JPH021949A - 固体物品の形成方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放射線に露呈されて硬化されうる液体で固体物
品を作成する方法に関する。特に、本発明は超小型電子
装置をカプセル化する方法およびその方法によって作成
されたカプセル化された装置に関する。
品を作成する方法に関する。特に、本発明は超小型電子
装置をカプセル化する方法およびその方法によって作成
されたカプセル化された装置に関する。
例えば紫外線のようにクロスリンケージ（ｃｒｏｓｓｌ
ｉｎｋａＩ！ｅ）を発生するのに十分なエネルギを有す
る電磁波または粒子線に露呈されて固化する液体として
人手可能な例えば紫外線硬化性エポキシ接着剤のような
ある範囲の物質が存在することが知られている。固体物
品は充満された容積または浸水された表面に放射線パタ
ーンを適用するために木質的に従来のフォトリトグラフ
技術を用いて初明的に未硬化の物質で定義されうるもの
であり、その未硬化物質は排出または洗い流される。
ｉｎｋａＩ！ｅ）を発生するのに十分なエネルギを有す
る電磁波または粒子線に露呈されて固化する液体として
人手可能な例えば紫外線硬化性エポキシ接着剤のような
ある範囲の物質が存在することが知られている。固体物
品は充満された容積または浸水された表面に放射線パタ
ーンを適用するために木質的に従来のフォトリトグラフ
技術を用いて初明的に未硬化の物質で定義されうるもの
であり、その未硬化物質は排出または洗い流される。
例えば特願昭６１−１２０７１２号は、点光源の移動（
シフト）とそれの光強度を制御することを含み、液体感
光性樹脂で三次元形状を成形する方法を開示している。
シフト）とそれの光強度を制御することを含み、液体感
光性樹脂で三次元形状を成形する方法を開示している。
その液体感光性樹脂は槽内に入れられ、かつ点光源、例
えば光ファイバの一端が液体樹脂内の目標点まで移動さ
れる。この点光源の移動は互いに直交した３つの軸線に
沿って制御され、光の強度も制御される。感光性樹脂は
点光源の軌跡に従って硬化され三次元物品を生ずる。
えば光ファイバの一端が液体樹脂内の目標点まで移動さ
れる。この点光源の移動は互いに直交した３つの軸線に
沿って制御され、光の強度も制御される。感光性樹脂は
点光源の軌跡に従って硬化され三次元物品を生ずる。
このような方法によって実現可能な幾何学的形状は、未
硬化物質を除去することができる等の要件によって制限
される６例えばエポキシまたは他のポリマのような液体
物質に接触させられてはならない、そして／または未硬
化物質を除去するための後続の水洗い工程に耐えること
ができないセンサのような電気的または機械的部品の例
えば表面を画定された構造内に組込むことが所望される
場合にも従来のフォトリトグラフ法は不十分である。
硬化物質を除去することができる等の要件によって制限
される６例えばエポキシまたは他のポリマのような液体
物質に接触させられてはならない、そして／または未硬
化物質を除去するための後続の水洗い工程に耐えること
ができないセンサのような電気的または機械的部品の例
えば表面を画定された構造内に組込むことが所望される
場合にも従来のフォトリトグラフ法は不十分である。
この問題の１つの特定の局面はイオン感応電界効果トラ
ンジスタ（ＩＳＦＥＴ）のような超小型電子装置および
例えばミクロ（薄膜または厚膜）被覆ワイヤ型イオ＝ン
選択電極、クラーク・セルのような電流センサおよび光
センサ等の関連装置に関係する。このような装置は、例
えば検体すなわち分析されるべき溶液、ガス等のような
媒体に露♀されるイオン、周囲圧力等の存在のような特
定の外部刺激に応答する領域を有している。しかし、装
置それ自体に関連したボンドワイヤおよび金属化部分は
検体から効果的に分離されかつこれがカプセル化によっ
て行われることが必要である。チソプ−ヒの相対的に閉
し込められた空間内および跪弱なポンドワイヤ上にカプ
セル材を正確にかつ再現性をもって配置することは、特
に熟練を要しかつ時間のかかる手作業を排除すべき場合
には、困難である。赤外線からガンマ線波長の範囲内の
粒子線または電磁波に感応する硬化性エポキシ樹脂は、
漏洩に対して耐性を有するという点で、このような装置
をカプセル化するのに適していることが判明している。
ンジスタ（ＩＳＦＥＴ）のような超小型電子装置および
例えばミクロ（薄膜または厚膜）被覆ワイヤ型イオ＝ン
選択電極、クラーク・セルのような電流センサおよび光
センサ等の関連装置に関係する。このような装置は、例
えば検体すなわち分析されるべき溶液、ガス等のような
媒体に露♀されるイオン、周囲圧力等の存在のような特
定の外部刺激に応答する領域を有している。しかし、装
置それ自体に関連したボンドワイヤおよび金属化部分は
検体から効果的に分離されかつこれがカプセル化によっ
て行われることが必要である。チソプ−ヒの相対的に閉
し込められた空間内および跪弱なポンドワイヤ上にカプ
セル材を正確にかつ再現性をもって配置することは、特
に熟練を要しかつ時間のかかる手作業を排除すべき場合
には、困難である。赤外線からガンマ線波長の範囲内の
粒子線または電磁波に感応する硬化性エポキシ樹脂は、
漏洩に対して耐性を有するという点で、このような装置
をカプセル化するのに適していることが判明している。
しかし、これらの物質についての大きな問題点は、未硬
化物質が装置の感応領域に流動するのを防止することで
あるが、空気ジェットおよび／または応答領域を保護す
るためのバクセルまたはりストンのような例えば厚膜フ
ォトレジストを用いて形成された物理的障壁を用いてい
ることによりある程度の成功はおさめられてい関連した
問題は、例えばＩ Ｓ Ｆ Ｅ ＴＷｉｌＦをある程度
長期間適用するには流れ系統を通じてｌ５ＦＥＴゲート
に検体溶液が与えられる必要がある点である。その装置
が満足に動作するために、は、死容積や気泡を捕えよう
とする傾向を伴うことなしに、そのｌ５ＦＥＴ装置へそ
してその装置から平滑なチャンネルが通じていることが
非常に望ましいことである。また組立て工程が自動化で
きることも望ましい。流れキャップが例えばシリコーン
ゴム接着剤によってカプセル化されたｌ５ＦＥＴ装置に
接着されるこのような流れ系統を組立てるために現在用
いられている手法は幾つかの段階を含む複雑なものであ
り、再現不能な流れ特性、大きい死容積および気泡捕捉
を生ずる傾向がある。
化物質が装置の感応領域に流動するのを防止することで
あるが、空気ジェットおよび／または応答領域を保護す
るためのバクセルまたはりストンのような例えば厚膜フ
ォトレジストを用いて形成された物理的障壁を用いてい
ることによりある程度の成功はおさめられてい関連した
問題は、例えばＩ Ｓ Ｆ Ｅ ＴＷｉｌＦをある程度
長期間適用するには流れ系統を通じてｌ５ＦＥＴゲート
に検体溶液が与えられる必要がある点である。その装置
が満足に動作するために、は、死容積や気泡を捕えよう
とする傾向を伴うことなしに、そのｌ５ＦＥＴ装置へそ
してその装置から平滑なチャンネルが通じていることが
非常に望ましいことである。また組立て工程が自動化で
きることも望ましい。流れキャップが例えばシリコーン
ゴム接着剤によってカプセル化されたｌ５ＦＥＴ装置に
接着されるこのような流れ系統を組立てるために現在用
