均化してターゲツトの利用率が向上すると共に
基板巾方向の膜厚分布も均一領域が大巾に拡大す
ることを見出しなされたものである。
本発明によれば、上述の点から前述した課題が
解決される上、ターゲツトが小さくて良いので、
その製造が容易となり安価となる利点もある。
解決される上、ターゲツトが小さくて良いので、
その製造が容易となり安価となる利点もある。
以下本発明の詳細を実施例に基いて説明する。
第１図は、実施例の全体構成を示す概略図、第２
図はその一方のターゲツトの平面図、第３図は基
板と直交する第２図のAB線での側断面図、第３
図は、その基板面と平行な第２図のCD線での側
断面図である。
第１図は、実施例の全体構成を示す概略図、第２
図はその一方のターゲツトの平面図、第３図は基
板と直交する第２図のAB線での側断面図、第３
図は、その基板面と平行な第２図のCD線での側
断面図である。
第１図から明らかな通り、本装置は前述の特開
昭57−158380号公報等で公知の対向ターゲツト式
スパツタ装置と基本的に同じ構成となつている。
昭57−158380号公報等で公知の対向ターゲツト式
スパツタ装置と基本的に同じ構成となつている。
すなわち、図において１０は真空槽、２０は真
空槽１０を排気する真空ポンプ等からなる排気
系、３０は真空槽１０内に所定のガスを導入して
真空槽１０内の圧力を１０-1〜１０-4Torr程度
の所定のガス圧力に設定するガス導入系である。
空槽１０を排気する真空ポンプ等からなる排気
系、３０は真空槽１０内に所定のガスを導入して
真空槽１０内の圧力を１０-1〜１０-4Torr程度
の所定のガス圧力に設定するガス導入系である。
そして、真空槽１０内には、図示の如くターゲ
ツト部１００，１００′により１対の基板Ｓに面
する辺が長い長方形のターゲツトＴ，T′が、空
間を隔てて平行に対面するように配設してある。
ツト部１００，１００′により１対の基板Ｓに面
する辺が長い長方形のターゲツトＴ，T′が、空
間を隔てて平行に対面するように配設してある。
ターゲツト部１００，１００′は全く同じ構成
であり、以下その一方のターゲツト１００に基い
て説明する。
であり、以下その一方のターゲツト１００に基い
て説明する。
ターゲツト部１００は従来と異なり、第２図の
平面図から明らかなように、ターゲツトＴがT1，
T2に２等分割されると共に、シールドリング１
１０も、ターゲツトと同様その分割個所上で分割
辺１１０ａにより２分割されている。プラズマ捕
捉用磁界を形成する磁界発生手段１２０は、分割
辺１１０ａを含めてシールドリング１１０に沿つ
て、その背後に配置され、分割されたターゲツト
T1，T2毎に区画されたプラズマ捕捉用磁界を形
成するようになつている。
平面図から明らかなように、ターゲツトＴがT1，
T2に２等分割されると共に、シールドリング１
１０も、ターゲツトと同様その分割個所上で分割
辺１１０ａにより２分割されている。プラズマ捕
捉用磁界を形成する磁界発生手段１２０は、分割
辺１１０ａを含めてシールドリング１１０に沿つ
て、その背後に配置され、分割されたターゲツト
T1，T2毎に区画されたプラズマ捕捉用磁界を形
成するようになつている。
このターゲツト部１００の詳細構造は以下のよ
うに構成されている。第２図、第３図において１
０１は、中央部にターゲツトＴの分割個所に配置
される磁界発生手段１２０の後述の永久磁石の収
納部を設けた筒状体からなるターゲツトホルダー
で、その上には、テフロン（デユポン社商品名）
等の絶縁材からなる絶縁ブロツク１０２を介し
て、図で上面にターゲT1，T2を冷却するための
冷却溝１０３ａを穿設した冷却板１０３がボルト
により固定される。そして冷却板１０３上には、
押え枠１０４によりターゲツトT1，T2がボルト
により固定される。冷却板１０３の接続口１０３
ｂは、図示省略した冷却配管が接続され、冷却媒
体の循環によりターゲツトT1，T2を冷却するよ
うになつている。なお、ターゲツトホルダ１０１
の上面、絶縁ブロツク１０２、冷却板１０３、タ
ーゲツトT1，T2の各接触面は、当然のことなが
らパツキン（図示省略）によりシールされてい
る。以上の構成によりターゲツトT1，T2の交換
が簡単になると共にターゲツトT1，T2は隅々迄
