JPH0219407A - 溶融合金の急速焼入れによる均一微細粒子ミクロ構造を有する固体合金の形成方法 - Google Patents
溶融合金の急速焼入れによる均一微細粒子ミクロ構造を有する固体合金の形成方法Info
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- JPH0219407A JPH0219407A JP1115955A JP11595589A JPH0219407A JP H0219407 A JPH0219407 A JP H0219407A JP 1115955 A JP1115955 A JP 1115955A JP 11595589 A JP11595589 A JP 11595589A JP H0219407 A JPH0219407 A JP H0219407A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、均一な微粒子径分布を特徴とする形態を有す
る合金を得るための準大気圧下の急速固化法(suba
tiospheric pressure rapid
so I id i f’ feat ton)に関す
る。好ましい態様においては、この準大気圧下の急速固
化法を用いて、磁気パラメータ(magnetlc p
arameter)の増大に必要とされる形態を有する
強磁性合金を得ることができる。本発明の急速固化法は
また、粒状超合金の合成および粒状触媒の合成にも使用
することができる。
る合金を得るための準大気圧下の急速固化法(suba
tiospheric pressure rapid
so I id i f’ feat ton)に関す
る。好ましい態様においては、この準大気圧下の急速固
化法を用いて、磁気パラメータ(magnetlc p
arameter)の増大に必要とされる形態を有する
強磁性合金を得ることができる。本発明の急速固化法は
また、粒状超合金の合成および粒状触媒の合成にも使用
することができる。
発明の背景
多くの場合、材料の性能の向上は形態が均一であること
、すなわち形態特性が平均形態値付近の狭い範囲に分布
しているかどうかに依存する。この場合の平均形態値(
製造パラメータによって決定される)は、例えば原子の
大きさに関するパラメータと材料の用途との間のバラン
スに基づく特性寸法に近いかあるいはそれと等しくなる
。その例として、磁性合金や超合金等のクリスタライト
径とその分布、および不均一触媒の孔径と孔径分布等を
挙げることができる。
、すなわち形態特性が平均形態値付近の狭い範囲に分布
しているかどうかに依存する。この場合の平均形態値(
製造パラメータによって決定される)は、例えば原子の
大きさに関するパラメータと材料の用途との間のバラン
スに基づく特性寸法に近いかあるいはそれと等しくなる
。その例として、磁性合金や超合金等のクリスタライト
径とその分布、および不均一触媒の孔径と孔径分布等を
挙げることができる。
R,Bergeron、et alの1986年8月・
6日付米国特許出願第893.516号「残留磁気強化
永久磁性合金とその合金体J (1987年7月27
日、欧州特許出願0−229−948として公開)に記
載の磁性材料は、従来技術の非相互作用モデルによって
予測された磁気パラメータを上回る等方性磁気パラメー
タを有するものである。
6日付米国特許出願第893.516号「残留磁気強化
永久磁性合金とその合金体J (1987年7月27
日、欧州特許出願0−229−948として公開)に記
載の磁性材料は、従来技術の非相互作用モデルによって
予測された磁気パラメータを上回る等方性磁気パラメー
タを有するものである。
上記特許出願に記載されているように、磁気パラメータ
の増大に必要とされる形態としては、クリスタライト粒
界に実質的に連続的な粒間相が存在しないこと、隣接す
るクリスタライトの磁気モーメントが配向する傾向を生
み、磁気パラメータを増大するように個々のクリスタラ
イトの寸法が材料の固有特性寸法R8の付近に分布して
いることなどが挙げられる。材料の固有特性寸法R6は
少なくとも下記の要素によって決定される: (I)材
料原子の原子間距離、(n)材料の磁気交換場(+ma
gnetlc exchange field)、(m
)材料の磁気的異方性場(magnetlc anls
otropy f’1eld)、(IV)材料に固有の
スケールファクター(scaltngf’aetor)
。上記の特性、すなわち原子間距離、磁気交換場、磁気
的異方性場およびスケールファクターは全て材料毎に決
定されるものであり、全ての材料に共通する普遍的な値
R8は存在しない。
の増大に必要とされる形態としては、クリスタライト粒
界に実質的に連続的な粒間相が存在しないこと、隣接す
るクリスタライトの磁気モーメントが配向する傾向を生
み、磁気パラメータを増大するように個々のクリスタラ
イトの寸法が材料の固有特性寸法R8の付近に分布して
いることなどが挙げられる。材料の固有特性寸法R6は
少なくとも下記の要素によって決定される: (I)材
料原子の原子間距離、(n)材料の磁気交換場(+ma
gnetlc exchange field)、(m
)材料の磁気的異方性場(magnetlc anls
otropy f’1eld)、(IV)材料に固有の
スケールファクター(scaltngf’aetor)
。上記の特性、すなわち原子間距離、磁気交換場、磁気
的異方性場およびスケールファクターは全て材料毎に決
定されるものであり、全ての材料に共通する普遍的な値
R8は存在しない。
前出の特許出願におけるRE Fe14B−系の材料
についての記載では、単純化のための仮定を用いて理論
的計算を行なうことにより、特性寸法は140〜230
オングストロームの範囲であることを予flFJ L、
全てのクリスタライトの寸法がその近傍に分布すると予
想している。本発明者らがRE Fe14B−系材料
について観察した結果では、平均クリスタライト特性寸
法が、それより広い140〜300オングストロームの
範囲内にあり、大部分のクリスタライトの寸法がこの平
均値の周辺に密に分布する時にパラメータが増大するこ
とが確認された。
についての記載では、単純化のための仮定を用いて理論
的計算を行なうことにより、特性寸法は140〜230
オングストロームの範囲であることを予flFJ L、
全てのクリスタライトの寸法がその近傍に分布すると予
想している。本発明者らがRE Fe14B−系材料
について観察した結果では、平均クリスタライト特性寸
法が、それより広い140〜300オングストロームの
範囲内にあり、大部分のクリスタライトの寸法がこの平
均値の周辺に密に分布する時にパラメータが増大するこ
とが確認された。
磁気パラメータが増大した材料の実際の短距離局所秩序
は、瞬間的および時間平均局所冷却速度(単位時間あた
りの温度変化)並びに瞬間的および時間平均熱流束(単
位面積および単位時間あたりのエネルギー)に強く依存
する。固化および結晶化は初期冷却速度100.000
〜1,000,000℃/秒で生じ、平均温度降下(冷
却面上での温度降下を冷却面上の滞留時間で割った値)
はio、ooo〜100.000℃/秒である。このよ
うな冷却速度によって、局部的な瞬間熱流束は毎秒1平
方センチあたり何十万カロリーにも達し、平均熱流束は
10.000〜100.000カロリー/am/秒にな
る。このような冷却速度と熱流束の条件下では、短時間
の局部的混乱、過渡状態(translents) 、
溶融プール(melt pool)の固化しつつあるフ
レーク上での変位(excursions) 、溶融合
金のはねとび(splashing)、溶融合金の注入
流速の変動、合金−るつぼ反応生成物(スラグおよび酸
化物)の形成とるつぼオリフィスの通過、また固化しつ
つあるフレークの下に随伴されるアルゴン等の不活性ガ
スの気泡等によって、焼入れ過多から焼入れ不足にまで
及ぶ、ある範囲のフレークおよびリボンの大きさ、クリ
スタライト径、クリスタライト磁気パラメータの生成物
が得られる。
は、瞬間的および時間平均局所冷却速度(単位時間あた
りの温度変化)並びに瞬間的および時間平均熱流束(単
位面積および単位時間あたりのエネルギー)に強く依存
する。固化および結晶化は初期冷却速度100.000
〜1,000,000℃/秒で生じ、平均温度降下(冷
却面上での温度降下を冷却面上の滞留時間で割った値)
はio、ooo〜100.000℃/秒である。このよ
うな冷却速度によって、局部的な瞬間熱流束は毎秒1平
方センチあたり何十万カロリーにも達し、平均熱流束は
10.000〜100.000カロリー/am/秒にな
る。このような冷却速度と熱流束の条件下では、短時間
の局部的混乱、過渡状態(translents) 、
溶融プール(melt pool)の固化しつつあるフ
レーク上での変位(excursions) 、溶融合
金のはねとび(splashing)、溶融合金の注入
流速の変動、合金−るつぼ反応生成物(スラグおよび酸
化物)の形成とるつぼオリフィスの通過、また固化しつ
つあるフレークの下に随伴されるアルゴン等の不活性ガ
スの気泡等によって、焼入れ過多から焼入れ不足にまで
及ぶ、ある範囲のフレークおよびリボンの大きさ、クリ
スタライト径、クリスタライト磁気パラメータの生成物
が得られる。
初期に試みられたメルトスピニング法の重大な問題は、
焼入れ過渡状態が収率、すなわち(1)材影響にあった
。焼入れパラメータ、特に過渡状態を制御して焼入れ特
性を最適化しようとするこれまでの試みは概ね部分的に
は成功しており、数十オングストロームから数十ミクロ
ンまでのクリスタライト寸法とそれに伴っである範囲の
磁気パラメータを有するリボン状生成物が得られている
。
焼入れ過渡状態が収率、すなわち(1)材影響にあった
。焼入れパラメータ、特に過渡状態を制御して焼入れ特
性を最適化しようとするこれまでの試みは概ね部分的に
は成功しており、数十オングストロームから数十ミクロ
ンまでのクリスタライト寸法とそれに伴っである範囲の
磁気パラメータを有するリボン状生成物が得られている
。
これについては、前記米国出願第89L51B号の実施
例■、実験番号502ABO1において、同一の溶融紡
糸(melt 5pun)リボンの中において、焼入れ
過多の材料と焼入れ不足の材料とほぼ最適な材料との共
存を示している。構造パラメータと相関する広範囲な磁
気パラメータを提供することによって、大気圧下の固化
法が科学的に非常に重要なものとなった。大気圧メルト
スピニング法によって、磁気パラメータが増大した相互
作用性材料の分離、同定および特性決定、特に同一のメ
ルトスピニング操作から得た相互作用性材料と非相互作
用性材料の比較と特性決定に十分な材料を合成すること
ができた。これについては米国特許出願第893.51
8号の実施例■に記載されている。大気圧メルトスピニ
ング法の結果、ストナー(Stoner)とウォルファ
ース(wohHarth)の限界値(BH)−(M
/4) およびM −(M /2)sat
rell
satを超える範囲の磁気パラメータを有する
科学的に非常に有意な量の磁気材料が得られた。
例■、実験番号502ABO1において、同一の溶融紡
糸(melt 5pun)リボンの中において、焼入れ
過多の材料と焼入れ不足の材料とほぼ最適な材料との共
存を示している。構造パラメータと相関する広範囲な磁
気パラメータを提供することによって、大気圧下の固化
法が科学的に非常に重要なものとなった。大気圧メルト
スピニング法によって、磁気パラメータが増大した相互
作用性材料の分離、同定および特性決定、特に同一のメ
ルトスピニング操作から得た相互作用性材料と非相互作
用性材料の比較と特性決定に十分な材料を合成すること
ができた。これについては米国特許出願第893.51
8号の実施例■に記載されている。大気圧メルトスピニ
ング法の結果、ストナー(Stoner)とウォルファ
ース(wohHarth)の限界値(BH)−(M
/4) およびM −(M /2)sat
rell
satを超える範囲の磁気パラメータを有する
科学的に非常に有意な量の磁気材料が得られた。
発明の概要
本発明の方法によると、準大気圧下の急速固化法によっ
て均一な微細粒状形態を有する合金を高収率で得ること
ができる。好ましい態様においては、磁気パラメータの
増大に必要とされるクリスタライト形態を有する合金材
料を例えば少なくとも約40重量%、さらには60重量
%またはそれ以上の高フラクション含有する粒状製品が
本発明の方法によって提供される。
て均一な微細粒状形態を有する合金を高収率で得ること
ができる。好ましい態様においては、磁気パラメータの
増大に必要とされるクリスタライト形態を有する合金材
料を例えば少なくとも約40重量%、さらには60重量
%またはそれ以上の高フラクション含有する粒状製品が
本発明の方法によって提供される。
本明細書中で開示する本発明によると、制御圧力下でメ
ルトスピニングを行なうことによって先駆合金を固化し
て、特定用途に関して(1)平均クリスタライト径およ
び/または(2)平均クリスタライト径付近でのクリス
タライト径分布の何れかまたは両方を最適化することが
できる。
ルトスピニングを行なうことによって先駆合金を固化し
て、特定用途に関して(1)平均クリスタライト径およ
び/または(2)平均クリスタライト径付近でのクリス
タライト径分布の何れかまたは両方を最適化することが
できる。
相互作用性強磁性体の場合、本発明の方法を用いて、
(1)製品の最高回収可能フラクションの最高磁気パラ
メータ、または (2)目標磁気パラメータまたは閾値磁気1<ラメする
ことができる。
メータ、または (2)目標磁気パラメータまたは閾値磁気1<ラメする
ことができる。
ラネー触媒のような不均一触媒の場合、本発明の方法を
用いてN 1−Aj7合金等の先駆合金のクリスタライ
