JPH02187947A - 光磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。

Ａ　産業上の利用分野 Ｂ　発明の）既要 Ｃ従来の技術 Ｄ　発明が解決しようとする課題 Ｅ　　ｙＡ題を解決するための手段 Ｆ　作用 Ｇ　実施例 Ｉ］　発明の効果 Ａ　産業上の利用分野 本発明は、光磁気記録方法例えばレーザー光照射による
光（熱）磁気記録方法であって、その記録の読出しはカ
ー回転角の検出によって行うことができるようにした光
磁気記録方法に関わる。

Ｂ　発明の概要 本発明は、光磁気記録媒体の基本構造が、それぞれ垂直
磁気異方性を有する第１及び第２の磁性薄膜が面内磁気
異方性もしくは小さい垂直磁気異方性を有する第３の磁
性薄膜を介して順次磁気的に結合された構造を採るもの
であるが、第１の本発明は、さらに第１の磁性薄膜が第
１の構成膜と第２の構成膜とにより構成するものであり
、第２の本発明は、さらに第１の磁性薄膜上にカー回転
角の大なる光磁気再生薄膜が第１の構成股上に磁気的に
結合して積層された構成をとり、第１の構成膜のキュリ
ー温度ＴＣＩ＋　より第２の構成膜のキュリー温度’Ｉ
”ＣＩ□を大とするものであり、第２の本発明における
光磁気再生膜は、 ２Ｍ５ＲｈＲＨｃＲ＋　２Ｍｓ目ｈ＋　＋Ｈｃ口＜　ａ
　ｗａ　＋２Ｍｓ＋　ｚｈ＋　２１１ＣＩ　Ｚ（ここに
、Ｍ　ｓ　Ｉｌｌ　Ｍ　ｓ　１１及びＭ１１□、ｆｉｌ
ｌ＋）Ｉｌｌ及びｈ１２、ＨＣＲＩＨＣｌｌ及びＨｃ、
２はそれぞれ上記光磁気再生薄膜、第１及び第２の各構
成膜の飽和磁化、膜厚、保磁力であり、σｗａは上記第
２の構成膜と上記第２の磁性薄膜との間の磁壁エネルギ
ー）を満足する構成をとり、第１及び第２の本発明にお
いては、各媒体に対して上記キュリー温度Ｔｃ近傍で第
２の磁性薄膜の磁気モーメントの反転が生じることなく
、かつ第２の構成膜の磁気モーメントが第２の磁性薄膜
の磁気モーメントに追従して変化するに充分な温度Ｔ１
に加熱する第１の加熱状態と、キュリー温度Ｔ。Ｉ□以
上でかつ第２の磁性薄膜の磁気モーメントを反転させる
に充分な温度Ｔ２に加熱する第２の加熱状態とを、記録
しようとする情報信号に応じて変調し、それぞれ第１の
磁性薄膜の第２の構成膜の磁化に追従して第１の構成膜
にも記録磁化を形成し、さらに光磁気再生薄膜に記録磁
化を形成するものであって情報の記録を行い、かつこの
記録を他の情報に書き換えるいわゆるオーバーライド（
ｏｖｅｒｗｒｉｔｅ）が可能な状態にするものであり、
安定した記録及び再生とを行わしめる。

Ｃ従来の技術 光磁気相互作用によって情報ビット（磁区）の読み出し
を行う記録媒体に対してのその情報の光（熱）磁気記録
方法においては、垂直磁化膜による磁性薄膜を有する記
録媒体に対し、その磁化の方向を膜面に垂直な一方向に
予め揃えるいわゆる初期化を施しておき、この磁化方向
と反対向きの垂直磁化を有する磁区をレーザー光照射等
の局部加熱により形成することによって、２値化された
情報ビットとして情報を記録している。

光（熱）磁気記録方法においては、情報の書き換えに先
立って、記録された情報の消去（上記初期化に相当）の
過程すなわち消去のための時間を要し、高転送レートで
の記録を実現できない。これに対し、このような独立の
消去過程の時間が不要とされた重ね書きによるいわゆる
オーバーライド方式による記録方法が種々提案されてい
る。このオーバーライド方式の光磁気記録方法の中で有
望視されている方法としては、例えば媒体に対する外部
磁場変調法と、記録用のヘッドの他に消去用のヘッドを
設ける２ヘツド法とが知られている。

外部磁場変調法とは、例えば特公昭６０−４８８０６号
公報に開示されているように、膜面に垂直な磁化容易軸
を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に対する昇温用
ビームの照射領域に人力デジタル信号電流の状態に対応
する極性の磁場を印加することにより記録を行うもので
ある。

ところで、上述のような外部磁場変調法によって情報転
送レートの高い高速記録を行おうとすると、例えばＭＨ
ｚオーダで動作する電磁石が必要となる。このような電
磁石の作製は困難であり、また作製できたとしても消費
電力及び発熱が大きく実用的でないという問題点がある
。また、２ヘツド法では、余分なヘッドを必要とし、２
つのヘッドを離して設置しなければならず、ドライブシ
ステムへの負担が大きく、経済性が悪く、量産にも向か
ない等の問題点を存している。

そこでレーザー光等による媒体の加熱温度を切換制御す
るのみで容易に書き換えすなわちオーバーライドが可能
な光磁気記録方法が有用である。

本出願人は、このような問題点の解決をはかる光（熱）
磁気記録方法を、特開昭６３−５２３５４号出願、及び
特開昭６３−５２５３５号出願で提供した。これら出願
で提案された光（熱）磁気記録方法は、第１及び第２の
希土類−遷移金属磁性薄膜の積層構造による熱磁気記録
媒体を用い、所要の第１の外部磁場の印加の下に第１の
磁性薄膜のほぼキュリー温度’Ｔ”ｃ＋以上でかつ第２
の磁性薄膜の副格子磁化の反転が生じない第１の温度Ｔ
、に加熱する第１の加熱状態と、温度Ｔ、１以上でかつ
第２の磁性薄膜の副格子磁化を反転させるに充分な第２
の温度Ｔ２に加熱する第２の加熱状態とを、記録しよう
とする情報例えば“０”、“１′に応じて切換変調し、
冷却過程で、第１及び第２の磁性薄膜の交換結合力によ
り第１の磁性薄膜の副格子磁化の向きを第２の磁性薄膜
の副格子磁化の向きに揃えて、例えば０”　＋＋　１　
＋＋の記録ビット（磁区）を第１の磁性薄膜に形成する
と共に、第２の外部磁場によって、或いは第２の磁性薄
膜組成を、その補償温度が室温から第２の温度Ｔ２間に
存在するように選定すること乙こよって、室温で第１の
外部磁場のみによって第２の磁性薄膜の副格子磁化が反
転するようにして、オーバーライドが可能な状態を得る
ようにするものである。

この場合、消去のための特別の過程（時間）を要するこ
とがなく高転送レート化を図ることができるとか、上述
した２ヘッド方式あるいは外部磁場変調方式による場合
の諸課題を解決できる。