いられている手法は幾つかの段階を含む複雑なものであ
り、再現不能な流れ特性、大きい死容積および気泡捕捉
を生ずる傾向がある。
本発明の１つの目的は、放射線によって硬化される液体
ポリマで作成されかつ複数の領域がその物品の作成時に
未硬化ポリマから離れた状態に維持される必要のある物
品を含む種々の形状の固体物品を形成する改良された方
法を提供することである。本発明の関連した目的は、液
体ポリマに接触してはならない、例えばイオンの存在、
周囲圧力等のような特定の外部刺激に応答する領域を含
む超小型電子ｇ２をカプセル化しかつパッケージ化する
ために液体ポリマを使用する方法を襟供することであり
、その方法は自動化できることが好ましい。本発明はま
た平滑な流れチャンネルを有するカプセル化された超小
型電子装置を含むパンケージを提供することも目的とす
る。
ポリマで作成されかつ複数の領域がその物品の作成時に
未硬化ポリマから離れた状態に維持される必要のある物
品を含む種々の形状の固体物品を形成する改良された方
法を提供することである。本発明の関連した目的は、液
体ポリマに接触してはならない、例えばイオンの存在、
周囲圧力等のような特定の外部刺激に応答する領域を含
む超小型電子ｇ２をカプセル化しかつパッケージ化する
ために液体ポリマを使用する方法を襟供することであり
、その方法は自動化できることが好ましい。本発明はま
た平滑な流れチャンネルを有するカプセル化された超小
型電子装置を含むパンケージを提供することも目的とす
る。
本発明によれば、放射線に露呈されることにより硬化さ
れうる液体で予め定められた形状の固体物品を形成する
方法であって、上記物品がその上に形成されるべき表面
を設け上記表面の予め定められた領域を放射線のビーム
に露呈させ、上記表面の露呈されない領域に上記液体を
供給して、上記固体物品の１つの表面を画定する固体障
壁が上記液体とビームとの境界に形成されるようにし、
そして供給されたがまだ硬化されていない液体を硬化さ
せて、上記固体物品を形成することよりなる固体物品の
形成方法が提供される。
れうる液体で予め定められた形状の固体物品を形成する
方法であって、上記物品がその上に形成されるべき表面
を設け上記表面の予め定められた領域を放射線のビーム
に露呈させ、上記表面の露呈されない領域に上記液体を
供給して、上記固体物品の１つの表面を画定する固体障
壁が上記液体とビームとの境界に形成されるようにし、
そして供給されたがまだ硬化されていない液体を硬化さ
せて、上記固体物品を形成することよりなる固体物品の
形成方法が提供される。
用いられる放射線は赤外線（ＩＲ）からガンマまでの波
長範囲の電磁波、特に紫外線または粒子線でありうる。
長範囲の電磁波、特に紫外線または粒子線でありうる。
液体ポリマはクロスリンケージによって硬化される。
個別の予め成形されたユニットを組立てること以外の射
出成形、押出しまたはドリリングのようなこれまで公知
の方法によっては形成することができなかった複雑な形
状の一律的ユニットが形成されうろことが本発明の１つ
の利点である。上記方法が自動化されうるのも本発明の
利点である。
出成形、押出しまたはドリリングのようなこれまで公知
の方法によっては形成することができなかった複雑な形
状の一律的ユニットが形成されうろことが本発明の１つ
の利点である。上記方法が自動化されうるのも本発明の
利点である。
本発明で用いられる液体ポリマの量は最終固体物品を作
成するために用いられる分だけであり、無駄な排出や洗
い流し工程は必要とされないことも利点である。
成するために用いられる分だけであり、無駄な排出や洗
い流し工程は必要とされないことも利点である。
本発明の方法は、液体の供給時に、物品が形成される前
記表面に関して前記放射線ビームを移動させかつ／また
はその放射線ビームの形状を変更すること、および／ま
たは物品が形成される表面の前記ビームに対する位置お
よび／または傾斜を変更する工程をも含みうる。
記表面に関して前記放射線ビームを移動させかつ／また
はその放射線ビームの形状を変更すること、および／ま
たは物品が形成される表面の前記ビームに対する位置お
よび／または傾斜を変更する工程をも含みうる。
供給されたが硬化されていない液体は、他の液体が未露
呈領域に供給されている間に、他の放射線ビームに露呈
されて硬化される。
呈領域に供給されている間に、他の放射線ビームに露呈
されて硬化される。
物品の他の表面は、その物品が形成されるべき表面に付
設された１またはそれ以上の側壁を設けることによりま
たは１本より多い放射線ビームを用いることによって画
定されうる。固体物品が異なる物質の固体部品を含み、
かつその固体物品が形成されるべき表面の前記露呈され
た領域内に位置づけられる場合には、前記異なる物質は
用いられる放射線に対して透明でありうる。
設された１またはそれ以上の側壁を設けることによりま
たは１本より多い放射線ビームを用いることによって画
定されうる。固体物品が異なる物質の固体部品を含み、
かつその固体物品が形成されるべき表面の前記露呈され
た領域内に位置づけられる場合には、前記異なる物質は
用いられる放射線に対して透明でありうる。
液体が放射線または熱に露呈することにより硬化されう
る場合には、供給されてまだ硬化されていない液体は加
熱によって硬化されうる。液体が１つより多い波長の放
射線に露呈されて硬化されうる場合には、供給されて硬
化されていない液体はさらに透過力の強い放射線のビー
ムに露呈することによって硬化されうる。
る場合には、供給されてまだ硬化されていない液体は加
熱によって硬化されうる。液体が１つより多い波長の放
射線に露呈されて硬化されうる場合には、供給されて硬
化されていない液体はさらに透過力の強い放射線のビー
ムに露呈することによって硬化されうる。
物品が形成されるべき表面が液体によって触れられるべ
きでない領域を含む場合には、本発明の方法は、その液
体によって触れられるべきでない領域の境界が、物品が
形成されるべき表面の前記露呈された領域内に入るよう
に前記放射線ビームの形状を画定する工程をさらに含み
うる。
きでない領域を含む場合には、本発明の方法は、その液
体によって触れられるべきでない領域の境界が、物品が
形成されるべき表面の前記露呈された領域内に入るよう
に前記放射線ビームの形状を画定する工程をさらに含み
うる。
物品が形成されるべき表面は超小型電子装置の１つの表
面であり、その上に形成されるべき物品はその装置のカ
プセル被覆でありうる。液体によって触れられるべきで
ない領域は、特定の外部刺激に応答する超小型電子装置
の応答領域を含みうる。好ましくは、前記放射線ビーム
は前記装置の前記応答領域がそのビームに露呈されない
ような形状となされる。
面であり、その上に形成されるべき物品はその装置のカ
プセル被覆でありうる。液体によって触れられるべきで
ない領域は、特定の外部刺激に応答する超小型電子装置
の応答領域を含みうる。好ましくは、前記放射線ビーム
は前記装置の前記応答領域がそのビームに露呈されない
ような形状となされる。
本発明の方法では、特定の外部刺激に応答する超小型電
子装置の応答領域を検体に露呈するのに適した流れチャ
ンネルの壁を設けてもよく、その場合、液体によって触
れられるべきでない領域は流れチャンネルの空洞である