ト径およびクリスタライト径分布を最適化してラネー触
媒の最終的な単位質量あたりの表面積、空孔率、孔径分
布を最適化することができる。
用いてN 1−Aj7合金等の先駆合金のクリスタライ
ト径およびクリスタライト径分布を最適化してラネー触
媒の最終的な単位質量あたりの表面積、空孔率、孔径分
布を最適化することができる。
超合金の場合、本発明の方法を用いて各種相のクリスタ
ライト径を最適化して合金の機械的特性を最適化するこ
とができる。
ライト径を最適化して合金の機械的特性を最適化するこ
とができる。
圧力は大気圧以下として上述のような最適化粒状製品を
製造するのが好ましい。粒状強磁性合金の場合は、増大
した磁気パラメータを有する材料に富んだ粒状製品とな
る。本発明によると、冷却面に近接する槽内に溶融先駆
物質の供給源を設け、溶融先駆物質を一般には非反応性
ガスを含む準大気圧の雰囲気を通して槽から高速移動式
冷却面上に放出する。溶融流は準大気圧の雰囲気中で冷
却面に衝突し、焼入れされた材料、例えば合金粒子の不
連続流を高速移動式冷却面から飛散させる。
製造するのが好ましい。粒状強磁性合金の場合は、増大
した磁気パラメータを有する材料に富んだ粒状製品とな
る。本発明によると、冷却面に近接する槽内に溶融先駆
物質の供給源を設け、溶融先駆物質を一般には非反応性
ガスを含む準大気圧の雰囲気を通して槽から高速移動式
冷却面上に放出する。溶融流は準大気圧の雰囲気中で冷
却面に衝突し、焼入れされた材料、例えば合金粒子の不
連続流を高速移動式冷却面から飛散させる。
これらの粒子は準大気圧の雰囲気を通過する。粒子は平
均径付近に密に分布した結晶径分布を有する材料を高フ
ラクション含有する微細クリスタラ一般に不活性ガスで
あり、ヘリウム、アルゴンおよびそれらの混合物から成
る群から選択するのが望ましい。最も好適な非不活性ガ
スはアルゴンである。他のものとして、水素のみ、ある
いは何れかの不活性ガスと共に用いても良い。圧力は絶
対圧内約200〜400ra m Hgとするのが普通
である。
均径付近に密に分布した結晶径分布を有する材料を高フ
ラクション含有する微細クリスタラ一般に不活性ガスで
あり、ヘリウム、アルゴンおよびそれらの混合物から成
る群から選択するのが望ましい。最も好適な非不活性ガ
スはアルゴンである。他のものとして、水素のみ、ある
いは何れかの不活性ガスと共に用いても良い。圧力は絶
対圧内約200〜400ra m Hgとするのが普通
である。
工程制御の別の点として溶融先駆物質を槽内で静止させ
ておくことにより、放出圧力の過渡変化を小さくするこ
とがあるが、これは溶融先駆物質を間接的に誘導加熱す
るなど、溶融先駆物質を間接的に加熱する方法等によっ
て達成することができる。そのため、一実施態様では溶
融先駆物質と電気的には相互作用しないが熱的に相互作
用する電界(an electrical f’1el
d that ise+ectrtca++y dec
oupled from but thermally
coupled to)を用いて溶融先駆物質の加熱を
行なう。これによって先駆物質が溶融状態に維持される
と共に静止状態にも維持される。
ておくことにより、放出圧力の過渡変化を小さくするこ
とがあるが、これは溶融先駆物質を間接的に誘導加熱す
るなど、溶融先駆物質を間接的に加熱する方法等によっ
て達成することができる。そのため、一実施態様では溶
融先駆物質と電気的には相互作用しないが熱的に相互作
用する電界(an electrical f’1el
d that ise+ectrtca++y dec
oupled from but thermally
coupled to)を用いて溶融先駆物質の加熱を
行なう。これによって先駆物質が溶融状態に維持される
と共に静止状態にも維持される。
強磁性合金を合成する本発明の特に好適な実施例では、
準大気圧下のメルトスピニング法により実質的に静止状
態にあるメルトから溶融合金を固できる。磁気分離工程
では、通常の非相互作用性材料の比較的高度の誘発磁化
と相互作用性材料の比較的低度の誘発磁化を利用して、
何れも低強度の磁界の中で行なって分離を実施する。こ
れについては、共同譲渡同時係属出願であるJohn
E。
準大気圧下のメルトスピニング法により実質的に静止状
態にあるメルトから溶融合金を固できる。磁気分離工程
では、通常の非相互作用性材料の比較的高度の誘発磁化
と相互作用性材料の比較的低度の誘発磁化を利用して、
何れも低強度の磁界の中で行なって分離を実施する。こ
れについては、共同譲渡同時係属出願であるJohn
E。
Keem、 Jun Su lrAの1987年6月1
9日付米国特許出願第063,936号、「磁気パラメ
ータ増大材料の製造、濃縮方法および該材料を他の磁性
副産物から分離する方法」 (カナダ特許出願節88−
304220.2号、日本特許出願昭63−01479
20号、台湾特許出願箱77−102102号、カナダ
特許出願第588058号、EPC特許出願第8830
4220.2号、日本特許出願箱間83−147920
号、台湾特許出願第77103102号、韓国特許出願
(番号未定))に記載されている通りである。
9日付米国特許出願第063,936号、「磁気パラメ
ータ増大材料の製造、濃縮方法および該材料を他の磁性
副産物から分離する方法」 (カナダ特許出願節88−
304220.2号、日本特許出願昭63−01479
20号、台湾特許出願箱77−102102号、カナダ
特許出願第588058号、EPC特許出願第8830
4220.2号、日本特許出願箱間83−147920
号、台湾特許出願第77103102号、韓国特許出願
(番号未定))に記載されている通りである。
添付図面を参照することで本発明が理解されよう。
発明の詳細零##
ここに記載する発明は、平均クリスタライト径、および
クリスタライト径の平均値付近での狭域分布等の制御さ
れた形態を有する金属材料を調節された圧力下で製造す
る急速固化法である。所要の平均クリスタライト径と実
際の平均クリスタライト径、平均クリスタライト径付近
でのクリスタライト径分布は多くの要因によって個別に
決定される。磁気パラメータの増大した強磁性材料の場
合、所要の平均クリスタライト径とクリスタライト径分
布が原子レベルでの相互作用によって決定されるのに対
し、多孔質触媒の場合の所要の孔径と孔径分布は触媒反
応の速度論的要因、熱力学的要因と反応経路、および反
応と生成物の物質移動特性によって決定される。但し全
ての場合において実際のクリスタライト径と径分布を決
定するのは局部的焼入れパラメータである。
クリスタライト径の平均値付近での狭域分布等の制御さ
れた形態を有する金属材料を調節された圧力下で製造す
る急速固化法である。所要の平均クリスタライト径と実
際の平均クリスタライト径、平均クリスタライト径付近
でのクリスタライト径分布は多くの要因によって個別に
決定される。磁気パラメータの増大した強磁性材料の場
合、所要の平均クリスタライト径とクリスタライト径分
布が原子レベルでの相互作用によって決定されるのに対
し、多孔質触媒の場合の所要の孔径と孔径分布は触媒反
応の速度論的要因、熱力学的要因と反応経路、および反
応と生成物の物質移動特性によって決定される。但し全
ての場合において実際のクリスタライト径と径分布を決
定するのは局部的焼入れパラメータである。
磁気パラメータの増大した強磁性材料の場合、調節され
た圧力下での急速固化法によって得られる平均クリスタ
ライト径、その平均値付近でのクリスタライト径分布、
およびクリスタライト径の範囲は、磁気パラメータを増
大し得るようなものとする。磁気パラメータの増大した
磁性材料においては、残留磁化、エネルギー積といった
増大した磁気パラメータ(高磁気パラメータ)は平均ク
リスタライト径、クリスタライト径範囲、クリスタライ
ト径分布と強く相関している。第1図は、磁気パラメー
タの1つである最大磁気エネルギー積(任意単位)と、
結晶形態の二つの尺度である平均クリスタライト径(任
意単位)および平均クリスタライト径付近でのクリスタ
ライト径分布(任意単位)との関係を定性的に表したも
のである。
た圧力下での急速固化法によって得られる平均クリスタ
ライト径、その平均値付近でのクリスタライト径分布、
およびクリスタライト径の範囲は、磁気パラメータを増
大し得るようなものとする。磁気パラメータの増大した
磁性材料においては、残留磁化、エネルギー積といった
増大した磁気パラメータ(高磁気パラメータ)は平均ク
リスタライト径、クリスタライト径範囲、クリスタライ
ト径分布と強く相関している。第1図は、磁気パラメー
タの1つである最大磁気エネルギー積(任意単位)と、
結晶形態の二つの尺度である平均クリスタライト径(任
意単位)および平均クリスタライト径付近でのクリスタ
ライト径分布(任意単位)との関係を定性的に表したも
のである。
第1図は、本発明者らの米国特許節893,516号並
びに米国代理人書類番号843.7 (何れも先に本
明細書に含むものとした)に記載の相互作用モデルに従
って、材料に固有の特性的クリスタライト径または寸法
R6(原子レベルでの相互作用によって決定される)の
付近の磁気パラメータを増大しうる平均クリスタライト
径およびクリスタライト径分布の範囲を示している。強
化される特性も、この狭い範囲から外では急速に減少す
ることが分かる。また第1図から分かるように、Roよ
り小さい平均クリスタライト径のものは「焼入れ過多材
料」になる傾向があり、Roより大きい平均クリスタラ
イト径では「焼入れ不足材料」になる傾向があるが、ど
ちらの場合も最適クリスタライト径を有するパラメータ
強化材料に比べてエネルギー積が低くなっている。
びに米国代理人書類番号843.7 (何れも先に本
明細書に含むものとした)に記載の相互作用モデルに従
って、材料に固有の特性的クリスタライト径または寸法
R6(原子レベルでの相互作用によって決定される)の
付近の磁気パラメータを増大しうる平均クリスタライト
径およびクリスタライト径分布の範囲を示している。強
化される特性も、この狭い範囲から外では急速に減少す
ることが分かる。また第1図から分かるように、Roよ
り小さい平均クリスタライト径のものは「焼入れ過多材
料」になる傾向があり、Roより大きい平均クリスタラ
イト径では「焼入れ不足材料」になる傾向があるが、ど
ちらの場合も最適クリスタライト径を有するパラメータ
強化材料に比べてエネルギー積が低くなっている。
■、結晶形態と増大した磁気パラメータの関係本発明の
方法によって製造された強磁性材料では、クリスタライ
ト径と粒界相分布の2つの形態的な点について材料に固
有の許容値となるように制御して、パラメータが増大す
るようにしなければならない。個々のクリスタライトは
径、長さといった寸法を個々に有している。本発明によ
ると、個々のクリスタライトの寸法は、核生成、成長、
固化の各プロセスを決定するファクターによって機構的
(IIechanistlcal ly)に決定される
。材料はまた、材料に固有の特性寸法R8をも有する。
方法によって製造された強磁性材料では、クリスタライ
ト径と粒界相分布の2つの形態的な点について材料に固
有の許容値となるように制御して、パラメータが増大す
るようにしなければならない。個々のクリスタライトは
径、長さといった寸法を個々に有している。本発明によ
ると、個々のクリスタライトの寸法は、核生成、成長、
固化の各プロセスを決定するファクターによって機構的
(IIechanistlcal ly)に決定される
。材料はまた、材料に固有の特性寸法R8をも有する。
前出の米国特許出願第893,516号に記載されてい
るように、また定性的にも特性寸法R8とは、隣接する
クリスタライトの表面上に存在する伝導帯電子間の交換
エネルギーを各クリスタライト内の異方性エネルギーと
ほぼ等しくすることにより、パラメータの増大を生じさ
せるクリスタライトの寸法である。
るように、また定性的にも特性寸法R8とは、隣接する
クリスタライトの表面上に存在する伝導帯電子間の交換
エネルギーを各クリスタライト内の異方性エネルギーと
ほぼ等しくすることにより、パラメータの増大を生じさ
せるクリスタライトの寸法である。
個々のクリスタライトの全部が各々の特性寸法を計算上
の特性寸法R6とほぼ等しくし、粒界形態が粒界を介し
ての強磁性電子スピン結合を妨害しないものになった時
に磁性エネルギー積が増大して最大となる。
の特性寸法R6とほぼ等しくし、粒界形態が粒界を介し
ての強磁性電子スピン結合を妨害しないものになった時
に磁性エネルギー積が増大して最大となる。
Roの正確な値は組成によって決まる。2−14覧
一1蚤材料、すなわちP4 /innの結晶空間群(
crystallographlc 5pace gr
oup)を有する正方晶形(tetragonal)
F e 14N d 2B 、系材料の場合、特性寸法
RoはFeとCOとのお互いの間に関する、また組成全
体に対する相対的フラクション、Nd、Prおよびその
他La等の希土類相互における、また組成全体に対する
相対的フラクション、Bの機能、また含有する場合はS
i、A、Q裂 等の改質剤の機能によって決まる。2−14−11の材
料の場合、本発明者らの米国代理人書類番号第843.
7の出願に記載したように、Roは140〜300オン
グストロームであると考えられる。
crystallographlc 5pace gr
oup)を有する正方晶形(tetragonal)
F e 14N d 2B 、系材料の場合、特性寸法
RoはFeとCOとのお互いの間に関する、また組成全
体に対する相対的フラクション、Nd、Prおよびその
他La等の希土類相互における、また組成全体に対する
相対的フラクション、Bの機能、また含有する場合はS
i、A、Q裂 等の改質剤の機能によって決まる。2−14−11の材
料の場合、本発明者らの米国代理人書類番号第843.