上記特開昭６３−５２５３４号出願による光（熱）磁気
記録方法について説明すると、この記録方法では、第１
０図に温度Ｔに対応して上述した第１及び第２の各磁性
薄膜（１）及び（２）における各磁化状態を各図示の薄
膜（１）及び（２）内に矢印をもって模式的に示すよう
に、室温Ｔ、下において、両磁性薄膜（１）及び（２）
の磁化の向きが同一である状態Ａと、互いに逆向きの状
態Ｂとの２態様によって例えば“Ｏ”１゛°の情報の記
録がなされる。そして、これら記録は、外部磁場Ｈｅｘ
の印加と、レーザー光照射による第１及び第２の加熱温
度Ｔ、とＴ２による加熱によって行われる。まず例えば
状態Ａにある部位に対してレーザー光を照射して、この
レーザー光の強度あるいは照射時間を記録信号に応じて
変調制御してその加熱温度Ｔを、第１の磁性薄膜（１）
のほぼキュリー温度ＴｃＩ以上でかつ所要の外部磁場Ｈ
ｅｘによって第２の磁性薄膜（２）に磁化反転の生じな
い第１の加熱温度Ｔ、に加熱する。このような加熱を行
うと第１の磁性薄膜（１）は磁化を失う状態Ｃを示すが
、この加熱が終了して磁性Ｙ’Ｊ膜（１）及び（２）の
積層膜が温度’Ｔ’ｃ＋に下がると第１の磁性薄膜（１
）に磁化が生じる。このとき、第２の磁性薄膜（２）と
の交換結合力が支配的となるようになされていて、これ
によって第１の磁性薄膜（１）の磁化の向きは、第２の
磁性薄膜（２）と同一の向きとされる。

つまり、状態Ａを生じさせて、例えば１１０１＋の情報
の記録を行う。

一方、加熱温度Ｔを、上述の温度Ｔ１より高くかつ第２
の磁性薄膜（２）の磁化を外部磁場Ｈｅｘにより反転さ
せるに充分な第２の加熱温度Ｔ２に加熱する。このよう
な加熱を行うと第１の磁性薄膜（１１は磁化を失い、第
２の磁性薄膜（２）の磁化が反転した状態りが生じるが
、この加熱が終了して磁性薄膜（１）及び（２）の積層
膜が温度’Ｉ”ａｔに下がると第１の磁性薄膜（１）に
第２の磁性薄膜（２）による交換結合力によって状態Ｅ
１すなわちもとの初期状態とはその磁化の向きが逆の状
態が形成されるが、このとき外部補助磁場Ｈ５ｔｌｂの
印加によって室温Ｔ、ｌ近傍で第２の磁性薄膜（２）の
磁化の向きを反転させ両磁性薄膜（１）及び（２）間に
は磁壁ＭＷが生じた磁化状態Ｂ、つまり磁化状態Ａとは
第１の磁性ａ　Ｉｌａ　（１）の磁化の向きのみが反転
した状態Ｂを住じさせて例えば”ｔ″の情報の記録を行
う。

このように状態Ａ及び状態Ｂにより情報゛Ｏ“Ｉｔ　Ｉ
　ＩＩの記録がなされるものである。そして、この場合
これら状態Ａ及び状態Ｂのいずれにおいてもこれの上に
光強度変調オーバーライドが可能である。すなわちいず
れの状態Ａ１状態Ｂからも温度ＴＩ及びＴ２の加熱を行
う場合、状態Ｃの過程を経ることによって前述したと同
様に温度Ｔ、及びＴ２の選定によって初期の状態が状態
Ａであるか状態Ｂであるかを問わず情報“Ｏ゛及び１゛
によって状態Ａ及び状態Ｂのオーバーライドが可能とな
る。

上述の構成による光磁気記録媒体では、その第１及び第
２の磁性薄膜（１）及び（２）の積層膜の界面には、交
換エネルギーが働いており、このために第１の状態Ｂで
は磁壁ＭＷが発生するものであり、磁壁エネルギーσ０
は、 σｕ　＝　２　（σ＋に＋＋Ｄ■旧）　　・・・・（１
）（Ａ、及びＡ２．に、及びに２は第１及び第２の磁性
薄膜（１）及び（２）の交換定数、垂直磁気異方性定数
）そして、そのオーバーライドのために必要な条件は、
室温（−２０°Ｃ〜６０°Ｃ）において状態Ｂから状態
Ａへの移行が生じることがないようにするための条件は
、 Ｈｃ＋＞Ｈｓｕ＝σｗ／２Ｍｓ＋ｈ＋　　　　・・・・
（２）である。

また状態Ｂから状態Ｅへの移行が生じないようにするた
めの条件は ）１ｃｚ＞ｌ（ｗｚ−σ。／２Ｍ５ｚｈｚ　　　　・・
・・（３）の条件を満足することが必要である。

さらにまた状態已において、その第１の磁性薄膜（１）
が、外部補助磁場Ｈ５Ｌｌｂによって反転してしまうこ
とがないようにするためには、 ）（ｃ＋　＋　Ｈｗ＋＞　Ｈｓｕｂ　　　　　　”　”
　（４＋）を満足する必要がある。ここに左辺の十−は
、第１の磁性薄膜（１）が希土類金属優勢膜であり、第
２の磁性薄膜（２）が遷移金属優勢膜である場合は「＋
」となり、第１及び第２の磁性薄膜（１）及び（２）が
共に遷移金属優勢膜である場合は「−」となる。

一方杖ＢＥから状態Ｂへの移行を生ぜしめるためには、 Ｈｃｔ　＋Ｈｗｚ　＜　Ｈｓｕｂ　　　　　　　・・・
・（４ｚ）を満足することが必要である。

また、さらに加熱温度が第１の磁性薄膜（１）のキュリ
ー温度ＴＣ１近傍において、状態Ｃから状態Ａへの移行
、すなわち第１の磁性薄膜（１）の磁化の向きが第２の
磁性薄膜（２）の磁化の向きに揃えられるためには、 Ｈｗ＋＞Ｈｃｔ＋Ｈｅｘ　　　　　　　　・・・・（５
）式の条件が満足されることが必要であり、さらに状態
Ｃから状態Ｅへの移行が生じないために、Ｈｃｚ　　Ｈ
ｗｚ＞ＨｅＸ　　　　　　　　＋＋　−・（ｓ）式の条
件が満足されることが必要である。

尚、上記各式においてＨ８１及びＨ，□は（２）　（３
）式で定義された交換結合力による実効的磁界、ＨＣＩ
及びＨＣＺ、Ｍ　３１及びＭＳ２、ｈｌ及びｈ２はそれ
ぞれ第１及び第２の磁性薄膜の保磁力、飽和磁化、厚さ
である。

