JPH02194342A - 光スペクトラムアナライザー - Google Patents
光スペクトラムアナライザーInfo
- Publication number
- JPH02194342A JPH02194342A JP1361289A JP1361289A JPH02194342A JP H02194342 A JPH02194342 A JP H02194342A JP 1361289 A JP1361289 A JP 1361289A JP 1361289 A JP1361289 A JP 1361289A JP H02194342 A JPH02194342 A JP H02194342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- surface acoustic
- acoustic wave
- frequency
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 140
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 131
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 36
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 3
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 21
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 241001417527 Pempheridae Species 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光スペクトル分析を行なう先スペクトラムア
ナライザー、特に詳細には音響光学効果を利用して光ス
ペクトルを分析する先スペクトラムアナライザーに関す
るものである。
ナライザー、特に詳細には音響光学効果を利用して光ス
ペクトルを分析する先スペクトラムアナライザーに関す
るものである。
(従来の技術)
光スペクトルを分析する光スペクトラムアナライザーと
しては、種々のものが公知となっている。
しては、種々のものが公知となっている。
従来より広く実用に供されている光スペクトラムアナラ
イザーの1つとして、例えばツエルニタナ−型と称され
るものが知られている。この光スペクトラムアナライザ
ーは、照射された被測定光を回折させる回折格子を回転
させ、それにより回折光をスリット上において移動させ
、このスリット越しに回折光を検出したときの回折格子
の回転角に基づいて光スペクトルを分析するものである
。
イザーの1つとして、例えばツエルニタナ−型と称され
るものが知られている。この光スペクトラムアナライザ
ーは、照射された被測定光を回折させる回折格子を回転
させ、それにより回折光をスリット上において移動させ
、このスリット越しに回折光を検出したときの回折格子
の回転角に基づいて光スペクトルを分析するものである
。
このような光スペクトラムアナライザーは、高分解能で
光スペクトルを分析可能となっている。
光スペクトルを分析可能となっている。
しかしこのような光スペクトラムアナライザは、大型で
かつ重いので取扱い性に難があり、例えば携帯使用等に
は不向きであった。小型軽量に形成されうる光スペクト
ラムアナライザーも種々考えられているが、そのような
ものの多くは分解能が低いという問題を有している。
かつ重いので取扱い性に難があり、例えば携帯使用等に
は不向きであった。小型軽量に形成されうる光スペクト
ラムアナライザーも種々考えられているが、そのような
ものの多くは分解能が低いという問題を有している。
そこで本出願人は先に、小型軽量に形成可能で、しかも
分解能の高い先スペクトラムアナライザを提案した(特
願昭62−1.80779号)。この光スペクトラムア
ナライザーは、 表面弾性波が伝播可能な材料から形成された光導波路と
、 この光導波路内に入射されて該光導波路内を進行する被
測定光としての導波光の光路に交わる方向に進行して、
該導波光を回折、偏向させる連続的に周波数が変化する
表面弾性波を上記光導波路において発生させる表面弾性
波発生手段と、上記表面弾性波によって偏向されて光導
波路外に出射した上記被測定光を検出する光検出手段と
、この光検出手段が被測定光を検出したときの表面弾性
波の周波数を検出する周波数検出手段とから構成された
ことを特徴とするものである。
分解能の高い先スペクトラムアナライザを提案した(特
願昭62−1.80779号)。この光スペクトラムア
ナライザーは、 表面弾性波が伝播可能な材料から形成された光導波路と
、 この光導波路内に入射されて該光導波路内を進行する被
測定光としての導波光の光路に交わる方向に進行して、
該導波光を回折、偏向させる連続的に周波数が変化する
表面弾性波を上記光導波路において発生させる表面弾性
波発生手段と、上記表面弾性波によって偏向されて光導
波路外に出射した上記被測定光を検出する光検出手段と
、この光検出手段が被測定光を検出したときの表面弾性
波の周波数を検出する周波数検出手段とから構成された
ことを特徴とするものである。
光導波路内を導波する導波光は、この光導波路を伝播す
る表面弾性波と交差すると、音響光学相互作用により回
折、偏向する。この偏向角δは、表面弾性波の進行方向
に対する導波光の入射角をθとすると、δ−2θである
。そして導波光の波長をλ、光導波路の実効屈折率をN
Qとし、表面弾性波の波長、周波数、速度をそれぞれA
、f。
る表面弾性波と交差すると、音響光学相互作用により回
折、偏向する。この偏向角δは、表面弾性波の進行方向
に対する導波光の入射角をθとすると、δ−2θである
。そして導波光の波長をλ、光導波路の実効屈折率をN
Qとし、表面弾性波の波長、周波数、速度をそれぞれA
、f。
■とすれば、
λ
である。NOおよびVは一定であるから、この式で示さ
れるブラッグ条件を満足して導波光が最も効率良く回折
するときの前記入射角θと表面弾性波周波数fが分かれ
ば、導波光すなわち被測定光の波長λが分かることにな
る。
れるブラッグ条件を満足して導波光が最も効率良く回折
するときの前記入射角θと表面弾性波周波数fが分かれ
ば、導波光すなわち被測定光の波長λが分かることにな
る。
また導波光(被測定光)が非常に波長が近接した複数の
スペクトル成分を含む場合、各スペクトル成分を表面弾
性波の回折作用により分離させることができる。したが
って、例えば前記光検出器の前にピンホール板等を配置
して、各スペクトル成分の光がそれぞれ個別に検出され
るようにしておけば、上述のように波長が近接していて
も各スペクトル成分を正確に測定可能となる。
スペクトル成分を含む場合、各スペクトル成分を表面弾
性波の回折作用により分離させることができる。したが
って、例えば前記光検出器の前にピンホール板等を配置
して、各スペクトル成分の光がそれぞれ個別に検出され
るようにしておけば、上述のように波長が近接していて
も各スペクトル成分を正確に測定可能となる。
(発明が解決しようとする課題)
ところで従来より、縦モードが1本の分布帰還型(D
jsirjbuLed F eedback : D
F B )半導体レーザや分布反射型(D jstr
ibuted B ragg Rer 1ecto
r : D B R)半導体レーザが知られている。
jsirjbuLed F eedback : D
F B )半導体レーザや分布反射型(D jstr
ibuted B ragg Rer 1ecto
r : D B R)半導体レーザが知られている。
これらの半導体レーザを例えば長距離通信に用いる場合
は、そのスペクトル幅が伝送距離限界を左右する要素と
なるので、このスペクトル幅を正確に測定したいという
要求がある。しかしこれらの半導体レーザにおけるスペ
クトル幅(半値全幅)は1/IQQpmのオーダーであ
り、このように微小なスペクトル幅は上記のような光ス
ペクトラムアナライザーを用いても測定不可能である。
は、そのスペクトル幅が伝送距離限界を左右する要素と
なるので、このスペクトル幅を正確に測定したいという
要求がある。しかしこれらの半導体レーザにおけるスペ
クトル幅(半値全幅)は1/IQQpmのオーダーであ
り、このように微小なスペクトル幅は上記のような光ス
ペクトラムアナライザーを用いても測定不可能である。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、上述のように極めて狭いスペクトル幅を求めることも
できる、光導波路型の光スペクトラムアナライザーを提
供することを目的とするものである。
、上述のように極めて狭いスペクトル幅を求めることも
できる、光導波路型の光スペクトラムアナライザーを提
供することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段及び作用)本発明による第
1の光スペクトラムアナライザーは、先に述べたような
光導波路と、表面弾性波発生手段と、光検出手段と、周
波数検出手段とから構成された光スペクトラムアナライ
ザーにおいて、上記の構成要素を有効に利用して、遅延
自己へテロダイン法により微小なスペクトル幅をも測定
できるようにしたものであり、具体的には上記の各要素
に加えて、 導波光の光路に交わる方向に進行して、該導波光を回折
、偏向させる周波数一定の表面弾性波を前記光導波路に
おいて発生させる第2の表面弾性波発生手段と、 上記周波数が変化する表面弾性波および周波数一定の表
面弾性波に入射する前の被測定光の一部を分岐する分岐
手段と、 上記周波数一定の表面弾性波により偏向されて光導波路
外に出射した被測定光を受けるように配された合波手段
と、 上記分岐手段で分岐された被測定光を上記合波手段に導