7の出願に記載したように、Roは140〜300オン
グストロームであると考えられる。
夕闇の関係
上述の形態とそれに伴う磁気パラメータを高フラクショ
ン含有する強磁性合金は本発明の低圧急速固化メルトス
ピニング法で製造しうる。この際、所望によりそれに続
けて下記のように生成物の磁性分離、すなわち磁性選別
を行なってもよい。
ン含有する強磁性合金は本発明の低圧急速固化メルトス
ピニング法で製造しうる。この際、所望によりそれに続
けて下記のように生成物の磁性分離、すなわち磁性選別
を行なってもよい。
後述のように、急速固化製造技術により同一のメルトス
ピンの内部に各種形態のフラクションが分布することに
なる。ここに記載する製造技術をもってしても、形態の
範囲は狭くなるものの、定範囲に分布する。しかし、下
記および1987年6月19日付John E、 Ke
en、 Jun Su Ia+の米国特許出願第061
.988号、「磁気パラメータ強化材料の製造、濃縮方
法および該材料を他の材料から分離する方法」 (その
内容を本明細書の中に含むものとする)に記載の選別方
法を用いて、本発明者らは同一のリボンから取った試料
のクリスタライト径が材料に固有の特性クリスタライト
径R8より大きいもの、それと同じであるもの、それよ
り小さいものを含む試料の各々を製造したままの材料か
ら分離回収することに成功した。
ピンの内部に各種形態のフラクションが分布することに
なる。ここに記載する製造技術をもってしても、形態の
範囲は狭くなるものの、定範囲に分布する。しかし、下
記および1987年6月19日付John E、 Ke
en、 Jun Su Ia+の米国特許出願第061
.988号、「磁気パラメータ強化材料の製造、濃縮方
法および該材料を他の材料から分離する方法」 (その
内容を本明細書の中に含むものとする)に記載の選別方
法を用いて、本発明者らは同一のリボンから取った試料
のクリスタライト径が材料に固有の特性クリスタライト
径R8より大きいもの、それと同じであるもの、それよ
り小さいものを含む試料の各々を製造したままの材料か
ら分離回収することに成功した。
■1合成
A、準大気圧下のメルトスピニング法
本発明によると、クリスタライト径等の形態が狭域に分
布する微細粒状材料が、本発明における調節された圧力
下、例えば準大気圧下での急速固型 化法により高収率で得られる。2−14−1%の強磁性
合金の場合、この方法によって増大した磁気パラメータ
を示す形態を有する強磁性合金材料を少なくとも40重
量%、さらには60重量%またはそれ以上の非常に高い
フラクション含有する粒状生成物が得られる。ラネーニ
ッケル触媒のような不均一触媒の場合、この方法によっ
て高い触媒作用を示す形態を有する粒状生成物が得られ
る。
布する微細粒状材料が、本発明における調節された圧力
下、例えば準大気圧下での急速固型 化法により高収率で得られる。2−14−1%の強磁性
合金の場合、この方法によって増大した磁気パラメータ
を示す形態を有する強磁性合金材料を少なくとも40重
量%、さらには60重量%またはそれ以上の非常に高い
フラクション含有する粒状生成物が得られる。ラネーニ
ッケル触媒のような不均一触媒の場合、この方法によっ
て高い触媒作用を示す形態を有する粒状生成物が得られ
る。
この好適実施例によると、準大気圧条件下で先駆合金を
固化すると所望の形態とパラメータに富む粒状生成物、
すなわちフレーク状生成物が生成する。その理由として
、この説明はいかなる制限をも意図するものではないが
、低圧条件とすることにより金属からガスへの対流的な
熱伝達がコントロールされ、熱伝達速度の均一性をより
精密に制御できること、および/または気体圧を低くす
ることで固化金属と冷却面との間に断熱性のガス膜が形
成される傾向を低減しうろこと、および/または低圧条
件によって溶解ガスを溶離できることが考えられる。
固化すると所望の形態とパラメータに富む粒状生成物、
すなわちフレーク状生成物が生成する。その理由として
、この説明はいかなる制限をも意図するものではないが
、低圧条件とすることにより金属からガスへの対流的な
熱伝達がコントロールされ、熱伝達速度の均一性をより
精密に制御できること、および/または気体圧を低くす
ることで固化金属と冷却面との間に断熱性のガス膜が形
成される傾向を低減しうろこと、および/または低圧条
件によって溶解ガスを溶離できることが考えられる。
本発明の方法によると、冷却面に近接して設けられた槽
の中に溶融先駆物質の供給源を形成し、溶融先駆物質の
流れを槽から、一般には非反応性ガスを含む準大気圧の
雰囲気(5ubatiospherlcpressur
e environment)を通って高速移動式冷却
面上に放出する。溶融先駆物質の流れが準大気圧の雰囲
気において冷却面上に衝突し、合金粒子およびフレーク
等の焼入れ材料の不連続的な流れを高速移動式冷却面か
ら飛散させる。飛散した粒子は、準大気圧雰囲気を通っ
て移動し、クリスタライとして回収される。
の中に溶融先駆物質の供給源を形成し、溶融先駆物質の
流れを槽から、一般には非反応性ガスを含む準大気圧の
雰囲気(5ubatiospherlcpressur
e environment)を通って高速移動式冷却
面上に放出する。溶融先駆物質の流れが準大気圧の雰囲
気において冷却面上に衝突し、合金粒子およびフレーク
等の焼入れ材料の不連続的な流れを高速移動式冷却面か
ら飛散させる。飛散した粒子は、準大気圧雰囲気を通っ
て移動し、クリスタライとして回収される。
準大気圧等の調節された圧力を構成するために使用され
る非反応性ガスは、一般には水素の不活性ガスであり、
ヘリウムとアルゴンと水素とそれらの混合物とから成る
群から選択される。好適なガスはアルゴンである。ガス
としてアルゴンを使用する場合の準大気圧は、絶対圧内
約200〜400mmHg以下とするのが普通である。
る非反応性ガスは、一般には水素の不活性ガスであり、
ヘリウムとアルゴンと水素とそれらの混合物とから成る
群から選択される。好適なガスはアルゴンである。ガス
としてアルゴンを使用する場合の準大気圧は、絶対圧内
約200〜400mmHg以下とするのが普通である。
上述のガスおよびその混合物は、それぞれの水力学的パ
ラメータに関して各々最適な気体圧を有すること、そし
て、それらの圧力は当業者であれば標準的な化学的機械
的な工学的方法を用いて本明細書中に記載の原理から容
易に決定しうろことが理解されよう。
ラメータに関して各々最適な気体圧を有すること、そし
て、それらの圧力は当業者であれば標準的な化学的機械
的な工学的方法を用いて本明細書中に記載の原理から容
易に決定しうろことが理解されよう。
工程制御のもう1つの点として、溶融先駆物質を槽内で
静止状態に維持することにより、放出圧の過渡的変化を
低減することを挙げることができる。これを達成する方
法としては、溶融先駆物質を間接的に誘導加熱するなど
の間接的加熱法が用いられる。従って一実施態様では溶
融先駆物質と電気的には相互作用しないが熱的に相互作
用する電界を用いて溶融先駆物質を加熱する。これによ
って先駆物質が溶融状態に維持されると共に実質的に静
止状態に維持される。
静止状態に維持することにより、放出圧の過渡的変化を
低減することを挙げることができる。これを達成する方
法としては、溶融先駆物質を間接的に誘導加熱するなど
の間接的加熱法が用いられる。従って一実施態様では溶
融先駆物質と電気的には相互作用しないが熱的に相互作
用する電界を用いて溶融先駆物質を加熱する。これによ
って先駆物質が溶融状態に維持されると共に実質的に静
止状態に維持される。
第2図は本発明の方法によって作成した2−14翌
一1藤強磁性材料に関して、ホイール速度およびチャン
バー圧に対する磁気パラメータのデータを示す図である
。第3図と第4図は放出圧、オリフィス径、冷却面ホイ
ール径の各パラメータを一定として1種類の合金(合金
試料539AA 、実施例I)に関するホイール速度お
よび圧力に対する収率およびエネルギー積の投影完全応
答曲面をそれぞれ示す図である。
バー圧に対する磁気パラメータのデータを示す図である
。第3図と第4図は放出圧、オリフィス径、冷却面ホイ
ール径の各パラメータを一定として1種類の合金(合金
試料539AA 、実施例I)に関するホイール速度お
よび圧力に対する収率およびエネルギー積の投影完全応
答曲面をそれぞれ示す図である。
第3図は、14.7メガガウス工ルステツド以上の磁気
エネルギー積を有する材料の質量フラクションとホイー
ル速度および圧力の関係を投影完全マツピングした図で
ある。第3図から、約14.7〜15メガガウス工ルス
テツド以上の質量フラクション、すなわち“2−14−
1°系における相互作用の開始を示すベンチマークが最
大化するパラメータ空間の領域が明らかである。−膜性
には、強磁性合金材料のフラクションには2種類の磁気
パラメータ分布が見られ、一方のフラクションの最大磁
気エネルギー積が14.7〜15KOe未満の数KOe
であるのに対し、他方のフラクションの磁気エネルギー
積は約15 KOe以上であった。この領域は圧力の増
大およびホイール速度の増大に伴って拡大することが分
かる。
エネルギー積を有する材料の質量フラクションとホイー
ル速度および圧力の関係を投影完全マツピングした図で
ある。第3図から、約14.7〜15メガガウス工ルス
テツド以上の質量フラクション、すなわち“2−14−
1°系における相互作用の開始を示すベンチマークが最
大化するパラメータ空間の領域が明らかである。−膜性
には、強磁性合金材料のフラクションには2種類の磁気
パラメータ分布が見られ、一方のフラクションの最大磁
気エネルギー積が14.7〜15KOe未満の数KOe
であるのに対し、他方のフラクションの磁気エネルギー
積は約15 KOe以上であった。この領域は圧力の増
大およびホイール速度の増大に伴って拡大することが分
かる。
第4図は回収された最大磁気エネルギー積が最高のフラ
クションにおける最大磁気エネルギー積とホイール速度
および圧力の関係を投影完全マツピングした図である。
クションにおける最大磁気エネルギー積とホイール速度
および圧力の関係を投影完全マツピングした図である。
最大エネルギー積は少なくともホイール速度と圧力の関
数である。
数である。
第4図が示すように、閾値圧力が存在し、所望の狭域粒
径分布とするためには圧力をこの閾値圧力(少なくとも
オリフィス径、オリフィスからホイールまでの距離、材
料特性の関数となる)より低く維持する必要がある。
径分布とするためには圧力をこの閾値圧力(少なくとも
オリフィス径、オリフィスからホイールまでの距離、材
料特性の関数となる)より低く維持する必要がある。
第2.3.4図に示すと共に実施例Iに記載した試料5
39AAの場合、その閾値圧力は絶対圧力で700關H
g (すなわち−60mmHgのゲージ圧)である。
39AAの場合、その閾値圧力は絶対圧力で700關H
g (すなわち−60mmHgのゲージ圧)である。
絶対圧内約600〜700 mm1gより高い圧力では
、エネルギー積の最高値を得ることができない。最高値
が得られるのは、実施例Iで使用したオリフィス径、オ
リフィス・ホイール間距離およびオリフィス圧について
は絶対圧力600〜700 +auHgより低い場合に
限られる。−膜内に言って、最良の結果が得られるのは
チャンバー圧が絶対圧内約300〜400 mm11g
未満、好適には約200〜40OmmHg未満の場合で
ある。但し、他のパラメータに関する閾値圧力は、本明
細書中に記載の原理を用いて通常の実験によって決定で
きることが理解されるであろう。
、エネルギー積の最高値を得ることができない。最高値
が得られるのは、実施例Iで使用したオリフィス径、オ
リフィス・ホイール間距離およびオリフィス圧について
は絶対圧力600〜700 +auHgより低い場合に
限られる。−膜内に言って、最良の結果が得られるのは
チャンバー圧が絶対圧内約300〜400 mm11g
未満、好適には約200〜40OmmHg未満の場合で
ある。但し、他のパラメータに関する閾値圧力は、本明
細書中に記載の原理を用いて通常の実験によって決定で
きることが理解されるであろう。
第3図および第4図に示されるように、14.7メガガ
ウスエルステツドより大きいペレットエネルギー積を有
するパラメータ強化材料を40質量%以上再現性よく生
成する領域がホイール速度と圧力パラメータの間に広く
存在する。るつぼを通る放出圧を2ボンド/平方インチ
、オリフィス径を0.075センチメートル、ホイール
径を20インチに固定した場合、実施例Iの材料(実験
試料539AA )については、このパラメータ空間領
域は、30− [8/ 320コPc 対30−
[8/ 1130] P cとマツピングされる。
ウスエルステツドより大きいペレットエネルギー積を有
するパラメータ強化材料を40質量%以上再現性よく生
成する領域がホイール速度と圧力パラメータの間に広く
存在する。るつぼを通る放出圧を2ボンド/平方インチ
、オリフィス径を0.075センチメートル、ホイール
径を20インチに固定した場合、実施例Iの材料(実験
試料539AA )については、このパラメータ空間領
域は、30− [8/ 320コPc 対30−
[8/ 1130] P cとマツピングされる。
ここで、Pcは単位mmHgのチャンバー圧、Vsは単
位m7秒のホイール速度である。
位m7秒のホイール速度である。
投影完全応答曲面、特に圧力およびホイール速度の関数
としての最高エネルギー積フラクションの最大エネルギ
ー積を示したのが第4図である。
としての最高エネルギー積フラクションの最大エネルギ
ー積を示したのが第4図である。
本発明者らが実験を行なった圧力においては、ホイール
速度をチャンバー圧に応じて20〜30m/秒の範囲、
好適には約20〜25m/秒の範囲にするべきであると
いう知見も得られた。
速度をチャンバー圧に応じて20〜30m/秒の範囲、
好適には約20〜25m/秒の範囲にするべきであると
いう知見も得られた。
本発明の方法によって一定のプロセス制御を行なうこと
ができ、(1)合金の自由面でのアルゴンガスによる強
制対流冷却、および(II)冷却面への熱伝導、に関連
する焼入れ要素を個々に制御することができる。
ができ、(1)合金の自由面でのアルゴンガスによる強
制対流冷却、および(II)冷却面への熱伝導、に関連
する焼入れ要素を個々に制御することができる。
以上、狭い範囲でのオリフィス径、るつぼ圧、るつぼオ
リフィス・冷却ホイール間距離、不活性ガス組成に関し
てプロセスの研究開発を行なってきた。しかし、これら
を変更することは明細書中に記載の概念の範囲内での通
常の実験範囲に属する事項であり、容易に達成すること
ができること本発明の方法による微粒子材料の準大気圧
メルトスピニング法に有用な装置を示したのが第5図、
第6図および第7図である。第5図と第6図はメルトス
ピン装置(1)を示す。メルトスピン装置(1)は圧力
槽(11)を含んでおり、圧力槽(11)の内部にメル
トスピンアセンブリ(21)が設けられる。このアセン
ブリがスピンホイール(35)と玉軸受シャフト(37
)を実質的に振動しないように支持している。
リフィス・冷却ホイール間距離、不活性ガス組成に関し
てプロセスの研究開発を行なってきた。しかし、これら
を変更することは明細書中に記載の概念の範囲内での通
常の実験範囲に属する事項であり、容易に達成すること