これらより明らかなように、室温においては上記（２）
式及び（３）式を満足し得る上で磁壁エネルギーσ、は
小さい方が望ましいが、実際には例えば文献：インター
マグ８７（Ｉｎｔｅｒｍａｇ’８７）ＢＢ　　０７より
Ｋ　〜４　Ｘ　１０’ｅｒｇ／ｃＴＡ、　Ａ　＝　２　
Ｘ　１０−’ｅｒｇ／ｃｍと推定すると、 σｗ＝２．５ｅｒｇ／ｃｆｆｌ という可成り高い値を示す。

一方、２層膜ヒステリシスループからの実測値ではσ、
１−３〜８ｅｒｇ／ｃ１１！にある。今、仮にσ。−５
ｅｒｇ／ｃｉとし、Ｈｃ　Ｍ　ｓ−０，４５Ｘ　１０’
ｅｒｇ／ｃ［を用いてＨｅｘ　＝　２ｋＯｅとして上記
（６）式を室温Ｔ、ｌで確保するには、すなわちＨｃ、
−Ｈ，□＞２ｋＯｅを確保するには、ｈ２＝１１００人
、　　Ｈｃｚ　＝　４ｋＯｅ、　　Ｈｗｚ　＜　２ｋＯ
ｅ程度となり、第２の磁性薄膜（２）の膜厚ｈ２が大き
くなるとともに（４□）式より外部補助磁場Ｈｓｕｂが
大きくなる。

一方、光磁気記録媒体からの記録の再生は光例えばレー
ザー光照射によってその情報ビットすなわち磁区におけ
るカー回転角θにの相違を検出してその読み出しを行う
。この場合、その再生膜としてカー回転角θｋが大きい
磁性薄膜を用いることが望まれる。ところが一般にキュ
リー温度が低い磁性薄膜はカー回転角が小さい。したが
って上述した第１及び第２の磁性薄膜（１）及び（２）
の積層構造による磁気記録媒体を用いる場合、その再生
層としての第１のるａ外層は、前述した動作を行わしめ
る上でそのキュリー温度Ｔｃｌが低く選ばれていること
からカー回転角θには比較的小さくなるという問題があ
る。これに対して例えば特開昭６３４８６３７号公報に
開示された光磁気記録媒体においては、その第１の磁性
薄膜上に再生層としてキュリー点が高いすなわちカー回
転角の大きい再生層を設けるという方法がとられている
。

Ｄ　発明が解決しようとする課題 前述の第１０図で説明した光磁気記録方法において、そ
の室温での磁壁エネルギー密度σＷを小さくし、かつ上
記（４２）式を満足させるようなσ−の温度特性を改善
することによって第２の磁性薄膜（２）の膜厚ｈ２及び
外部補助磁場Ｈｓｕｂの減少をはかるものとして本出願
人は先に特願昭６３−１７４６９５号出願「熱磁気記録
方法」及び特願昭６３−２７２４（１０号出願「熱磁気
記録方法」の提案をなした。

上記特願昭６３−１７４６９５号出願で提案された記録
方法においては、第１１図に示すように、熱磁気記録媒
体（１０）を用意するものである。この熱磁気記録媒体
（１０）は、垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁
性薄膜（１）及び（２）が面内磁気異方性もしくは小さ
い垂直磁気異方性を有する第３の磁性薄膜（３）を介し
て順次磁気的に結合されて積層された積層膜を有してな
る。

そしてこの記録媒体（１０）に対してレーザー光照射に
よる温度Ｔを第１０図で説明したと同様に第１１図に示
すように、第１及び第２の温度Ｔ１及びＴ２に加熱する
ことによる情報記録を行う。すなわち、第１の磁性薄膜
（１）のほぼキュリー温度ＴｃＩ以上でかつ第２の磁性
薄膜（２）の磁気モーメントの反転の生じない第１の温
度Ｔ１に加熱する第１の加熱状態と、第１の磁性薄膜（
１）のキュリー温度’ｒ’ｃ、５以上でかつ第２の磁性
薄膜（２）の磁気モーメントを反転させるに充分な第２
の温度Ｔ２に加熱する第２の加熱状態とを、記録しよう
とする情報信号に応じて変調し、それぞれの加熱状態か
ら冷却することにより上述した状態Ａ及び状態Ｂを得る
。

このような方法においても、第１の磁性薄膜（１）の磁
化状態によって情報記録を行うものであるが、この方法
による場合、第１及び第２の磁性薄膜（１）及び（２）
が面内磁気異方性もしくは小さい垂直磁気異方性を有す
る第３の磁性薄膜（３）を介して磁気的に結合されてい
ることによって、第１及び第２の磁性薄膜（１）及び（
２）間の磁壁エネルギーσ８が低減化され、これによっ
て前記（４□）式の条件が満たされやすくなり、前記状
態ＥからＢへの移行のための外部補助磁場ＨＳｕｂの低
減化をはかることができると共に積層膜全体の厚さの低
減化をはかることができる。

ところが、この第１〜第３の磁性薄膜（１）〜（３）に
よる３層構造においても、温度Ｔ１及びＩ２を与える光
強度変調オーバライドを実現するのに、少くとも下記（
１１）弐及び（Ｉ２）式を満足する必要がある。すなわ
ち、第１の磁性薄膜（１）のキュリー温度Ｔｃｌの直下
の温度、すなち’Ｔ”ｃ＋の近傍でこれより低い高温度
では、第２の磁性薄膜（２）の磁化状態の第１の磁性薄
膜（１）への転写が生じるために、すなわち状態Ｃから
状態Ａへの移行、及び状態りから状態Ｅへの移行を生せ
しめるために前記（５）式に対応して、 σｗａ＞２Ｍｓ＋ｈ＋Ｈｃ＋　　　　　　　　”　・・
（１１）を満足することが必要であり、片や室温では第
１の磁性薄膜（１）の記録磁区の保存あるいは再生時に
おいて、 σｈａ＜２Ｍｓ＋）１＋Ｈｃ＋　　　　　　　＋Ｈ＋＋
　（１２）が満たされることが必要となる。ここにσｗ
ａは、第１及び第２の磁性薄膜（１）及び（２）間、つ
まりほぼ第３の磁性薄膜（３）の位置に存在する磁壁エ
ネルギーで前記σ−に対応する。またこれら条件式（１
１）及び（１２）において外部磁場は、保磁力ＭＣＩが
１ｋＯｅ〜２ｋＯｅ程度にあるに比し、例えば２００〜
３００　（Ｏｅ）程度の小さい値であることからこれを
無視している。

このように室温付近と第１の磁性薄膜（１）のキュリー
温度Ｔ、１直下の高温下とで、σｗａと２Ｍ３１ｈｌｌ
（ｃ＋の大小関係が逆転しなければならないことになる
。

すなわち、第１２図に示すようにＥＩＩｃ＋＝２Ｍｓ＋
ｈ＋Ｉ＋ｃ＋。

Ｅｗａ−σｗａの各温度特性の関係を実線曲線（３１）
及び破線曲線（３２）で示すように、所要の温度Ｔ、で
そのエネルギーの大小関係が逆転することが要求される
ことになる。この場合、σｗａと２Ｍｉ＋ｈＪｃ＋とが
等しくなる温度Ｔ、が、おおよそ第１の磁性薄膜（１）
の磁化が第２の磁性薄膜（２）の磁化に揃うすなわち消
去温度となる。