く光伝達系と、 この光伝達系に設けられ、該光伝達系の光路長を、上記
分岐手段から周波数一定の表面弾性波を経て合波手段に
至るまでの光路長よりも十分に長くする、例えば長さ数
km程度の単一モード光ファイバー束等からなる光遅延
手段と、 上記合波手段で合波された被測定光を検出する第2の光
検出手段と、 この第2の光検出手段が出力した電気信号を周波数分析
する高周波スペクトラムアナライザーとを設けたことを
特徴とするものである。
1の光スペクトラムアナライザーは、先に述べたような
光導波路と、表面弾性波発生手段と、光検出手段と、周
波数検出手段とから構成された光スペクトラムアナライ
ザーにおいて、上記の構成要素を有効に利用して、遅延
自己へテロダイン法により微小なスペクトル幅をも測定
できるようにしたものであり、具体的には上記の各要素
に加えて、 導波光の光路に交わる方向に進行して、該導波光を回折
、偏向させる周波数一定の表面弾性波を前記光導波路に
おいて発生させる第2の表面弾性波発生手段と、 上記周波数が変化する表面弾性波および周波数一定の表
面弾性波に入射する前の被測定光の一部を分岐する分岐
手段と、 上記周波数一定の表面弾性波により偏向されて光導波路
外に出射した被測定光を受けるように配された合波手段
と、 上記分岐手段で分岐された被測定光を上記合波手段に導
く光伝達系と、 この光伝達系に設けられ、該光伝達系の光路長を、上記
分岐手段から周波数一定の表面弾性波を経て合波手段に
至るまでの光路長よりも十分に長くする、例えば長さ数
km程度の単一モード光ファイバー束等からなる光遅延
手段と、 上記合波手段で合波された被測定光を検出する第2の光
検出手段と、 この第2の光検出手段が出力した電気信号を周波数分析
する高周波スペクトラムアナライザーとを設けたことを
特徴とするものである。
第7図は上記の構成におけるスペクトル幅の測定系を概
略的に示すものであり、以下、この第7図を参照してス
ペクトル幅の測定を説明する。なおこの第7図は、先に
述べたようにして光スペクトルをApj定する測定系は
特に示し−こいない。前記DFB半導体レーザ等の光源
23から発せられた被測定光りは、分岐手段としてのビ
ームスプリッタ50によって2系統に分岐され、一方は
光導波路12に入射され、他方は単一モード光ファイバ
ー51からなる光伝達系に送られる。光導波路12に入
射してそこを導波する被測定光りは、該光導波路12を
進行する周波数一定の第2の表面弾性波16によって回
折され、光ビームL6として光導波路j2外に出射する
。一方単一モード光ファイバー51は例えば1.5km
程度の長さか束ねられて、光遅延手段51.Aを形成し
ている。この光遅延手段5iAを通った被11all定
光り了は、ビームスプリッタ52において上記光ビーム
L6と合波され、先ビームL8として第′、2の光検出
手段53に受光される。この光検出手段53が出力する
信号S5は、高周波スペクトラムアナライザー54に送
られてスペクトル分析を受ける。
略的に示すものであり、以下、この第7図を参照してス
ペクトル幅の測定を説明する。なおこの第7図は、先に
述べたようにして光スペクトルをApj定する測定系は
特に示し−こいない。前記DFB半導体レーザ等の光源
23から発せられた被測定光りは、分岐手段としてのビ
ームスプリッタ50によって2系統に分岐され、一方は
光導波路12に入射され、他方は単一モード光ファイバ
ー51からなる光伝達系に送られる。光導波路12に入
射してそこを導波する被測定光りは、該光導波路12を
進行する周波数一定の第2の表面弾性波16によって回
折され、光ビームL6として光導波路j2外に出射する
。一方単一モード光ファイバー51は例えば1.5km
程度の長さか束ねられて、光遅延手段51.Aを形成し
ている。この光遅延手段5iAを通った被11all定
光り了は、ビームスプリッタ52において上記光ビーム
L6と合波され、先ビームL8として第′、2の光検出
手段53に受光される。この光検出手段53が出力する
信号S5は、高周波スペクトラムアナライザー54に送
られてスペクトル分析を受ける。
ここで導波光りの中心周波数をν、スペクトル幅(半値
全幅)に対応する周波数変動分をΔνとする。この導波
光りは第2の表面弾性波16で回折されることにより、
周波数か表面弾性波16の周波数fAたけシフトする。
全幅)に対応する周波数変動分をΔνとする。この導波
光りは第2の表面弾性波16で回折されることにより、
周波数か表面弾性波16の周波数fAたけシフトする。
他方被71IIJ定光L7の周波数は(ν」−Δν)の
ままであり、この被測定光L7と周波数(シ十Δシ+f
A)の被11all定光L6が合波されると、そこで両
者が干渉する。この干渉により被測定光L8には、両者
の周波数の違いによるビート成分が重畳するが、被測定
光L7が遅延しているため、両者は互いに変動範囲内で
不規則に出現する周波数成分が互いにランダムに干渉し
合う形となり、ビート成分には半値全幅約2Δνで変動
する成分が残される。つまり」−2被測定光L8の検出
信号S5には、第8図に示すように、中心周波数がfA
で半値全幅がΔf′=2Δνのと−)・か現われる。そ
こでこの信号S5を高周波スペクトラムアナライザー5
4に送って上記Δfを求めれば、その値の約半分がΔν
となる。
ままであり、この被測定光L7と周波数(シ十Δシ+f
A)の被11all定光L6が合波されると、そこで両
者が干渉する。この干渉により被測定光L8には、両者
の周波数の違いによるビート成分が重畳するが、被測定
光L7が遅延しているため、両者は互いに変動範囲内で
不規則に出現する周波数成分が互いにランダムに干渉し
合う形となり、ビート成分には半値全幅約2Δνで変動
する成分が残される。つまり」−2被測定光L8の検出
信号S5には、第8図に示すように、中心周波数がfA
で半値全幅がΔf′=2Δνのと−)・か現われる。そ
こでこの信号S5を高周波スペクトラムアナライザー5
4に送って上記Δfを求めれば、その値の約半分がΔν
となる。
光速をC1光波長をλ、周波数をνとすると、λ2
Δλ = −□ 壷 Δν
であるから、Δしが分かれば上式から究へベクトル幅Δ
λを求めることができる。
λを求めることができる。
一方本発明による第2の光スペクトラムアナライザーは
、先に述べたような光導波路と、表面弾性波発生手段と
、光検出手段と、周波数検出手段とから構成された先ス
ペクトラムアナライザーにおいて、上記の構成要素を有
効に利用して、遅延自己ホモダイン法により微小なスペ
クトル幅をも測定できるようにしたものであり、具体的
には上記の各要素に加えて、 光導波路において進行する周波数が連続的に変化する表
面弾性波に入射する前の被測定光の一部を分岐する分岐
手段と、 上記表面弾性波を0次光として通過し、光導波路外に出
射した被測定光を受けるように配された合波手段と、 上記分岐手段で分岐された被測定光を上記合波] 2 手段に導く光伝達系と、 この光伝達系に設りられ、該光伝達系の光路長を、」1
記分岐手段から表面弾性波を経て合波手段に至るまでの
光路長よりも十分に長くする光遅延手段と、 上記合波手段で合波された被11pノ定光を検出する第
2の光検出手段と、 この第2の光検出手段が出力した電気信号を周波数分析
する高周波スペクi・ラムアナライザーとを設けたこと
を特徴とするものである。
、先に述べたような光導波路と、表面弾性波発生手段と
、光検出手段と、周波数検出手段とから構成された先ス
ペクトラムアナライザーにおいて、上記の構成要素を有
効に利用して、遅延自己ホモダイン法により微小なスペ
クトル幅をも測定できるようにしたものであり、具体的
には上記の各要素に加えて、 光導波路において進行する周波数が連続的に変化する表
面弾性波に入射する前の被測定光の一部を分岐する分岐
手段と、 上記表面弾性波を0次光として通過し、光導波路外に出
射した被測定光を受けるように配された合波手段と、 上記分岐手段で分岐された被測定光を上記合波] 2 手段に導く光伝達系と、 この光伝達系に設りられ、該光伝達系の光路長を、」1
記分岐手段から表面弾性波を経て合波手段に至るまでの
光路長よりも十分に長くする光遅延手段と、 上記合波手段で合波された被11pノ定光を検出する第
2の光検出手段と、 この第2の光検出手段が出力した電気信号を周波数分析
する高周波スペクi・ラムアナライザーとを設けたこと
を特徴とするものである。
この光スペクトラムアナライザーのスペクトル幅i+p
j定系は、第7図の71I+1定系と比べれば、ビーム
スプリッタ50を透過して図中右方に向かう被ΔP1定
光りが、表面弾性波16と交差することなくビームスプ
リッタ52に入射するように構成されている点が異なっ
ている。したがってその場合、被測定光りが表面弾性波
16において回折して表面弾性波周波数fAだけ周波数
シフトすることがないから、光検出手段53が出力する
検出信号S5には第9図に示すように、中心周波数がf
Aではなく0(ゼロ)で、半値全幅がΔf′=2Δνの
ビートが現われることになる。この場合、Δf゛ は直
接的には確認できず、Δf′/2が分かることになる。
j定系は、第7図の71I+1定系と比べれば、ビーム
スプリッタ50を透過して図中右方に向かう被ΔP1定
光りが、表面弾性波16と交差することなくビームスプ
リッタ52に入射するように構成されている点が異なっ
ている。したがってその場合、被測定光りが表面弾性波
16において回折して表面弾性波周波数fAだけ周波数
シフトすることがないから、光検出手段53が出力する
検出信号S5には第9図に示すように、中心周波数がf
Aではなく0(ゼロ)で、半値全幅がΔf′=2Δνの
ビートが現われることになる。この場合、Δf゛ は直
接的には確認できず、Δf′/2が分かることになる。
このΔf′/2の値は、求めるスペクトル幅Δλに対応
する周波数変動分Δνとほぼ等しい。
する周波数変動分Δνとほぼ等しい。