ができること本発明の方法による微粒子材料の準大気圧
メルトスピニング法に有用な装置を示したのが第5図、
第6図および第7図である。第5図と第6図はメルトス
ピン装置(1)を示す。メルトスピン装置(1)は圧力
槽(11)を含んでおり、圧力槽(11)の内部にメル
トスピンアセンブリ(21)が設けられる。このアセン
ブリがスピンホイール(35)と玉軸受シャフト(37
)を実質的に振動しないように支持している。
シャフト(37)とスピンホイールはプーリ(45)等
を介して電動機(41)によって駆動される。
を介して電動機(41)によって駆動される。
ホイール(35)の上方にこれと近接してるつぼアセン
ブリ(101)が配置されている。第7図に示すように
、るつぼアセンブリ(101)は例えばムライト(mu
llite )や石英から成るるつぼ(111)を含み
、るつぼ(111)はメルトスピンホイール(35)に
近接してオリフィス(121)を備えている。
ブリ(101)が配置されている。第7図に示すように
、るつぼアセンブリ(101)は例えばムライト(mu
llite )や石英から成るるつぼ(111)を含み
、るつぼ(111)はメルトスピンホイール(35)に
近接してオリフィス(121)を備えている。
第7図に示すように、プラグロッド(131)によりオ
リフィス(121)の開閉が制御され、溶融合金をるつ
5ぼ(Ill)から流出させるように設けられている。
リフィス(121)の開閉が制御され、溶融合金をるつ
5ぼ(Ill)から流出させるように設けられている。
プラグロッド(131)は電源を有するソレノイドコイ
ル(135)によって開閉が制御される。
ル(135)によって開閉が制御される。
るつぼ(111)とその内容物は誘導加熱コイル(14
1)等によって加熱される。通常は誘導加熱によって溶
融合金が激しく混合されるが、このような混合と乱流は
瞬間的焼入れパラメータに対して悪影響を及ぼす。しか
し、本発明者らは誘導加熱を電界を用いて行なえば、す
なわちサセプタ(supceptor ) (151)
等によって溶融金属から電気的には相互作用しないが溶
融金属と熱的に相互作用するコイル(141)の電界を
用いて行なえば、間接誘導加熱等の間接加熱を実現する
ことができ、それによってるつぼ(iti)の中で静止
メルトを得ることができるという知見を得た。
1)等によって加熱される。通常は誘導加熱によって溶
融合金が激しく混合されるが、このような混合と乱流は
瞬間的焼入れパラメータに対して悪影響を及ぼす。しか
し、本発明者らは誘導加熱を電界を用いて行なえば、す
なわちサセプタ(supceptor ) (151)
等によって溶融金属から電気的には相互作用しないが溶
融金属と熱的に相互作用するコイル(141)の電界を
用いて行なえば、間接誘導加熱等の間接加熱を実現する
ことができ、それによってるつぼ(iti)の中で静止
メルトを得ることができるという知見を得た。
(I)サセプタ(151)等により溶融合金から電気的
に相互作用しないが熱的に相互作用する電界を用いて間
接誘導加熱等により獲得される静止メルトと(fI)雰
囲気圧力を例えば絶対圧力で約TOO% 止II g未
満、好適には約200〜400 +u Jigと低くす
ることとを組合せることで、パラメータ強化材料を高収
率で得ることが可能になる。
に相互作用しないが熱的に相互作用する電界を用いて間
接誘導加熱等により獲得される静止メルトと(fI)雰
囲気圧力を例えば絶対圧力で約TOO% 止II g未
満、好適には約200〜400 +u Jigと低くす
ることとを組合せることで、パラメータ強化材料を高収
率で得ることが可能になる。
C,Re ’Fe、4B系合金を用いての実験結果低
圧メルトスピニングを行なった結果、P42/ mnm
の正方品結晶構造、増大した永久(硬質)磁気パラメー
タを有する’2−14−1”型強磁性合金が製造された
。この他に、鉄を豊富に含むと同時に、他の報告では磁
気的に有意の立方鉄相が存在するとされる鉄濃度におい
て軟磁性立方鉄相(すなわちα鉄)が実質的に存在しな
い強磁性2−14−1型合金を製造しうろことも低圧法
の利点である。
圧メルトスピニングを行なった結果、P42/ mnm
の正方品結晶構造、増大した永久(硬質)磁気パラメー
タを有する’2−14−1”型強磁性合金が製造された
。この他に、鉄を豊富に含むと同時に、他の報告では磁
気的に有意の立方鉄相が存在するとされる鉄濃度におい
て軟磁性立方鉄相(すなわちα鉄)が実質的に存在しな
い強磁性2−14−1型合金を製造しうろことも低圧法
の利点である。
すなわち、本発明の方法を用いるごとによって、化学当
量を超えるFM (hyDerstoichion+e
tric、以下超化学当量という)の鉄、または鉄とコ
バルトを含む、すなわち85原子%以上の鉄または鉄と
コバルトを含有する結果、希土類の含有mが10原子%
以下t’tiつでも、従来の非相互作用性材料の磁気パ
ラメータを上回る磁気パラメータを有し、磁気的に単相
の材料として挙動する’2−14−1”型強磁性合金を
得ることができる。
量を超えるFM (hyDerstoichion+e
tric、以下超化学当量という)の鉄、または鉄とコ
バルトを含む、すなわち85原子%以上の鉄または鉄と
コバルトを含有する結果、希土類の含有mが10原子%
以下t’tiつでも、従来の非相互作用性材料の磁気パ
ラメータを上回る磁気パラメータを有し、磁気的に単相
の材料として挙動する’2−14−1”型強磁性合金を
得ることができる。
圧力を低くし、ホイール速度を高くしても1=らされる
焼入れパラメータにより、パラメータ増大強磁性合金材
料が、先行技術すなわち非相互作用性強磁性材料に対す
るストナー(S toner)とウオルファース(W
oh l farth >の上限を上回る約40市固%
以上、さらには60重量%以上の高収率で得られ、17
メガガウス工ルステツド以上の磁気エネルギー積を有す
る強磁性2−14−1型材料が10〜20重量%の収率
で得られる。
焼入れパラメータにより、パラメータ増大強磁性合金材
料が、先行技術すなわち非相互作用性強磁性材料に対す
るストナー(S toner)とウオルファース(W
oh l farth >の上限を上回る約40市固%
以上、さらには60重量%以上の高収率で得られ、17
メガガウス工ルステツド以上の磁気エネルギー積を有す
る強磁性2−14−1型材料が10〜20重量%の収率
で得られる。
IV、LZ を む゛1.工程
本発明の方法は、1回の運転毎のパラメータ増各
大材料の収率を大幅に高めるが、実際にはへ遠因化処理
条件が変動する結果、生成物の形態分布が生じる。その
ため、強磁性合金の場合は、残留磁化(remanen
ce)の強い高エネルー竺−積材料を相当量含む急速固
化処理生成物は低エネルギー積材料で希釈される。本発
明を実施する際、J ohnK eam並びにJun
Su 1m名義の1987年6月19日付米国特許出
願第063.936号、「磁気パラメータ増大材料の製
造、濃縮方法および該材料を他の磁性副産物から分離す
る方法」 (代理人書類番号08HC−11)に記載の
磁気分離方法を用いて磁気パラメータ増大材料の濃縮を
行なうことにより、性能を高めたフラクシヨンを高収率
で得ることができるという利点をさらに完全に実現でき
ることができる。なお、前記特許出願の内容は特に本明
細占中にも含まれるものとする。
条件が変動する結果、生成物の形態分布が生じる。その
ため、強磁性合金の場合は、残留磁化(remanen
ce)の強い高エネルー竺−積材料を相当量含む急速固
化処理生成物は低エネルギー積材料で希釈される。本発
明を実施する際、J ohnK eam並びにJun
Su 1m名義の1987年6月19日付米国特許出
願第063.936号、「磁気パラメータ増大材料の製
造、濃縮方法および該材料を他の磁性副産物から分離す
る方法」 (代理人書類番号08HC−11)に記載の
磁気分離方法を用いて磁気パラメータ増大材料の濃縮を
行なうことにより、性能を高めたフラクシヨンを高収率
で得ることができるという利点をさらに完全に実現でき
ることができる。なお、前記特許出願の内容は特に本明
細占中にも含まれるものとする。
本発明の特に好適な実施例によると、準大気圧下での急
速同化法に引き続いて選別処理を行ない、「焼入れ過多
1のフラクションと「焼入れ不足」のフラクションを分
離することによりパラメータ増大材料の「カット」を行
なう。選別分離されたパラメータ増大材料のフラクショ
ンは、形態分布およびパラメータ分布が非常に狭くなっ
ており、(i)クリスタライト径が非常に小さく、低飽
和保持力、低エネルギー積の「焼入れ過多」材料および
/または(ii)クリスタライト径が非常に大きく、低
残留磁化、低エネルギー積の「焼入れ不足」材料を実質
的に含んでいない。
速同化法に引き続いて選別処理を行ない、「焼入れ過多
1のフラクションと「焼入れ不足」のフラクションを分
離することによりパラメータ増大材料の「カット」を行
なう。選別分離されたパラメータ増大材料のフラクショ
ンは、形態分布およびパラメータ分布が非常に狭くなっ
ており、(i)クリスタライト径が非常に小さく、低飽
和保持力、低エネルギー積の「焼入れ過多」材料および
/または(ii)クリスタライト径が非常に大きく、低
残留磁化、低エネルギー積の「焼入れ不足」材料を実質
的に含んでいない。
第8図は2段階の連続工程を示したものである。
最初の段階で本発明の低圧急速固化法を用いて、クリス
タライト径分布が平均クリスタライト径付近の狭い範囲
にあるフレーク状または板状の脆い磁性合金を合成する
。フレーク状合金を回収して、磁気選別法によりパラメ
ータ増大フラクションと低エネルギー積フラクションに
分離する。低エネルギー積フラクションは、再溶融した
り、熱処理しても良く、また直接使用することもできる
。
タライト径分布が平均クリスタライト径付近の狭い範囲
にあるフレーク状または板状の脆い磁性合金を合成する
。フレーク状合金を回収して、磁気選別法によりパラメ
ータ増大フラクションと低エネルギー積フラクションに
分離する。低エネルギー積フラクションは、再溶融した
り、熱処理しても良く、また直接使用することもできる
。
この2段階連続工程は、第9図に定量的に示したような
驚くべき観察結果に基くものである。第9図によると、
全ての性能フラクションのエネルギー積がそれらのフラ
クションの初期の(すなわら印加する磁化界が低い時の
)磁化の大きさと実質的に逆の関係となっている。
驚くべき観察結果に基くものである。第9図によると、
全ての性能フラクションのエネルギー積がそれらのフラ
クションの初期の(すなわら印加する磁化界が低い時の
)磁化の大きさと実質的に逆の関係となっている。
連続して選別段階を実施する本発明の選択的方法による
と、粒状固体またはその分級部分に磁界を印加する。磁
界の強さ(第9図トビ)はエネルギー積が高いフラクシ
ョンが実質的に磁化しない程度に低くすると同時に、低
エネルギー積ノラクションの誘導磁化を行なえる程度に
高くする。これによって低エネルギー積フラクシ3ンが
磁化されて磁気弁II器に吸引される一方、高エネルギ
ー積フラクションは残されることになる。印加する磁界
を次第に高くしながら、全ての粒状固体をエネルギー積
により分級し終えるまでこの段階を反復して行なう。
と、粒状固体またはその分級部分に磁界を印加する。磁
界の強さ(第9図トビ)はエネルギー積が高いフラクシ
ョンが実質的に磁化しない程度に低くすると同時に、低
エネルギー積ノラクションの誘導磁化を行なえる程度に
高くする。これによって低エネルギー積フラクシ3ンが
磁化されて磁気弁II器に吸引される一方、高エネルギ
ー積フラクションは残されることになる。印加する磁界
を次第に高くしながら、全ての粒状固体をエネルギー積
により分級し終えるまでこの段階を反復して行なう。
本発明者らは、2−14−1型の材料のエネルギー積の
相違に基いて分離を行うためには(i>!!a石と粒子
間の距離、および(11)電磁石(磁気分離器)の磁化
を分離をできる程度にしなければならないという知見を
得て、それを前出の米国時r[出願筒063,936号
に記載した。これは実際のどのようなシステムについて
も、経験的に容易に決定することができる。経験的に決
定した範囲より数値が大きくなると、パラメータの高い
フレークJ3よび粒子を多く磁化し過ぎて、結果的に凝
集、アグロメレーション(aaglomeration
)を生じ、分離を達成できなくなる。経験的に決定した
範囲より数値が小さい場合は低パラメータのフレークお
よび粒子が除去されない。
相違に基いて分離を行うためには(i>!!a石と粒子
間の距離、および(11)電磁石(磁気分離器)の磁化
を分離をできる程度にしなければならないという知見を
得て、それを前出の米国時r[出願筒063,936号
に記載した。これは実際のどのようなシステムについて
も、経験的に容易に決定することができる。経験的に決
定した範囲より数値が大きくなると、パラメータの高い
フレークJ3よび粒子を多く磁化し過ぎて、結果的に凝
集、アグロメレーション(aaglomeration
)を生じ、分離を達成できなくなる。経験的に決定した
範囲より数値が小さい場合は低パラメータのフレークお
よび粒子が除去されない。
焼入れ不足の粗大粒状材料は、低エネルギー積製品とし
て利用したり、再利用、すなわち再溶融することができ
る。微細粒状の焼入れ過多材料は低エネルギー積製品と
して利用したり、再刊用(すなわら再溶融)したり、加
熱して粒径を人きくしたりすることができる。
て利用したり、再利用、すなわち再溶融することができ
る。微細粒状の焼入れ過多材料は低エネルギー積製品と
して利用したり、再刊用(すなわら再溶融)したり、加
熱して粒径を人きくしたりすることができる。
このJ:うな誘導磁化の相違によって、主として「パフ
メータ増大」粒子から成る第1部分の機械的分離と共に
、「焼入れ過多」の完全磁化磁気特性の低い粒子の磁気
的分離を行なうことができる。
メータ増大」粒子から成る第1部分の機械的分離と共に
、「焼入れ過多」の完全磁化磁気特性の低い粒子の磁気
的分離を行なうことができる。
ここで使用する「磁気的分離」という用語は、一般にr
ra気吸引性」と呼ばれる磁気特性の相違に臭いで材料
の分離、すなわち選別を行なうことを意味する。「磁気
吸引性」については、Warren L、 McCab
e並びにJulianC。
ra気吸引性」と呼ばれる磁気特性の相違に臭いで材料
の分離、すなわち選別を行なうことを意味する。「磁気
吸引性」については、Warren L、 McCab
e並びにJulianC。
S m1th、 1−化学工学のユニット操作」、M
c−Graw H111 Book Company、
I nc、 、 NewYork 、 (195
6) 、 388〜391頁に定義、記載されている
通りであり、その内容を本明細書中に含むものとする。
c−Graw H111 Book Company、
I nc、 、 NewYork 、 (195
6) 、 388〜391頁に定義、記載されている
通りであり、その内容を本明細書中に含むものとする。
本発明を実施する上で有効な磁気的分離方法として、電
磁石を粒状材料に近接して配置する。低誘導磁化材料が
電磁石に吸引されないのに対し、比較的高い誘導磁化材
料は電磁石面の上に捕集される。
磁石を粒状材料に近接して配置する。低誘導磁化材料が