均一冷却が可能となり、生産性、安定運転面で効
果大である。
うに構成されている。第２図、第３図において１
０１は、中央部にターゲツトＴの分割個所に配置
される磁界発生手段１２０の後述の永久磁石の収
納部を設けた筒状体からなるターゲツトホルダー
で、その上には、テフロン（デユポン社商品名）
等の絶縁材からなる絶縁ブロツク１０２を介し
て、図で上面にターゲT1，T2を冷却するための
冷却溝１０３ａを穿設した冷却板１０３がボルト
により固定される。そして冷却板１０３上には、
押え枠１０４によりターゲツトT1，T2がボルト
により固定される。冷却板１０３の接続口１０３
ｂは、図示省略した冷却配管が接続され、冷却媒
体の循環によりターゲツトT1，T2を冷却するよ
うになつている。なお、ターゲツトホルダ１０１
の上面、絶縁ブロツク１０２、冷却板１０３、タ
ーゲツトT1，T2の各接触面は、当然のことなが
らパツキン（図示省略）によりシールされてい
る。以上の構成によりターゲツトT1，T2の交換
が簡単になると共にターゲツトT1，T2は隅々迄
均一冷却が可能となり、生産性、安定運転面で効
果大である。
ターゲツトホルダー１０１の外側にはステンレ
ス等の非磁性導電材からなる磁石ホルダー１０５
がボルトにより固定されている。磁石ホルダー１
０５は図で上面にシールドリング１１０が取着で
き、その内部に磁界発生手段１２０のコア１２１
と永久磁石１２２が収納できるようにその先端部
外側にＵ字型ホルダー部１０５ａが形成されてお
り、又ターゲツトT1，T2及び冷却板１０３と所
定の間隙を有するように配置されている。
ス等の非磁性導電材からなる磁石ホルダー１０５
がボルトにより固定されている。磁石ホルダー１
０５は図で上面にシールドリング１１０が取着で
き、その内部に磁界発生手段１２０のコア１２１
と永久磁石１２２が収納できるようにその先端部
外側にＵ字型ホルダー部１０５ａが形成されてお
り、又ターゲツトT1，T2及び冷却板１０３と所
定の間隙を有するように配置されている。
磁界発生手段１２０のコア１２１と永久磁石１
２２とは、図示の通り、鉄、パーマロイ等の軟磁
性材の板状体からなるコア１２１が図で上部の先
端側に位置し、その背後に永久磁石１２２がター
ゲツトT1，T2のスパツタ面に垂直方向の磁界を
発生する磁極配置になるように固定枠１０６によ
りボルト等により固定される。なお、永久磁石１
２２は、所定長の角棒状磁石をその合成磁界が前
記プラズマ捕捉用磁界を形成するように並設した
ものである。従つてプラズマ捕捉用磁界はコア１
２１を磁極として発生するので、ターゲツトT1，
T2の周辺に均一な磁界を生じターゲツト使用効
率が向上する。
２２とは、図示の通り、鉄、パーマロイ等の軟磁
性材の板状体からなるコア１２１が図で上部の先
端側に位置し、その背後に永久磁石１２２がター
ゲツトT1，T2のスパツタ面に垂直方向の磁界を
発生する磁極配置になるように固定枠１０６によ
りボルト等により固定される。なお、永久磁石１
２２は、所定長の角棒状磁石をその合成磁界が前
記プラズマ捕捉用磁界を形成するように並設した
ものである。従つてプラズマ捕捉用磁界はコア１
２１を磁極として発生するので、ターゲツトT1，
T2の周辺に均一な磁界を生じターゲツト使用効
率が向上する。
シールドリング１１０が、磁石ホルダ１０５と
ターゲツトT1，T2との間の間隙を覆うようにタ
ーゲツトT1，T2の方に突き出して磁石ホルダ１
０５のホルダ部１０５ａの前面に設けられてい
る。従つて、シールドリング１１０は磁石ホルダ
１０５、ターゲツトホルダ１０１を介して接地さ
れる。
ターゲツトT1，T2との間の間隙を覆うようにタ
ーゲツトT1，T2の方に突き出して磁石ホルダ１
０５のホルダ部１０５ａの前面に設けられてい
る。従つて、シールドリング１１０は磁石ホルダ
１０５、ターゲツトホルダ１０１を介して接地さ
れる。
シールドリング１１０の前面（図で上面）から
磁石ホルダのホルダ部１０５ａの外面にかけて
は、ステンレス等からなる金網１０７が布設され
ている。金網１０７により、これら部位に堆積す
るスパツタ付着物のスパツタ中での剥離すなわち
異常放電が防止され、又清掃が簡単になり、生産
性、安定運転面で大きな効果が得られる。シール