(実 施 例)
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例による光スペクトラムアナラ
イザーの平面形状を示すものであり、また第2図はこの
光スペクトラムアナライザーの光導波路12の周辺部分
の側面形状を示している。この光スペクトラムアナライ
ザーは、基板11上に形成された光導波路12と、この
光導波路12の表面に形成された光ビーム出力用の線状
回折格子(Lincar GraLing Coup
ler、以下LGCと称する)13および光ビーム出力
用LGC14と、光導波路12において導波光L1の光
路に交わる方向に進行する、周波数が変化する第1の表
面弾性波15を発生させるチャープ交叉くし形電極対(
Chirped 1nter−D jgital
T ransducer 、以下チャープ■DTと称す
る)17と、光導波路12において一定周波数の第2の
表面弾性波16を発生させるIDT1.8と、上記第1
の表面弾性波I5を発生させるためにチャーブIDT1
7に高周波の交番電圧を印加する高周波アンプ19と、
上記電圧の周波数を連続的に変化(掃引)させるスィー
パ−20と、上記第2の表面弾性波16を発生させるた
めにIDT1.8に一定周波数の交番電圧を印加する高
周波アンプ40と、そこに一定周波数の発振信号を入力
する発振器41とを有している。
イザーの平面形状を示すものであり、また第2図はこの
光スペクトラムアナライザーの光導波路12の周辺部分
の側面形状を示している。この光スペクトラムアナライ
ザーは、基板11上に形成された光導波路12と、この
光導波路12の表面に形成された光ビーム出力用の線状
回折格子(Lincar GraLing Coup
ler、以下LGCと称する)13および光ビーム出力
用LGC14と、光導波路12において導波光L1の光
路に交わる方向に進行する、周波数が変化する第1の表
面弾性波15を発生させるチャープ交叉くし形電極対(
Chirped 1nter−D jgital
T ransducer 、以下チャープ■DTと称す
る)17と、光導波路12において一定周波数の第2の
表面弾性波16を発生させるIDT1.8と、上記第1
の表面弾性波I5を発生させるためにチャーブIDT1
7に高周波の交番電圧を印加する高周波アンプ19と、
上記電圧の周波数を連続的に変化(掃引)させるスィー
パ−20と、上記第2の表面弾性波16を発生させるた
めにIDT1.8に一定周波数の交番電圧を印加する高
周波アンプ40と、そこに一定周波数の発振信号を入力
する発振器41とを有している。
また光導波路12から出射した光ビームL4の光路には
、集束レンズ29と、ピンホール板30と、集束レンズ
29で小さなスポットに絞られた上記光ビームL4の強
度を測定するフォトダイオード等の第1の光検出器31
が配置されている。この光検出器31が出力する光量信
号S1はA/D変換器32においてA/D変換され、そ
れにより得られたディジタルの光量データS2は、演算
処理部33に入力されるようになっている。一方、上記
光ビームL4とは異なる方向に出射して集束レンズ29
を通過した光ビームL6の光路には、合波手段としての
ビームスプリッタ52と、このビームスプリッタ52か
ら出射した光ビームL8の光量を検出する、フォトダイ
オード等の第2の光検出器53が配置されている。この
光検出器53が出力する光検出信号S5は、高周波スペ
クトラムアナライザー54に入力される。
、集束レンズ29と、ピンホール板30と、集束レンズ
29で小さなスポットに絞られた上記光ビームL4の強
度を測定するフォトダイオード等の第1の光検出器31
が配置されている。この光検出器31が出力する光量信
号S1はA/D変換器32においてA/D変換され、そ
れにより得られたディジタルの光量データS2は、演算
処理部33に入力されるようになっている。一方、上記
光ビームL4とは異なる方向に出射して集束レンズ29
を通過した光ビームL6の光路には、合波手段としての
ビームスプリッタ52と、このビームスプリッタ52か
ら出射した光ビームL8の光量を検出する、フォトダイ
オード等の第2の光検出器53が配置されている。この
光検出器53が出力する光検出信号S5は、高周波スペ
クトラムアナライザー54に入力される。
本実施例においては一例として、基板11にLiNbO
3ウェハを用い、このウェハの表面にTi拡散膜を設け
ることにより光導波路12を形成している。なお基板1
1としてその他サファイア、Si等からなる結晶性基板
が用いられてもよい。また光導波路12も上記のTi拡
散に限らず、基板11上にその他の材料をスパッタ、蒸
着する等して形成することもできる。ただし、この光導
波路12は、上記Ti拡散膜等、後述する表面弾性波が
伝播可能な材料から形成されなければならない。また光
導波路は2層以上の積層構造を有していてもよい。
3ウェハを用い、このウェハの表面にTi拡散膜を設け
ることにより光導波路12を形成している。なお基板1
1としてその他サファイア、Si等からなる結晶性基板
が用いられてもよい。また光導波路12も上記のTi拡
散に限らず、基板11上にその他の材料をスパッタ、蒸
着する等して形成することもできる。ただし、この光導
波路12は、上記Ti拡散膜等、後述する表面弾性波が
伝播可能な材料から形成されなければならない。また光
導波路は2層以上の積層構造を有していてもよい。
チャーブIDTl7およびIDT18は、例えば光導波
路12の表面にポジ型電子線レジストを塗布し、さらに
その上にAu導電用薄膜を蒸着し、電極パターンを電子
線描画し、Au薄膜を剥離後現像を行ない、次いでCr
薄膜、A1薄膜を蒸着後、有機溶媒中でリフトオフを行
なうことによって形成することができる。なおチャーブ
IDT17およびIDT18は、基板11や光導波路1
2が圧電性を有する材料からなる場合には、直接光導波
路12内あるいは基板11上に設置しても表面弾性波1
5.16を発生させることができるが、そうでない場合
には基板11あるいは光導波路12の一部に例えばZn
O等からなる圧電性薄膜を蒸着、スパッタ等によって形
成し、そこにIDT17.18を設置すればよい。
路12の表面にポジ型電子線レジストを塗布し、さらに
その上にAu導電用薄膜を蒸着し、電極パターンを電子
線描画し、Au薄膜を剥離後現像を行ない、次いでCr
薄膜、A1薄膜を蒸着後、有機溶媒中でリフトオフを行
なうことによって形成することができる。なおチャーブ
IDT17およびIDT18は、基板11や光導波路1
2が圧電性を有する材料からなる場合には、直接光導波
路12内あるいは基板11上に設置しても表面弾性波1
5.16を発生させることができるが、そうでない場合
には基板11あるいは光導波路12の一部に例えばZn
O等からなる圧電性薄膜を蒸着、スパッタ等によって形
成し、そこにIDT17.18を設置すればよい。
例えば半導体レーザ等の光源23から発せられてスペク
トル分析にかけられる光ビームLは、光源23に接続さ
れた光ファイバー24、結合器25を介して、光ファイ
バー26の端面から発散光として出射する。この光ビー
ムLはコリメーターレンズ27によって平行光とされ、
次にビームスプリッタ50において2系統に分岐される
。ビームスプリッタ50を透過した先ビームLは、反射
型の波長変動補正用回折格子28で回折し、斜めにカッ
トされた基板端面1.1. aを通ってL G C13
の部分に入射し、そこ−ご回折して効率良く光導波路1
2内に取り込まれる。
トル分析にかけられる光ビームLは、光源23に接続さ
れた光ファイバー24、結合器25を介して、光ファイ
バー26の端面から発散光として出射する。この光ビー
ムLはコリメーターレンズ27によって平行光とされ、
次にビームスプリッタ50において2系統に分岐される
。ビームスプリッタ50を透過した先ビームLは、反射
型の波長変動補正用回折格子28で回折し、斜めにカッ
トされた基板端面1.1. aを通ってL G C13
の部分に入射し、そこ−ご回折して効率良く光導波路1
2内に取り込まれる。
この光は、平行ビームの状態て光導波路12内を導波す
る。
る。
なお上述のようなLGCl3は、光ビームLの波長に応
じて光入力効率が変動する。上記の波長変動補正用回折
格子28は、光ビームLの波長変動に応じてそこからの
出射角(つまりLGCl、3への入射角)が変化するよ
うにして、LGCl3における光入力効率を安定化する
ものである。この回折格子28としては、反射型のもの
の他、透過型のものが用いられてもよい。なおこのよう
な波長変動補正用回折格子については、本出願人による
昭和63年12月16日伺は特許願(2)(代理人柳[
η征史他1名)の明細書に詳しい記載がなされている。
じて光入力効率が変動する。上記の波長変動補正用回折
格子28は、光ビームLの波長変動に応じてそこからの
出射角(つまりLGCl、3への入射角)が変化するよ
うにして、LGCl3における光入力効率を安定化する
ものである。この回折格子28としては、反射型のもの
の他、透過型のものが用いられてもよい。なおこのよう
な波長変動補正用回折格子については、本出願人による
昭和63年12月16日伺は特許願(2)(代理人柳[
η征史他1名)の明細書に詳しい記載がなされている。
本実施例の装置は、−例として中心波長λ=1゜55μ
mの崖導体レーザ光のスペクトル分析を前提とし、チャ
ーブIDT17には1. G Hz前後で周波数掃引さ
れる交番電圧が印加され、一方IDT18には0.2G
B(zの一定周波数の交番電圧が印加される。また導波
光I、1の第2の表面弾性波1Gへの入射角θ° は、
前記(1)式で示すブラッグ条件が満たされる角度に設
定されている。
mの崖導体レーザ光のスペクトル分析を前提とし、チャ
ーブIDT17には1. G Hz前後で周波数掃引さ
れる交番電圧が印加され、一方IDT18には0.2G
B(zの一定周波数の交番電圧が印加される。また導波