電磁石に吸引されないのに対し、比較的高い誘導磁化材
料は電磁石面の上に捕集される。
■、磁性合金組成物
本発明の方法によって製造できる磁性材料には、Fe、
Go、N i等の強磁性遷移金属と、希土類金属のよう
な他の金属との強磁性合金がある。−例として、鉄と任
意にコバルト等の他の遷移金属またはネオジム、プラセ
オジムのような希土類金属との合金に、任意にランタン
、ホウ素、また任意に改質剤を含む磁性合金材料がある
。別の例としては、鉄またはコバルト等の強磁性遷移金
属と、サマリウムのようなランタニドとの合金に任意に
改質剤を含む磁性合金材料がある。
Go、N i等の強磁性遷移金属と、希土類金属のよう
な他の金属との強磁性合金がある。−例として、鉄と任
意にコバルト等の他の遷移金属またはネオジム、プラセ
オジムのような希土類金属との合金に、任意にランタン
、ホウ素、また任意に改質剤を含む磁性合金材料がある
。別の例としては、鉄またはコバルト等の強磁性遷移金
属と、サマリウムのようなランタニドとの合金に任意に
改質剤を含む磁性合金材料がある。
改質剤としては、ケイ素、アルミニウムおよびその混合
物が挙げられる。改質剤を含む揚台、そのMは焼入れパ
ラメータとの兼合いで上述のような等方性磁気パラメー
タの形態となる程度とする。
物が挙げられる。改質剤を含む揚台、そのMは焼入れパ
ラメータとの兼合いで上述のような等方性磁気パラメー
タの形態となる程度とする。
磁性合金は、[希七類金属]−L iQ移金金属1[改
質剤]の形式とすることができ、例えば、[Nd、Sm
] −[Fe、Co] −[8i−/’l ]となる。
質剤]の形式とすることができ、例えば、[Nd、Sm
] −[Fe、Co] −[8i−/’l ]となる。
別の相互作用性合金は[希土類金属]−[遷移金属]−
ホウ素2−[改質剤Jの形式とすることができ、例えば
、[希土類金属] −[Fe、C0I−・ホウ素−し改
質剤]および1:希土類金属1[Fe、Co、Mrtコ
ーホウ素−[改質剤]となる。
ホウ素2−[改質剤Jの形式とすることができ、例えば
、[希土類金属] −[Fe、C0I−・ホウ素−し改
質剤]および1:希土類金属1[Fe、Co、Mrtコ
ーホウ素−[改質剤]となる。
磁性合金材料はRE2TM14Bの形式とすることがで
きる。この形式は当該技術分野においてNd2F614
B−系、2−14−1型、お、J: ヒ/ マタハ正方
晶P4゜/ mnm型とも称されるものである。
きる。この形式は当該技術分野においてNd2F614
B−系、2−14−1型、お、J: ヒ/ マタハ正方
晶P4゜/ mnm型とも称されるものである。
この種類の材料を化学量論的に表すと、(Fe、 C
o、 N I ) (Nd、 Pr、
Ln) bB (A11.5i)dl例えばFe
a (Nd。
o、 N I ) (Nd、 Pr、
Ln) bB (A11.5i)dl例えばFe
a (Nd。
Pr 、Ln)bBc (AN 、S + )dとな
る。この時のa、b、c、dはそれぞれ鉄、希土類金属
。
る。この時のa、b、c、dはそれぞれ鉄、希土類金属
。
ホウ素、ケイ素および/またはアルミニウムのような改
質剤の原子パーセントを表す数値であり、a+b+c+
d = 100: aは75から85: bは10から20、特に11から13.5:Cは5から
10; dは特定の固化技術または固化熱処理技術と組合せた時
に磁気パラメータの相互作用強化が可能なりリスタライ
ト径および形態の分布とするのに有効な檄、例えば極微
社から5.0までである。
質剤の原子パーセントを表す数値であり、a+b+c+
d = 100: aは75から85: bは10から20、特に11から13.5:Cは5から
10; dは特定の固化技術または固化熱処理技術と組合せた時
に磁気パラメータの相互作用強化が可能なりリスタライ
ト径および形態の分布とするのに有効な檄、例えば極微
社から5.0までである。
しnはLaのようなランタニドであり、NdまたはPr
、あるいはその両方に加えて含ませることができる。
、あるいはその両方に加えて含ませることができる。
本発明の低圧急速固化法を用いて達成できる−・定の焼
入れ条件下では、2−14−1型構造において遷移金属
の濃度を85原子%以上とすることができる。
入れ条件下では、2−14−1型構造において遷移金属
の濃度を85原子%以上とすることができる。
遷移金属は2−14−1型相のl”eおよび/またはC
Oの通常の化学量論的限度および溶解限度以上の濃度で
2−14−1型相の中に含ませることができる。すなわ
ち過剰鉄の場合の溶離立方鉄相のように過剰のFeおよ
び/またはCOが溶離遷移金属相で存在することはない
。これによって平衡固化および熱力学的考察からこれま
でに期待された数より多数の遷移金属電子(強磁性スピ
ン配列が可能)が1qられる。Feおよび/またはCo
@静富に含み、希土類金属を微少吊金む正方晶P42/
I!1nIIl材料を超急速固化することによって、遷
移金属の当に係数aを85以上、例えば88.5または
それ以上にすると共に、希土類金属の当量係数すを10
以1:1例えば8程度にすることができる。このような
材料は、下記のような低圧急速固化法によってFeおよ
び/また1↓COを磁気的に有意な第2相に溶離させて
しまうことなく合成することができる。
Oの通常の化学量論的限度および溶解限度以上の濃度で
2−14−1型相の中に含ませることができる。すなわ
ち過剰鉄の場合の溶離立方鉄相のように過剰のFeおよ
び/またはCOが溶離遷移金属相で存在することはない
。これによって平衡固化および熱力学的考察からこれま
でに期待された数より多数の遷移金属電子(強磁性スピ
ン配列が可能)が1qられる。Feおよび/またはCo
@静富に含み、希土類金属を微少吊金む正方晶P42/
I!1nIIl材料を超急速固化することによって、遷
移金属の当に係数aを85以上、例えば88.5または
それ以上にすると共に、希土類金属の当量係数すを10
以1:1例えば8程度にすることができる。このような
材料は、下記のような低圧急速固化法によってFeおよ
び/また1↓COを磁気的に有意な第2相に溶離させて
しまうことなく合成することができる。
希土類金属は好適にはネオジムとプラセオジムから選択
されるランタニドであり、任意に他のランタニド類(L
a、Cc、Sm、Eu、Gd。
されるランタニドであり、任意に他のランタニド類(L
a、Cc、Sm、Eu、Gd。
Tb、DV、Ho、Er、Tm、Yb、Luの1種類ま
たはそれ以上)、Sc、Yおよびそれらの混合物と共に
使用される。本発明の概念を逸脱することなく各種の組
合せで希土類金属を使用できるが、特に好適な希土類金
属は、下記の特性のうち1つまたはそれ以上を示すもの
である:(i)f殻電子の数がO(Laのf軌道を多数
はピロ)、7 (Qaのf軌道電子数は7)、14(L
u(1)f軌道電子数は14)の何れでもないこと、(
ii)la。
たはそれ以上)、Sc、Yおよびそれらの混合物と共に
使用される。本発明の概念を逸脱することなく各種の組
合せで希土類金属を使用できるが、特に好適な希土類金
属は、下記の特性のうち1つまたはそれ以上を示すもの
である:(i)f殻電子の数がO(Laのf軌道を多数
はピロ)、7 (Qaのf軌道電子数は7)、14(L
u(1)f軌道電子数は14)の何れでもないこと、(
ii)la。
Ce、Pr、Nd、Sm(7)J:うな低分子リラ’、
yタニドであること、(iii ) N dおよびpr
のように鉄と強磁性結合(couple ferrol
!Iagnetically)するランタニドであるこ
と、(iV)la、C6゜Pr、Ndのように比較的廉
価なランタニドであること。特に好適とされるランタニ
ドはNdとprである。各種の工業用ミツシュメタルお
よび/または副産品としてのミツシュメタルを用いても
良い。特に好適とされるミツシュメタルはNdおよび/
またはprを豊富に含み、任意に少量のランタンを含む
ものである。
yタニドであること、(iii ) N dおよびpr
のように鉄と強磁性結合(couple ferrol
!Iagnetically)するランタニドであるこ
と、(iV)la、C6゜Pr、Ndのように比較的廉
価なランタニドであること。特に好適とされるランタニ
ドはNdとprである。各種の工業用ミツシュメタルお
よび/または副産品としてのミツシュメタルを用いても
良い。特に好適とされるミツシュメタルはNdおよび/
またはprを豊富に含み、任意に少量のランタンを含む
ものである。
Vl 、五坪二及1
強化ラネーニッケル触媒等、多くの触媒は二分散構造、
マク[]・ミクロ分布とも呼ばれる双峰性孔径分布を示
す。ラネーニッケル触媒をベレット化、押出し成形、堆
積、凝集または焼結したものはほとんどがこれに当たる
。ラネーニッケルの各々の元の粒子の中に「微細な」気
孔構造が見られると共に、元の粒子の周囲に「粗大な」
気孔構造が見られる。粒子間および粒子付近での拡散の
メカニズムがバルク拡散であるのに対し、粒子内部での
拡散のメカニズムはバルク拡散またはクヌーセン拡散の
何れでも良い。
マク[]・ミクロ分布とも呼ばれる双峰性孔径分布を示
す。ラネーニッケル触媒をベレット化、押出し成形、堆
積、凝集または焼結したものはほとんどがこれに当たる
。ラネーニッケルの各々の元の粒子の中に「微細な」気
孔構造が見られると共に、元の粒子の周囲に「粗大な」
気孔構造が見られる。粒子間および粒子付近での拡散の
メカニズムがバルク拡散であるのに対し、粒子内部での
拡散のメカニズムはバルク拡散またはクヌーセン拡散の
何れでも良い。
工業的に重要な多くの化学反応において、平均孔径付近
での狭域孔径分布によって特徴づけられるが、触媒の内
部孔径が実質的に均一になった時に全体的な反応速度が
向上する。内部気孔の中でクヌーセン流れが生じる孔径
においては、特にこのことが言える。本発明の一態様で
は、平均孔径付近の狭い範囲に実質的に均一な微小孔径
が分布している多孔質触媒を得ることができる。
での狭域孔径分布によって特徴づけられるが、触媒の内
部孔径が実質的に均一になった時に全体的な反応速度が
向上する。内部気孔の中でクヌーセン流れが生じる孔径
においては、特にこのことが言える。本発明の一態様で
は、平均孔径付近の狭い範囲に実質的に均一な微小孔径
が分布している多孔質触媒を得ることができる。
本発明のこの他の態様によると、例えば遷移金属のクリ
スタライト径および浸出可能な(Ieachable)
金属のクリスタライト径のように形態分布が狭域である
と共に、多孔質触媒を構成するのに適当なように相が連
係した微粒子状の触媒を先駆物質が、以上に記載した本
発明の準大気圧等の調節された圧力下での急速固化法に
よって高収率で得られる。ラネー合金の場合、この方法
によって均一で微細な遷移金属に富むZr4域と均一で
微細な浸出可能領域を含む粒状多相生成物が得られる。
スタライト径および浸出可能な(Ieachable)
金属のクリスタライト径のように形態分布が狭域である
と共に、多孔質触媒を構成するのに適当なように相が連
係した微粒子状の触媒を先駆物質が、以上に記載した本
発明の準大気圧等の調節された圧力下での急速固化法に
よって高収率で得られる。ラネー合金の場合、この方法
によって均一で微細な遷移金属に富むZr4域と均一で
微細な浸出可能領域を含む粒状多相生成物が得られる。
この好適な態様によると、Niおよび/またはFO1好
適にはNiのような遷移金属と、Zrおよび/またはA
h好適には八1のような浸出可能な金属と、必要に応じ
その他の材料から成る先駆合金を準大気圧下で固化する
ことによって所望の形態およびパラメータに富む粒状、
すなわちフレーク状の生成物が製造される。その理由と
しては、この説明に拘束されるものではないが、低い圧
力によって金属から気体への対流熱伝達が促進されるこ
とにより、熱伝達速度の均一性をより精密に制御できる
こと、および/または気体圧が低いことによって固化金
属と冷却面との間に断熱性気体膜が形成されにくくなる
こと、および/または低圧によって溶解気体の溶離が可
能になることが考えられる。
適にはNiのような遷移金属と、Zrおよび/またはA
h好適には八1のような浸出可能な金属と、必要に応じ
その他の材料から成る先駆合金を準大気圧下で固化する
ことによって所望の形態およびパラメータに富む粒状、
すなわちフレーク状の生成物が製造される。その理由と
しては、この説明に拘束されるものではないが、低い圧
力によって金属から気体への対流熱伝達が促進されるこ
とにより、熱伝達速度の均一性をより精密に制御できる
こと、および/または気体圧が低いことによって固化金
属と冷却面との間に断熱性気体膜が形成されにくくなる
こと、および/または低圧によって溶解気体の溶離が可
能になることが考えられる。
本発明の方法によると、冷却面に近接して設けた槽の中
で溶融された遷移金属の浸出可能な材料の先駆物質の供
給源を形成し、溶融先駆物質を通常は非反応性ガスを含
む準大気圧の雰囲気を通して槽から高速移動式冷却面上
に放出する。溶融物質の流れが準大気圧の雰囲気中で冷
却面に衝突して、例えば合金の粒子およびフレークの不
連続的な流れなどの焼入れ材料を高速移動式冷却面から
飛散させる。これらの粒子が準大気圧の雰囲気を通過し
て、結晶径分布が平均径イ1近に密に分布【ノている材
料を高フラクションに含む微小クリスタライト径合金と
して回収される。
で溶融された遷移金属の浸出可能な材料の先駆物質の供
給源を形成し、溶融先駆物質を通常は非反応性ガスを含
む準大気圧の雰囲気を通して槽から高速移動式冷却面上
に放出する。溶融物質の流れが準大気圧の雰囲気中で冷
却面に衝突して、例えば合金の粒子およびフレークの不
連続的な流れなどの焼入れ材料を高速移動式冷却面から
飛散させる。これらの粒子が準大気圧の雰囲気を通過し
て、結晶径分布が平均径イ1近に密に分布【ノている材
料を高フラクションに含む微小クリスタライト径合金と
して回収される。
準大気圧下の急速固化処理での粒状生成物は均一な遷移
金属微粒子領域と均一な浸出可能材料微粒子領域を含ん
でおり、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリ・クム水
溶液のような水性アルカリ性媒体の中で浸出して浸出可
能な材料を除去し、実質的に均一な直径の気孔から成る
多孔質触媒の固体網状組織を残す。
金属微粒子領域と均一な浸出可能材料微粒子領域を含ん
でおり、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリ・クム水
溶液のような水性アルカリ性媒体の中で浸出して浸出可
能な材料を除去し、実質的に均一な直径の気孔から成る
多孔質触媒の固体網状組織を残す。
害」L倒
本発明の方法を用いてパラメータ増大材料の合成に関す
る下記の実施例を参照することにより、本発明をより良
く理解することができよう。
る下記の実施例を参照することにより、本発明をより良
く理解することができよう。
以Fに報告する実施例は2種類の実施例から成る。最初
の実施例はパラメータ増大材料の質量パーセントおよび
最高エネルギー積フラクションの最大磁気エネルギー積
の両面で高収率であることを示すものであり、この実施
例では磁気分離、すなわち磁気選別を用いてフラクショ
ンの分離を行なった。第2の実施例では、本発明の方法
によってパラメータ増大磁性材料を合成できる組成範囲
