JPH02194528A - シリコンウエハのエッチング処理方法及び処理装置 - Google Patents
シリコンウエハのエッチング処理方法及び処理装置Info
- Publication number
- JPH02194528A JPH02194528A JP1294989A JP1294989A JPH02194528A JP H02194528 A JPH02194528 A JP H02194528A JP 1294989 A JP1294989 A JP 1294989A JP 1294989 A JP1294989 A JP 1294989A JP H02194528 A JPH02194528 A JP H02194528A
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- Japan
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- mixed acid
- silicon wafer
- pure water
- arm
- tank
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコンウェハの表面を、混酸液との化学反応
によって溶解するシリコンウェハのエツチングを浄土さ
せるシリコンウェハのエツチング方法及びその方法を用
いたシリコンウェハのエツチング装置に関する。
によって溶解するシリコンウェハのエツチングを浄土さ
せるシリコンウェハのエツチング方法及びその方法を用
いたシリコンウェハのエツチング装置に関する。
従来、シリコンウェハのエツチング方法においては、一
般に混酸液（例えば、ＨＮＯ，（硝酸）とＨＦ（弗酸）
の液）中に、シリコンウェハを浸漬し２、攪拌すること
によって行なわれている。この場合、シリコンウェハの
表面にはＨＮＯ，によって酸化被膜が形成され、ＨＦに
よって除去されるとい・）化学反応が次々と生じている
が、この反応は混酸液自体が純水によって１／１０以下
に薄められることによって停止するものである。
般に混酸液（例えば、ＨＮＯ，（硝酸）とＨＦ（弗酸）
の液）中に、シリコンウェハを浸漬し２、攪拌すること
によって行なわれている。この場合、シリコンウェハの
表面にはＨＮＯ，によって酸化被膜が形成され、ＨＦに
よって除去されるとい・）化学反応が次々と生じている
が、この反応は混酸液自体が純水によって１／１０以下
に薄められることによって停止するものである。
またエツチング後のシリコンウェハの表面には鏡面性が
強く要求される。そのため凹凸又は曇り、まだらについ
た余分な被膜（ＳｉＯｘ被膜）等が発生すると、仕りが
り製品の特性（耐電圧）が満たせなくなる。
強く要求される。そのため凹凸又は曇り、まだらについ
た余分な被膜（ＳｉＯｘ被膜）等が発生すると、仕りが
り製品の特性（耐電圧）が満たせなくなる。
ところで、従来のシリコンウェハのエツチングスト・ツ
ブ方法によれば、混酸槽の底部付近に設けた排出口より
、混酸液を排出しながら、他に設けられた給水口より純
水を給水して混酸液を薄めることによって行われている
。
ブ方法によれば、混酸槽の底部付近に設けた排出口より
、混酸液を排出しながら、他に設けられた給水口より純
水を給水して混酸液を薄めることによって行われている
。
しかし、従来の方法によれば、混酸槽内の混酸液の濃度
を均一に制御することが相当困難である。
を均一に制御することが相当困難である。
すなわち混酸液の濃度の濃い部分と薄い部分とが生じ、
その状態でエツチング反応に差を生ずるため、エツチン
グ後のシリコンウェハの表面が鏡面にならず、夛留り低
下の原因になる。
その状態でエツチング反応に差を生ずるため、エツチン
グ後のシリコンウェハの表面が鏡面にならず、夛留り低
下の原因になる。
また１回のエツチングに混酸槽内の混酸液を全て使用す
ることになるため、混酸液の消費量が多くなり製造コス
トが高くなる、等の欠点が指摘されている。
ることになるため、混酸液の消費量が多くなり製造コス
トが高くなる、等の欠点が指摘されている。
本発明は、上記問題点を解決するために、混酸を入れる
槽と純水を入れる槽を別々とし、混酸槽の中の混酸液中
でエツチングを行っているシリコンウェハを、大気中に
約１〜約２秒以上晒さないようするためシリコンウェハ
を島ガス雰囲気中で純水槽に移し、純水槽の中の純水に
浸漬させて濯ぐことによるシリコンウェハのエツチング
方法、及びこの方法を自動的に行うために、直交した２
つのすべり対偶、あるいはねじ対偶によって上下動作及
び水平動作が可能である板に、シリコンウェハを保持し
、混酸液を攪拌するような回転動作、直線動作あるいは
これらの腹合動作が可能としたアームを取り付け、アク
チュエータやモータ等の動力で回転板を介してアームを
上下、水平動作させることにより、混酸液中から、純水