光I、1の第2の表面弾性波1Gへの入射角θ° は、
前記(1)式で示すブラッグ条件が満たされる角度に設
定されている。
したがって導波光L1の一部は表面弾性波16において
回折して導波光Ls (これについては後述する)と
して光導波路12を進行するが、表面弾性波16を0次
光と(7゛C通過した導波光り、は、前記(1)で示さ
れるブラッグ条件か満たされれば、チャブIDTl7か
ら発せられた表面弾性波15との音響光学相互作用によ
り回i5 (B ragg回折)する。
回折して導波光Ls (これについては後述する)と
して光導波路12を進行するが、表面弾性波16を0次
光と(7゛C通過した導波光り、は、前記(1)で示さ
れるブラッグ条件か満たされれば、チャブIDTl7か
ら発せられた表面弾性波15との音響光学相互作用によ
り回i5 (B ragg回折)する。
回折【7た導波光L2は、LGCl、4において回↑h
し、プリズノ、21を通って光導波路12外に出射する
。出η11シた光ビームL4は集束1ノンズ29によっ
て小さなスポットに絞られる。
し、プリズノ、21を通って光導波路12外に出射する
。出η11シた光ビームL4は集束1ノンズ29によっ
て小さなスポットに絞られる。
以下、光導波路12内における上記導波光の回折、偏向
について、第3および4図を参照して詳細に説明する。
について、第3および4図を参照して詳細に説明する。
第3図はチャープIDT17およびiDTlgの部分を
拡大して詳しく示すものであり、ま1つ た第4図は導波光L1と表面弾性波15の波数ベクトル
を示している。第3図に示すように第2の表面弾性波1
6を0次光として通過した導波光L1は、表面弾性波1
5の進行方向に対して一定の角度θて入射する。また、
表面弾性波15に入射する前の導波光L1および通過し
た後の導波光L2の波数ベクトルをそれぞれ1kl、1
に2とし、表面弾性波15の波数ベクトルをlK1 と
すると、(1)式で示したブラッグ条件が満たされると
きは第4図に示すように Ik 1 + IK 1−1k 2・・・・(2)とな
っており、導波光L2の導波光T、1に対する偏向角は
δ−2θである。この入射角θが上述のように一定であ
れば、上記(2)式が成立するときの偏向角δも一定で
ある。したがって、ブラッグ条件を完全に満たして光導
波路12外に出射する光ビームL4は、一定方向に出射
する。−刃表面弾性波1Bによ−って回4Ji した光
ビームL5は、第1の表面弾性波15に対してはブラッ
グ条件を満たさない角度で入射するので、そこでは回折
しないで、光ビームL6として光ビームL、とは異なる
一定方向に出射する。
拡大して詳しく示すものであり、ま1つ た第4図は導波光L1と表面弾性波15の波数ベクトル
を示している。第3図に示すように第2の表面弾性波1
6を0次光として通過した導波光L1は、表面弾性波1
5の進行方向に対して一定の角度θて入射する。また、
表面弾性波15に入射する前の導波光L1および通過し
た後の導波光L2の波数ベクトルをそれぞれ1kl、1
に2とし、表面弾性波15の波数ベクトルをlK1 と
すると、(1)式で示したブラッグ条件が満たされると
きは第4図に示すように Ik 1 + IK 1−1k 2・・・・(2)とな
っており、導波光L2の導波光T、1に対する偏向角は
δ−2θである。この入射角θが上述のように一定であ
れば、上記(2)式が成立するときの偏向角δも一定で
ある。したがって、ブラッグ条件を完全に満たして光導
波路12外に出射する光ビームL4は、一定方向に出射
する。−刃表面弾性波1Bによ−って回4Ji した光
ビームL5は、第1の表面弾性波15に対してはブラッ
グ条件を満たさない角度で入射するので、そこでは回折
しないで、光ビームL6として光ビームL、とは異なる
一定方向に出射する。
ピンホール板30は、光ビーム1.4が」−2の一定方
向に出射したとき、小さなスポットに絞られた光ビーム
L4がそのビンポール30aを通過するように配設され
ている。ピンホール板30を通過した光ビームL4は、
光検出器31に受光される。なおピンホール板30の代
りに、スリット板か用いられてもよい。
向に出射したとき、小さなスポットに絞られた光ビーム
L4がそのビンポール30aを通過するように配設され
ている。ピンホール板30を通過した光ビームL4は、
光検出器31に受光される。なおピンホール板30の代
りに、スリット板か用いられてもよい。
ここで、導波光り、(被測定光)の波長をλ、表面弾性
波15の波長をAとすると、 +に、1=2π/λ であり、また導波光L2の波長もλであるから、lkl
1 = l Ik2 1 =2π/λである。した
がって前記(2)式を満足する11に1=2π/Aの値
は、入射角θか固定である以上、1つの11に11に対
して1つたけ存在する。そこでこの(2)式が成立する
とき(つまり光ビームL4かピンホール30aを通過し
て光検出器31に検出されたとき)の11に11の値か
ら、すなわち表面弾性波15の波長への値から、波長λ
が求められつる。
波15の波長をAとすると、 +に、1=2π/λ であり、また導波光L2の波長もλであるから、lkl
1 = l Ik2 1 =2π/λである。した
がって前記(2)式を満足する11に1=2π/Aの値
は、入射角θか固定である以上、1つの11に11に対
して1つたけ存在する。そこでこの(2)式が成立する
とき(つまり光ビームL4かピンホール30aを通過し
て光検出器31に検出されたとき)の11に11の値か
ら、すなわち表面弾性波15の波長への値から、波長λ
が求められつる。
この波長λは、前述の(1)式から求めることも勿論可
能であるが、入射角θや、導波光L1に対する光導波路
12の実効屈折率Neが不明でも求められうる。すなわ
ち、周波数が既知(λrerとする)の基準導波光を光
導波路12内に入射させ、そのとき波長A rerの基
準表面弾性波によってこの基準導波光が回折し、光検出
器31によって検出されたとする。第4図において基準
導波光の波数ペクト−チ ルをOP1波長A refの基準表面弾性波の波数ベク
トルをPQ、回折された基準導波光の波数ベクトルをO
Qとすると、 ΔOPQωΔSPRであるから、 0P=2π/λrar 、 PQ=2π/Aref
’であるから、 λ−λrer(A/Arer) ここで表面弾性波15の速度、周波数をそれぞれv5f
、基準表面弾性波の速度、周波数をそれぞれVref
、 f refとすると、 v=fA、vrcf =frcf −Δref 、 v
−vrefであるから、結局上式より λ−λref (f ref / f ) −43
)となる。つまり基準導波光の波長λrefおよび基準
表面弾性波の周波数f refを予め調べておけば、こ
の(3)式から被測定光の波長λが求められる。
能であるが、入射角θや、導波光L1に対する光導波路
12の実効屈折率Neが不明でも求められうる。すなわ
ち、周波数が既知(λrerとする)の基準導波光を光
導波路12内に入射させ、そのとき波長A rerの基
準表面弾性波によってこの基準導波光が回折し、光検出
器31によって検出されたとする。第4図において基準
導波光の波数ペクト−チ ルをOP1波長A refの基準表面弾性波の波数ベク
トルをPQ、回折された基準導波光の波数ベクトルをO
Qとすると、 ΔOPQωΔSPRであるから、 0P=2π/λrar 、 PQ=2π/Aref
’であるから、 λ−λrer(A/Arer) ここで表面弾性波15の速度、周波数をそれぞれv5f
、基準表面弾性波の速度、周波数をそれぞれVref
、 f refとすると、 v=fA、vrcf =frcf −Δref 、 v
−vrefであるから、結局上式より λ−λref (f ref / f ) −43
)となる。つまり基準導波光の波長λrefおよび基準
表面弾性波の周波数f refを予め調べておけば、こ
の(3)式から被測定光の波長λが求められる。
光スペクトル分析を行なうときチャーブIDT17に印
加される高周波の交番電圧の周波数は、スィーパ−20
によりf minからf maxまで掃引される。なお
この周波数掃引のタイミングは、全体制御部95が出力
するクロック信号Cに基づいて制御される。こうして交
番電圧の周波数すなわち第1の表面弾性波15の周波数
が掃引されるとき、上記f min Sf maxの値
が適切に設定されていれば、前述の(1)式を満たすあ
る表面弾性波周波数f(fmin≦f≦fmax)の表
面弾性波15により導波光り、が最も効率良く回折する
。
加される高周波の交番電圧の周波数は、スィーパ−20
によりf minからf maxまで掃引される。なお
この周波数掃引のタイミングは、全体制御部95が出力
するクロック信号Cに基づいて制御される。こうして交
番電圧の周波数すなわち第1の表面弾性波15の周波数
が掃引されるとき、上記f min Sf maxの値
が適切に設定されていれば、前述の(1)式を満たすあ
る表面弾性波周波数f(fmin≦f≦fmax)の表
面弾性波15により導波光り、が最も効率良く回折する
。
光検出器31が出力した光量信号S1は、A/D変換器
32に通してディジタル化される。この際のサンプリン
グ周期は、前記全体制御部95が出力したクロック信号
Cに基づいて制御され、表面弾性波15の周波数掃引周
期と対応が取られている。したがってA/D変換器32
から出力されるディジタル光量データS2のうち、第何
番目のものは表面弾性波15の周波数が何Hzのときの
ものである、ということが自ずから分かるようになって
いる。
32に通してディジタル化される。この際のサンプリン
グ周期は、前記全体制御部95が出力したクロック信号
Cに基づいて制御され、表面弾性波15の周波数掃引周
期と対応が取られている。したがってA/D変換器32
から出力されるディジタル光量データS2のうち、第何
番目のものは表面弾性波15の周波数が何Hzのときの
