JPH02189906A - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
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- JPH02189906A JPH02189906A JP854689A JP854689A JPH02189906A JP H02189906 A JPH02189906 A JP H02189906A JP 854689 A JP854689 A JP 854689A JP 854689 A JP854689 A JP 854689A JP H02189906 A JPH02189906 A JP H02189906A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は磁気ヘッドの材料等として好適な軟磁性薄膜に
関する。
関する。
［発明の背景］
例えばオーディオテープレコーダやＶＴＲ（ビデオテー
プレコーダ）等の磁気記録再生装置においては、記録信
号の高密度化や高品質化等が進められており、この高記
録密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にＦｅ
、Ｃｏ、ＮＬ等の金属あるいは合金からなる粉末を用い
た。いわゆるメタルテープや９強磁性金属材料を真空薄
膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着した。い
わゆる蒸着テープ等が開発され、各分野で実用化されて
いる。
プレコーダ）等の磁気記録再生装置においては、記録信
号の高密度化や高品質化等が進められており、この高記
録密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にＦｅ
、Ｃｏ、ＮＬ等の金属あるいは合金からなる粉末を用い
た。いわゆるメタルテープや９強磁性金属材料を真空薄
膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着した。い
わゆる蒸着テープ等が開発され、各分野で実用化されて
いる。
［従来の技術及び発明が解決しようとする課１ａ１］と
ころで、このような所定の抗磁力を有する磁気記録媒体
の特性を発揮せしめるためには、磁気ヘッドのコア材料
の特性として、高い飽和磁束密度を有するとともに、同
一の磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては
、高透磁率を併せて有することが要求される。例えば、
従来磁気ヘッドのコア材料として多用されているフェラ
イト材では飽和磁束密度が低く、また、パーマロイでは
耐摩耗性に問題がある。
ころで、このような所定の抗磁力を有する磁気記録媒体
の特性を発揮せしめるためには、磁気ヘッドのコア材料
の特性として、高い飽和磁束密度を有するとともに、同
一の磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては
、高透磁率を併せて有することが要求される。例えば、
従来磁気ヘッドのコア材料として多用されているフェラ
イト材では飽和磁束密度が低く、また、パーマロイでは
耐摩耗性に問題がある。
従来、かかる諸要求を満たすコア材料として。
Ｆｅ−Ａｌ１−８ｉ系合金からなるセンダスト合金が好
適であると考えられ、すでに実用に供されている。
適であると考えられ、すでに実用に供されている。
しかしながら、このセンダスト合金のように軟磁気特性
に優れた材料においては、磁歪λＳと結晶磁気異方性Ｋ
が共に零付近であることが望ましく、磁気ヘッドに使用
可能な材料組成はこれら両者の値を考慮して決められる
。したがって、飽和磁束密度もこの組成に対応して一義
的に決まり。
に優れた材料においては、磁歪λＳと結晶磁気異方性Ｋ
が共に零付近であることが望ましく、磁気ヘッドに使用
可能な材料組成はこれら両者の値を考慮して決められる
。したがって、飽和磁束密度もこの組成に対応して一義
的に決まり。
センダスト合金の場合、１０〜ＩＬｋガウスが限界であ
る。
る。
そのため、」二層センダスト合金にかわり、高周波数領