ドリング１１０は冷却媒体を通すジヤケツト１１
１を設けてあり、水冷することによりシールドリ
ング１１０の加熱が防止されるため、スパツタ速
度をあげても、基板への輻射熱が少ないので基板
の熱変形が少なく、高速生産性が実現される。
磁石ホルダのホルダ部１０５ａの外面にかけて
は、ステンレス等からなる金網１０７が布設され
ている。金網１０７により、これら部位に堆積す
るスパツタ付着物のスパツタ中での剥離すなわち
異常放電が防止され、又清掃が簡単になり、生産
性、安定運転面で大きな効果が得られる。シール
ドリング１１０は冷却媒体を通すジヤケツト１１
１を設けてあり、水冷することによりシールドリ
ング１１０の加熱が防止されるため、スパツタ速
度をあげても、基板への輻射熱が少ないので基板
の熱変形が少なく、高速生産性が実現される。
シールドリング１１０の材質は導電材であれば
良く、前述のコア１２１と同様の軟磁性材でも良
く、その他銅、ステンレス等でも良い。図の配置
から明らかな通り、シールドリング１１０に軟磁
性材を用いると、シールドリング１１０は、コア
１２１と磁気的に結合するのでコア１２１に替つ
てあるいはそれと共に、磁界発生手段１２０の磁
界発生部位すなわち磁極として作用する。この構
成によるとターゲツトT1，T2に対する磁極位置
をシールドリング１１０の先端位置を調整するこ
とにより調整できる利点がある。
良く、前述のコア１２１と同様の軟磁性材でも良
く、その他銅、ステンレス等でも良い。図の配置
から明らかな通り、シールドリング１１０に軟磁
性材を用いると、シールドリング１１０は、コア
１２１と磁気的に結合するのでコア１２１に替つ
てあるいはそれと共に、磁界発生手段１２０の磁
界発生部位すなわち磁極として作用する。この構
成によるとターゲツトT1，T2に対する磁極位置
をシールドリング１１０の先端位置を調整するこ
とにより調整できる利点がある。
第１図に戻つて、以上の構成のターゲツト部１
００，１００′に取着され対向したターゲツトＴ，
T′の側方には、磁性薄膜が形成される長尺の基
板Ｓを保持する基板保持手段４０が、設けられて
いる。基板保持手段４０は、図示省略した支持ブ
ラケツトにより夫々回転自在かつ互いに軸平行に
支持された、ロール状の基板Ｓを保持する繰り出
しロール４１と、支持ロール４２と、巻取ロール
４３との３個のロールからなり、基板Ｓをターゲ
ツトT′，Ｔ間の空間に対面するようにスパツタ
面に対して略直角方向に保持するように配してあ
る。従つて基板Ｓは巻取ロール４３によりスパツ
タ面に対して直角方向に移動可能である。なお、
支持ロール４２はその表面温度が調節可能となつ
ている。
００，１００′に取着され対向したターゲツトＴ，
T′の側方には、磁性薄膜が形成される長尺の基
板Ｓを保持する基板保持手段４０が、設けられて
いる。基板保持手段４０は、図示省略した支持ブ
ラケツトにより夫々回転自在かつ互いに軸平行に
支持された、ロール状の基板Ｓを保持する繰り出
しロール４１と、支持ロール４２と、巻取ロール
４３との３個のロールからなり、基板Ｓをターゲ
ツトT′，Ｔ間の空間に対面するようにスパツタ
面に対して略直角方向に保持するように配してあ
る。従つて基板Ｓは巻取ロール４３によりスパツ
タ面に対して直角方向に移動可能である。なお、
支持ロール４２はその表面温度が調節可能となつ
ている。
一方、スパツタ電力を供給する直流電源からな
る電力供給手段５０はプラス側をアースに、マイ
ナス側をターゲツトＴ，T′に夫々接続する。従
つて電力供給手段５０からのスパツタ電力は、ア
ースをアノードとし、ターゲツトＴ，T′をカソ
ードとして、アノード、カソード間に供給され
る。
る電力供給手段５０はプラス側をアースに、マイ
ナス側をターゲツトＴ，T′に夫々接続する。従
つて電力供給手段５０からのスパツタ電力は、ア
ースをアノードとし、ターゲツトＴ，T′をカソ
ードとして、アノード、カソード間に供給され
る。
なお、プレスパツタ時基板Ｓを保護するため、
基板ＳとターゲツトＴ，T′との間に出入するシ
ヤツター（図示省略）が設けてある。
基板ＳとターゲツトＴ，T′との間に出入するシ
ヤツター（図示省略）が設けてある。