実際には、式（１１）及び式（１２）が単に満足されれ
ばよいわけではなく、第１の磁性薄膜（１）のキュリー
温度ＴＣ＋直下の温度では（σＷａ　　２Ｍｓ＋ｈ＋Ｈ
ｃ＋）が大きいほどよく、一方室温付近では（２Ｍｓ＋
ｈ＋Ｈｃ＋−σｗａ）が大きいほど記録ビットすなわち
磁区が安定に保存される。また、量産時には温度Ｔ、を
安定に制御する必要があるが、上述の３層構造では実際
上Ｅｗａ及びＥＨＣＩの温度特性に大きな差が生じない
ことによってＥｗａまたはＥＨＣＩ　の変動に対して温
度Ｔ１が大きく変化してしまう。

一方、上述の３層構造による光磁気記録媒体において、
その再生出力を上げる上で前述したカー回転角θにの大
きい再生層を設けることを想定すると、第１１図に模式
的に示すように、基板（２１）上に再生層すなわちキュ
リー温度が高いすなわちカー回転角θにの大きい垂直磁
化膜よりなる再生層（２２）とさらにこれの上に順次第
１１図で説明した第１の磁性ｉｉＪ膜（１）、第３の磁
性薄膜（３）、第２の磁性薄膜（２）を順次積層して構
成することになる。ところが、この場合第１４図に示す
ように各磁性膜上に矢印をもってその遷移金属例えば鉄
Ｆｅのスピンの方向を示すように先の記録状態が再生層
（２２）と第２の磁性層（２）とのスピンの向きが逆の
向きである場合オーバライドに当ってのＴ、の温度とし
た場合に第１の磁性薄膜（１）における磁化の向きが再
生層（２２）及び第２の磁性薄膜（２）からの両者のス
ピンによって不安定な状態となり、第１の磁性薄膜（１
）が第２の磁性薄膜（２）の磁化状態に追従すなわち転
写して例えば第１１図で説明した状ＢＡがスムーズに得
られなくなる場合が生じてくる。そして、この転写がス
ムーズに行われるためには６　ｗａ　＞２Ｍｓ＋ｌｌ＋
Ｈｃ＋　＋　２Ｍ５ａｈ＋＋）Ｉｃ＊　　　　・・”　
（１３）である、とが必要となる。ここにＭｓＲ５ｈＲ
及びＨＣＲは再生層（２２）の飽和磁化、膜厚及び保磁
力である。そして、この場合再生層（２２）と第１の磁
性層１１）との界面磁壁エネルギーは２Ｍｓ＊ｈＪｃ＋
＋に比べて充分大きいものとする。このように、再生層
（２２）が設けられることによって（１３）弐の右辺が
大となるので、（１３）式を成立し易くするには例えば
再生層（２２）のＤｉ厚ｈＲを薄くしなければならない
ことになり再生層としての効果が薄くなるという問題が
生じてくる。そして、この再生層の厚さの犠牲を回避す
るにはσｗａを大きくする必要が生じてくるが、この場
合は前述した第３の磁性薄膜（３）として室温で面内磁
化あるいは小さい垂直磁化膜を設けることと相客れなく
なる。

本発明の１の目的は、上述した第１及び第２の磁性薄膜
と両者間に介在する第３の磁性薄膜との３層構造を基本
構造とするものにおいてその第１の磁性層のキュリー温
度ＴＣＩ直下の温度及び室温下で共に前記（１１）式及
び（１２）式を確実に満足することができるようにし、
さらにその温度Ｔ１を上述した消去温度Ｔ、を安定に設
定できるようにすることである。

本発明の他の目的は、上述した３層の基本構造において
再生層すなわちカー回転角の大きい光磁気再生薄膜を設
ける場合における不安定性の課題の解決をはかることに
ある。

Ｅ　課題を解決するための手段 先ず第１の発明は、第１図にその路線的断面図を示すよ
うに、それぞれ垂直磁気異方性を有する第１の構成膜（
１，）と第２の構成膜（１□）とより成る第１の磁性薄
膜（１）と、垂直磁気異方性を有する第２の磁性薄膜（
２）とが、第１の磁性薄膜（１）の第１の構成膜（ＩＩ
）と第２の磁性薄膜（２）との間に面内磁気異方性もし
くは小さい垂直磁気異方性を有する第３の磁性薄膜（３
）を介して順次磁気的に結合されて積層された積層膜を
含む光磁気記録媒体Ｓ１を用いる。そして、ここに第１
の磁性薄膜（１）の第１の構成膜（１１）のキュリー温
度Ｔｃ、より第２の構成膜（１□）のキュリー温度Ｔｃ
、□が大にされるものであり、キュリー温度Ｔｃ１１近
傍で、第２の磁性薄膜（２）の磁気モーメントの反転が
生ずることがなく、かつ第１の磁性薄膜（１）の第２の
構成膜（１□）の磁気モーメントが第２の磁性薄膜（２
）の磁気モーメントに追従して変化するに充分な温度Ｔ
、に加熱する第１の加熱状態と、キュリー温度Ｔｃ１１
以上でかつ第２の磁性薄膜（２）の磁気モーメントを反
転させるに充分な温度Ｔ２に加熱する第２の加熱状態と
を、記録しようとする情報信号に応じて変調し、それぞ
れ加熱状態から冷却することにより第１の磁性薄膜（１
）の第２の構成膜（１２）の磁化に追従して第１の構成
膜（１υにも記録磁化を形成する。

また、第２の発明は、第２図にその路線的断面図を示す
ように、それぞれ垂直磁気異方性を有する第１の構成膜
（ｌ、）と第２の構成膜（１□）とより成る第１の磁性
薄膜（１）と、垂直磁気異方性を有する第２の磁性薄膜
（２）とが、第１の磁性薄膜（１）の第１の構成膜（１
１）と第２の磁性薄膜（２）との間に面内磁気異方性も
しくは小さい垂直磁気異方性を有する第３の磁性薄膜（
３）を介して順次磁気的に結合されると共に、上記第１
の磁性薄膜の第１の構成膜（１，）上に磁気的に結合す
る光磁気再生薄膜（４）が積層された積層膜を含む光磁
気記録媒体Ｓ２を用いる。