域での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有する
Ｃｏ系非晶質磁性合金材料（いわゆるアモルファス磁性
合金材料）も開発されているが、この非晶質磁性合金材
料でも飽和磁束密度は１４にガウス程度である。
域での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有する
Ｃｏ系非晶質磁性合金材料（いわゆるアモルファス磁性
合金材料）も開発されているが、この非晶質磁性合金材
料でも飽和磁束密度は１４にガウス程度である。
本発明は上記従来の技術の欠点を改良した。高飽和磁束
密度を有する軟磁性薄膜を提供することを目的とする。
密度を有する軟磁性薄膜を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、１２〜２０原子％（ａｔ％）の８１と
８原子％以下のＮと残部Ｆｅとを主成分として成る軟磁
性薄膜により、」−記１」的を達成することができる。
８原子％以下のＮと残部Ｆｅとを主成分として成る軟磁
性薄膜により、」−記１」的を達成することができる。
［好適な実施態様及び作用コ
本発明の軟磁性薄膜は、１２〜２０原子％のＳｉと８原
子％以下のＮと残部Ｆｅとを主成分として成る。８原子
％以下のＮの存在により、飽和磁束密度Ｂｓを所定の値
より低下させることなく保磁力ｌｉｅを低下させること
ができ、また耐食性を向」ニさせ硬度を大きくすること
ができる。Ｎは１例えば０．１原子％あれば有意の効果
を示し、Ｎの好ましい範囲は１〜７原子％である。Ｎが
８原子％を越えるにつれて保磁力１１ｃはかえって所望
の値（３０ｅ）より増大するので、Ｎは８原子％以下に
する。
子％以下のＮと残部Ｆｅとを主成分として成る。８原子
％以下のＮの存在により、飽和磁束密度Ｂｓを所定の値
より低下させることなく保磁力ｌｉｅを低下させること
ができ、また耐食性を向」ニさせ硬度を大きくすること
ができる。Ｎは１例えば０．１原子％あれば有意の効果
を示し、Ｎの好ましい範囲は１〜７原子％である。Ｎが
８原子％を越えるにつれて保磁力１１ｃはかえって所望
の値（３０ｅ）より増大するので、Ｎは８原子％以下に
する。
Ｓｉが１２〜２０原子％の場合は前記特定量のＮの添加
により飽和磁束密度Ｂｓを所定の値より低下させること
なく保磁力Ｈｅを減少させることができる。しかし、前
記特定量のＮが存在する場合であっても、Ｓｉが１２原
子％未満になるにつれて又は２０原子％を越えるにつれ
て保磁力１１ｃが上昇（軟磁性の低下）して３ ０ｅを
越えてしまうので。
により飽和磁束密度Ｂｓを所定の値より低下させること
なく保磁力Ｈｅを減少させることができる。しかし、前
記特定量のＮが存在する場合であっても、Ｓｉが１２原
子％未満になるにつれて又は２０原子％を越えるにつれ
て保磁力１１ｃが上昇（軟磁性の低下）して３ ０ｅを
越えてしまうので。
Ｓｉは１２〜２０原子％にする。Ｓｉの好ましい範囲は
１２〜１７原子％である。
１２〜１７原子％である。
本発明の軟磁性薄膜は２例えばＲＦスパッタ法等の気相
析着法により製膜しこれを２００〜５００°Ｃ程度で熱
処理して製造することができる。前記熱処理は１例えば
、１時間程度で行なうことができる。
析着法により製膜しこれを２００〜５００°Ｃ程度で熱
処理して製造することができる。前記熱処理は１例えば
、１時間程度で行なうことができる。
前記熱処理を２００°Ｃ未満で行なうと、軟磁性を得ら
れないことが多いので好ましくなく、逆に。
れないことが多いので好ましくなく、逆に。
５００℃を越えた温度で行なうと軟磁性はかえって低下
することが多い。好ましいのは凡そ、３００〜４００℃
の範囲である。
することが多い。好ましいのは凡そ、３００〜４００℃
の範囲である。
［実施例］
Ｆｅ−Ｓｉ合金のターゲットを用い雰囲気ガスとしてＡ
ｒとＮ２を用いてＲＦスパッタ法により、サファイア基
板上に種々の組成の薄膜を製膜した。膜組成の変更は、
前記ターゲットのＳｉ含有量及び雰囲気ガス中のＮ２分
圧を変化させることにより行なった。前記スパッタ条件
は、陰極電力２００Ｗ 、全ガス（Ａ ｒ 十Ｎ ２
）圧２．０Ｐａであった。前記薄膜を３５０℃１時間で
熱処理して本発明の実施例１〜６の軟磁性薄膜を得てＢ