槽の純水中に、シリコンウェハを移動させ、かつ濯ぐこ
とを可能にしたシリコンウェハのエツチング装置を提案
することを主たる目的とする。
槽と純水を入れる槽を別々とし、混酸槽の中の混酸液中
でエツチングを行っているシリコンウェハを、大気中に
約１〜約２秒以上晒さないようするためシリコンウェハ
を島ガス雰囲気中で純水槽に移し、純水槽の中の純水に
浸漬させて濯ぐことによるシリコンウェハのエツチング
方法、及びこの方法を自動的に行うために、直交した２
つのすべり対偶、あるいはねじ対偶によって上下動作及
び水平動作が可能である板に、シリコンウェハを保持し
、混酸液を攪拌するような回転動作、直線動作あるいは
これらの腹合動作が可能としたアームを取り付け、アク
チュエータやモータ等の動力で回転板を介してアームを
上下、水平動作させることにより、混酸液中から、純水
槽の純水中に、シリコンウェハを移動させ、かつ濯ぐこ
とを可能にしたシリコンウェハのエツチング装置を提案
することを主たる目的とする。
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の一例を示す構成図である。１は密封容
器を示し、この中に不活性ガス例えば窒素ガスが充満さ
れており、更に混酸槽２及び純水＄１３が設置されてい
る。この場合、不活性ガスは供給ボート５より随時供給
されている。
器を示し、この中に不活性ガス例えば窒素ガスが充満さ
れており、更に混酸槽２及び純水＄１３が設置されてい
る。この場合、不活性ガスは供給ボート５より随時供給
されている。
また密封容器１の中の上方には水平方向及び上下方向に
伸縮するアクチュエタ１１が設けられ、上下するアクチ
ュエタ１１の作用端部９にはシリコンウェハ１２を保持
するアーム１３が取り付けられている。アーム１３は作
用端部９の水平方向に配置した回転軸１４の回転により
回転駆動される円板１５０円周部の支１１１ｋ１６に支
持されている。アーム１３は回転する駆動軸１４に廻り
対偶によって変心させて連結したものであり、先端に保
持したシリコンウェハ１２に対し近似した円運動を行わ
せ、混酸槽の中の混酸液を攪拌させながらシリコンウェ
ハ１２のエツチングを行うものであ る。
伸縮するアクチュエタ１１が設けられ、上下するアクチ
ュエタ１１の作用端部９にはシリコンウェハ１２を保持
するアーム１３が取り付けられている。アーム１３は作
用端部９の水平方向に配置した回転軸１４の回転により
回転駆動される円板１５０円周部の支１１１ｋ１６に支
持されている。アーム１３は回転する駆動軸１４に廻り
対偶によって変心させて連結したものであり、先端に保
持したシリコンウェハ１２に対し近似した円運動を行わ
せ、混酸槽の中の混酸液を攪拌させながらシリコンウェ
ハ１２のエツチングを行うものであ る。
アクチュエタ１１の構成は直交した２つの滑り対偶又は
ねじ対偶によって構成されている９回転軸１４は作用端
部９に内蔵したモータ等によって回転駆動される。
ねじ対偶によって構成されている９回転軸１４は作用端
部９に内蔵したモータ等によって回転駆動される。
混酸ｔｗ２には混酸液が注入され、純水ＩＷ３には純水
が注入されている。
が注入されている。
従って第１図に示すごとく１、アーム１３が混酸槽２の
真上に位置したとき、作用端部９が下側に伸長し、アー
ム１３に取り付けられたシリコンウェハ１２が混酸液内
に浸透される。更にシリコンウェハ１２は円板１５の回
転によりアーム１３が揺動することによ）ハ槽２内で攪
拌作用が行われることになる。
真上に位置したとき、作用端部９が下側に伸長し、アー
ム１３に取り付けられたシリコンウェハ１２が混酸液内
に浸透される。更にシリコンウェハ１２は円板１５の回
転によりアーム１３が揺動することによ）ハ槽２内で攪
拌作用が行われることになる。
所定の時間経過後に、エツチング作用が終了したとき、
アクチュエータ１１が再び作動してア−ム１３全体は混
酸槽２より持ち上げられ、今度は純水槽３の中に純水中
に浸透されることになる。
アクチュエータ１１が再び作動してア−ム１３全体は混
酸槽２より持ち上げられ、今度は純水槽３の中に純水中
に浸透されることになる。
この場合、密封容器内には常時Ｎ２ガスが充満している
ので、シリコンウェハ１２の移動に際してその表面には
何等の化学的影響を与えないので、殊更移動時間を短縮
させる等の手段を講することなく 行い得る。
ので、シリコンウェハ１２の移動に際してその表面には
何等の化学的影響を与えないので、殊更移動時間を短縮
させる等の手段を講することなく 行い得る。
そして純水に浸漬されたシリコンウェハ１２は駆動軸１
４の回転によって近似の円運動が付与されて濯がれるこ
とになる。
４の回転によって近似の円運動が付与されて濯がれるこ
とになる。
第２図は本発明の他の実施例を示す図である。
本例においては、各種２．３がアクチュエータ１１によ
