JPH021907A - インライン型半導体熱処理装置 - Google Patents

インライン型半導体熱処理装置

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JPH021907A
JPH021907A JP63143013A JP14301388A JPH021907A JP H021907 A JPH021907 A JP H021907A JP 63143013 A JP63143013 A JP 63143013A JP 14301388 A JP14301388 A JP 14301388A JP H021907 A JPH021907 A JP H021907A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
bake plate
heat treatment
bake
semiconductor heat
Prior art date
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Pending
Application number
JP63143013A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinsui Saruwatari
新水 猿渡
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NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH021907A publication Critical patent/JPH021907A/ja
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造プロセスに使用される塗布機や現像
機等のインライン型半導体製造装置で用いられるインラ
イン型半導体熱処理装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種のインライン型半導体熱処理装置は第3図
に示すようにヒーター内蔵型ベークプレート1を任意個
数ウェハー流れ方向に直列に並べたものであった。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のインライン型半導体熱処理装置では、ベ
ークプレートをウェハー流れ方向に直列に並べている為
、装置がウェハー流れ方向に長くなってしまうという欠
点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のインライン型半導体熱処理装置は、半導体製造
プロセスの処理工程が連続するライン上で行なわれるイ
ンライン型半導体製造装置に用いるインライン型半導体
熱処理装置において、前記インライン型半導体熱処理装
置のベークプレート部を縦積みにしたことを特徴とする
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の斜視図である。ヒーター内
蔵型ベークプレート1上に運ばれてきたウェハー2は所
定時間ベークプレート1上で熱を加えられる。所定時間
内に次のウェハーが運ばれてくるとベークプレート1は
ベークプレート保持台3を介してシャフト4に沿って上
下動しウェハー2を乗せていないベークプレート1上に
ウェハーが運ばれる。所定時間の経過したベークプレー
ト1は搬送ベルト6と同一面上まで上下して停止する。
次にベークプレート1にうめ込まれたピン8が上昇しウ
ェハーを持ち上げる。この時のウェハーは2′の状態で
ある。さらに、ウェハー搬出人ユニット5が近づいて来
てウェハーの下に来たところでピンが下がる。ウェハー
搬出人ユニット5に取り付いているベルトが回転すると
ウェハー2はベークプレート1から搬出される。
第2図は本発明の他の実施例の斜視図である。
本例においてはウェハー2はキャリア型ベークブレー)
11内に収納される。このベークプレート11はヒータ
ーを内蔵していないので全体をカバーIOでおおい内部
に熱風吹出口9より熱風を出してウェハー2の温度を制
御している。キャリア型ベークプレート11は、上下移
動台12上に設置されて上下移動が可能であるからプシ
ャー等の手段(図示しない)により任意のウェハーを搬
出入できる。
〔考案の効果〕
以上説明したように本発明は、ベークプレート部をウェ
ハー流れ方向に対して垂直に縦積みすることによりウェ
ハー流れ方向寸法を小さくすることができ装置をコンパ
クト化する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す斜視図、第2図は本発
明の他の実施例を示す斜視図、第3図は従来のベークプ
レート部を示す斜視図である。 1・・・・・・ヒーター内蔵型ベークプレート、2・・
・・・・ウェハー 2′・・・・・・ウェハー 3・・
・・・・ベークプレート保持台、4・・・・・・シャフ
ト、5・・・・・・ウェハー搬出人ユニット、6・・・
・・・搬送ベルト、7・・・・・・プーリ、8・・・・
・・ピン、9・・・・・・熱風吹出し口、10・・・・
・・カバー 11・・・・・・キャリア型ベークプレー
ト、12・・・・・・上下移動台。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体製造プロセスの処理工程が連続するライン上で行
    なわれるインライン型半導体製造装置に用いるインライ
    ン型半導体熱処理装置において、前記インライン型半導
    体熱処理装置のベークプレート部を縦積みにしたことを
    特徴とするインライン型半導体熱処理装置。
JP63143013A 1988-06-09 1988-06-09 インライン型半導体熱処理装置 Pending JPH021907A (ja)

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JPH021907A true JPH021907A (ja) 1990-01-08

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100376330C (zh) * 2003-04-14 2008-03-26 东京応化工业株式会社 狭缝喷嘴及使用该狭缝喷嘴的处理液供给装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61156815A (ja) * 1984-12-28 1986-07-16 Toshiba Corp 半導体ウエ−ハ熱処理装置
JPS6313332A (ja) * 1986-07-04 1988-01-20 Canon Inc 半導体製造装置
JPH01209737A (ja) * 1988-02-17 1989-08-23 Teru Kyushu Kk 基板処理装置及び基板処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61156815A (ja) * 1984-12-28 1986-07-16 Toshiba Corp 半導体ウエ−ハ熱処理装置
JPS6313332A (ja) * 1986-07-04 1988-01-20 Canon Inc 半導体製造装置
JPH01209737A (ja) * 1988-02-17 1989-08-23 Teru Kyushu Kk 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100376330C (zh) * 2003-04-14 2008-03-26 东京応化工业株式会社 狭缝喷嘴及使用该狭缝喷嘴的处理液供给装置

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