−Ｉ（カーブ測定を行なった。Ｂ−Ｈカーブは、測定磁
界１ｍ＝ ２５（Ｏｅ）、周波数５０Ｈｚで測定し保磁
力１１ｃ及び磁界２５０ｅをかけた時の磁束密度Ｂ２５
を求めた。これらの結果を第１表に示す。実施例１〜６
の軟磁性薄膜は、 Ｂ ２５＞ １４ＫＧであり、か
ツＨｃ＜ ３ ００である。また、比較例として、Ｓｔ
とＮの双方、又はどちらか一方を含まないもの（比較例
１〜７）のＨｅ及びＢ２．を前記と同様にして求めた。
ｒとＮ２を用いてＲＦスパッタ法により、サファイア基
板上に種々の組成の薄膜を製膜した。膜組成の変更は、
前記ターゲットのＳｉ含有量及び雰囲気ガス中のＮ２分
圧を変化させることにより行なった。前記スパッタ条件
は、陰極電力２００Ｗ 、全ガス（Ａ ｒ 十Ｎ ２
）圧２．０Ｐａであった。前記薄膜を３５０℃１時間で
熱処理して本発明の実施例１〜６の軟磁性薄膜を得てＢ
−Ｉ（カーブ測定を行なった。Ｂ−Ｈカーブは、測定磁
界１ｍ＝ ２５（Ｏｅ）、周波数５０Ｈｚで測定し保磁
力１１ｃ及び磁界２５０ｅをかけた時の磁束密度Ｂ２５
を求めた。これらの結果を第１表に示す。実施例１〜６
の軟磁性薄膜は、 Ｂ ２５＞ １４ＫＧであり、か
ツＨｃ＜ ３ ００である。また、比較例として、Ｓｔ
とＮの双方、又はどちらか一方を含まないもの（比較例
１〜７）のＨｅ及びＢ２．を前記と同様にして求めた。
これらの結果を第２表に示す。第１〜２表によれば、Ｓ
ｉ及びＮをＦｅに特定量添加することにより、著しい軟
磁性の向上（Ｈｅの低下）かあるということがわかる。
ｉ及びＮをＦｅに特定量添加することにより、著しい軟
磁性の向上（Ｈｅの低下）かあるということがわかる。
（以下余白）
［発明の効果］
本発明の軟磁性薄膜は、 １２〜２０原子％のＳｉと８
原子％以下のＮと残部Ｆｅとを主成分として成るので、
高飽和磁束密度Ｂｓ （例えばＢ２５〉１４ＫＧ）及び
低保磁力Ｈｅ （Ｈｅ＜ ３ ０ｅ）を得ることができ
るとともに高耐食性及び高硬度を有することができる。
原子％以下のＮと残部Ｆｅとを主成分として成るので、
高飽和磁束密度Ｂｓ （例えばＢ２５〉１４ＫＧ）及び
低保磁力Ｈｅ （Ｈｅ＜ ３ ０ｅ）を得ることができ
るとともに高耐食性及び高硬度を有することができる。
前記磁束密度は、Ｆｅ−ＡＪ−８Ｌ系及びＦｅ−Ｇａ−
８ｉ−Ｒｕ系軟磁性材料の飽和磁束密度よりも大きい。
８ｉ−Ｒｕ系軟磁性材料の飽和磁束密度よりも大きい。
したがって、この軟磁性薄膜を例えば磁気ヘッドのコア
材料として用いることにより、磁気記録媒体の高抗磁力
化に充分対処することができ、高品質化や高記録密度化
を図ることが可能となる。
材料として用いることにより、磁気記録媒体の高抗磁力
化に充分対処することができ、高品質化や高記録密度化
を図ることが可能となる。
Claims (1)
- １２〜２０原子％のＳｉと８原子％以下のＮと残部Ｆｅ
とを主成分として成る軟磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP854689A JPH02189906A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP854689A JPH02189906A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 軟磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02189906A true JPH02189906A (ja) | 1990-07-25 |
Family
ID=11696137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP854689A Pending JPH02189906A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02189906A (ja) |
-
1989
- 1989-01-19 JP JP854689A patent/JPH02189906A/ja active Pending
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