って上下左右に移動し得るように載置され、シリコンウ
ェハ１２を揺動させる駆動軸１４及びアームはアクチュ
エータによって移動しないように固定状態としたもので
ある。従って、シリコンウェハ１２はアーム１３によっ
て保持されるが、樗２．３への浸漬は、各ｔｌ！２．３
がシリコンウェハ１２の位置へ移動することにより行わ
れることになる。もちろん、アクチュエータ１１．各種
２，３はＮ、ガスが充填された密封容器１内に収納され
ていることは第１図例と同様である。
って上下左右に移動し得るように載置され、シリコンウ
ェハ１２を揺動させる駆動軸１４及びアームはアクチュ
エータによって移動しないように固定状態としたもので
ある。従って、シリコンウェハ１２はアーム１３によっ
て保持されるが、樗２．３への浸漬は、各ｔｌ！２．３
がシリコンウェハ１２の位置へ移動することにより行わ
れることになる。もちろん、アクチュエータ１１．各種
２，３はＮ、ガスが充填された密封容器１内に収納され
ていることは第１図例と同様である。
従って、シリコンウェハ］２は、エツチング終了後の動
作を得て純水槽の中の純水中にシリコンウェハ１２を移
動させる二とが可能となる。純水に浸漬されたシリコン
ウェハ１２は駆動軸１４を再び回転させることにより近
似の円運動を付与され、濯がれることになる 以上述べた如く本発明によれば、不活性ガスが充満した
密封容器中に混酸液を入れた混酸槽及び純水液を入れた
純水槽を設置し、混酸液に浸漬したシリコンウェハを引
き上げ、次に純水液に浸漬するようにしたので、 従来のように、混酸液の濃度の濃い部分と薄い部分とが
生じ、その状態でエツチング反応に差を生ずるため、エ
ツチング後のシリコンウェハの表面が鏡面にならず、歩
留り低下の原因を解消し、混酸槽内の混酸液の濃度を均
一に攪拌制御することができるため、エツチング後のシ
リコンウェハ表面が鏡面になるという効果を有する。
作を得て純水槽の中の純水中にシリコンウェハ１２を移
動させる二とが可能となる。純水に浸漬されたシリコン
ウェハ１２は駆動軸１４を再び回転させることにより近
似の円運動を付与され、濯がれることになる 以上述べた如く本発明によれば、不活性ガスが充満した
密封容器中に混酸液を入れた混酸槽及び純水液を入れた
純水槽を設置し、混酸液に浸漬したシリコンウェハを引
き上げ、次に純水液に浸漬するようにしたので、 従来のように、混酸液の濃度の濃い部分と薄い部分とが
生じ、その状態でエツチング反応に差を生ずるため、エ
ツチング後のシリコンウェハの表面が鏡面にならず、歩
留り低下の原因を解消し、混酸槽内の混酸液の濃度を均
一に攪拌制御することができるため、エツチング後のシ
リコンウェハ表面が鏡面になるという効果を有する。
また１回のエツチングに混酸槽内の混酸液を全て使用す
ることがないため、混酸液の消費量が少なくなり製造コ
ストが低減する効果を有する。
ることがないため、混酸液の消費量が少なくなり製造コ
ストが低減する効果を有する。
また本発明によれば、不活性ガスが充凋した密封容器と
、密封容器中に離間して設けた混酸液を入れた混酸槽及
び純水液を入れた純水槽と、直交したすベリ対偶又はね
じ対偶によって上下動作、ｎ線動作又はその複合動作を
行うアクチュエタに接続されたシリコンウェハを保持す
るアームとより構成され、アームは混酸槽及び純水槽の
間を移動するように駆動されるようにしたので、混酸液
の濃度の濃い部分と薄い部分とが生ずる原因がなくな）
ハ混酸槽内の混酸液の濃度を均一に攪拌制御することが
できるため、エツチング後のシリコンウェハ表面が鏡面
になるという効果を有する。
、密封容器中に離間して設けた混酸液を入れた混酸槽及
び純水液を入れた純水槽と、直交したすベリ対偶又はね
じ対偶によって上下動作、ｎ線動作又はその複合動作を
行うアクチュエタに接続されたシリコンウェハを保持す
るアームとより構成され、アームは混酸槽及び純水槽の
間を移動するように駆動されるようにしたので、混酸液
の濃度の濃い部分と薄い部分とが生ずる原因がなくな）
ハ混酸槽内の混酸液の濃度を均一に攪拌制御することが
できるため、エツチング後のシリコンウェハ表面が鏡面
になるという効果を有する。
また１回のエツチングに混酸槽内の混酸液を全て使用す
ることがないため、混酸液の消費量が少なくなり製造コ
ストが低減する効果を有する。
ることがないため、混酸液の消費量が少なくなり製造コ
ストが低減する効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、！ｙ！２図は
本発明の他の実施例を示す図である。 １・・・密封容器、２・・・混酸槽、３・・・純水槽、
１１・・・アクチュエータ、１２・・・シリコンウェハ
、１３・・・アーム、１４・・駆動軸、１５・・・円板
。 出願人代理人 弁理士 秋 山 高第 図 第２ 図 ／
本発明の他の実施例を示す図である。 １・・・密封容器、２・・・混酸槽、３・・・純水槽、