そして、ここに第１の磁性薄膜（１）の第１の構成膜（
ＩＩ）のキュリー温度Ｔｃ、　、より第２の構成膜（１
□）のキュリー温度Ｔｃ、□が大とされるものであり、
更にその光磁気再生薄膜（４）は、 （ここに、Ｍ　５　Ｈ、Ｍ　５１１及びＭ　５１□、ｈ
Ｒ＋１１１１及びｈ１２、ＨＣＲＩＨＣｌｌ及びＨｃ１
１はそれぞれ光磁気再生薄膜（４）、第１及び第２の構
成膜（１１）及び（１２）の各飽和磁化、膜厚、保磁力
であり、σ目は第２の構成膜（１□）と第２の磁性薄膜
（２）との間の磁壁エネルギー）を満足し、かつカー回
転角θｋが第１の構成膜（１υに比して大に選ばれる。

このような光磁気記録媒体Ｓ２が用いられて、上述した
キュリー温度Ｔｃ、　１１近傍で、第２の磁性薄膜（２
）の磁気モーメントの反転が生じず、かつ第１の磁性薄
膜（１）の第２の構成膜（１□）の磁気モーメントが第
２の磁性薄膜（２）の磁気モーメントに追従して変化す
るに充分な温度Ｔ１に加熱する第１の加熱状態と、上記
キュリー温度１゛ｃ１□以上でかつ第２の磁性薄膜（２
）の磁気モーメントを反転させるに充分な温度Ｔ２に加
熱する第２の加熱状態とを、記録しようとする情報信号
に応じて変調し、それぞれ加熱状態から冷却することに
より第１の磁性薄膜（１）の第２の構成膜（１□）の磁
化に追従して第１の構成膜（ｌ、）及び光磁気再生薄膜
（４）にも記録磁化を形成するようにする。

そして、上述の各構成において、第１の磁性薄膜（１）
の第１及び第２の構成膜（１，）及び（１□）のキュリ
ー温度Ｔｃ１１及びＴ’ｃ＋□と、第２及び第３の磁性
薄膜（２）及び（３）の各キュリー温度Ｔｃｚ及びＴｅ
３とは、Ｔｃｚ＜Ｔｃ１２＜Ｔｃ＋、Ｔｃｔに選定され
る。

Ｆ　作用 第１図で説明した第１の発明によれば、第１の磁性薄膜
（１）を、第１及び第２の構成膜（ｌＩ）及び（１□）
によって構成し、各構成膜（ＩＩ）及び（１□）のキュ
リー温度Ｔｃ１１及びＴ　ｃ　Ｉ　２を、第２の磁性薄
膜（２）側の構成膜（１□）のキュリー温度’ｒ’ｃ１
２を大に、つまり、Ｔ　ｃ　、＜　Ｔ　ｃ　＋□とじた
ことに特徴を有する。

すなわち本発明によるときは、例えば第３図に示すよう
に、２層構造による第１の磁性薄膜（２）の実効的保磁
力エネルギーは、それぞれキュリー温度の相違する第１
及び第２の構成膜（１１）及び（１２）のエネルギーは
、曲線（４，、）で示すＥ）ＩＣ，。

（−２Ｍｓｚｈｚ）ｌｃｚ）と、曲線（４１２）で示す
ＥＨｃＩ２（−２Ｍｓ１２ｈ＋Ｊｃ１２）との和、すな
わち曲線（４１）となり、キュリー温度Ｔ　ＣＩ　１近
傍で変曲点を有し、Ｔ、１１より低い室温側で急峻な温
度特性を示す。

一方、Ｅｗａは曲線（４２）で示すように直線的特性を
示すので、温度Ｔ１より低い温度では両者の差が大とな
り記録情報ビットすなわち磁区が安定に保持され、また
、光磁気記録媒体の製造において、Ｅｗａ＋Ｅｏｃ＋＋
及びＥＨｃ１２に多少の変動が生じた場合でも、両特性
曲線（４２）及び（４１）の交叉する温度Ｔ、が大きく
変動することが回避される。そして、温度Ｔ１近傍の高
い温度では、第１の磁性薄膜（１）が、第２の構成膜（
１□）のみによる特性に依存することになることから、
第１の磁性薄膜（１）の実効的厚さは、第２の構成膜（
１２）の厚さｈ１□　のみの薄い膜厚となり、（１１）
式をも満足することができる。

また第２図で説明した第２の本発明によれば、更に加え
て、カー回転角θにの大きい光磁気再生薄膜（４）が設
けられる構成がとられ、かつ前記（２１）式を満足する
構成としたことによってオーバーライドに当って第１の
磁性層（１）がキュリー温度の高い光磁気再生薄膜（４
）による磁化の向きによって不安定性を招来することな
く第１の構成膜（１，）のキュリー温度Ｔｃ１１近傍で
、確実に第１の構成膜（１１）が第２の構成膜（１□）
に追従して記録磁化が生じるようになされる。

Ｇ　実施例 第１の本発明方法における光磁気記録媒体Ｓは、第１図
に示すようにガラス板やアクリル板等の光透過性基板（
５）の一方の面に、保護膜又は干渉膜となる透明の誘電
体膜（６）を介して第１の磁性薄膜（１）を構成する第
１及び第２の構成膜（１１）及び（１□）と、第３の磁
性薄膜（３）と、第２の磁性薄膜（２）とを順次積層形
成する。

第１図の磁性薄膜（１）の第１及び第２の構成膜（１，
）及び（１２）は希土類−遷移金属薄膜で比較的垂直磁
気異方性Ｋｕが大きい材料例えば　ＴｂＦｅＣｏで構成
される。画構成膜（１，）及び（１２）は共に希土類優
勢膜或いは遷移金属優勢膜のいずれによっでも構成し得
るが以下の条件を満す必要がある。すなわち第２の構成
膜（１２）のキュリー温度Ｔｅ１１直下でσｉｖａ＞２
Ｍｓ１２ｈ＋Ｊｃ１２＋２Ｍｓ１２ｔ＋１２Ｈｅｘ　　
・＝・（３１）Ｔｅ１１直下で σ−ｂ＞２１’ｌｓ＋＋ｈＩＩＨｃ＋＋＋２Ｍｓ＋＋ｈ
＋＋）ｔｅｘ　　−−−−＋３２）（ここに、σｗｂは
第１の構成膜（１１）と第２の構成膜（１２）との界面
の磁壁エネルギー密度、Ｈｅｘは外部磁場すなわち外部
記録磁場である。）なる条件を満すものとする。

また、第２の本発明方法における光磁気記録媒体Ｓ２は
、上述した第１の本発明方法における光磁気記録媒体Ｓ
、の構成に加えて第２図に示すように光磁気再生薄膜（
４）が設けられる。すなわち、この第２の本発明方法に
おける光磁気記録媒体Ｓ２についても、第２図に示すよ
うにガラス板やアクリル板等の光透過性基板（５）が設
けられ、その一方の面に、保護膜又は干渉膜となる透明
の誘電体膜（６）を介して、光磁気再生薄膜（４）と、
第１の磁性薄膜（１）を構成する第１及び第２の構成膜
（１，）及び（１２）と、第３の磁性薄膜（３）と、第
２の磁性薄膜（２）とを順次積層形成する。