が広い(2−14−1型材料についての平衡安定範囲よ
り広い)ことを示すものである。この組成範囲は先行技
術の予測を超えており、本方法の利点である。
の実施例はパラメータ増大材料の質量パーセントおよび
最高エネルギー積フラクションの最大磁気エネルギー積
の両面で高収率であることを示すものであり、この実施
例では磁気分離、すなわち磁気選別を用いてフラクショ
ンの分離を行なった。第2の実施例では、本発明の方法
によってパラメータ増大磁性材料を合成できる組成範囲
が広い(2−14−1型材料についての平衡安定範囲よ
り広い)ことを示すものである。この組成範囲は先行技
術の予測を超えており、本方法の利点である。
A、茎監旦11
下記の実施例の結果を得るに際して、鉄とネオジムとプ
ラセオジムとその他の希土類とホウ素とケイ素とアルミ
ニウムとを適当に混合したものを溶融して巨視的に均質
のインゴットを最初に作成した。その後各インゴットの
各部を溶融した後、メルトスピニング法を用いて急速に
焼入れしてリボン片を形成した。次に磁気分離法によっ
てリボンセグメントを高パラメータフラクシ」ンと低パ
ラメータフラクションに分離した。分離したセグメント
を試験用にベレット化した。
ラセオジムとその他の希土類とホウ素とケイ素とアルミ
ニウムとを適当に混合したものを溶融して巨視的に均質
のインゴットを最初に作成した。その後各インゴットの
各部を溶融した後、メルトスピニング法を用いて急速に
焼入れしてリボン片を形成した。次に磁気分離法によっ
てリボンセグメントを高パラメータフラクシ」ンと低パ
ラメータフラクションに分離した。分離したセグメント
を試験用にベレット化した。
下記の実施例では、個々の試料を3桁の数字と2つの文
字と1つの番号の他、任意にかっこに入れた番号とから
成るコードで規定している。最初の3桁の数字は元のイ
ンゴットの合金番号である。
字と1つの番号の他、任意にかっこに入れた番号とから
成るコードで規定している。最初の3桁の数字は元のイ
ンゴットの合金番号である。
2つの文字はそのインゴットからの個々のメルトスピン
操作の番号を示すものである。かっこに入れた番号は個
々のフレーク番号゛Cあり、フレーク状試料のみに使用
され、ペレット状試料には使用されない。
操作の番号を示すものである。かっこに入れた番号は個
々のフレーク番号゛Cあり、フレーク状試料のみに使用
され、ペレット状試料には使用されない。
B。バルクインゴットの製゛
一般的方法として鉄(99,99%の純粋電解鉄フレー
ク)と、フ10ボロンホウ素(99,7%の結晶質ホウ
素)と、NdおよびPrの純ロッド(99,9%の希土
類金属)と、ケイ素(99,99%のSi結晶)とから
成る元素成分から先駆合金を製造した。
ク)と、フ10ボロンホウ素(99,7%の結晶質ホウ
素)と、NdおよびPrの純ロッド(99,9%の希土
類金属)と、ケイ素(99,99%のSi結晶)とから
成る元素成分から先駆合金を製造した。
場合によってはそれより純度の高い材料を使用した。ま
た場合によっては15重量%までの鉄とNdおよびpr
以外の希土類を数重量%まで含む市販グレードの希土類
製品を用いた。元素ホウ素の他に、18重漬%のホウ素
と残部の鉄とを含むフェロボロン材料もホウ素源として
使用した。
た場合によっては15重量%までの鉄とNdおよびpr
以外の希土類を数重量%まで含む市販グレードの希土類
製品を用いた。元素ホウ素の他に、18重漬%のホウ素
と残部の鉄とを含むフェロボロン材料もホウ素源として
使用した。
各成分を適当な比率で配合した後、真空誘導溶融法によ
り溶融して均質バルクインゴットを形成した。各試料を
石英またはマグネシア製のるつぼの中でアルゴン分圧下
で溶融した。温度を1400℃以上まで上げ、攪拌しな
がら30分間保持して均質インゴットを得た。固化冷却
した後に、インゴットをるつぼから回収し、反応生成物
の外皮を除去した後、メルトスピニングに適する粒子状
にインゴットを破砕した。インゴット材料の各試料につ
いて組成試験を行なって、均質性を調べた。
り溶融して均質バルクインゴットを形成した。各試料を
石英またはマグネシア製のるつぼの中でアルゴン分圧下
で溶融した。温度を1400℃以上まで上げ、攪拌しな
がら30分間保持して均質インゴットを得た。固化冷却
した後に、インゴットをるつぼから回収し、反応生成物
の外皮を除去した後、メルトスピニングに適する粒子状
にインゴットを破砕した。インゴット材料の各試料につ
いて組成試験を行なって、均質性を調べた。
C0焼 れリボンの ゛
インゴットからの焼入れ材料の製造を準大気圧下メルト
スピンシステムの中で行なった。このシステムは直径2
0インチ、幅4インチ、厚さ3インチの銅ホイールを備
えた真空槽を含むものである。
スピンシステムの中で行なった。このシステムは直径2
0インチ、幅4インチ、厚さ3インチの銅ホイールを備
えた真空槽を含むものである。
真空チャンバー内を減圧にした後、不活性媒体で所定の
準大気圧まで補任した。
準大気圧まで補任した。
使用したるつぼは内径44M、外径52m、 良さ約2
6 c、のムライト製シリンダであり、これを取囲むよ
うに内径54履、外径66am、長さ11(:Illの
グラフフィト製レセプターをるつぼと誘導コイルとの間
に設けた。るつぼのオリフィスは通常はるつぼの底部に
設けた直径0.5〜1.5 mの円形孔とし、オリフィ
スがホイール面から15〜30mの距離に来るようにる
つぼを配置した。
6 c、のムライト製シリンダであり、これを取囲むよ
うに内径54履、外径66am、長さ11(:Illの
グラフフィト製レセプターをるつぼと誘導コイルとの間
に設けた。るつぼのオリフィスは通常はるつぼの底部に
設けた直径0.5〜1.5 mの円形孔とし、オリフィ
スがホイール面から15〜30mの距離に来るようにる
つぼを配置した。
インゴット合金チャンク(chunk)数個をるつぼに
入れ、光学式高温計と液浸式B型熱雷対とにより測定し
つつ、所要温度(通常は1300〜1500℃)に達す
るまで10kllzの誘導ヒータを用いて溶融した。る
つぼの加熱および合金の溶融を行なう間、るつぼは着脱
自在のシールで封止しておいた。所定の温度に達した時
点でアルゴン圧をメルトに加え、交流誘導作動式ソレノ
イドによりシールを除去し、オリフィスの封止を解除し
て溶融金属をオリフィスから回転ホイール上に噴射した
。るつぼが空になるまで、あるいはオリフィスが詰まる
まで噴射を継続した。
入れ、光学式高温計と液浸式B型熱雷対とにより測定し
つつ、所要温度(通常は1300〜1500℃)に達す
るまで10kllzの誘導ヒータを用いて溶融した。る
つぼの加熱および合金の溶融を行なう間、るつぼは着脱
自在のシールで封止しておいた。所定の温度に達した時
点でアルゴン圧をメルトに加え、交流誘導作動式ソレノ
イドによりシールを除去し、オリフィスの封止を解除し
て溶融金属をオリフィスから回転ホイール上に噴射した
。るつぼが空になるまで、あるいはオリフィスが詰まる
まで噴射を継続した。
本発明の低圧急速固化法は、大気圧急速固化法に比較し
て(1)平均クリスタライト径を制御しやすいと同時に
、(2)平均値付近のより狭い範囲にクリスタライト径
が分布することが分かった。
て(1)平均クリスタライト径を制御しやすいと同時に
、(2)平均値付近のより狭い範囲にクリスタライト径
が分布することが分かった。
D、ii気分離
実験用電磁石を磁気分離用に構成した。実験用電磁石と
しては、長さ3 cIIIs直径3 cmの鉄棒に26
八WGの銅線を200回巻回したものを使用した。
しては、長さ3 cIIIs直径3 cmの鉄棒に26
八WGの銅線を200回巻回したものを使用した。
電磁石への電源は、10ボルト・1アンペアの直流電源
とした。
とした。
上述のように製造した粒子フラクションを、篩分けによ
り一60メツシュ(250ミクロン)のフラクションと
、−160メツシユ〜+60メツシユ(100〜750
ミクロン)のフラクションと+ 150メツシユ(10
0ミクロン)のフラクションに分割した。150〜25
0ミクロンのフラクションを次に高磁気パラメータフラ
クシコンと低磁気パラメータフラクションとに分割した
。電磁石にエネルギーを加えた後、1回めのバスで低磁
気パラメータフレークは゛電磁石に吸引されたが、高磁
気パラメータフレークは吸引されずに残った。残ったフ
レークのほぼ90%が158GOe以上のエネルギー積
を有していた。
り一60メツシュ(250ミクロン)のフラクションと
、−160メツシユ〜+60メツシユ(100〜750
ミクロン)のフラクションと+ 150メツシユ(10
0ミクロン)のフラクションに分割した。150〜25
0ミクロンのフラクションを次に高磁気パラメータフラ
クシコンと低磁気パラメータフラクションとに分割した
。電磁石にエネルギーを加えた後、1回めのバスで低磁
気パラメータフレークは゛電磁石に吸引されたが、高磁
気パラメータフレークは吸引されずに残った。残ったフ
レークのほぼ90%が158GOe以上のエネルギー積
を有していた。
1回のパス毎に磁界Hを大きくしながら磁気分離を連続
的に実施することができる。このようにして、実質的に
完全に磁化した際比較的高い磁気パラメータを有する(
分離に使用する弱い磁界では吸引されずに残る)材料と
、実質的に完全に磁化した際比較的低い磁気パラメータ
を有する(分離に使用する弱い磁界で除去される)材料
との間の区分が、磁界Hを大きくしながら連続してパス
を行なう毎に次第に明確になった。本川m書中に参照す
べき特許出願として含ませたJohnE。
的に実施することができる。このようにして、実質的に
完全に磁化した際比較的高い磁気パラメータを有する(
分離に使用する弱い磁界では吸引されずに残る)材料と
、実質的に完全に磁化した際比較的低い磁気パラメータ
を有する(分離に使用する弱い磁界で除去される)材料
との間の区分が、磁界Hを大きくしながら連続してパス
を行なう毎に次第に明確になった。本川m書中に参照す
べき特許出願として含ませたJohnE。
K ee1他の米国特許出願第063,936号にもこ
の結果が明確に示されている。
の結果が明確に示されている。
E、S二ヱ上1
ガラス製容器に入れたニッケルボールを用いて不活性(
アルゴン〉ガス雰囲気でフレークをボールミルした。結
果的に得た粉末を篩分けして粒径50μm〜250μm
の粒子を選別した。次にこの粉末を、何組かの円筒状&
M製パンチとダイの一方のダイに装填した。バンブーの
直径は1 amから8 mmの範囲とした。円筒状ベレ
ットにほぼ25〜300kpsの加圧を行なった結果、
密度5.8g/CCから6.257ccのグリーンベレ
ットを得たく化学量論的2−14−1相の密度である7
、6g/CCの16%〜81.5%)。
アルゴン〉ガス雰囲気でフレークをボールミルした。結
果的に得た粉末を篩分けして粒径50μm〜250μm
の粒子を選別した。次にこの粉末を、何組かの円筒状&
M製パンチとダイの一方のダイに装填した。バンブーの
直径は1 amから8 mmの範囲とした。円筒状ベレ
ットにほぼ25〜300kpsの加圧を行なった結果、
密度5.8g/CCから6.257ccのグリーンベレ
ットを得たく化学量論的2−14−1相の密度である7
、6g/CCの16%〜81.5%)。
加圧侵のグリーンベレットを、0.1mgの精度に較正
したメトラード1−80自動電子天秤で秤聞した。
したメトラード1−80自動電子天秤で秤聞した。
次にグリーンベレットを含浸接着剤(1−oct+te
609等)のバイアルに入れた。数分後にバイアルから
ベレットを取出して、余分の接着剤を除去した。次に圧
力10xHCI以下、温度50〜90℃の真空炉の中で
ベレットを10〜15分間硬化させた。こうして作成さ
れた接着された磁石は約3重量%の接着剤を含み、直径
2.95#、長さ3,12〜3.30m+であった。
609等)のバイアルに入れた。数分後にバイアルから
ベレットを取出して、余分の接着剤を除去した。次に圧
力10xHCI以下、温度50〜90℃の真空炉の中で
ベレットを10〜15分間硬化させた。こうして作成さ
れた接着された磁石は約3重量%の接着剤を含み、直径
2.95#、長さ3,12〜3.30m+であった。
F、la気測測
定気特性の測定は、LDJ、Inc、!ii造の950
0型コンピユ一タ制御試料振動式磁力計(VSH)(助
人印加磁界、22kOe )を用いて行なった。磁界H
の値は較正ホールプローブによるフィードバック制御上
で決定した。測定用ソフトウェアを変更して、高保磁力
を有する永久磁石材料の大小両方のヒステリシスループ
の測定を行なえるようにした。それぞれの一連の測定を
行なう前に、測定重量の標準(軟磁性)ニツウ°ル球(
米国標準局提供)を用いて磁化Mの較正を点検した。磁
性材料の磁化を算出するためには、Cahn−21型自
動電子天秤(精度1マイクログラム)を用いて典型的な
ベレットに関して0.12〜0.15g程度の試料質量
値を測定することと、密度の評価が必要であった。
0型コンピユ一タ制御試料振動式磁力計(VSH)(助
人印加磁界、22kOe )を用いて行なった。磁界H
の値は較正ホールプローブによるフィードバック制御上
で決定した。測定用ソフトウェアを変更して、高保磁力
を有する永久磁石材料の大小両方のヒステリシスループ
の測定を行なえるようにした。それぞれの一連の測定を
行なう前に、測定重量の標準(軟磁性)ニツウ°ル球(
米国標準局提供)を用いて磁化Mの較正を点検した。磁
性材料の磁化を算出するためには、Cahn−21型自
動電子天秤(精度1マイクログラム)を用いて典型的な
ベレットに関して0.12〜0.15g程度の試料質量
値を測定することと、密度の評価が必要であった。
磁界をゼロから一般には22kOeである最大磁界まで
漸増して行った後、再びゼロを通って負の最大値まで漸
減1ハ再び、正の最大値まで漸増して測定を行なう一方
、ヒステリシスループ全体、すなわち磁化M対印側磁界
Hの関係を記録した。
漸増して行った後、再びゼロを通って負の最大値まで漸
減1ハ再び、正の最大値まで漸増して測定を行なう一方
、ヒステリシスループ全体、すなわち磁化M対印側磁界
Hの関係を記録した。
次にプログラムによって主要磁気パラメータ、すなわち
単位キロガウスで測定した残留磁化Br(ヒステリシス
曲線の正のy切片)、単位キロエルステッドで測定した
真性保磁力(intrinsiccocrcivc f
orce)また飽和保磁力(COOrCiVitl/)
Hci(ヒステリシス曲線の負のX切片)、および単位
メガガウスエルステッドで測定した最大エネルギー積(
誘導B=)l+Mと磁界Hの積の最大の負の値)を決定
した。
単位キロガウスで測定した残留磁化Br(ヒステリシス
曲線の正のy切片)、単位キロエルステッドで測定した
真性保磁力(intrinsiccocrcivc f
orce)また飽和保磁力(COOrCiVitl/)
Hci(ヒステリシス曲線の負のX切片)、および単位
メガガウスエルステッドで測定した最大エネルギー積(
誘導B=)l+Mと磁界Hの積の最大の負の値)を決定
した。
印加磁界は22kOeでヒステリシスループを「閉じる
」のに十分であった。
」のに十分であった。
VSHii力計において接着磁石の磁力を測定するため
に、印加磁界に対して反磁場に関する補正を行なって内
部磁界の関数としての磁力を得た。
に、印加磁界に対して反磁場に関する補正を行なって内
部磁界の関数としての磁力を得た。