。好ましくは、上記超小型電子装置は前述のようにして
カプセル化される。好ましくは、放射線に対して透明な
物質のｍ部間体層が超小型電子装置の上方に設けられ、
流れチャンネルの高さを画定するようになされる。
子装置の応答領域を検体に露呈するのに適した流れチャ
ンネルの壁を設けてもよく、その場合、液体によって触
れられるべきでない領域は流れチャンネルの空洞である
。好ましくは、上記超小型電子装置は前述のようにして
カプセル化される。好ましくは、放射線に対して透明な
物質のｍ部間体層が超小型電子装置の上方に設けられ、
流れチャンネルの高さを画定するようになされる。
本発明はまた、特定の外部刺激に応答する応答領域と、
この応答領域のまわりのカプセル被覆層と、その応答領
域を検体に露呈させるのに適した流れチャンネルを有す
る超小型電子装置を含み、前記流れチャンネルの壁が前
記カプセル被覆層と一体化しかつ連続していることを特
徴とするパッケージをも提供する。
この応答領域のまわりのカプセル被覆層と、その応答領
域を検体に露呈させるのに適した流れチャンネルを有す
る超小型電子装置を含み、前記流れチャンネルの壁が前
記カプセル被覆層と一体化しかつ連続していることを特
徴とするパッケージをも提供する。
以下図面を参照して本発明の実施例につき説明しよう。
第１図は固体物品がその中に形成されるべき容器１０を
示しており、この容器ＩＯは水平なへ一ス１２と、側壁
１４を存している。一方のエツジを１８で示されている
コリメートされた放射線ビーム１６がベース１２の領域
２０に向けられる。
示しており、この容器ＩＯは水平なへ一ス１２と、側壁
１４を存している。一方のエツジを１８で示されている
コリメートされた放射線ビーム１６がベース１２の領域
２０に向けられる。
そのベースの第２の領域２２は放射線に露呈されず、固
体物品が形成されるべき液体ポリマ２６（第１図には示
されていない）に対する露呈されない領域２２内に取入
れ口２４が存在する。放射線ビームの周波数および強度
は、液体ポリマが放射線に露呈されると直ちに硬化され
るような値である。この実施例では、ポリマはノーラン
ド・オプティカル接着剤８１であり、これは３２０ ｎ
ｍ〜４００ｎｍの波長範囲の紫外線によって硬化される
。
体物品が形成されるべき液体ポリマ２６（第１図には示
されていない）に対する露呈されない領域２２内に取入
れ口２４が存在する。放射線ビームの周波数および強度
は、液体ポリマが放射線に露呈されると直ちに硬化され
るような値である。この実施例では、ポリマはノーラン
ド・オプティカル接着剤８１であり、これは３２０ ｎ
ｍ〜４００ｎｍの波長範囲の紫外線によって硬化される
。
第２図に示されているように、液体ボリア２６は、取入
れ口２４を通して容器ｌＯに入れ込まれると、ベース１
２の露呈されない領域２２に流入する。液体ポリマ流れ
２６の前縁が放射線ビームのエツジ１８を通過すると、
直ちに硬化されて固体ポリマの障壁２８を形成し、この
障壁がベース１２の露呈されない領域２０内への液体ポ
リマの流入を阻１トする。障壁２８は形成されるべき固
体物品の１つの表面を画定する。
れ口２４を通して容器ｌＯに入れ込まれると、ベース１
２の露呈されない領域２２に流入する。液体ポリマ流れ
２６の前縁が放射線ビームのエツジ１８を通過すると、
直ちに硬化されて固体ポリマの障壁２８を形成し、この
障壁がベース１２の露呈されない領域２０内への液体ポ
リマの流入を阻１トする。障壁２８は形成されるべき固
体物品の１つの表面を画定する。
第３図に示されているようにより多くの液体ポリマ２６
が加えられると、露呈されない領域２２内の液体ポリマ
２６の深さにともなって障壁２８の高さが大きくなる。
が加えられると、露呈されない領域２２内の液体ポリマ
２６の深さにともなって障壁２８の高さが大きくなる。
障壁２８の向うの露呈される領域２０は液体ポリマ２６
から離間した状態にとどまる。放射線ビーム１６のエツ
ジ１８は固体物品の１つの表面を形成するための光学的
型として作用する。
から離間した状態にとどまる。放射線ビーム１６のエツ
ジ１８は固体物品の１つの表面を形成するための光学的
型として作用する。
第４図では、放射線ビーム１６のエツジ１８が容器１０
の先に露呈されていない領域２２内に移動されている。
の先に露呈されていない領域２２内に移動されている。
これにより、液体ポリマ２６の深さの増加にともなって
、その液体ポリマ２６のより広い領域２９が硬化され、
障壁２８を補強することができる０次に放射線ビ・−ム
のエツジ１８は第５図に示されているように前の位置に
戻され、固体物品の表示を形成し続ける。
、その液体ポリマ２６のより広い領域２９が硬化され、
障壁２８を補強することができる０次に放射線ビ・−ム
のエツジ１８は第５図に示されているように前の位置に
戻され、固体物品の表示を形成し続ける。
第６図および第７図に示されているように放射線ビーム
１６のエツジ１８をベース１２に対して移動することに
よって障壁２８の位置、従って固体物品の形成された表
面の形状を変更することができる。固体物品の表面は障
壁２８の成長方向によっても画定され、この方向は第８
図および第９図に示されているように水平方向に対する
ベース１２の整列状態を変更することによっであるいは
ビームに対するベースの位置および／または整列状態を
変更することによって変更されうる。
１６のエツジ１８をベース１２に対して移動することに
よって障壁２８の位置、従って固体物品の形成された表
面の形状を変更することができる。固体物品の表面は障
壁２８の成長方向によっても画定され、この方向は第８
図および第９図に示されているように水平方向に対する
ベース１２の整列状態を変更することによっであるいは
ビームに対するベースの位置および／または整列状態を
変更することによって変更されうる。
障壁２８、従って固体物品の形状は、放射線ビーム１６
の形状および／または方向を修正することによって、例
えば移動レーザによって掃引される軌道をマスクするか
あるいは変更することによってさらに画定される。第１
０ａ図および第１０ｂ図に示されているように、取入れ
口２４を適当にマスクしかつ位置決めすることによって
、別個の障壁２日を同時に形成することができ、それら
の障壁は、容器のマスク輪郭と傾斜を変更することによ
って、一体的な部品を画成するような形状となされうる
。例えば容器１０を回転させることを含むその容器ＩＯ
の適当な操作によって、固体物品内の完全に分離された
チャンバ、あるいは通路によって互いに連結されかつ／
または固体物品の外側に配置されたチャンバを形成する
ことも可能である。
の形状および／または方向を修正することによって、例
えば移動レーザによって掃引される軌道をマスクするか
あるいは変更することによってさらに画定される。第１
０ａ図および第１０ｂ図に示されているように、取入れ
口２４を適当にマスクしかつ位置決めすることによって
、別個の障壁２日を同時に形成することができ、それら
の障壁は、容器のマスク輪郭と傾斜を変更することによ
って、一体的な部品を画成するような形状となされうる
。例えば容器１０を回転させることを含むその容器ＩＯ
の適当な操作によって、固体物品内の完全に分離された
チャンバ、あるいは通路によって互いに連結されかつ／
または固体物品の外側に配置されたチャンバを形成する