ものである、ということが自ずから分かるようになって
いる。
つまりこの光量データS2は、連続的に示せば第6図図
示のように、表面弾性波周波数f (横軸)と検出光量
との関係を示すものとなりうる。なお上記説明から明ら
かなように、本例では全体制御部95が、光ビームL4
が検出されたときの表面弾性波周波数fを検出する周波
数検出手段を構成している。
示のように、表面弾性波周波数f (横軸)と検出光量
との関係を示すものとなりうる。なお上記説明から明ら
かなように、本例では全体制御部95が、光ビームL4
が検出されたときの表面弾性波周波数fを検出する周波
数検出手段を構成している。
表面弾性波15の周波数掃引が終了した後、演算処理部
33は、表面弾性波周波数対検出光量の関係を示してい
る光量データS2を、予め入力されている前記基準導波
光の波長λrefと基準表面弾性波の周波数f ref
、および前記(3)式に基づいて、導波光波長対検出光
量の関係を示すデータに変換する。変換処理された光量
データS3は、光ビームL4の光量をその波長と対応付
けて示すものとなる。この光量データS3は、例えばC
RT等からなる表示装置34に入力される。この表示装
置34においては一例として、上記光ビームL4の光量
対波長の関係がグラフ状に表示される。したがってこの
表示から、光ビームL4が検出されたとき、つまりブラ
ッグ条件が成立したときの波長λを見出せば、それが求
める被測定光りの波長となる。
33は、表面弾性波周波数対検出光量の関係を示してい
る光量データS2を、予め入力されている前記基準導波
光の波長λrefと基準表面弾性波の周波数f ref
、および前記(3)式に基づいて、導波光波長対検出光
量の関係を示すデータに変換する。変換処理された光量
データS3は、光ビームL4の光量をその波長と対応付
けて示すものとなる。この光量データS3は、例えばC
RT等からなる表示装置34に入力される。この表示装
置34においては一例として、上記光ビームL4の光量
対波長の関係がグラフ状に表示される。したがってこの
表示から、光ビームL4が検出されたとき、つまりブラ
ッグ条件が成立したときの波長λを見出せば、それが求
める被測定光りの波長となる。
なお上記表示装置34は、適当な記録装置等に置き換え
られてもよい。さらに上記実施例では、光検出器31が
光ビームL4を検出したときのみならず、表面弾性波1
5を周波数掃引している間はずっとその周波数fを求め
、またその開光ビームL4の検出の有無に係らず光量信
号S1を連続的にA/D変換器32に送って、上記光ビ
ームL4の光量対波長の関係をグラフ状に表示している
が、光ビームL4が検出されたときの波長λを自動的に
検出して、その波長λの値のみを表示装置に表示する、
あるいは記録するようにしてもよい。しかし上記実施例
のようにすれば、表示装置34においては、光ビームL
4が全く検出されない波長領域(つまりスペクトル成分
が存在しない領域)が明確に示されるので、より好まし
い。こうする場合、一般には光量信号S〕等にノイズ成
分か含まれるので、上記光ビームL、が検出されない波
長領域においても、検出光量表示はO(ゼロ)とならな
いことが多い。そうなっても、光量表示のあるレベルま
ではノイズ成分であるということが予め分かっていれば
何ら問題はない。またこのようなことを回避するため、
上記7ノイズ成分よりもやや高い所定レベルを光ff1
O(ゼロ)レベルとして表示するようにしてもよい。さ
らにこの所定レベルを」−記よりもさらに高く設定すれ
ば、スペクトラム(縦モードは1つでも複数でもよい)
の中心波長近辺の波長のみを表示することも可能である
。
られてもよい。さらに上記実施例では、光検出器31が
光ビームL4を検出したときのみならず、表面弾性波1
5を周波数掃引している間はずっとその周波数fを求め
、またその開光ビームL4の検出の有無に係らず光量信
号S1を連続的にA/D変換器32に送って、上記光ビ
ームL4の光量対波長の関係をグラフ状に表示している
が、光ビームL4が検出されたときの波長λを自動的に
検出して、その波長λの値のみを表示装置に表示する、
あるいは記録するようにしてもよい。しかし上記実施例
のようにすれば、表示装置34においては、光ビームL
4が全く検出されない波長領域(つまりスペクトル成分
が存在しない領域)が明確に示されるので、より好まし
い。こうする場合、一般には光量信号S〕等にノイズ成
分か含まれるので、上記光ビームL、が検出されない波
長領域においても、検出光量表示はO(ゼロ)とならな
いことが多い。そうなっても、光量表示のあるレベルま
ではノイズ成分であるということが予め分かっていれば
何ら問題はない。またこのようなことを回避するため、
上記7ノイズ成分よりもやや高い所定レベルを光ff1
O(ゼロ)レベルとして表示するようにしてもよい。さ
らにこの所定レベルを」−記よりもさらに高く設定すれ
ば、スペクトラム(縦モードは1つでも複数でもよい)
の中心波長近辺の波長のみを表示することも可能である
。
また上記の実施例においては、ディジタル処理によって
被測定光の検出光量と波長λとの関係を求めるようにし
ているが、アナログ処理によって上記関係を求めること
もてきる。
被測定光の検出光量と波長λとの関係を求めるようにし
ているが、アナログ処理によって上記関係を求めること
もてきる。
ここで、本発明による光スペクトラムアナライザーは、
被A11l定光かrHいに波長が極め°C近接した複数
のスペクトル成分からなる場合でも、各スペクトル成分
を高分解能で測定司能となっている。
被A11l定光かrHいに波長が極め°C近接した複数
のスペクトル成分からなる場合でも、各スペクトル成分
を高分解能で測定司能となっている。
以下この点について説明する。例えば披Mj定光か、互
いに近接した波長λ1、A2、A3 (A1くA2〈A
3)のスペクトル成分からなるものとする。
いに近接した波長λ1、A2、A3 (A1くA2〈A
3)のスペクトル成分からなるものとする。
そ(7て第5図に示すように、中間の波長λ2の導波光
と表面弾性波I5との間でブラッグ条件が満たされ、ベ
クトルlk2の力向に回折光が出射するものとする。こ
のとき波長λjおよびA3の導波光も、表面弾性波15
に対して、完全では無いがほぼブラッグ条件を満たず状
態となる。したかってこれらの波長λ1およびA3の導
波光も表面弾性波15によって回折され、光導波路12
から出射する。
と表面弾性波I5との間でブラッグ条件が満たされ、ベ
クトルlk2の力向に回折光が出射するものとする。こ
のとき波長λjおよびA3の導波光も、表面弾性波15
に対して、完全では無いがほぼブラッグ条件を満たず状
態となる。したかってこれらの波長λ1およびA3の導
波光も表面弾性波15によって回折され、光導波路12
から出射する。
しかしこれらの光の回折角は、波長λ2の光の回折角と
は異なり、第5図に示すようにそれぞれベクトル1に4
、ベクI・ルlk5の方向となる(なお第5図において
G 1 、G 3がそれぞれ、波長λ1、A3の導波光
の波数ベクトルの始点である)。したかって光導波路1
2から出射した光ビームは、各スペクトル成分毎に分離
する。このようにしてピンホール板30上で各スペクト
ル成分が完全に分離されれば、前記交番電圧の周波数が
掃引されるとき、ピンホール板30上を3つのビームス
ポットが移動し、各波長の光は順次個別にビンポール3
0aを通過する。
は異なり、第5図に示すようにそれぞれベクトル1に4
、ベクI・ルlk5の方向となる(なお第5図において
G 1 、G 3がそれぞれ、波長λ1、A3の導波光
の波数ベクトルの始点である)。したかって光導波路1
2から出射した光ビームは、各スペクトル成分毎に分離
する。このようにしてピンホール板30上で各スペクト
ル成分が完全に分離されれば、前記交番電圧の周波数が
掃引されるとき、ピンホール板30上を3つのビームス
ポットが移動し、各波長の光は順次個別にビンポール3
0aを通過する。
したがって、光検出器31が検出する光量と、上記交番
電圧周波数すなわち表面弾性波周波数の関係は、第6図
図示のようなものとなる。つまり、波長λ1、A2、A
3の各スペクトル成分は、それぞれ表面弾性波周波数が
fl、fl、f3のときに個別に検出される。これらの
表面弾性波周波数f1、fl、f3が検出されれば、波
長λ1、A2、A3は前述と同様にして求められうる。
電圧周波数すなわち表面弾性波周波数の関係は、第6図
図示のようなものとなる。つまり、波長λ1、A2、A
3の各スペクトル成分は、それぞれ表面弾性波周波数が
fl、fl、f3のときに個別に検出される。これらの
表面弾性波周波数f1、fl、f3が検出されれば、波
長λ1、A2、A3は前述と同様にして求められうる。
ここで、光源23が前述したDFB平導体レーザ等であ
る場合、以上のようにして表示装置34に表示される光
量対波長の関係は、第10図図示のようなものとなる。
る場合、以上のようにして表示装置34に表示される光
量対波長の関係は、第10図図示のようなものとなる。
つまり、その縦モードは1−本で、スペクトル幅Δλ(
半値全幅)は極めて狭いものとなっている。以下、この
スペクトル幅Δλを求める点について説明する。第2図
に示されるようにビームスプリッタ50において反射し
て、光導波路I2に向かう先ビームI、から分岐された
光ビームL7は、集束レンズ55によって集束されて、
単一モード光ファイバー51内に入射される。この単一
モード光ファイバー51は例えば1..5km程度の長
さがドラム57に巻回されており、この巻回されたファ
イバー束が、光遅延手段51Aを構成している。
半値全幅)は極めて狭いものとなっている。以下、この
スペクトル幅Δλを求める点について説明する。第2図
に示されるようにビームスプリッタ50において反射し
て、光導波路I2に向かう先ビームI、から分岐された
光ビームL7は、集束レンズ55によって集束されて、