以上の通り、前述の特開昭57−158380号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高
速低温スパツタが可能となる。すなわち、ターゲ
ツトＴ，T′間の空間に、プラズマ捕捉用磁界の
作用によりスパツタガスイオン、スパツタにより
放出されたγ電子等が束縛され高密度プラズマが
形成される。従つて、ターゲツトＴ，T′のスパ
ツタが促進されて前記空間より析出量が増大し、
基板Ｓ上への堆積速度が増し高速スパツタが出来
る上、基板ＳがターゲツトＴ，T′の側方にある
ので低温スパツタも出来る。
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高
速低温スパツタが可能となる。すなわち、ターゲ
ツトＴ，T′間の空間に、プラズマ捕捉用磁界の
作用によりスパツタガスイオン、スパツタにより
放出されたγ電子等が束縛され高密度プラズマが
形成される。従つて、ターゲツトＴ，T′のスパ
ツタが促進されて前記空間より析出量が増大し、
基板Ｓ上への堆積速度が増し高速スパツタが出来
る上、基板ＳがターゲツトＴ，T′の側方にある
ので低温スパツタも出来る。
ところで、前述のターゲツトＴ，T′を分割す
ると共に磁界発生手段１２０もターゲツトの分割
に従つて分割した構成によれば磁界が、対面する
コア１２１，１２１′（ここで、以下“′”は図示
省略したターゲツトホルダ１００′のターゲツト
ホルダー１００の数字部位と同じ個所を示す）を
磁極とてターゲツトT1，T2，T1′，T2′の周縁を
囲撓するように形成され、かつターゲツトT1，
T2，T1′，T2′の内側には洩れ磁界が形成される
程度に弱いため、ターゲツトT1，T1′の周縁で形
成される磁界の分布とターゲツトT2，T2′周縁で
形成される磁界の分布とはほぼ独立に形成でき
る。
ると共に磁界発生手段１２０もターゲツトの分割
に従つて分割した構成によれば磁界が、対面する
コア１２１，１２１′（ここで、以下“′”は図示
省略したターゲツトホルダ１００′のターゲツト
ホルダー１００の数字部位と同じ個所を示す）を
磁極とてターゲツトT1，T2，T1′，T2′の周縁を
囲撓するように形成され、かつターゲツトT1，
T2，T1′，T2′の内側には洩れ磁界が形成される
程度に弱いため、ターゲツトT1，T1′の周縁で形
成される磁界の分布とターゲツトT2，T2′周縁で
形成される磁界の分布とはほぼ独立に形成でき
る。
ところで、ターゲツトT1，T1′及びT2，T2′の
表面からスパツタされる高いエネルギーを持つγ
電子は前述のターゲツトT1，T1′及びT2，T2′の
空間に放射されるが、ターゲツトの中央及び外周
部近傍までは磁界の影響を受けないためほぼ一様
なγ電子密度になりスパツタに使われるAr+イオ
ンの形成がターゲツト全面でほぼ一様になされ
る。ターゲツト外周縁部に形成されている強い磁
界部に到るγ電子は、磁界でターゲツト外周縁部
に垂直に形成されている磁力線に沿つてつる巻き
状に拘束されてターゲツトT1，T1′及びT2，
T2′間を往復運動する。この過程でAr+イオンを
形成するため、イオン化されたアルゴン粒子はタ
ーゲツトT1，T1′面及びT2，T2′面近傍の強い電
界で加速されターゲツト物質をスパツタし、高速
で膜形成が出来る。特に本発明によれば、ターゲ
ツト周囲に設けた磁界発生手段における磁極から
生じる洩れ磁束は、空隙を介してターゲツト表面
に流入するすなわちシールド端近傍ではマグネト
ロンスパツターの洩れ磁界に類似したターゲツト
面に平行する磁界も形成される。従つてγ電子は
シールド端とターゲツト面にほぼ水平方向に形成
される磁束に沿つてドリフトするため、シールド
端近傍でもAr+イオンが増殖する。この結果、タ
ーゲツトT1，T1′及びT2，T2′の全面がスパツタ
されてエロージヨンパターンが均一になるのでタ
ーゲツトの使用効率を向上できる。特にターゲツ
トの厚みを変えても磁界の分布は一様であるた
め、長時間連続スパツタが可能となり生産性を著
しく向上することが出来る。
表面からスパツタされる高いエネルギーを持つγ
電子は前述のターゲツトT1，T1′及びT2，T2′の
空間に放射されるが、ターゲツトの中央及び外周
部近傍までは磁界の影響を受けないためほぼ一様