このような補正については、R,M、 Bozorth
[強磁性1.:ツイTJ p、 846(Van
NO3trandNewYork 1951)およびB
、 D、 Cu1lity、 l’la性材料概論」
、第2章6項(A ddison −W esleyP
ublishina Co、、 Readina、 M
ass、1972)に記載されており、これらの内容を
本明細書中に特定的に含むものとする。1−(intを
材料内部の磁界、ト+appを外部から印加される磁界
、Mを印加磁界で測定した材料の磁化、Nを材料それ自
身が生成する磁界の影響をシミュレートした減磁係数と
すると、補正に関する式は、 [nt =)lapp −NM となる。使用した減磁係数は、ベレットの寸法および印
加磁界に対するその配向に依存し、0.25から0.3
7の間であった。
[強磁性1.:ツイTJ p、 846(Van
NO3trandNewYork 1951)およびB
、 D、 Cu1lity、 l’la性材料概論」
、第2章6項(A ddison −W esleyP
ublishina Co、、 Readina、 M
ass、1972)に記載されており、これらの内容を
本明細書中に特定的に含むものとする。1−(intを
材料内部の磁界、ト+appを外部から印加される磁界
、Mを印加磁界で測定した材料の磁化、Nを材料それ自
身が生成する磁界の影響をシミュレートした減磁係数と
すると、補正に関する式は、 [nt =)lapp −NM となる。使用した減磁係数は、ベレットの寸法および印
加磁界に対するその配向に依存し、0.25から0.3
7の間であった。
H,]工員工
15.26キロガウス(試料556静02)から162
キロガウス(試料561AAO2,561AAO3)の
飽和磁化範囲を、(+)残留磁化比(M r/M 5a
t)と(it) エネルギー積対(M sat/4 )
の比の計算に使用した。J。
キロガウス(試料561AAO2,561AAO3)の
飽和磁化範囲を、(+)残留磁化比(M r/M 5a
t)と(it) エネルギー積対(M sat/4 )
の比の計算に使用した。J。
E、 Kcel、Q、 s、 Clemente 、
A、 M、 Kadin。
A、 M、 Kadin。
R,W、McCallum が1987年10月12日
に^SHMaterialS Weekにおイテ発表
したrHiRem材料の磁性」 (その内容を本川m書
中に特定的に含むものとする)に記載の方法を用いて、
7ランシス・ビター国立磁石研究所(F ranchs
B 1tter National Magnet 1
aboratory)で行なった測定から飽和磁化を決
定した。
に^SHMaterialS Weekにおイテ発表
したrHiRem材料の磁性」 (その内容を本川m書
中に特定的に含むものとする)に記載の方法を用いて、
7ランシス・ビター国立磁石研究所(F ranchs
B 1tter National Magnet 1
aboratory)で行なった測定から飽和磁化を決
定した。
実施例■
539AA シリーズ
この実施例の試料は、相互作用性材料を高質量収率で生
成する合成方法を表すものである。この実施例はホイー
ル速度とチャンバー圧が、(1)約158GOe以上の
エネルギー積を有する生成物フラクション、 (2)約158GOe以上のエネルギー積を有する部分
の平均エネルギー積、 に与える効果を示す。
成する合成方法を表すものである。この実施例はホイー
ル速度とチャンバー圧が、(1)約158GOe以上の
エネルギー積を有する生成物フラクション、 (2)約158GOe以上のエネルギー積を有する部分
の平均エネルギー積、 に与える効果を示す。
本実施例に記載のメルトスピンを20回行なう539A
^のインゴットを上記B項に記載の真空誘導溶融法によ
って1!4造した。このインゴットに関してバルク化学
分析を行なった結果、表I−1に示す組成であった。
^のインゴットを上記B項に記載の真空誘導溶融法によ
って1!4造した。このインゴットに関してバルク化学
分析を行なった結果、表I−1に示す組成であった。
ム二〇二
1g(01
vel 2=−q乏
と1吐
シ騙ニー3山ニー
ムl611・(塾
Lμm ム ■ な −
見
上記の20インチ径のメルトスピン装置において、ホイ
ール速度22〜30m /秒、チャンバー圧10〜76
0mt(g(絶対圧力)でリボンを紡糸した。
ール速度22〜30m /秒、チャンバー圧10〜76
0mt(g(絶対圧力)でリボンを紡糸した。
−■=」
II・+m〜”mt
−W1犯謡(4)
シジーユ
ご磁気した=駐Q1411町J 園 )鋤
横 1臂 :m ta r綽
烏工りぬLL−ピL」!ツjユx=!iwj++l
1a3:alI*1+%l:21!コ1:G)131’
*・ql−−颯一+句UN:j4614NI”lll+
+44jleaIAM+4mとニー“II JIL
J ″″パ゛″°″1°” IMj LUJ −
J +14−°゛ ”))J all、) 工
二上費り辺・II mJ Iu、す −、、 私?
l−,ネ 贋J jW、l 淘、。
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1−41mN :>aa l&N ”%w
take I6+s −1m −翔
二−鞭一一コム=1鴨+11−0謙 1i@
’: Q 、’−+ −曽
J +9 ニーー駄=ニー配置m+++
+ IHlu 161 141 ’:I
IH:°I 77 u+ II3
+a+ ll11I瞠I唱−;−t−I(ζ
謬 ’l++++++I+l1m1+lり+tW1+dla
3@1lI61+−警4シ11噛1−11−盲ム1・I
jM−九LL」ば=ニジ!(L511コj1倉1噂1n
+、alN、IIN、41MJm、Itel、5lk1
.jIILIlm、4111HI+vh111.11回
の紡糸毎に得られるフレーク状生成物を上述の磁気分離
方法を用いて高パラメータフラクシ]ンと従来のパラメ
ータのフラクションに分離した。分離したフレークを上
述のようにベレット化した。次に各ベレットの磁気パラ
メータを測定した。これらの測定値を第2図と本実施例
の表エーニ配コニ −【へ−1al げう噂−1−「シ也噂L4%4+ 3に示1゜測定値のトレンドラインを第3図と第4図に
示す。
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方法を用いて高パラメータフラクシ]ンと従来のパラメ
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述のようにベレット化した。次に各ベレットの磁気パラ
メータを測定した。これらの測定値を第2図と本実施例
の表エーニ配コニ −【へ−1al げう噂−1−「シ也噂L4%4+ 3に示1゜測定値のトレンドラインを第3図と第4図に
示す。
一鴫+uQa/l*曝gfaaWcartC−亀劃−響
亀@t@i−−9第3図は約15メガガウスエルステツ
ド以上の材料の11フラクシヨンをホイール速度と圧力
に対してブL]ットしたものである。この図において注
目すべきことは、約15メガガウスエルステツド付近の
材料の収率について局部的な最大値を与えるホイール速
度および絶対圧力の範囲が存在するということである。
亀@t@i−−9第3図は約15メガガウスエルステツ
ド以上の材料の11フラクシヨンをホイール速度と圧力
に対してブL]ットしたものである。この図において注
目すべきことは、約15メガガウスエルステツド付近の
材料の収率について局部的な最大値を与えるホイール速
度および絶対圧力の範囲が存在するということである。
これを実験的関係で表すと、30− [,8/ 320
1 P c対30− [80/ 1601 P cとな
る。
1 P c対30− [80/ 1601 P cとな
る。
第4図は高パラメータフラクションの磁気エネルギー積
をホイール速度およびヂャンバー圧の関数としてプロッ
トしたものである。この図は最高エネルギー積領域が狭
いことと、エネルギー積がホイール速度と共に増加する
ことを示している。
をホイール速度およびヂャンバー圧の関数としてプロッ
トしたものである。この図は最高エネルギー積領域が狭
いことと、エネルギー積がホイール速度と共に増加する
ことを示している。
上記の試験およびデータは特定のオリフィス径とアルゴ
ンを用いて実施したものであるが、オリフィス径、ホイ
ール伝導率、ガスを変えても同様の挙動が得られること
が明らかであるのは言うまでもない。ホイール速度・圧
力のパラメータ空間の異なる領域でも同様の挙動が得ら
れるものと考えられる。このような異なるパラメータ空
間領域は、標準的無次元群および相関関係を用いて容易
に決定され、当業者であれば経験的に最適化することが
できる。
ンを用いて実施したものであるが、オリフィス径、ホイ
ール伝導率、ガスを変えても同様の挙動が得られること
が明らかであるのは言うまでもない。ホイール速度・圧
力のパラメータ空間の異なる領域でも同様の挙動が得ら
れるものと考えられる。このような異なるパラメータ空
間領域は、標準的無次元群および相関関係を用いて容易
に決定され、当業者であれば経験的に最適化することが
できる。
友亙■ユ
実施例■の試料は、ランタン含有2−14−1型材料、
コバルト含有2−14−1型材料、Siおよび/または
Aρの改質剤を低濃度増含む2−14−1型材料、およ
び超化学当量のFGおよび/または当量より少ないff
i (hypostoichiometric、以下並
化学当量という)の希土類を含む2−14−1型材料に
おいて、磁気パラメータを増大するのに必要とされる形
態を得るために本発明の方法を適用できることを示すも
のである。低圧メルトスピニング法が超化学当間のF
e Jjよび/または亜化学当珊の希土類を含み、増大
したパラメータを有する2−14−1型材料を生成でき
るということは、Matsuura et al、、
rNd−Fe−8三元系の状態図J 、 Japn、
J、 A11l)。
コバルト含有2−14−1型材料、Siおよび/または
Aρの改質剤を低濃度増含む2−14−1型材料、およ
び超化学当量のFGおよび/または当量より少ないff
i (hypostoichiometric、以下並
化学当量という)の希土類を含む2−14−1型材料に
おいて、磁気パラメータを増大するのに必要とされる形
態を得るために本発明の方法を適用できることを示すも
のである。低圧メルトスピニング法が超化学当間のF
e Jjよび/または亜化学当珊の希土類を含み、増大
したパラメータを有する2−14−1型材料を生成でき
るということは、Matsuura et al、、
rNd−Fe−8三元系の状態図J 、 Japn、
J、 A11l)。
已肚し即」)、L 635〜L637 (1985年
8月)において、このような化学当員外の合金はFe9
3B7相および/またはE 87B 1□相を大量に含
有することになると明示されていることと照らし合わせ
で、特に驚くべきことである。Matsuura et
alの言わんとしたことは、超化学当量のl”eおよ
び/または亜化学当量の希土類を含む材料は磁気的に多
相系になるということである。vatsuura et
aの示唆する種類の磁気的多相系は、上述のような増
大した磁気パーラメータを有するとは考えられない。し
かしvatsuura et atの明示および示唆に
反して、また実施例■で証明するように、鉄を超化学当
量含み、Ndを亜化学当量含む磁気材料でも本発明の方
法によって製造されたものは、相当に増大したパラメー
タを示す。
8月)において、このような化学当員外の合金はFe9
3B7相および/またはE 87B 1□相を大量に含
有することになると明示されていることと照らし合わせ
で、特に驚くべきことである。Matsuura et
alの言わんとしたことは、超化学当量のl”eおよ
び/または亜化学当量の希土類を含む材料は磁気的に多
相系になるということである。vatsuura et
aの示唆する種類の磁気的多相系は、上述のような増
大した磁気パーラメータを有するとは考えられない。し
かしvatsuura et atの明示および示唆に
反して、また実施例■で証明するように、鉄を超化学当
量含み、Ndを亜化学当量含む磁気材料でも本発明の方
法によって製造されたものは、相当に増大したパラメー
タを示す。
一連の試験を行なって、(i)ランタンとネオジムおよ
び/またはプラセオジムの部分的置換による効果、(i
i)相互作用に必要なAfJおよび/またはStの閾値
濃度、(iii )超化学量論的濃度の鉄、すなわち粒
間鉄のような鉄の沈澱が生じることを前提とする濃度よ
り高い鉄濃度の与える効果、(iv)鉄とコバルトを部
分的に置換することによる効果を、全ての本発明の方法
で製造した強磁性合金について測定した。
び/またはプラセオジムの部分的置換による効果、(i
i)相互作用に必要なAfJおよび/またはStの閾値
濃度、(iii )超化学量論的濃度の鉄、すなわち粒
間鉄のような鉄の沈澱が生じることを前提とする濃度よ
り高い鉄濃度の与える効果、(iv)鉄とコバルトを部
分的に置換することによる効果を、全ての本発明の方法
で製造した強磁性合金について測定した。
上記B項、[バルクインゴットの製造」に記載の方法に
従って、鉄とプラセオジムとネオジムとランタンとホウ
素とケイ素から成るインゴットを作成した。インゴット
の平均元素分析をICPと湿式化学法で実施した結果を
単位原子%で表■−1に示す。
従って、鉄とプラセオジムとネオジムとランタンとホウ
素とケイ素から成るインゴットを作成した。インゴット
の平均元素分析をICPと湿式化学法で実施した結果を
単位原子%で表■−1に示す。
インボッ1〜のフラクションを個々のムライト製るつぼ
に入れ、溶融、焼入れして上述のようなリボンを形成し
た。焼入れパラメータは下表If−2に示す通りである
。
に入れ、溶融、焼入れして上述のようなリボンを形成し
た。焼入れパラメータは下表If−2に示す通りである
。
3騒JJd
:に、a+l+−#1M+1m1mw@t・Ill吻5
m114+11191=3Ll−4誌−一”””
”’ ”’ ”
”t#11111−−1も一;? メルトスピン装置の生成物はフレークの形をとり、ラン
ダム配向の等軸グリスタライト(equiaxed c
rystallites)から成るように見えた。
m114+11191=3Ll−4誌−一”””
”’ ”’ ”
”t#11111−−1も一;? メルトスピン装置の生成物はフレークの形をとり、ラン
ダム配向の等軸グリスタライト(equiaxed c
rystallites)から成るように見えた。
上記り項、[焼入れ粒子の磁気分離」に記載したように
フレークを磁気的に分離した。
フレークを磁気的に分離した。
分離したフレークの磁気パラメータの高い方を不活性(
アルゴン〉ガス雰囲気下でボールミルした後、上記E項
、「分離粒子のペレット化」に記載の方法でペレット化
した。
アルゴン〉ガス雰囲気下でボールミルした後、上記E項
、「分離粒子のペレット化」に記載の方法でペレット化
した。
上記ト1.2項、[1i気測定、ペレット化生成物]に
記載の方法で磁気特性を測定した。1987年10月1
2日、^SHMaterials Weekに発表さ
れたJ。
記載の方法で磁気特性を測定した。1987年10月1
2日、^SHMaterials Weekに発表さ
れたJ。
E、 KeeIIl、 G、 B、 Clcmente