単一モード光ファイバー51内に入射される。この単一
モード光ファイバー51は例えば1..5km程度の長
さがドラム57に巻回されており、この巻回されたファ
イバー束が、光遅延手段51Aを構成している。
この光遅延手段51.Aを通過した光ビームL7は単一
モード光ファイバー51から発散光として出射し、集束
レンズ56によって絞られ−C1前述のビームスプリッ
タ52に入射する。
モード光ファイバー51から発散光として出射し、集束
レンズ56によって絞られ−C1前述のビームスプリッ
タ52に入射する。
一方光導波路12から出射した光ビームL6は、集束レ
ンズ29によって絞られてビームスプリッタ52に入射
し、そこで上記光ビームL7と合波される。この際、第
2の表面弾性波16で回折したことにより0.2GHz
周波数シフトしている光ビームL6と、元の被4I11
定光りの周波数のままである光ビームLTとの間で、前
述した通りの干渉が生じる。合波された光ビームL8は
第2の光検出器53で検出され、その光検出信号S5は
、高周波スペクトラムアナライザー54に入力されて周
波数分析される。この高周波スペクトラムアナライザー
54が示す第8図図示のようなビート成分から、被測定
光りの周波数変動幅Δνが求められることは、先に第7
図を参照して説明した通りである。
ンズ29によって絞られてビームスプリッタ52に入射
し、そこで上記光ビームL7と合波される。この際、第
2の表面弾性波16で回折したことにより0.2GHz
周波数シフトしている光ビームL6と、元の被4I11
定光りの周波数のままである光ビームLTとの間で、前
述した通りの干渉が生じる。合波された光ビームL8は
第2の光検出器53で検出され、その光検出信号S5は
、高周波スペクトラムアナライザー54に入力されて周
波数分析される。この高周波スペクトラムアナライザー
54が示す第8図図示のようなビート成分から、被測定
光りの周波数変動幅Δνが求められることは、先に第7
図を参照して説明した通りである。
なお以上述べた遅延自己ヘテロダイン法により周波数変
動幅Δνを求めるのに当り、光ビームLを第2の表面弾
性波16で回折させて周波数シフトさせるのは、第8図
に示すビート信号のスペクトルの中心周波数をfAとし
て、このスペクトルが0(ゼロ)周波数から離れた領域
に現われるようにするためである。したがって、スペク
トル幅Δλに対応する周波数変動幅Δνが、前述したD
FB半導体レーザ等にあっては通常100MHzに達し
ないことを考慮すると、上記周波数シフト幅つまり第2
の表面弾性波16の周波数は、1.00MHz前後に設
定すれば十分である。
動幅Δνを求めるのに当り、光ビームLを第2の表面弾
性波16で回折させて周波数シフトさせるのは、第8図
に示すビート信号のスペクトルの中心周波数をfAとし
て、このスペクトルが0(ゼロ)周波数から離れた領域
に現われるようにするためである。したがって、スペク
トル幅Δλに対応する周波数変動幅Δνが、前述したD
FB半導体レーザ等にあっては通常100MHzに達し
ないことを考慮すると、上記周波数シフト幅つまり第2
の表面弾性波16の周波数は、1.00MHz前後に設
定すれば十分である。
次に第11.12および13図を参照して、本発明の第
2実施例について説明する。なおこれら第11〜13図
において、既に説明したものと同じ要素等については同
符号を付してあり、それらについての説明は特に必要の
無い限り省略する(以下、同様)。第11図および第1
2図に示されるように本実施例の光スペクトラムアナラ
イザーにおいては光導波路12に、前記チャープIDT
17に加えてもう1つのチャープIDT17°が設けら
れている。このチャープID717″ も周波数が変化
する表面弾性波15′を発生させるものであり、この表
面弾性波15′ は、前記表面弾性波15によって回折
、偏向した導波光L2を、該偏向をさらに増幅させる方
向に回折、偏向させる。本例においてこれらのチャープ
IDT17.17° には、高周波アンプI9から互い
に等しい周波数の掃引交番電圧が印加されるようになっ
ている。したがって表面弾性波1.5.1.5″の周波
数は、常に互いに等しい値を保って連続的に変化する。
2実施例について説明する。なおこれら第11〜13図
において、既に説明したものと同じ要素等については同
符号を付してあり、それらについての説明は特に必要の
無い限り省略する(以下、同様)。第11図および第1
2図に示されるように本実施例の光スペクトラムアナラ
イザーにおいては光導波路12に、前記チャープIDT
17に加えてもう1つのチャープIDT17°が設けら
れている。このチャープID717″ も周波数が変化
する表面弾性波15′を発生させるものであり、この表
面弾性波15′ は、前記表面弾性波15によって回折
、偏向した導波光L2を、該偏向をさらに増幅させる方
向に回折、偏向させる。本例においてこれらのチャープ
IDT17.17° には、高周波アンプI9から互い
に等しい周波数の掃引交番電圧が印加されるようになっ
ている。したがって表面弾性波1.5.1.5″の周波
数は、常に互いに等しい値を保って連続的に変化する。
この場合、導波光L1、表面弾性波15によって回折し
た後の導波光L2、表面弾性波15’ によって回折し
た後の導波光L3の波数ベクトルを各々Ik1 、lk
2、Ik3とし、表面弾性波15.15′ の波数ベク
トルをIKl、IK2とすると、上記2回の回折が行な
われるときは、 Ikl +lKl −1kz 1に2+IK2雪1に3 のブラッグ回折条件を満足するようになっている。
た後の導波光L2、表面弾性波15’ によって回折し
た後の導波光L3の波数ベクトルを各々Ik1 、lk
2、Ik3とし、表面弾性波15.15′ の波数ベク
トルをIKl、IK2とすると、上記2回の回折が行な
われるときは、 Ikl +lKl −1kz 1に2+IK2雪1に3 のブラッグ回折条件を満足するようになっている。
そして表面弾性波15に対する導波光L1の入射角と、
表面弾性波15’ に対する導波光し2の入射角とが互
いにθで等しくなるようにチャープIDT17.17′
を配置しておけば、この場合も表面弾性波15.15
゛ の周波数f1すなわちIDT17.17’に印加さ
れる交番電圧の周波数の値に基づいて被測定光りの波長
λを求めることができる。
表面弾性波15’ に対する導波光し2の入射角とが互
いにθで等しくなるようにチャープIDT17.17′
を配置しておけば、この場合も表面弾性波15.15
゛ の周波数f1すなわちIDT17.17’に印加さ
れる交番電圧の周波数の値に基づいて被測定光りの波長
λを求めることができる。
本例においても前述したような基準導波光と基準表面弾
性波(本例では互いに等しい周波数の第1、第2の2つ
の基準表面弾性波を用いる)を用いるのであれば、前記
(3)式に基づいて被測定光の波長λを求めることがで
きる。つまり第13図において、基準導波光の波数ベク
トルを5下、第1の基準表面弾性波の波数ベクトルをP
Q、この第1の基準表面弾性波により回折された基準導
波光の波数ベクトルをOQ、第2の基準表面弾性波の波
数ベクトルをQT、この第2の基準表面弾性波により回
折された基準導波光の波数ベクトルをOTとすると、こ
の場合も Δ0PQ(1)ΔSPR であるから、結局前記(3)式が成立する。
性波(本例では互いに等しい周波数の第1、第2の2つ
の基準表面弾性波を用いる)を用いるのであれば、前記
(3)式に基づいて被測定光の波長λを求めることがで
きる。つまり第13図において、基準導波光の波数ベク
トルを5下、第1の基準表面弾性波の波数ベクトルをP
Q、この第1の基準表面弾性波により回折された基準導
波光の波数ベクトルをOQ、第2の基準表面弾性波の波
数ベクトルをQT、この第2の基準表面弾性波により回
折された基準導波光の波数ベクトルをOTとすると、こ
の場合も Δ0PQ(1)ΔSPR であるから、結局前記(3)式が成立する。
ただし本例では、導波光L1に対する2回回折後の導波
光L3の偏向角δは、導波光L1の表面弾性波15への
入射角をθとすると40となる。これは先に説明した実
施例における偏向角δ−2θの2倍であり、そのため本
実施例においては、スペクトル分析の分解能が先の実施
例におけるよりも高められつる。以下、この点について
詳述する。
光L3の偏向角δは、導波光L1の表面弾性波15への
入射角をθとすると40となる。これは先に説明した実
施例における偏向角δ−2θの2倍であり、そのため本
実施例においては、スペクトル分析の分解能が先の実施
例におけるよりも高められつる。以下、この点について
詳述する。
例えば第5図において、ベクトルIk2と、ベクトルl
k、あるいはIk5とがなす角度は、ベクトルIk1に
対してベクトルIk2がなす角度が大きいほど、つまり
表面弾性波による導波光の回折角が大きいはと大となる
。ずなわち、光導波路12から同時に出射する何本かの
光ビームの出射角の差は、導波光の偏向角δが大きいほ
ど大となり、各光ビムは前述のピンポール板30 、J
−で、より大きなljl隔をおいて分離するようになる
。そのようになれば、より近接l〜た波長のスペクトル
成分を分離可能となるので、結局偏向角δか大きいほど
スペクトル分析の分解能か向−Lすることになる。
k、あるいはIk5とがなす角度は、ベクトルIk1に
対してベクトルIk2がなす角度が大きいほど、つまり
表面弾性波による導波光の回折角が大きいはと大となる
。ずなわち、光導波路12から同時に出射する何本かの
光ビームの出射角の差は、導波光の偏向角δが大きいほ
ど大となり、各光ビムは前述のピンポール板30 、J
−で、より大きなljl隔をおいて分離するようになる
。そのようになれば、より近接l〜た波長のスペクトル
成分を分離可能となるので、結局偏向角δか大きいほど
スペクトル分析の分解能か向−Lすることになる。
なお以上説明した実施例においては、表面弾性波15.