なγ電子密度になりスパツタに使われるAr+イオ
ンの形成がターゲツト全面でほぼ一様になされ
る。ターゲツト外周縁部に形成されている強い磁
界部に到るγ電子は、磁界でターゲツト外周縁部
に垂直に形成されている磁力線に沿つてつる巻き
状に拘束されてターゲツトT1，T1′及びT2，
T2′間を往復運動する。この過程でAr+イオンを
形成するため、イオン化されたアルゴン粒子はタ
ーゲツトT1，T1′面及びT2，T2′面近傍の強い電
界で加速されターゲツト物質をスパツタし、高速
で膜形成が出来る。特に本発明によれば、ターゲ
ツト周囲に設けた磁界発生手段における磁極から
生じる洩れ磁束は、空隙を介してターゲツト表面
に流入するすなわちシールド端近傍ではマグネト
ロンスパツターの洩れ磁界に類似したターゲツト
面に平行する磁界も形成される。従つてγ電子は
シールド端とターゲツト面にほぼ水平方向に形成
される磁束に沿つてドリフトするため、シールド
端近傍でもAr+イオンが増殖する。この結果、タ
ーゲツトT1，T1′及びT2，T2′の全面がスパツタ
されてエロージヨンパターンが均一になるのでタ
ーゲツトの使用効率を向上できる。特にターゲツ
トの厚みを変えても磁界の分布は一様であるた
め、長時間連続スパツタが可能となり生産性を著
しく向上することが出来る。
本発明の他の効果は分割したターゲツトの幅方
向における膜厚の均一性の向上及び基板へのスパ
ツタ粒子付着効率が著しく向上することにある。
向における膜厚の均一性の向上及び基板へのスパ
ツタ粒子付着効率が著しく向上することにある。
以上本発明を実施例に基いて説明したが、本発
明はかかる実施例に限定されるものではない。
明はかかる実施例に限定されるものではない。
薄膜型磁気記録媒体等の連続製造に好適な例と
して基板にポリエステルフイルム等の高分子フイ
ルムの如き可撓性基板をロールアツプし、連続的
に移送しつつ形成するものを示したが、基板及び
その移送方式には何ら制限はなく枚葉方式等にも
適用できることは云うまでもない。
して基板にポリエステルフイルム等の高分子フイ
ルムの如き可撓性基板をロールアツプし、連続的
に移送しつつ形成するものを示したが、基板及び
その移送方式には何ら制限はなく枚葉方式等にも
適用できることは云うまでもない。
ターゲツト部の構造として、ターゲツトの交換
容易なものを示したが他の構造でも良いことも当
然である。
容易なものを示したが他の構造でも良いことも当
然である。
以上、本発明は、種々の態様を包含するもので
ある。
ある。
第１図は実施例の全構成の概略を示す概略構成
図、第２図はその一方のターゲツト部の平面図、
第３図は第２図のAB線での側断面図、第４図は
同じく第２図のCD線での側断面図、第５図は従
来例のターゲツト部の構成を示す側断面図であ
る。 １０……真空槽、２０……排気系、３０……ガ
ス導入系、４０……基板保持手段、５０……電力
供給手段、１２０……磁界発生手段、Ｔ，T′，
T1，T2……ターゲツト、Ｓ……基板。
図、第２図はその一方のターゲツト部の平面図、
第３図は第２図のAB線での側断面図、第４図は
同じく第２図のCD線での側断面図、第５図は従
来例のターゲツト部の構成を示す側断面図であ
る。 １０……真空槽、２０……排気系、３０……ガ
ス導入系、４０……基板保持手段、５０……電力
供給手段、１２０……磁界発生手段、Ｔ，T′，
T1，T2……ターゲツト、Ｓ……基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定距離を隔てて対向したターゲツトの周囲
に磁界発生手段によりターゲツト対向方向の磁界
を発生させ、ターゲツトの側方をその対向方向に
移送される基板上に膜形成するようにした対向タ
ーゲツト式スパツタ装置において、前記ターゲツ
トは基板巾方向が長い長方形で、長辺側で複数に
分割されており、且つ前記磁界発生手段はターゲ
ツトの分割個所にも前記磁界を発生するようにな
されていることを特徴とする対向ターゲツト式ス
パツタ装置。 ２ 前記磁界発生手段がターゲツトの周囲及び分
割個所に配置された磁極となる磁性材からなるコ
アと、コアに磁気的に結合した永久磁石とからな
る特許請求の範囲第１項記載の対向ターゲツト式
スパツタ装置。 ３ 永久磁石がターゲツトホルダの外側に取着さ