、△0M。
、△0M。
Kadin、 R,W、 Mc Callum 、
r Hi Rem材料の磁性」 (その内容を本明
細書中に含むものとする)に記載の方法を用いて7ラン
シス・ビター国立磁石研究所において行なった測定値か
ら、(i)残留磁気比(Mr〜Msat)および(ii
)エネルギー積対(Msat/4) の計算に使用す
る飽和磁化の値を決定した。
r Hi Rem材料の磁性」 (その内容を本明
細書中に含むものとする)に記載の方法を用いて7ラン
シス・ビター国立磁石研究所において行なった測定値か
ら、(i)残留磁気比(Mr〜Msat)および(ii
)エネルギー積対(Msat/4) の計算に使用す
る飽和磁化の値を決定した。
ネオジムおよび/またはプラセオジムを部分的にランタ
ンと置換した結果、p4orman (:、、 Koo
nの米国特許第4.402.770号、「遷移金属とラ
ンタニドから成る硬質磁性合金」に記載の範囲内の、巨
視的に化学m論的組成を有する実質的に単相の磁性材料
を得た。しかしながら、これらの材料は磁気的に単相で
相互作用性であり、(lylsat/4) 以上の最
大等方性エネルギー積と(Msat/2>以上の等方性
残留磁化を示した。
ンと置換した結果、p4orman (:、、 Koo
nの米国特許第4.402.770号、「遷移金属とラ
ンタニドから成る硬質磁性合金」に記載の範囲内の、巨
視的に化学m論的組成を有する実質的に単相の磁性材料
を得た。しかしながら、これらの材料は磁気的に単相で
相互作用性であり、(lylsat/4) 以上の最
大等方性エネルギー積と(Msat/2>以上の等方性
残留磁化を示した。
なわち、該試料の鉄の含量は、先行技術において、鉄に
富む第2相が沈澱するとされる濃度、すなわち約85原
子%を超えており、希土類含量が約10原子%以下であ
り、sf、A!Jの何れについても検出回能な量を含ん
でいなかった。試料561AAの材料は特性が強化され
ており、すなわち相互作用性であり、下表11F−3に
示すように等方性エネルギ−積が(Msat/4)
以上、等方性残留磁化が(Msat/2)以上であった
。
富む第2相が沈澱するとされる濃度、すなわち約85原
子%を超えており、希土類含量が約10原子%以下であ
り、sf、A!Jの何れについても検出回能な量を含ん
でいなかった。試料561AAの材料は特性が強化され
ており、すなわち相互作用性であり、下表11F−3に
示すように等方性エネルギ−積が(Msat/4)
以上、等方性残留磁化が(Msat/2)以上であった
。
11.16 1JI L&l ILJJ
IJI IJI試料561は超化学当1の鉄
を含有していた。すC0鉄のコバルトでの部 置 オジムを部分的にランタムと置換した時;(b)改試料
556^Aにおいて鉄を部分的にコバルトと置換した。
IJI IJI試料561は超化学当1の鉄
を含有していた。すC0鉄のコバルトでの部 置 オジムを部分的にランタムと置換した時;(b)改試料
556^Aにおいて鉄を部分的にコバルトと置換した。
試料556へAの材料は相n作用特性を示し、表U−3
に示ずように等方性エネルギー積が(Msat/4)
以上、等方性残留磁化が(Msat/2>以上であっ
た。
に示ずように等方性エネルギー積が(Msat/4)
以上、等方性残留磁化が(Msat/2>以上であっ
た。
上述の方法を用いて得た焼入れ、ベレット化材料の磁気
パラメータを同じく表■−3に示ず。
パラメータを同じく表■−3に示ず。
これらの測定値が示すように、本発明の低圧メルトスピ
ニング法により製造した合金にJ5いて、(i)ランタ
ンを含有する材料はストナー(S toner)とウォ
ルフ7−ス(Wohlfarth)の予測値を超える特
性を示し、(ii)相互作用性で、増大したパラメータ
を実現するのに必要な粒径、粒径分布および粒界状態を
下記の条件下で得ることができる=(a)ネオジムおよ
び/またはブラセ質剤を含まない時=(C)鉄の含量が
超化学当吊である合金において;(d)コバルトを含有
する合金において。
ニング法により製造した合金にJ5いて、(i)ランタ
ンを含有する材料はストナー(S toner)とウォ
ルフ7−ス(Wohlfarth)の予測値を超える特
性を示し、(ii)相互作用性で、増大したパラメータ
を実現するのに必要な粒径、粒径分布および粒界状態を
下記の条件下で得ることができる=(a)ネオジムおよ
び/またはブラセ質剤を含まない時=(C)鉄の含量が
超化学当吊である合金において;(d)コバルトを含有
する合金において。
以上、好適な実施例および実施態様について本発明の説
明を行なって来たが、これによって本発明を限定するこ
とを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に
よってのみ限定されるものである。
明を行なって来たが、これによって本発明を限定するこ
とを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に
よってのみ限定されるものである。
第1図は本発明の一実論例に従って製造した強磁性合金
の最大磁気エネルギー積(BH)maXと、平均クリス
タライト径および平均値付近でのクリスタライト径分布
の関係を示す分布曲線を表したものである。 第2図は、実施例工(試料539^^)の生データ図で
あり、収率と磁気パラメータをホイール速度およびチャ
ンバー圧の関数として示している。 第3図は実施例■の試料539AAに関して、約15メ
ガガウスエルステツド以上の収率とホイール速度および
圧力との関数をグラフで表したものである。 第4図は実施例■の試料539AAに関して、最大磁気
エネルギー積とホイール速度および圧力の関係をグラフ
で表したものである。 第5図は本発明の実施に有効なメルトスピン装置の一部
切除側面図である。 第6図は第5図のメルトスピン装置の切除図である。 第7図はるつぼアセンブリの切断図である。 第8図は減圧メルトスピン段階と磁気選別段階を含む総
合的な磁性合金合成工程を表したフローチャートである
。 第9図は焼入れ過多の材料の磁化曲線の第1四分区の低
磁界域と高残留磁気材料の磁化曲線の同−第1四分区の
同じ低磁界域を重ねて表した図である。 1・・・メルトスピン装置、11・・・槽、35・・・
スピンホイール、111・・・るつぼ、121・・・オ
リフィス。
の最大磁気エネルギー積(BH)maXと、平均クリス
タライト径および平均値付近でのクリスタライト径分布
の関係を示す分布曲線を表したものである。 第2図は、実施例工(試料539^^)の生データ図で
あり、収率と磁気パラメータをホイール速度およびチャ
ンバー圧の関数として示している。 第3図は実施例■の試料539AAに関して、約15メ
ガガウスエルステツド以上の収率とホイール速度および
圧力との関数をグラフで表したものである。 第4図は実施例■の試料539AAに関して、最大磁気
エネルギー積とホイール速度および圧力の関係をグラフ
で表したものである。 第5図は本発明の実施に有効なメルトスピン装置の一部
切除側面図である。 第6図は第5図のメルトスピン装置の切除図である。 第7図はるつぼアセンブリの切断図である。 第8図は減圧メルトスピン段階と磁気選別段階を含む総
合的な磁性合金合成工程を表したフローチャートである
。 第9図は焼入れ過多の材料の磁化曲線の第1四分区の低
磁界域と高残留磁気材料の磁化曲線の同−第1四分区の
同じ低磁界域を重ねて表した図である。 1・・・メルトスピン装置、11・・・槽、35・・・
スピンホイール、111・・・るつぼ、121・・・オ
リフィス。
Claims (20)
- (1)高速移動式冷却面(35)上で、溶融合金先駆物
質を急速に固化することによって粒状固体強磁性合金を
形成する方法であって、 ( I )前記冷却面に近接して設けた槽(111)内で
溶融先駆物質を形成する段階と、 (II)前記冷却面(35)を取囲みかつ前記槽(111
)に近接して準大気圧の非反応性雰囲気を形成する段階
と、 (III)前記槽(111)から準大気圧の非反応性雰囲
気を通って、高速移動式冷却面(35)上に溶融先駆物
質の流れを放出する段階と、 (IV)準大気圧の非反応性雰囲気下で、溶融先駆物質の
流れを冷却面上に衝突させ、固体合金粒子の不連続的な
流れを高速移動式冷却面から準大気圧の非反応性雰囲気
を通って飛散させることにより、結晶径分布の実質的に
狭い粒状固体の微粒子合金を生成する段階と、 (V)その磁気特性に基いて合金粒子を分画する段階と
を含んで成る方法。 - (2)高磁気パラメータ粒子の磁化を防止しながら前記
粒子を磁気パラメータ粒子に暴露して、低磁気パラメー
タ粒子を磁気的に吸引することを含んで成る請求項1に
記載の方法。 - (3)前記強磁性合金がP4_2/mnm形正方晶構造
を有している請求項1に記載の方法。 - (4)前記強磁性合金がRE_2TM_1_4B_1−
系の合金である請求項3に記載の方法。 - (5)前記強磁性合金の呼称上の組成が、 (RE)_2(TM)_4B_1(Si,Al)_d(
式中、TMはFe,Co,Niおよびそれらの組合せか
ら成る群から選択される少なくとも1種類の遷移金属を
表し、REはNd,Pr,NdとPrの組合せ、および
これらと他の希土類との組合せから成る群から選択され
る少なくとも1種類の希土類金属を表し、Bはホウ素、
Siはケイ素、Alはアルミニウムであり、dは狭い結
晶径分布を有する微粒子合金を形成しうる有効量を示す
)で表わされる請求項4に記載の方法。 - (6)前記合金を固化して、実質的に単一の相を有し、
ある平均粒径を有する結晶粒から成る粒状固体とするこ
とを含んで成り、この個々の粒子の大部分が平均粒径付
近の狭い分布の粒径を有するものであり、前記個々の粒
子の粒径分布および粒界が、増大した磁気パラメータを
有する硬質磁性合金となり得るようなものである請求項
1に記載の方法。 - (7)前記非反応性雰囲気が、ヘリウム、アルゴン、水
素、窒素およびそれらの混合物から成る群から選択され
る非反応性ガスを含むものである請求項1に記載の方法
。 - (8)前記非反応性ガスがアルゴンである請求項7に記
載の方法。 - (9)前記準大気圧が絶対圧力約600mmHg以下で
ある請求項1に記載の方法。 - (10)前記溶融先駆物質を槽(111)内で静止状態
に維持する段階を含む請求項1に記載の方法。 - (11)前記溶融先駆物質を間接的に加熱することを含
む請求項10に記載の方法。 - (12)前記溶融先駆物質を間接的に誘導加熱すること
を含んで成る請求項11に記載の方法。 - (13)前記溶融先駆物質を溶融静止状態に維持しつつ
、この物質と電気的には相互作用しないが熱的には相互
作用する電界を用いることにより、前記溶融先駆物質を
加熱することを含む請求項12に記載の方法。 - (14)濃縮された高磁気パラメータ強磁性合金を形成
するための方法であって、 (I)冷却面(35)に近接して設けられた槽(111
)の中で合金の溶融先駆物質を形成する段階と、 (II)前記冷却面(35)を取囲みかつ前記槽(111
)に近接して、ある調節された圧力下の非反応性雰囲気
を形成する段階と、 (III)前記槽(111)から調節された圧力下の非反
応性雰囲気を通して冷却面(35)上に溶融先駆物質の
流れを放出する段階と、 (IV)調節された圧力下の非反応性雰囲気の存在下で溶
融先駆物質の流れを冷却面(35)上に衝突させて、合
金固体粒子の不連続的な流れを冷却面から調節された圧
力の非反応性雰囲気に飛散させることにより、粒状固体
の微粒子合金を生成する段階と、 (V)初期磁化率の高い低磁気パラメータ粒子を磁化す
ると共に、初期磁化率の低い高磁気パラメータ粒子の磁
化を実質的に防止し得る程度に弱い磁界に粒子を暴露す
る段階と、 (VI)初期磁化率の高い低磁気パラメータ粒子を磁気的
に吸引して、初期磁化率の高い低磁気パラメータ粒子を
初期磁化率の低い高磁気パラメータ粒子から分離するこ
とにより、濃縮された高磁気パラメータ粒子を回収する
段階とを含んで成る請求項1に記載の方法。 - (15)前記強磁性合金が、P4_2/mnm形の正方
晶構造を有している請求項14に記載の方法。 - (16)前記強磁性合金がRE_2TM_1_4B_1
−系である請求項15に記載の方法。 - (17)前記強磁性合金の呼称上の組成が、(RE)_
2(TM)_4B_1(Si,Al)_d(式中、TM
はFe,Co,Niおよびそれらの組合せから成る群か
ら選択される少なくとも1種類の遷移金属を表し、RE
はNd,Pr,NdとPrの組合せ、およびこれらと他
の希土類との組合せから成る群から選択される少なくと
も1種類の希土類金属を表し、Bはホウ素、Siはケイ
素、Alはアルミニウムであり、dは狭い結晶径分布を
有する微粒子合金を形成しうる有効量を示す)で表わさ
れる請求項16に記載の方法。 - (18)前記非反応性雰囲気が、ヘリウム、アルゴン、
水素、窒素およびそれらの混合物から成る群から選択さ
れる非反応性ガスを含むものである請求項14に記載の
方法。 - (19)前記準大気圧が絶対圧約600mmHg以下で
ある請求項18に記載の方法。 - (20)溶融先駆物質と電気的に相互作用しないが熱的
には相互作用する電界を用いて溶融先駆物質を間接的に
誘導加熱することにより、前記先駆物質を溶融して静止
した状態に維持することを含む請求項14に記載の方法
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/191,626 US4867785A (en) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | Method of forming alloy particulates having controlled submicron crystallite size distributions |
| US191626 | 1988-05-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0219407A true JPH0219407A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=22706228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1115955A Pending JPH0219407A (ja) | 1988-05-09 | 1989-05-09 | 溶融合金の急速焼入れによる均一微細粒子ミクロ構造を有する固体合金の形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4867785A (ja) |
| EP (1) | EP0341435A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0219407A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008221365A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Teikoku Chuck Kk | 引込式チャック装置 |
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