15′ の周波数が常に等しくなるようにされているか
、これらの表面弾性波15.15゛ の周波数は、常に
等しい比を保って相異なる値をとるようにされてもよい
。
15′ の周波数が常に等しくなるようにされているか
、これらの表面弾性波15.15゛ の周波数は、常に
等しい比を保って相異なる値をとるようにされてもよい
。
また被測定光である導波光を、周波数が連続的に変化す
る3つ以上の表面弾性波によって3回置上回折させるよ
うにしても構わない。先に述べた通り、導波光の偏向角
δが大きいはどスペクトル分析の分解能か向」二するか
ら、このように多数回の回折を行なえば、表面弾性波の
周波数をさほどI−げすにスペクトル分析の分解能を高
めることがてきて好ましい。
る3つ以上の表面弾性波によって3回置上回折させるよ
うにしても構わない。先に述べた通り、導波光の偏向角
δが大きいはどスペクトル分析の分解能か向」二するか
ら、このように多数回の回折を行なえば、表面弾性波の
周波数をさほどI−げすにスペクトル分析の分解能を高
めることがてきて好ましい。
またこの第11図の装置においては、光ビームLから、
光遅延1段51Aに送る先ビームI、7を分岐させる分
岐ず段と、この光ビームL7と光ビームL6とをr)波
するご技手段とか、第1図の装置のものと異なっている
。すなわち上記分岐手段としては、光ファイバー24か
ら送られて来る光ビームLをは1J等光量に分岐する光
フアイバーカブラ70か用いられている。また合波手段
としては、一端側の2又状部分かそれぞれ、光導波路1
2を出射した光ビームL6か入力される光ファイバー7
1と、光ビームL7か導波する光ファイバー51とに接
続された先ファイバーカブラ72か用いられている。
光遅延1段51Aに送る先ビームI、7を分岐させる分
岐ず段と、この光ビームL7と光ビームL6とをr)波
するご技手段とか、第1図の装置のものと異なっている
。すなわち上記分岐手段としては、光ファイバー24か
ら送られて来る光ビームLをは1J等光量に分岐する光
フアイバーカブラ70か用いられている。また合波手段
としては、一端側の2又状部分かそれぞれ、光導波路1
2を出射した光ビームL6か入力される光ファイバー7
1と、光ビームL7か導波する光ファイバー51とに接
続された先ファイバーカブラ72か用いられている。
この光フアイバーカブラ72の他端側には第2の光検出
器53か結合されており、互いに干渉(7て合波される
光ビー1.I−6、L7が、この光検出器53によって
検出される。
器53か結合されており、互いに干渉(7て合波される
光ビー1.I−6、L7が、この光検出器53によって
検出される。
次に第14図を参照して、本発明の第3実施例について
説明する。この装置は第11図に小した装置と比べると
、表面弾性波16を発生ずる手段が省かれ、周波数一定
の表面弾性波を発生させる手段として、周波数が変化す
る表面弾性波を発生させる手段が兼用されている。すな
わち本装置においては、通常のスペクトル分析と、スペ
クトル幅Δλを求める操作を、時間をすらして別個に行
なう。
説明する。この装置は第11図に小した装置と比べると
、表面弾性波16を発生ずる手段が省かれ、周波数一定
の表面弾性波を発生させる手段として、周波数が変化す
る表面弾性波を発生させる手段が兼用されている。すな
わち本装置においては、通常のスペクトル分析と、スペ
クトル幅Δλを求める操作を、時間をすらして別個に行
なう。
スペクトル幅Δλを求める際は、表面弾性波I5の周波
数を掃引範囲内のある所定値に固定する。
数を掃引範囲内のある所定値に固定する。
それによりこの場合は、一定周波数の表面弾性波15か
発せられる。この表面弾性波15において回折した後、
表面弾性波15″を0次光として通過した導波光L2は
、光ビームL6として光導波路12外に出射し、その後
は第11図の装置におけるのと同様にして光ビームL7
と合波される。
発せられる。この表面弾性波15において回折した後、
表面弾性波15″を0次光として通過した導波光L2は
、光ビームL6として光導波路12外に出射し、その後
は第11図の装置におけるのと同様にして光ビームL7
と合波される。
なお例えば先に述べたDFB半導体レーザ等にあっては
、予め中心波長が大略骨かっているから、その値に応じ
て上記の所定値を定めれば、上記光ビームI、6を一定
方向に出射させることができる。
、予め中心波長が大略骨かっているから、その値に応じ
て上記の所定値を定めれば、上記光ビームI、6を一定
方向に出射させることができる。
また特にそのようにしないで、例えば表面弾性波15の
周波数はその掃引範囲内の最大値や最小値等に定め、被
測定光りの波長に応じて出射方向が変わる光ビームL6
を、比較的大きな受光面を有する光検出器で検出したり
、また第14図の装置にあっては光ファ1′ハーフ1を
適宜移動させて光ビームL6を検出するようにしてもよ
い。
周波数はその掃引範囲内の最大値や最小値等に定め、被
測定光りの波長に応じて出射方向が変わる光ビームL6
を、比較的大きな受光面を有する光検出器で検出したり
、また第14図の装置にあっては光ファ1′ハーフ1を
適宜移動させて光ビームL6を検出するようにしてもよ
い。
また高周波アンプ19とIDT17° との間にスイッ
チを設け、スペクトル幅Δλの分析を行なう際は表面弾
性波15′ を発生させないようにしてもよい。そうす
れば光ビームL6の光量が増大するので好ましい。
チを設け、スペクトル幅Δλの分析を行なう際は表面弾
性波15′ を発生させないようにしてもよい。そうす
れば光ビームL6の光量が増大するので好ましい。
この装置においては、上述のような表面弾性波15て光
ビームL6を周波数ンフトさせているので、このンフト
ffi f Aは例えばIGHz等と極めて高くなる。
ビームL6を周波数ンフトさせているので、このンフト
ffi f Aは例えばIGHz等と極めて高くなる。
そこで本装置においては、光検出器53が出力する検出
信号S5を混合器76に送り、局部発振器75が出力す
る局部発振信号S8と混合させる。
信号S5を混合器76に送り、局部発振器75が出力す
る局部発振信号S8と混合させる。
例えば表1f11弾性波15の周波数が1. G Hz
の場合、局部発振信号S8として0.9GHzの信号を
用いれば、混合器76を出て高周波スペクトラムアナラ
イザー54に送られる信号S9を、0.1GH2+2Δ
νのビート成分を持つものとすることができる。
の場合、局部発振信号S8として0.9GHzの信号を
用いれば、混合器76を出て高周波スペクトラムアナラ
イザー54に送られる信号S9を、0.1GH2+2Δ
νのビート成分を持つものとすることができる。
なお第1図の第1実施例装置や、第11図の第2実施例
装置においても上記と同様に、スペクトル幅Δλの分析
を行なう際は、表面弾性波15あるいは表面弾性波15
および15゛ を発生させないようにしてもよい。そう
すれば、それらの表面弾性波15.15′ で導波光が
回折することがないから、スペクトル幅分析における検
出光量を高めることができて好ましい。これは次に説明
する第4実施例においても同様である。
装置においても上記と同様に、スペクトル幅Δλの分析
を行なう際は、表面弾性波15あるいは表面弾性波15
および15゛ を発生させないようにしてもよい。そう
すれば、それらの表面弾性波15.15′ で導波光が
回折することがないから、スペクトル幅分析における検
出光量を高めることができて好ましい。これは次に説明
する第4実施例においても同様である。
次に第15図を参照して、本発明の第4実施例について
説明する。この第15図の光スペクトラムアナライザー
は、先に述べた遅延自己ホモダイン法によってスペクト
ル幅Δλを求めるように構成されたものであり、本装置
においては、表面弾性波発生手段として、周波数掃引さ
れる表面弾性波15を発生させるチャープIDT17の
みが設けられている。この表面弾性波15に入射した導
波光L1のうち、0次光としてこの表面弾性波15を通
過した導波光し、は回折していないので、周波数シフト
することはない。この導波光L9は光導波路12から出
射して、光ビームL6としてビームスプリッタ52に入
射し、そこで、光遅延手段51.Aを通過して来た光ビ
ームL7と合波される。
説明する。この第15図の光スペクトラムアナライザー
は、先に述べた遅延自己ホモダイン法によってスペクト
ル幅Δλを求めるように構成されたものであり、本装置
においては、表面弾性波発生手段として、周波数掃引さ
れる表面弾性波15を発生させるチャープIDT17の
みが設けられている。この表面弾性波15に入射した導
波光L1のうち、0次光としてこの表面弾性波15を通
過した導波光し、は回折していないので、周波数シフト
することはない。この導波光L9は光導波路12から出
射して、光ビームL6としてビームスプリッタ52に入
射し、そこで、光遅延手段51.Aを通過して来た光ビ
ームL7と合波される。
この場合は、光ビームL6が周波数シフトしていないか
ら、高周波スペクトラムアナライザー54に示されるビ
ート信号は第9図図示のようなものとなるが、この場合
もΔf′/2の値に基づいて光ビームLの周波数変動幅
Δνを求めることができ、この値からスペクトル幅Δλ
が分かる。
ら、高周波スペクトラムアナライザー54に示されるビ
ート信号は第9図図示のようなものとなるが、この場合
もΔf′/2の値に基づいて光ビームLの周波数変動幅
Δνを求めることができ、この値からスペクトル幅Δλ
が分かる。
また本実施例においては、フリメーターレンズ27で平
行光とされた光ビームLをシリンドリカルレンズ80に
通して偏平に絞り、この光ビームLを絞られた方向が光
導波路I2の厚さ方向と一致する状態で光導波路端面1
,2aに照射することにより、光導波路12内に入力さ
せるようにしている。
行光とされた光ビームLをシリンドリカルレンズ80に
通して偏平に絞り、この光ビームLを絞られた方向が光
導波路I2の厚さ方向と一致する状態で光導波路端面1
,2aに照射することにより、光導波路12内に入力さ
せるようにしている。
なおこの場合でも、第1I図に示した光フアイバーカプ
ラ72で光ビームL6とL7とを合波可能である。
ラ72で光ビームL6とL7とを合波可能である。
(発明の効果)
以上詳細に説明した通り、本発明の光スペクト3つ
ラムアナライザーによれば、高分解能で光スペクトルを
分析可能となる。しかも本発明の光スペクトラムアナラ
イザーは、光導波路に被測定光を入射させ、表面弾性波
によって被測定光を回折させる構造となっているので、
小型軽量に形成され、その上機械的な作動部分を備えな
いので、耐久性、信頼性も高いものとなる。
分析可能となる。しかも本発明の光スペクトラムアナラ
イザーは、光導波路に被測定光を入射させ、表面弾性波
によって被測定光を回折させる構造となっているので、
小型軽量に形成され、その上機械的な作動部分を備えな
いので、耐久性、信頼性も高いものとなる。
しかも本発明の光スペクトラムアナライザーは、通常の
光スペクトル分析を行なうための要素を有効に利用して
、遅延自己ヘテロダイン法あるいは遅延自己ホモダイン
法により、極めて微小なスペクトル幅を分析可能に形成