そして、これら光磁気記録媒体ＳＩ及びＳ２の各膜（６
）、　（１，）、　（１□）、　（３）、　（２）、或
いは各膜（６）、　（４）。

（１，）、　（１□）、　（３）、　（２）の積層形成
は、それぞれ例えばマグネトロン型スパッタリング装置
を用い例えば多源スパッタリングすなわち多源ターゲッ
トから連続的ないしは同時的に積層スパッタリングして
形成し得る。

各光磁気記録媒体Ｓ、及びＳ２の第３の磁性薄膜（３）
は、室温で面内磁気異方性もしくは第１及び第２の磁性
薄膜（１）及び（２）に比し小さい垂直磁気異方性の例
えばＩ　Ｘ　１０ｈｅｒｇ　／　ｃ♂以下であることが
好ましくかつその有効異方性定数にの温度特性曲線が上
に凸の特性ないしは直線的特性を示す希土類優勢金属膜
で、室温での飽和磁化Ｍｓが０〜４５０ｅｍｕ／　ＣＴ
Ｒであることが望まれる。

また匣体Ｓ１及びＳ２において第２の磁性薄膜（２）は
、垂直磁気異方性の大きいＧｄＴｂＦｅＣｏによって構
成し得る。

先ず光磁気記録媒体Ｓ、による第１の発明について、実
施例を挙げて説明する。

実施例１ 下記表１に示す組成、磁気的特性及び膜厚を有する各磁
性薄膜（Ｌ）、　（１□）、　（３）、　（２）を有す
る第１図に示した構成の光磁気記録媒体ＳＩを作製した
。

表１ この光磁気記録媒体ＳＩを用いて光磁気記録を行う場合
の動作態様を第４図の磁化状態図をもって説明する。第
４図において各膜（１，）、　（１□）、　（３）及び
（２）中に遷移金属Ｆｅのスピンの向きを矢印をもって
示す。この場合、外部磁場Ｈｅｘ及び外部補助磁場Ｈ５
Ｌｌｂの方向は磁性薄膜（２）の組成によって変るが図
示の場合は、遷移金属優勢膜として示した。第１の温度
Ｔ、は、例えば第１の構成膜（１１）のキュリー温度Ｔ
ＣＩＩ直下の温度に選定し、第２の温度Ｔ２は第２の構
成膜（１□）のキュリー温度ＴＣＩ□より大に選定する
。この場合においても第８図或いは第９図で説明したと
同様の状態を採って、状態Ａ及びＢ、すなわち第１及び
第２の磁性薄膜（１）及び（２）が同一の向きに磁化さ
れた状態Ａと逆向きに磁化された状態Ｂによる情報の記
録がなされる。

そしてこの場合、例えばレーザー光照射して第１の加熱
温度Ｔ、（第３図の消去温度Ｔ１）とすると前記（３２
）式及び第３図の曲線（４１）及び（４２）の交叉によ
ってこれよりの冷却過程で状態Ａ及びＢのいずれの場合
でも第２の構成膜（１□）のスピンの向きは、第２の磁
性薄膜（２）の向きに揃えられた状態Ｃが生じ冷却過程
での第１の構成膜（１，）のキュリー温度Ｔｃ１１直下
で前記（３２）式が成立するようになされていることに
よって第１の構成膜（１，）は、第２の構成膜（１２）
のスピンの向きが揃えられる。このようにして状態Ａ及
びＢのいずれにおいても第１の温度Ｔ、によって状態Ａ
へのオーバライドがなされる。そして同様に例えばレー
ザー光の照射による第２の磁性薄膜（２）のキュリー温
度Ｔ’ｃｔより高いすなわち第１及び第２のキュリー温
度ＴＣＩＩ及びＴＣＩ□より高い第２の温度Ｔ２の加熱
によって外部磁場（記録磁場）Ｈｅｘによって第２の磁
性薄膜（２）のスピンの向きが反転され、冷却過程によ
って前記条件（３１）式及び（３２）式によって第１の
磁性薄膜（１）の第１及び第２の構成膜（ＩＩ）及び（
１□）のスピンの向きが共に第２の磁性膜（２）のスピ
ンの向きに揃えられた状態Ｅが生じる。そして室温に冷
却された状態で、この状ＢＥから外部補助磁場Ｈ５いに
よって第２の磁性薄膜（２）のスピが反転して状態Ｂが
生じるようになされる。これがため外部補助磁場Ｈｓｕ
ｂは Ｈｓｕｂ＞　ＨＣ２＋　ａ　ｗａ／２Ｍ５ｚｂｚ　　　
　　”　”　（３３）なる条件に選定される。そして、
本実施例の第１の磁性薄膜（１）における保磁力エネル
ギーと第１及び第２の磁性薄膜間の磁壁エネルギーの温
度特性は第３図に示されるように室温近傍で磁壁エネル
ギーが曲線（４２）で示されるように充分小さいことか
ら（３３）式における外部補助磁場）１ｓｕｂは充分小
さくすることができる。

一方この状態Ｂの第１の磁性薄膜（１）の第１及び第２
の構成膜（１，）及び（１□）の磁化状態が安定に保持
されるには、 すなわち 比較例１ 第９図で説明′した３層構造による光磁気記録媒体を用
いた。この場合の各膜の組成、磁気的特性及び膜厚を表
２に示す。

表　　２ この場合の第１及び第２の磁性薄膜（１）及び（２）間
の磁壁エネルギーＥｗａ（＝σｗａ）及び第１の磁性薄
膜（１）の保磁力エネルギーのそれぞれの温度特性を曲
線（５１）及び（５２）に示す。

これら実施例１及び比較例１において第３図及び第５図
における消去温度Ｔ、の変動について考察する。第３の
磁性薄膜（３）の膜厚り１等の変動に対しての磁壁エネ
ルギーＥｗａの変化は、それぞれ２０°Ｃにおいて、第
３の磁性薄膜（３）の膜厚１１＋＝１２５人でＥｗａ’
＝　２　ｅｒｇ／ｃ＋ｆｌであり１１：＋＝１５０人で
Ｅｗａ’ｑ１．６ｅｒｇ／ｃ＋ｆとなる。比較例１によ
る第５図の場合σｗａ＝２ｅｒｇ／ＣＩＩＩでＥＨｃ＋
＝Ｅｉｖａとなる温度ＴＩは、約１３０’Ｃであり、実
施例１による第３図ではσｗａ＝　１　、６ｅｒｇ　／
　ｃ＋ｆｌでＴ　、　’＝ｉ　１６５°Ｃとなることが
わかる。

そして通常製作上σｔｍａは０．２ｅｒｇ／ｃｔＡ程度
の誤差が生ずるので、いま仮にσｗａ＝１．８ｅｒｇ／
ｃｆｆｌ　（２０’Ｃにおいて）となった場合を考える
と、第５図から比較例１の３層膜ではＴ　、　＃　１４
８°Ｃとなるに比し第３図の実施例１ではＴ、＝１．６
２°Ｃとなる。従ってσ間の０．２ｅｒｇ／ｃ＋ｆｉの
変動に対して３層膜ではＴ、は１８°Ｃの変化であるに
し、実施例１の本発明の４層膜では３°Ｃの変化にとど
まる。