ことも可能である。
第１１ａ図および第１１ｂ図は、形状が光学的型すなわ
ち放射線ビーム１６のエツジ１８およびベース１２によ
ってのみ画定される固体物品の形成によ？ける１つの段
階を示している。原理的には、ベース１２だけが固体で
あればよく、固体物品の断面形状は光学的型と予め形成
された障壁の組合せによってまたは光学的型のみによっ
て画定されうる。
ち放射線ビーム１６のエツジ１８およびベース１２によ
ってのみ画定される固体物品の形成によ？ける１つの段
階を示している。原理的には、ベース１２だけが固体で
あればよく、固体物品の断面形状は光学的型と予め形成
された障壁の組合せによってまたは光学的型のみによっ
て画定されうる。
また第１１ｂ図に示されているように、液体ポリマ２６
に対する取入れ口２４は、固体物品の形状が形成されて
いる間に液体ポリマ流れに対するシールドされた通路が
存在するかぎり、ベース１２の下方からでありうる。
に対する取入れ口２４は、固体物品の形状が形成されて
いる間に液体ポリマ流れに対するシールドされた通路が
存在するかぎり、ベース１２の下方からでありうる。
第１２ａ図および１１２ｂ図は２つの板３２および３４
間のチャンネルの形成時における１つの段階を示してお
り、これらの板の間隔はスペーサ３６によって画定され
ている。放射線ビーム１６の形状、従ってチャンネル３
０の形状はマスク層３８（第１２ｂ図では断面図で示さ
れており、第１２ａ図では平面図で示されている）によ
って与えられる。頂部板３４は用いられる放射線に対し
て遇明である。
間のチャンネルの形成時における１つの段階を示してお
り、これらの板の間隔はスペーサ３６によって画定され
ている。放射線ビーム１６の形状、従ってチャンネル３
０の形状はマスク層３８（第１２ｂ図では断面図で示さ
れており、第１２ａ図では平面図で示されている）によ
って与えられる。頂部板３４は用いられる放射線に対し
て遇明である。
同体物品の形状が障壁２８によって画定されると、液体
ポリマを硬化して固体構造を形成するために全体の構造
に放射線が照射されうる。あるいは、第１３図に示され
ているように、障壁２８が水平ビーム４０を用いて形成
される場合に物品の支持バルク３９を硬化させることが
可能である。
ポリマを硬化して固体構造を形成するために全体の構造
に放射線が照射されうる。あるいは、第１３図に示され
ているように、障壁２８が水平ビーム４０を用いて形成
される場合に物品の支持バルク３９を硬化させることが
可能である。
このビーム４０は液体ポリマ２６の高さの少し背後に上
方に移動される。
方に移動される。
熱および光学的型に対して用いられる粒子線または’：
ａｍ波によって硬化されうるポリマ系が選択された場合
には、固体物品の表面が画定された後に全体の構造を加
熱することによって構造を硬化させることも可能であろ
う、１より多い波長の粒子線または電磁波によって硬化
されうるポリマ系も用いられうる。その場合には、透過
度の低い放射線を用いて固体物品の表面を画定すること
ができるとともに、透過度の高い放射線を用いて構造を
硬化させることができるであろう、このような変更は、
比較的厚い構造に対しであるいは光学的型に対して用い
られる放射線に対してより透明度の低い異なる物質の部
品をこの構造が含むべき場合に特に有益であろう。
ａｍ波によって硬化されうるポリマ系が選択された場合
には、固体物品の表面が画定された後に全体の構造を加
熱することによって構造を硬化させることも可能であろ
う、１より多い波長の粒子線または電磁波によって硬化
されうるポリマ系も用いられうる。その場合には、透過
度の低い放射線を用いて固体物品の表面を画定すること
ができるとともに、透過度の高い放射線を用いて構造を
硬化させることができるであろう、このような変更は、
比較的厚い構造に対しであるいは光学的型に対して用い
られる放射線に対してより透明度の低い異なる物質の部
品をこの構造が含むべき場合に特に有益であろう。
光学的型としてｌまたはそれ以上の放射線ビームを用い
て形成される物品の形状は、ｌまたはそれ以上の放射線
ビームの方向および拡がり、ペースが取付けられたワー
クピースの配向、液体ポリマの流れを変更することによ
って画定されうる。
て形成される物品の形状は、ｌまたはそれ以上の放射線
ビームの方向および拡がり、ペースが取付けられたワー
クピースの配向、液体ポリマの流れを変更することによ
って画定されうる。
放射線ビーム形状の変更は次の手段、すなわちビームの
方向を変更するためにレーザまたは他の放射線源を制御
するためのサーボ・ユニット、ビームの拡がりを変更す
るためにフォトマスクの配向を制御するためまたはその
フォトマスクを交換するためのサーボ・ユニット、ビー
ムの拡がりを変更するためにシャッタ、ＬＣＤ要素また
は他の適当な電気光学部品を含む電気的に制御されるマ
スク、ビームの拡がりを変更するためにレンズおよびミ
ラーのような光学部品の配向と移動を制御するためのサ
ーボ・ユニットのうちの１つまたはこれらのうちの１つ
より多いものの組合せを用いることによって行われうる
。ワークピース配向の変更はｘ、ｙ、ｚおよびθステー
ジのサーボ・ユニット動作によって行われう〜る。液体
ポリマ流れの変更は電気的に制御されるポリマを用いて
行われうる。これらのサーボ・ユニットおよび電気的に
制御されるユニットとコンピュータのインタフェースを
とることにより、ビーム形状、ワークピース配向および
液体ポリマ流れの変更がソフトウェアによって制御ｎさ
れるようになされうる。従って、このことは単一の光学
的成形ワークスチーシランにおいてソフトウェアの制？
Ｊのもとで異なる形状のある範囲の物品を一般に製作で
きるようにする。
方向を変更するためにレーザまたは他の放射線源を制御
するためのサーボ・ユニット、ビームの拡がりを変更す
るためにフォトマスクの配向を制御するためまたはその
フォトマスクを交換するためのサーボ・ユニット、ビー
ムの拡がりを変更するためにシャッタ、ＬＣＤ要素また
は他の適当な電気光学部品を含む電気的に制御されるマ
スク、ビームの拡がりを変更するためにレンズおよびミ
ラーのような光学部品の配向と移動を制御するためのサ
ーボ・ユニットのうちの１つまたはこれらのうちの１つ
より多いものの組合せを用いることによって行われうる
。ワークピース配向の変更はｘ、ｙ、ｚおよびθステー
ジのサーボ・ユニット動作によって行われう〜る。液体
ポリマ流れの変更は電気的に制御されるポリマを用いて
行われうる。これらのサーボ・ユニットおよび電気的に
制御されるユニットとコンピュータのインタフェースを
とることにより、ビーム形状、ワークピース配向および
液体ポリマ流れの変更がソフトウェアによって制御ｎさ
れるようになされうる。従って、このことは単一の光学
的成形ワークスチーシランにおいてソフトウェアの制？
Ｊのもとで異なる形状のある範囲の物品を一般に製作で
きるようにする。
簡嗅にオン、オフされかつ移動されうる光学的型を用い
ることの他の利点は、固体の型にキーづけし従って射出
成形、プレスまたは押出しによってはアクセスできない
かあるいは表面開口からの視線の外に凹部を有し、従っ
て公知の成形またはフライス削り技術によってはアクセ
スできない表面を有する構造が形成されることである。