したから、その利用範囲が広く実用上極めて便利なもの
となりうる。
光スペクトル分析を行なうための要素を有効に利用して
、遅延自己ヘテロダイン法あるいは遅延自己ホモダイン
法により、極めて微小なスペクトル幅を分析可能に形成
したから、その利用範囲が広く実用上極めて便利なもの
となりうる。
第1図は本発明の第1実施例装置を示す平面図、第2図
は上記実施例装置の一部を示す側面図、第3図は上記実
施例装置の一部を拡大して示す平面図、 第4図は上記実施例装置における光ビーム偏向を説明す
る説明図、 第5図は本発明装置における光スペクトルの分離を説明
する説明図、 第6図は本発明装置における検出光量と、表面弾性波周
波数の関係を示すグラフ、 第7図は上記実施例装置のスペクトル幅測定系を概略的
に示す系統図、 第8図は本発明に係る遅延自己ヘテロダイン法によるビ
ート信号の概略を示すグラフ、第9図は本発明に係る遅
延自己ホモダイン法によるビート信号の概略を示すグラ
フ、 第1O図は半導体レーザの発振スペクトルの一例を示す
グラフ、 第1■図は本発明の第2実施例装置を示す平面図、第1
2図は上記第11図の装置の一部を拡大して示す平面図
、 第13図は上記第11図の装置における光ビーム偏向を
説明する説明図、 第14図と第15図はそれぞれ、本発明の第3および第
4実施例装置を示す平面図である。 月・・基 板 12・・・光導波路T3・
・・光入力用LGC14・光出力用LGC15,15′
・・・第1の表面弾性波1G・・・第2の表面弾性波 17.17’ ・・・チャープIDT 18・・I
DT19.40・・・高周波アンプ 20・・・スィ
ーパ−23・・・光 源 27・・・コリメ
ーターレンズ29.55.5G・・集光レンズ 30・・・ピンホール板 31・・第1の光検出器
32・・・A/D変換器 33・・・演算処理部3
4・・表示装置 41・・・発振器50.52
・・・ビームスプリッタ 51・・・単一モード光ファイバー 51A・・・光遅延手段 53・・・第2の光検出
器54・・・高周波スペクトラムアナライザ70.72
・・・光フアイバーカブラ 75・・・局部発振器 76・・・混合器80・
・・ンリンドリカルレンズ 95・・・全体制御部
は上記実施例装置の一部を示す側面図、第3図は上記実
施例装置の一部を拡大して示す平面図、 第4図は上記実施例装置における光ビーム偏向を説明す
る説明図、 第5図は本発明装置における光スペクトルの分離を説明
する説明図、 第6図は本発明装置における検出光量と、表面弾性波周
波数の関係を示すグラフ、 第7図は上記実施例装置のスペクトル幅測定系を概略的
に示す系統図、 第8図は本発明に係る遅延自己ヘテロダイン法によるビ
ート信号の概略を示すグラフ、第9図は本発明に係る遅
延自己ホモダイン法によるビート信号の概略を示すグラ
フ、 第1O図は半導体レーザの発振スペクトルの一例を示す
グラフ、 第1■図は本発明の第2実施例装置を示す平面図、第1
2図は上記第11図の装置の一部を拡大して示す平面図
、 第13図は上記第11図の装置における光ビーム偏向を
説明する説明図、 第14図と第15図はそれぞれ、本発明の第3および第
4実施例装置を示す平面図である。 月・・基 板 12・・・光導波路T3・
・・光入力用LGC14・光出力用LGC15,15′
・・・第1の表面弾性波1G・・・第2の表面弾性波 17.17’ ・・・チャープIDT 18・・I
DT19.40・・・高周波アンプ 20・・・スィ
ーパ−23・・・光 源 27・・・コリメ
ーターレンズ29.55.5G・・集光レンズ 30・・・ピンホール板 31・・第1の光検出器
32・・・A/D変換器 33・・・演算処理部3
4・・表示装置 41・・・発振器50.52
・・・ビームスプリッタ 51・・・単一モード光ファイバー 51A・・・光遅延手段 53・・・第2の光検出
器54・・・高周波スペクトラムアナライザ70.72
・・・光フアイバーカブラ 75・・・局部発振器 76・・・混合器80・
・・ンリンドリカルレンズ 95・・・全体制御部
Claims (2)
- (1)表面弾性波が伝播可能な材料から形成された光導
波路と、 この光導波路内に入射されて該光導波路内を進行する被
測定光としての導波光の光路に交わる方向に進行して、
該導波光を回折、偏向させる連続的に周波数が変化する
表面弾性波をこの光導波路において発生させる第1の表
面弾性波発生手段と、前記導波光の光路に交わる方向に
進行して、該導波光を回折、偏向させる周波数一定の表
面弾性波を前記光導波路において発生させる第2の表面
弾性波発生手段と、 前記周波数が変化する表面弾性波によって偏向されて光
導波路外に出射した前記被測定光を検出する第1の光検
出手段と、 この光検出手段が前記被測定光を検出したときの前記表
面弾性波の周波数を検出する周波数検出手段と、 前記周波数が変化する表面弾性波および周波数一定の表
面弾性波に入射する前の被測定光の一部を分岐する分岐
手段と、 前記周波数一定の表面弾性波により偏向されて光導波路
外に出射した被測定光を受けるように配された合波手段
と、 前記分岐手段で分岐された被測定光を前記合波手段に導
く光伝達系と、 この光伝達系に設けられ、該光伝達系の光路長を、前記
分岐手段から周波数一定の表面弾性波を経て合波手段に
至るまでの光路長よりも十分に長くする光遅延手段と、 前記合波手段で合波された被測定光を検出する第2の光
検出手段と、 この第2の光検出手段が出力した電気信号を周波数分析
する高周波スペクトラムアナライザーとからなる光スペ
クトラムアナライザー。 - (2)表面弾性波が伝播可能な材料から形成された光導
波路と、 この光導波路内に入射されて該光導波路内を進行する被
測定光としての導波光の光路に交わる方向に進行して、
該導波光を回折、偏向させる連続的に周波数が変化する
表面弾性波をこの光導波路において発生させる表面弾性
波発生手段と、前記表面弾性波によって偏向されて光導
波路外に出射した前記被測定光を検出する第1の光検出
手段と、 この光検出手段が前記被測定光を検出したときの前記表
面弾性波の周波数を検出する周波数検出手段と、 前記表面弾性波に入射する前の被測定光の一部を分岐す
る分岐手段と、 前記表面弾性波を0次光として通過し、光導波路外に出
射した被測定光を受けるように配された合波手段と、 前記分岐手段で分岐された被測定光を前記合波手段に導
く光伝達系と、 この光伝達系に設けられ、該光伝達系の光路長を、前記
分岐手段から表面弾性波を経て合波手段に至るまでの光
路長よりも十分に長くする光遅延手段と、 前記合波手段で合波された被測定光を検出する第2の光
検出手段と、 この第2の光検出手段が出力した電気信号を周波数分析
する高周波スペクトラムアナライザーとからなる光スペ
クトラムアナライザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1361289A JPH02194342A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 光スペクトラムアナライザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1361289A JPH02194342A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 光スペクトラムアナライザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194342A true JPH02194342A (ja) | 1990-07-31 |
Family
ID=11838051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1361289A Pending JPH02194342A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 光スペクトラムアナライザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194342A (ja) |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1361289A patent/JPH02194342A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11624810B2 (en) | LIDAR system with reduced speckle sensitivity | |
| GB2305239A (en) | Hetrodyne-interferometer arrangement having variable frequency lasers | |
| JP2003028724A (ja) | 光パルス評価方法、光パルス評価装置、及び光通信システム | |
| JPH07311182A (ja) | 光熱変位計測による試料評価方法 | |
| US4900113A (en) | Optical spectrum analyzer | |
| US5066126A (en) | Optical spectrum analyzer | |
| US6340448B1 (en) | Surface plasmon sensor | |
| JP2004245750A (ja) | 光スペクトル測定方法及びその装置 | |
| JPH0695114B2 (ja) | 電圧検出装置 | |
| JP3663903B2 (ja) | 波長検出装置 | |
| JPH02194342A (ja) | 光スペクトラムアナライザー | |
| JPH02194337A (ja) | 光スペクトラムアナライザー | |
| JP2535217B2 (ja) | 光スペクトラムアナライザ― | |
| JPS63196829A (ja) | 光導波路障害点探索方法および装置 | |
| JPH02194339A (ja) | 光スペクトラムアナライザー | |
| JPH02194338A (ja) | 光スペクトラムアナライザー | |
| JPH02194333A (ja) | 光スペクトラムアナライザー | |
| Feigley et al. | Monitoring of chemical degradation in propellants using AOTF spectrometer | |
| JPH02194331A (ja) | 光スペクトラムアナライザー | |
| JPH02194335A (ja) | 光スペクトラムアナライザー | |
| US5481183A (en) | Electro-optic spectrum analyzer | |
| JPH02194332A (ja) | 光スペクトラムアナライザー | |
| JPH02194336A (ja) | 光スペクトラムアナライザー | |
| JPH02194340A (ja) | 光スペクトラムアナライザー | |
| JP2679810B2 (ja) | 光波長測定装置 |