１１・・・アクチュエータ、１２・・・シリコンウェハ
、１３・・・アーム、１４・・駆動軸、１５・・・円板
。 出願人代理人 弁理士 秋 山 高第 図 第２ 図 ／
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、不活性ガスが充満した密封容器中に混酸液を入れた
混酸槽及び純水液を入れた純水槽を設置し、混酸液に浸
漬したシリコンウェハを引き上げ、次に純水液に浸漬す
るようにしたことを特徴とするシリコンウェハのエッチ
ング処理方法。 ２、混酸槽及び純水槽内に浸漬されたシリコンウェハは
駆動体によつて回転動作、直線動作又はこれらの複合動
作を付与されて槽内の液を攪拌するようにした請求項第
１項記載のシリコンウェハのエッチング処理方法。 ３、不活性ガスが充満した密封容器と、密封容器中に離
間して設けた混酸液を入れた混酸槽及び純水液を入れた
純水槽と、直交したすべり対偶又はねじ対偶によつて上
下動作、直線動作又はその複合動作を行うアクチュエタ
に接続されたシリコンウェハを保持するアームとより構
成され、アームは混酸槽及び純水槽の間を移動するよう
に駆動されるようにしたことを特徴とするシリコンウェ
ハのエッチング処理装置。 ４、不活性ガスが充満した密封容器内に、密封容器中に
離間して設けた混酸液を入れた混酸槽及び純水液を入れ
た純水槽とを、直交したすベり対偶又はねじ対偶によっ
て上下動作、直線動作又はその複合動作を行うアクチュ
エータに接続し、アームに支持されたシリコンウェハは
移動されてくる混酸槽及び純水槽内で浸漬されるように
アームを駆動するようにしたことを特徴とするシリコン
ウェハのエッチング処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1294989A JPH02194528A (ja) | 1989-01-21 | 1989-01-21 | シリコンウエハのエッチング処理方法及び処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1294989A JPH02194528A (ja) | 1989-01-21 | 1989-01-21 | シリコンウエハのエッチング処理方法及び処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194528A true JPH02194528A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11819531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1294989A Pending JPH02194528A (ja) | 1989-01-21 | 1989-01-21 | シリコンウエハのエッチング処理方法及び処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194528A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0841659A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-13 | Kengo Hiruta | エッチング装置 |
| CN111524834A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-11 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种多晶硅清洗装置及方法 |
-
1989
- 1989-01-21 JP JP1294989A patent/JPH02194528A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0841659A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-13 | Kengo Hiruta | エッチング装置 |
| CN111524834A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-11 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种多晶硅清洗装置及方法 |
| CN111524834B (zh) * | 2020-04-29 | 2023-08-18 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 一种多晶硅清洗装置及方法 |
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