ることの他の利点は、固体の型にキーづけし従って射出
成形、プレスまたは押出しによってはアクセスできない
かあるいは表面開口からの視線の外に凹部を有し、従っ
て公知の成形またはフライス削り技術によってはアクセ
スできない表面を有する構造が形成されることである。
上述したｌ１１１の光学的型の１つの用途はｌ５ＦＥＴ
および関連装置のカプセル化に関する。
および関連装置のカプセル化に関する。
！１４図はウェル型フォーメーション５３を有するヘッ
ダ５２にポンディングされたｌ５ＦＥＴチツプ５０を示
している。このチップ５０はノーランド・オプティカル
・アドヒシブ８１のような紫外線硬化性エポキシ樹脂を
用いてカプセル封じされうる。紫外線のビーム５４がチ
ップ５０に照射され、そのビーム５４の外部エツジ５６
がチップ５０のゲート５８の少し外側に存在し、ゲート
５８はエポキシから離間した状態に保持されるが、エポ
キシによって被われなければならない領域、すなわちワ
イヤ６０、ボンド・パッドおよび金属化されたトラック
（図示せず）に達するには十分でない距離だけ離間され
なければならない化学的に応答する領域である。
ダ５２にポンディングされたｌ５ＦＥＴチツプ５０を示
している。このチップ５０はノーランド・オプティカル
・アドヒシブ８１のような紫外線硬化性エポキシ樹脂を
用いてカプセル封じされうる。紫外線のビーム５４がチ
ップ５０に照射され、そのビーム５４の外部エツジ５６
がチップ５０のゲート５８の少し外側に存在し、ゲート
５８はエポキシから離間した状態に保持されるが、エポ
キシによって被われなければならない領域、すなわちワ
イヤ６０、ボンド・パッドおよび金属化されたトラック
（図示せず）に達するには十分でない距離だけ離間され
なければならない化学的に応答する領域である。
第１５図に示されているように、硬化されていないエポ
キシ６２がウェル５３に充満するために供給管６４を通
じてチップ５０のまわりの領域に加えられる。紫外線を
照射される領域のエツジ５６にエポキシ６２の前縁が当
るまでチップ５０上にあふれるのに十分な量が加えられ
、この場合、放射線の強度は未硬化のエポキシ６２が迅
速に硬化され、その未硬化エポキシ６２がチップ５０の
ゲート５８までさらに流動するのを防止する障壁６６を
形成する。ワイヤ６０等が被われかつ未硬化エポキシの
深さが満足しうるカプセル封じ層を形成するのに十分と
なるまで未硬化エポキシが加えられる。次に第１６図に
示されているようにエポキシを硬化して固体カプセル封
じ層６８を形成するために全体の構造が投光照射される
。
キシ６２がウェル５３に充満するために供給管６４を通
じてチップ５０のまわりの領域に加えられる。紫外線を
照射される領域のエツジ５６にエポキシ６２の前縁が当
るまでチップ５０上にあふれるのに十分な量が加えられ
、この場合、放射線の強度は未硬化のエポキシ６２が迅
速に硬化され、その未硬化エポキシ６２がチップ５０の
ゲート５８までさらに流動するのを防止する障壁６６を
形成する。ワイヤ６０等が被われかつ未硬化エポキシの
深さが満足しうるカプセル封じ層を形成するのに十分と
なるまで未硬化エポキシが加えられる。次に第１６図に
示されているようにエポキシを硬化して固体カプセル封
じ層６８を形成するために全体の構造が投光照射される
。
ｌ５ＦＥＴおよび関連装置をカプセル封じするためのこ
の方法の変更例が第１７図および第１８図に示されてい
る。
の方法の変更例が第１７図および第１８図に示されてい
る。
第１７図では、紫外線に対し不透明の領域７２を有する
紫外線に対し透明のレンズ７０に入射するコリメートさ
れた放射線ビーム６９が環状の紫外線ビーム７４を形成
する。その環状ビームの内径はチップ５０のゲート５８
に放射線が入射しないようになされている。これがゲー
ト５８の照射にチップ５０の閾値電圧の変動を防止する
。同様の効果を発生するために他の光学系を用いてもよ
く、例えば紫外線に対して透明のレンズの上方に適当な
フォトマスクが配置され、かつポリマが硬化されるべき
レベルにおいてフォトマスク映像を結像させるようにレ
ンズ位置が調節される。
紫外線に対し透明のレンズ７０に入射するコリメートさ
れた放射線ビーム６９が環状の紫外線ビーム７４を形成
する。その環状ビームの内径はチップ５０のゲート５８
に放射線が入射しないようになされている。これがゲー
ト５８の照射にチップ５０の閾値電圧の変動を防止する
。同様の効果を発生するために他の光学系を用いてもよ
く、例えば紫外線に対して透明のレンズの上方に適当な
フォトマスクが配置され、かつポリマが硬化されるべき
レベルにおいてフォトマスク映像を結像させるようにレ
ンズ位置が調節される。
第１８図はチップ５０が平坦な基体７６にポンディング
される系統を示している。カプセル封じ層の外縁を画定
するための障壁８２．８４を形成するために放射線ビー
ム７８．８０が用いられる。
される系統を示している。カプセル封じ層の外縁を画定
するための障壁８２．８４を形成するために放射線ビー
ム７８．８０が用いられる。
固体物品を形成するために光学的型を使用する第２の実
施例は流れチャンネルを有する１以上のカプセル封じさ
れたｌ５ＦＥＴの系統を形成する場合である。
施例は流れチャンネルを有する１以上のカプセル封じさ
れたｌ５ＦＥＴの系統を形成する場合である。
第１９図、第２０ａ図および第２０ｂ図に示された実施
例では、ゲート９０．９２．９４を有する３個のｌ５Ｆ
ＥＴが、プリント回路基板またはスクリーン印刷された
セラミックのようなエツジ・コふフタ９８に通した導電
性トラックのパターン（図示せず）を有する基体９６上
に取付けられかつそれにボンディングされる。第１９図
に示されているように、これらのｒｓＦＥＴが最初にカ
プセル封じされる。取入れ口１０２を通じて未硬化エポ
キシ１００が基体９６に供給される。未硬化エポキシの
流れを制限するための障壁１０４を形成するために光学
的型が用いられ、障壁１０６．１０８および１１０はｌ
５ＦＥＴのゲート９０．９２．９４を保護する。エポキ
シ樹脂の深さが満足しうるカプセル封じ層を形成するの
に十分である場合には、エポキシを硬化させて固体カプ
セル封じ層１１２を形成するために全体の構造に投光照
射される（第２０ａ図および第２０ｂ図）。
例では、ゲート９０．９２．９４を有する３個のｌ５Ｆ
ＥＴが、プリント回路基板またはスクリーン印刷された
セラミックのようなエツジ・コふフタ９８に通した導電
性トラックのパターン（図示せず）を有する基体９６上
に取付けられかつそれにボンディングされる。第１９図
に示されているように、これらのｒｓＦＥＴが最初にカ
プセル封じされる。取入れ口１０２を通じて未硬化エポ
キシ１００が基体９６に供給される。未硬化エポキシの
流れを制限するための障壁１０４を形成するために光学
的型が用いられ、障壁１０６．１０８および１１０はｌ
５ＦＥＴのゲート９０．９２．９４を保護する。エポキ
シ樹脂の深さが満足しうるカプセル封じ層を形成するの
に十分である場合には、エポキシを硬化させて固体カプ
セル封じ層１１２を形成するために全体の構造に投光照
射される（第２０ａ図および第２０ｂ図）。
流れ系統の他の部品は第２０ａ図および第２０ｂ図に示
されているように基体９６上に配列される。
されているように基体９６上に配列される。
例えば電気メツキされたまたは印刷された！！領領域塩