れている特許請求の範囲第２項記載の対向ターゲ
ツト式スパツタ装置。 ４ 前記コアがシールドリングである特許請求の
範囲第２項若しくは第３項記載の対向ターゲツト
式スパツタ装置。 ５ シールドリングが金網で被覆されている特許
請求の範囲第１項〜第４項記載のいずれかの対向
ターゲツト式スパツタ装置。 ６ シールドリングが冷却ジヤケツトを有する特
許請求の範囲第１項〜第５項記載のいずれかの対
向ターゲツト式スパツタ装置。 ７ 前記ターゲツトはターゲツトホルダ上に固定
された冷却溝を形成した冷却板上に取外可能に固
定されている特許請求の範囲第１項〜第６項記載
のいずれかの対向ターゲツト式スパツタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14296286A JPS63468A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14296286A JPS63468A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63468A JPS63468A (ja) | 1988-01-05 |
| JPH0411624B2 true JPH0411624B2 (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=15327707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14296286A Granted JPS63468A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63468A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006070623A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Fts Corporation | 対向ターゲット式スパッタ装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006336029A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Fts Corporation:Kk | 連続スパッタ装置および連続スパッタ方法 |
| JP6579796B2 (ja) * | 2015-05-18 | 2019-09-25 | 長州産業株式会社 | ミラートロンスパッタ装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5747870A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-18 | Fujitsu Ltd | Magnetron sputtering method for ferromagnetic material |
| JPS5922788B2 (ja) * | 1981-01-30 | 1984-05-29 | 株式会社日立製作所 | プレ−ナマグネトロン方式のスパッタリング装置及びその方法 |
| JPS58164781A (ja) * | 1982-03-23 | 1983-09-29 | Teijin Ltd | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14296286A patent/JPS63468A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006070623A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Fts Corporation | 対向ターゲット式スパッタ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63468A (ja) | 1988-01-05 |
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