このように、第１の磁性層をキュリー点の異なる２層で
構成することにより、量産時のＥｗａまたはＥ　ＮＣの
変動に対する温度Ｔ１の変化を低減することが可能とな
る。

尚、上述の構成でＴＣＩ２−ＴＣＩ＋が１０〜７０′Ｃ
とすることが望ましい。これは１０°Ｃ未満では、第３
図で説明した効果が余り生じないこと、また７０’Ｃを
超えると、つまりＴ　ｃ　Ｉｚが余り高くなると、第２
の温度Ｔ２を高くする必要から大きな記録パワーを必要
としてくることに因る。

次に第２図の光磁気記録媒体Ｓ２による第２の発明につ
いて実施例を挙げて説明する。

実施例２ 下記表３に示す組成、磁気的特性及び膜厚を有する各磁
性薄膜（４）、　（１υ、（１□）、　（３Ｌ　（２）
を有する第２図に示した構成の光磁気記録媒体Ｓ２を作
製そして、ここに、光磁気再生薄膜（４）の厚さｈＲを
７５人とした光磁気記録媒体３２Ａと、光磁気再生薄膜
（４）の厚さｈＲを１５０人とした光磁気記録媒体ＳＺ
Ｂとを作製した。これら媒体ＳＺＡ及び５２１１は共に
前記（２１）式が成り立つように構成される。これら光
磁気記録媒体ＳＥＡ及びＳｔｓを用いて光磁気記録を行
う場合の動作態様を第６図に示す。第６図において各膜
（４）、　（１，）、　（ｌｚ）、（３）及び（２）中
に遷移金属Ｆｅのスピンの向きを矢印をもって示す。こ
の場合においても第１の温度Ｔ＋は第１の構成膜（１，
）のキュリー温度Ｔｃｌ＋に選定するものとし、第２の
温度Ｔ２は第２の構成膜（１□）のキュリー温度ＴＣＩ
□より太き（選定する。この場合においても第８図ある
いは第９図で説明したと同様に状態ＡおよびＢすなわち
、第１及び第２の磁性薄膜（１）及び（２）が同一の向
きに磁化された状ＦＪＡと逆向きに磁化された状態Ｂに
よる情報の記録がなされる。

そして、この場合再生薄膜（４）は共に第１の磁性）薄
膜（１）と同一の向きに磁化された状態にある。そして
この場合例えばレーザー光照射して例えば第１表　　３ の構成膜（１１）のキュリー温度Ｔｃｌ直下の加熱温度
Ｔ１とすると、第３図の特性から第１の構成膜（１，）
と第２の磁性薄膜（２）のスピンの向きがそろえられる
がこの時、光磁気再生薄膜（４）はそのキュリー温度Ｔ
ｃ、ｌが高いことから先の状態が状態Ａであるか状態Ｂ
であるかによって状態ＣＡあるいは状態Ｃｉ＋の２態様
がとられる。しかしながらこれが冷却されて室温ＴＲに
近づくにつれて、前記（２１）式に選定されていること
によって、すなわち光磁気再生薄膜（４）の保磁力エネ
ルギーと第１の構成膜（１，）の保磁力エネルギーの和
が、第２の構成膜（１□）と第２の磁性薄膜（２）との
間の磁壁エネルギーσＷａと第２の構成膜（１２）の保
磁力エネルギーの和に比して小に選定されることによっ
て仮え、状態Ｃ１１が生じても冷却過程で状態Ａへと確
実に移行する。すなわち第１の温度Ｔ、によって状態Ａ
による情報記録がなされる。そして同様に例えばレーザ
ー光の照射による第２の磁性薄膜（２）のキュリー温度
Ｔｃ２より高いすなわち第１及び第２のキュリ：温度Ｔ
、１．及びＴｃ１２１より高い第２の温度Ｔ２の加熱に
よって外部磁場（記録磁場）Ｈｅにによって第２の磁性
薄膜（２）のスピンの向きが反転され、冷却過程によっ
て前記条件（３１）弐及び（３２）式によって第１の磁
性薄膜（１）の第１及び第２の構成膜（１，）及び（１
□）のスピンの向きが共に第２の磁性薄膜（２）のスピ
ンの向きに揃えられた状態Ｅが生じる。そして室温に冷
却された状態で、この状態Ｅから外部補助磁場Ｈ３ｔｌ
＆によって第２の磁性薄膜（２）のスピンが反転して状
態Ｂが生じるようになされる。これがため外部補助磁場
Ｈ５Ｌｌｂは前述した（３３）式の条件に選定され、更
に実施例１で説明したと同様に外部補助磁場Ｈ５Ｌｌｂ
は充分小さくすることができる。

比較例２ 第１１図で説明した３層構造に再生層（２２）を積層し
た光磁気記録媒体を用い、下記表４に示す組成磁気的特
性及び膜厚を有する各層（２２）及び薄膜（２２）　。

（１）、　（３）、　（２）を有する光磁気記録媒体を
作製した。

表　　４ そしてここに再生層（２２）の膜厚り、をそれぞれり、
１＝７５人及びｈｉ＝１５０人とした媒体ＳｃＡ及びＳ
Ｃ［ｌを作製した。

これら各実施例２及び比較例２における媒体３２Ａ＋３
２８及びＳＣＡ及び５ｃＩｌに対して、実際に外部磁場
Ｈｅｘを印加してその強さを変化させた場合のオーバー
ライド時のＣ／Ｎの測定結果を第７図に示す。

同図において曲線（７１）　（７２）　（７３）　（７
４）はそれぞれ媒体Ｓ　ｚＡ＋　３２１１＋　Ｓ　ＣＡ
＋　Ｓ　ｃｍの測定結果でこれらを比較して明らかなよ
うに曲線（７１）　（７２）で示された本発明による実
施例２は曲線（７３）及び（７４）で示される比較例２
に比して格段にＣ／Ｎの改善がはかられる。この場合記
録条件はレーザー光の媒体との相対線速度を１１．３ｍ
／ｓとし、記録周波数を５ＭＨｚとし、対物レンズの開
口数Ｎ、Ａ、　＝０．５３．　　レーザー波長を７８０
ｎｍとした場合である。