素化することによって基体９６上に基準電極１１４が形
成される。この基準チャンネルと検体流れチャンネル１
１８の位置との間のチャンネル１１６は細管、セラミッ
クフリント、ファイバ束またはアガーを含む飽和塩化カ
リウムのようなゲル状電解質のストリップのような適当
な要素を用いて形成される。基準電極１１４と基準電極
溶液フィード（図示せず）との間の連結具として作用す
るためのチューブ１２０が設けられる。
素化することによって基体９６上に基準電極１１４が形
成される。この基準チャンネルと検体流れチャンネル１
１８の位置との間のチャンネル１１６は細管、セラミッ
クフリント、ファイバ束またはアガーを含む飽和塩化カ
リウムのようなゲル状電解質のストリップのような適当
な要素を用いて形成される。基準電極１１４と基準電極
溶液フィード（図示せず）との間の連結具として作用す
るためのチューブ１２０が設けられる。
チューブ１２２および１２４は、形成されるべき検体流
れチャンネル（１１８で示されている位置）からの接続
具およびサンプルおよびカリプラント・フィード（図示
せず）として作用するように固体カプセル封じ層１１２
上に設けられている。
れチャンネル（１１８で示されている位置）からの接続
具およびサンプルおよびカリプラント・フィード（図示
せず）として作用するように固体カプセル封じ層１１２
上に設けられている。
基体９６の上方のスペーサ１２８．１３０上には紫外線
に対して透明なトップカバー１２６ （第２０ａ図には
示されていない）が支持されている。
に対して透明なトップカバー１２６ （第２０ａ図には
示されていない）が支持されている。
トップカバー１２６と固体カプセル封じ層１１２の間隔
が形成されるべき検体流れチャンネル１１８の深さを設
定し、その間隔はチューブ１２２および１２４が所定の
位置に捕捉されるようになされている。トップカバー１
２６はチューブ１２２および１２４に対する満足しうる
嵌着を生ずるように成形されうる。トップカバー１２６
とチャンネル１１６の表面との間には空気と未硬化エポ
キシが流れるのに十分な間隔が存在する。
が形成されるべき検体流れチャンネル１１８の深さを設
定し、その間隔はチューブ１２２および１２４が所定の
位置に捕捉されるようになされている。トップカバー１
２６はチューブ１２２および１２４に対する満足しうる
嵌着を生ずるように成形されうる。トップカバー１２６
とチャンネル１１６の表面との間には空気と未硬化エポ
キシが流れるのに十分な間隔が存在する。
エポキシに触れないようにされるべき構体の領域、すな
わち検体流れチャンネル１１８および基単電極１１４に
光学的型として作用する放射線ビーム１３２．１３４（
第２０ｂ図に示されている）が照射される０次にこの構
体には第２０ａ図において矢印１３６．１３８で示され
ているように一側から未硬化エポキシが漸次的に充満さ
れる。放射線の強度とエポキシの流量を十分に制御する
と、基体９６とトップカバー１２５との間の容積に未硬
化エポキシが充満するが、放射線を照射されない領域は
硬化されたポリマの周辺障壁を除いてそのエポキシから
離間された状態に保持する。照射されない領域の充満が
完了すると、構体全体に放射線が照射され製造工程が終
了する。
わち検体流れチャンネル１１８および基単電極１１４に
光学的型として作用する放射線ビーム１３２．１３４（
第２０ｂ図に示されている）が照射される０次にこの構
体には第２０ａ図において矢印１３６．１３８で示され
ているように一側から未硬化エポキシが漸次的に充満さ
れる。放射線の強度とエポキシの流量を十分に制御する
と、基体９６とトップカバー１２５との間の容積に未硬
化エポキシが充満するが、放射線を照射されない領域は
硬化されたポリマの周辺障壁を除いてそのエポキシから
離間された状態に保持する。照射されない領域の充満が
完了すると、構体全体に放射線が照射され製造工程が終
了する。
上述した流れ系統を形成するための変形が可能である。
特に、基準電極と検体流れチャンネルとの間のチャンネ
ルは固体物品として設けられるのではなく、光学的型に
よって形成されうる。基準電極は電極上に配設されかつ
検体流れチャンネルに接続するゲル状電解質を用いうる
ちのであり、その場合には、チューブ１２０は省略され
うる。
ルは固体物品として設けられるのではなく、光学的型に
よって形成されうる。基準電極は電極上に配設されかつ
検体流れチャンネルに接続するゲル状電解質を用いうる
ちのであり、その場合には、チューブ１２０は省略され
うる。
このゲル状電解質はトップカバーが所定の位置に配置さ
れる前に堆積され、基準電極を未硬化エポキシから保護
し、従ってエポキシ充填工程時には基！＃電極に照射す
ることは必要でない。
れる前に堆積され、基準電極を未硬化エポキシから保護
し、従ってエポキシ充填工程時には基！＃電極に照射す
ることは必要でない。
光学的型の形状はマスクまたは適当な光学的機構を含む
種々の手段によって制御されうる。トップカバーは、例
えば適当なレンズ構体を設けることによって、照射の分
布に影響を及ぼすようになされうる。
種々の手段によって制御されうる。トップカバーは、例
えば適当なレンズ構体を設けることによって、照射の分
布に影響を及ぼすようになされうる。
装置カプセル封じおよび流れ系統は、単一の手法により
、しかしさらに複雑なエポキシ流れおよび光学的制御を
もって実現されうる。
、しかしさらに複雑なエポキシ流れおよび光学的制御を
もって実現されうる。
本発明の方法は、例えばヨーロッパ特許出願筒８６３０
９９４６．１（第０２３９７０３号として公告された）
に記載されているように精密加工された（ｍｉｃｒｏｅ
ｎｇｉｎｅｅｒｅｄ）ビームのような種々の形式の流れ
センサのまわりに適当な寸法の流れ系を構成するために
用いられうる。液体論理通路を含むパッケージも構成さ
れうる。
９９４６．１（第０２３９７０３号として公告された）
に記載されているように精密加工された（ｍｉｃｒｏｅ
ｎｇｉｎｅｅｒｅｄ）ビームのような種々の形式の流れ
センサのまわりに適当な寸法の流れ系を構成するために
用いられうる。液体論理通路を含むパッケージも構成さ
れうる。
本明細書に記述された、放射線に露呈されて固化されう
る液体物質から固体物品を形成するための一般的な方法
は他の用途にも適用されうる。特に、この方法は赤外線
検知器のための精密加工されたウィンドウ・フレームに
対する支持体を形成するために用いられうる。
る液体物質から固体物品を形成するための一般的な方法
は他の用途にも適用されうる。特に、この方法は赤外線
検知器のための精密加工されたウィンドウ・フレームに
対する支持体を形成するために用いられうる。
本明細書で説明された特定の実施例はノーランド・オプ
ティカル・アドヒシブ８１、すなわち３２０ｎｍ〜４０
０ｎｍの波長範囲の紫外線によって硬化される紫外線硬
化性接着剤に関係したが、本発明はクロスリンケージを
形成するのに十分なエネルギの放射線によって硬化しう
る任意のポリマにも適用しうるちのであり、かつ本明細
書において用いられている「放射線」という用語は赤外
線からガンマ線までの波長範囲の電磁波およびアルファ
粒子のような粒子線を含むものであり、その放射線は使
用されるポリマに対して必要なエネルギを有するもので
ある。
ティカル・アドヒシブ８１、すなわち３２０ｎｍ〜４０
０ｎｍの波長範囲の紫外線によって硬化される紫外線硬
化性接着剤に関係したが、本発明はクロスリンケージを
形成するのに十分なエネルギの放射線によって硬化しう
る任意のポリマにも適用しうるちのであり、かつ本明細
書において用いられている「放射線」という用語は赤外
線からガンマ線までの波長範囲の電磁波およびアルファ
粒子のような粒子線を含むものであり、その放射線は使
用されるポリマに対して必要なエネルギを有するもので
ある。
第１図〜第９図は単純な固体物品の作成における段階を
示しかつ本発明の方法の基本原理の幾つかを示す容器の
断面図、第１０ａ図はより複雑な形状の固体物品を形成
する場合の１つの段階を示す平面図、第１０ｂ図は第１
０ａ図の線Ｘ−Ｘに沿ってみた断面図、第１１ａ図は容
器を有しない固体物品の形成における１つの段階を示す
平面図、第１１ｂ図は第１１ａ図の線Ｘ Ｔ −Ｘ ｆ
に沿ってみた断面図、第１２ａ図は基体上にチャンネル
を形成する場合の１つの段階を示す平面図、第１３図は
固体物品の形成における後の段階を示す断面図、第１４
図〜第１６図は本発明による超小型電子装置のカプセル
封じにおける段階を示す断面図、第１７図および第１８
図は第１４図〜第１６図に示された方法についての変更
例を示す断面図、第２０ａ図は第１９図のカプセル封じ
された装置を含む流れ系統の形成における１つの段階を
示す平面図、第２０ｂ図は第２０ａ図のｇｘｘ−ｘｘに
沿ってみた断面図である。 図面において、１０は容器、１２はベース、１６は放射
線ビーム、２０は露呈される領域、２２は露呈されない
領域、２６は液体ポリマ、２８は障壁、３０はチャンネ
ル、５０はチップ、６２は工ボキシをそれぞれ示す。 代 理 人
示しかつ本発明の方法の基本原理の幾つかを示す容器の
断面図、第１０ａ図はより複雑な形状の固体物品を形成
する場合の１つの段階を示す平面図、第１０ｂ図は第１
０ａ図の線Ｘ−Ｘに沿ってみた断面図、第１１ａ図は容
器を有しない固体物品の形成における１つの段階を示す
平面図、第１１ｂ図は第１１ａ図の線Ｘ Ｔ −Ｘ ｆ
に沿ってみた断面図、第１２ａ図は基体上にチャンネル
を形成する場合の１つの段階を示す平面図、第１３図は
固体物品の形成における後の段階を示す断面図、第１４
図〜第１６図は本発明による超小型電子装置のカプセル
封じにおける段階を示す断面図、第１７図および第１８
図は第１４図〜第１６図に示された方法についての変更
例を示す断面図、第２０ａ図は第１９図のカプセル封じ
された装置を含む流れ系統の形成における１つの段階を
示す平面図、第２０ｂ図は第２０ａ図のｇｘｘ−ｘｘに
沿ってみた断面図である。 図面において、１０は容器、１２はベース、１６は放射
線ビーム、２０は露呈される領域、２２は露呈されない
領域、２６は液体ポリマ、２８は障壁、３０はチャンネ
ル、５０はチップ、６２は工ボキシをそれぞれ示す。 代 理 人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、放射線に露呈されることにより硬化されうる液体で
予め定められた形状の固体物品を形成する方法であって
、上記物品がその上に形成されるべき表面を設け上記表
面の予め定められた領域を放射線のビームに露呈させ、
上記表面の露呈されない領域に上記液体を供給して、上
記固体物品の１つの表面を画定する固体障壁が上記液体
とビームとの境界に形成されるようにし、そして供給さ
れたがまだ硬化されていない液体を硬化させて、上記固
体物品を形成することよりなる固体物品の形成方法。 ２、前記物品の前記表面をさらに画定するために液体が
供給されるにつれて前記物品が形成されるべき前記表面
に関して前記ビームを移動させる工程をさらに含む請求
項１の方法。 ３、前記物品の前記表面をさらに画定するために液体が
供給されるにつれて前記ビームの形状を変更する工程を
含む請求項１または２の方法。 ４、前記物品の前記表面をさらに画定するために前記ビ
ームに関して、前記物品が形成されるべき表面の傾斜お
よび／または位置を変更する工程をさらに含む請求項１
〜３のうちの１つによる方法。 ５、露呈されていない領域に液体がさらに供給されてい
る間に、供給されたがまだ硬化されていない液体を他の
放射線ビームに露呈させる工程をさらに含む請求項１〜
４のうちの１つによる方法。 ６、前記物品の他の表面を画定するために、前記物品が
形成されるべき表面に付設された１またはそれ以上の側
壁を設ける工程をさらに含む請求項１〜５のうちの１つ
による方法。 ７、前記物品の１つより多い表面を画定するために１つ
より多い放射線ビームを与える工程をさらに含む請求項
１〜６のうちの１つによる方法。 ８、前記固体物品が異なる物質の固体要素を含むべきで
あり、前記固体要素は前記物品が形成されるべき表面の
前記露呈された領域内に位置づけられ、前記異なる物質
は用いられる放射線に対して透明である請求項１〜７の
うちの１つによる方法。 ９、前記液体が放射線または熱に露呈されることによっ
て硬化されうるものであり、前記供給されたがまだ硬化
されていない液体を硬化させる工程は供給されたがまだ
硬化されていない前記液体を加熱することよりなる請求
項１〜８のうちの１つによる方法。 １０、前記液体が１より多い波長の放射線に露呈するこ
とにより硬化されうるものであり、前記供給されたがま
だ硬化されていない液体を硬化させる工程は前記供給さ
れたがまだ硬化されていない液体をより透過性の高い放
射線のビームに露呈させることよりなる請求項１〜９の
うちの１つによる方法。 １１、前記物品が形成されるべき前記表面が前記液体に
よって触れられるべきでない領域を含んでおり、前記液
体によって触れられるべきでない領域の境界が、前記物
品が形成されるべき表面の前記露呈される領域内に入る
ように前記放射線ビームの形状を画定する工程をさらに
含む請求項１〜１０のうちの１つによる方法。 １２、前記物品が形成されるべき前記表面が超小型電子
装置の１つの表面であり、かつ前記物品がその装置のカ
プセル封じである請求項１〜１１のうちの１つによる方
法。 １３、前記液体によって触れられるべきでない領域が特
定の外部刺激に応答する前記装置の応答領域を含む請求
項１１に従属した請求項１２による超小型電子装置をカ
プセル封じする方法。 １４、前記放射線ビームは、前記装置の前記応答領域が
前記ビームに露呈されない請求項１３による超小型電子
装置をカプセル封じする方法。 １５、特定の外部刺激に応答する応答領域を有する超小
型電子装置に、前記応答領域を検体に露呈させるのに適
した流れチャンネルを設け、この流れチャンネルの壁が
請求項１１の方法に従って画定され、前記液体によって
触れられるべきでない領域が前記流れチャンネルの空洞
である方法。 １６、請求項１２、１３または１４の方法に従って超小
型電子装置をカプセル封じする工程をさらに含む請求項
１５の方法。 １７、前記流れチャンネルの高さを画定するために前記
超小型電子装置の上方に放射線に対して透明な物質の頂
部固体層を設ける工程をさらに含む請求項１５または１
６の方法。 １８、請求項１〜１７のうちの１つの方法によって電磁
波に露呈されることにより硬化されうる液体で形成され
た固体物品。 １９、特定の外部刺激に応答する応答領域と、この領域
のまわりにおけるカプセル封じ層と、前記応答領域を検