このように第２の発明においてはオーバーライドにおけ
るノイズの改善がはかられることがわかる。

上述した各側においては、第２の磁性薄膜（２）が単層
構造を有する場合であるが、この第２の６ｄ性薄膜（２
）についても例えば２層構造とすることができる。例え
ば第８図に示すように第１図で説明した光磁気記録媒体
Ｓ、においてその第２の磁性薄膜（２）を第１及び第２
の構成膜（２１）及び（２□）によって構成する。これ
ら第１及び第２の構成膜（２，）及び（２□）は、その
保磁力ＨＣａｌ及びＨＣ２□の温度特性が、第９図中曲
線（９１）及び（９２）に示すように、ＨＣａｌ及び）
（ｃｚ□の室温における保磁力ＨＣ２１１及びＨＣＺＡ
ＲがＨＣ２１Ｒ＞　ＨＣ２２Ｒであ、各キュリー温度Ｔ
　ｃ　２１及びＴＣ２２がＴ　ｃ　ｚ　＋　＜　Ｔ　Ｃ
２ｚである各垂直磁気異方性を有する磁性薄膜によって
構成し、記録時ノイズの低減化、再生Ｃ／Ｎ　（Ｓ／Ｎ
）の向上をはかるようにした構造をとることもできる。

この２層構造による第２の磁性薄膜（２）とする構成は
、例えば第２図で説明した光磁気再生薄膜（４）を有す
る媒体Ｓ２に適用することもできるなど、上述した例に
限らず種々の変形変更を採り得る。

Ｈ発明の効果 上述した第１の発明によれば、第１の温度Ｔ１の設定を
ばらつきなくすなわち安定に動作させることができ、Ｃ
／Ｎ　（Ｓ／Ｎ）の改善をはかることができると共に、
室温における磁壁エネルギーσＷ（σａ）の低減化によ
って外部補助磁場の低減化をはかることができる。

また第２の発明によれば、カー回転角θｋが大きい光磁
気再生薄膜（４）を設けたことにより再生出力の向上を
はかると共にこのカー回転角θの大きいすなわちキュリ
ー温度の高い光磁気再生薄膜（４）を設けたことによる
動作の不安定性及びノイズの増大化の改善をはかること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図及び第８図は、夫々本発明方法に用いる
光磁気記録媒体の路線的断面図、第３図及び第５図は夫
々磁壁エネルギーと第１の磁性薄膜の保磁力エネルギー
の温度特性図、第４図及び第６図は磁化状態図、第７図
はオーバーライドのＣ／Ｎの測定結果を示す図、第９図
は保磁力の温度特性曲線図、第１０図及び第１１図は本
発明と対比される光磁気記録方法の磁化状態図、第１２
図は、本発明方法に対して比較される例の磁壁エネルギ
ーと保磁力エネルギーの温度特性曲線図、第１３図は対
比例の構成図、第１４図はその説明図である。 （１）は第１の磁性薄膜、（１，）及び（１□）はその
第１及び第２の構成膜、（２）及び（３）は第２及び第
３の磁性薄膜、（４）は光磁気再生薄膜である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、それぞれ垂直磁気異方性を有する第１の構成膜と第
   ２の構成膜とより成る第１の磁性薄膜と、垂直磁気異方
   性を有する第２の磁性薄膜とが、上記第１の磁性薄膜の
   上記第１の構成膜と上記第２の磁性薄膜との間に面内磁
   気異方性もしくは小さい垂直磁気異方性を有する第３の
   磁性薄膜を介して順次磁気的に結合されて積層された積
   層膜を含む光磁気記録媒体を用い、 上記第１の磁性薄膜の上記第１の構成膜のキュリー温度
   Ｔｃ＿１＿１より上記第２の構成膜のキュリー温度Ｔｃ
   ＿１＿２が大で、 上記キュリー温度Ｔｃ＿１＿１近傍で、上記第２の磁性
   薄膜の磁気モーメントの反転が生じず、かつ上記第１の
   磁性薄膜の上記第２の構成膜の磁気モーメントが上記第
   ２の磁性薄膜の磁気モーメントに追従して変化するに充
   分な温度Ｔ＿１に加熱する第１の加熱状態と、上記キュ
   リー温度Ｔｃ＿１＿２以上で、かつ上記第２の磁性薄膜
   の磁気モーメントを反転させるに充分な温度Ｔ＿２に加
   熱する第２の加熱状態とを、記録しようとする情報信号
   に応じて変調し、 上記それぞれの加熱状態から冷却することにより上記第
   １の磁性薄膜の第２の構成膜の磁化に追従して上記第１
   の構成膜にも記録磁化を形成することを特徴とする光磁
   気記録方法。 ２、それぞれ垂直磁気異方性を有する第１の構成膜と第
   ２の構成膜とより成る第１の磁性薄膜と、垂直磁気異方
   性を有する第２の磁性薄膜とが、上記第１の磁性薄膜の
   上記第１の構成膜と上記第２の磁性薄膜との間に面内磁
   気異方性もしくは小さい垂直磁気異方性を有する第３の
   磁性薄膜を介して順次磁気的に結合されると共に、上記
   第１の磁性薄膜の第１の構成膜上に磁気的に結合する光
   磁気再生薄膜が積層された積層膜を含む光磁気記録媒体
   を用い、 上記第１の磁性薄膜の上記第１の構成膜のキュリー温度
   Ｔｃ＿１＿１より上記第２の構成膜のキュリー温度Ｔｃ
   ＿１＿２が大で、 上記光磁気再生薄膜が、２Ｍ＿Ｓ＿Ｒｈ＿ＲＨ＿Ｃ＿Ｒ
   ＋２Ｍ＿Ｓ＿１＿１ｈ＿１＿１Ｈｃ＿１＿１＜σｗａ＋
   ２Ｍ＿Ｓ＿１＿２ｈ＿１＿２Ｈｃ＿１＿２（ここに、Ｍ
   ＿Ｓ＿Ｒ、Ｍ＿Ｓ＿１＿１及びＭ＿Ｓ＿１＿２、ｈ＿Ｒ
   、ｈ＿１＿１及びｈ＿１＿２、Ｈｃ＿Ｒ、Ｈｃ＿１＿１
   及びＨｃ＿１＿２はそれぞれ上記光磁気再生薄膜、第１
   及び第２の構成膜の各飽和磁化、膜厚、保磁力であり、
   σｗａは上記第２の構成膜と上記第２の磁性薄膜との間
   の磁壁エネルギー）を満足し、かつカー回転角が上記第
   １の構成膜に比して大で、 上記キュリー温度Ｔｃ＿１＿１近傍で、上記第２の磁性
   薄膜の磁気モーメントの反転が生じず、かつ上記第１の
   磁性薄膜の上記第２の構成膜の磁気モーメントが上記第
   ２の磁性薄膜の磁気モーメントに追従して変化するに充
   分な温度Ｔ＿１に加熱する第１の加熱状態と、上記キュ
   リー温度Ｔｃ＿１＿２以上でかつ上記第２の磁性薄膜の
   磁気モーメントを反転させるに充分な温度Ｔ＿２に加熱
   する第２の加熱状態とを、記録しようとする情報信号に
   応じて変調し、 上記それぞれの加熱状態から冷却することにより上記第
   １の磁性薄膜の第２の構成膜の磁化に追従して上記第１
   の構成膜及び上記光磁気再生薄膜にも記録磁化を形成す
   ることを特徴とする光磁気記録方法。