体に露呈するのに適した流れチャンネルを有する超小型
電子装置を含んでおり、前記流れチャンネルの壁が前記
カプセル封じ層と一体でかつそれに連続しているパッケ
ージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8727902 | 1987-11-28 | ||
| GB878727902A GB8727902D0 (en) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | Method of forming a solid article |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021949A true JPH021949A (ja) | 1990-01-08 |
| JP2703000B2 JP2703000B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=10627697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63298437A Expired - Fee Related JP2703000B2 (ja) | 1987-11-28 | 1988-11-28 | 固体物品の形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0319175B1 (ja) |
| JP (1) | JP2703000B2 (ja) |
| AT (1) | ATE98927T1 (ja) |
| DE (1) | DE3886507T2 (ja) |
| GB (1) | GB8727902D0 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4961886A (en) * | 1988-06-09 | 1990-10-09 | Dow Corning Corporation | Method of controlling flow by a radiation formed dam |
| DE3819802C1 (ja) * | 1988-06-10 | 1989-11-23 | Heidelberger Druckmaschinen Ag, 6900 Heidelberg, De | |
| JPH0624773B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1994-04-06 | 三井造船株式会社 | 光学的造形法 |
| FR2654538B1 (fr) * | 1989-11-16 | 1993-08-27 | Electricite De France | Procede et dispositif pour realiser un modele de piece industrielle par polymerisation d'un liquide monomere. |
| NL1004651C2 (nl) | 1996-11-29 | 1998-06-03 | Nedcard | Werkwijze voor het inkapselen van een chip op een drager. |
| GB9625491D0 (en) * | 1996-12-07 | 1997-01-22 | Central Research Lab Ltd | Fluid connections |
| DE10109327A1 (de) | 2001-02-27 | 2002-09-12 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip und Herstellungsverfahren für ein Gehäuse |
| DE102020126432A1 (de) * | 2020-10-08 | 2022-04-14 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung eines bauelements und bauelement |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598448A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-17 | Fuji Xerox Co Ltd | デイジタル信号伝送方式 |
| JPS61120712A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-07 | Katanori Arai | 三次元形状成形方法 |
-
1987
- 1987-11-28 GB GB878727902A patent/GB8727902D0/en active Pending
-
1988
- 1988-11-18 EP EP88310887A patent/EP0319175B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-18 AT AT88310887T patent/ATE98927T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-11-18 DE DE3886507T patent/DE3886507T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-28 JP JP63298437A patent/JP2703000B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598448A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-17 | Fuji Xerox Co Ltd | デイジタル信号伝送方式 |
| JPS61120712A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-07 | Katanori Arai | 三次元形状成形方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8727902D0 (en) | 1987-12-31 |
| EP0319175A2 (en) | 1989-06-07 |
| DE3886507T2 (de) | 1994-06-09 |
| EP0319175A3 (en) | 1991-04-10 |
| ATE98927T1 (de) | 1994-01-15 |
| DE3886507D1 (de) | 1994-02-03 |
| JP2703000B2 (ja) | 1998-01-26 |
| EP0319175B1 (en) | 1993-12-22 |
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|---|---|---|---|
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