JPH021960A - 半導体装置および電子回路装置 - Google Patents
半導体装置および電子回路装置Info
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- JPH021960A JPH021960A JP14222788A JP14222788A JPH021960A JP H021960 A JPH021960 A JP H021960A JP 14222788 A JP14222788 A JP 14222788A JP 14222788 A JP14222788 A JP 14222788A JP H021960 A JPH021960 A JP H021960A
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- Japan
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- tube
- semiconductor device
- tube body
- electronic circuit
- circuit board
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発熱素子を冷却する機能を備えた半導体装置
および電子回路装置に関する。
および電子回路装置に関する。
一般に、樹脂封止型の半導体装置は、モールド樹脂によ
って封止された半導体素子と、この半導体素子に接続さ
れた外部接続用のリードとを備えたものが知られている
。
って封止された半導体素子と、この半導体素子に接続さ
れた外部接続用のリードとを備えたものが知られている
。
そして、このような半導体装置は回路基板上に多数実装
され、例えば電子計算機等の電子回路装置として広く使
用されている。
され、例えば電子計算機等の電子回路装置として広く使
用されている。
近年、この種の半導体装置においては、動作上の信頼性
を高めることから発熱素子を冷却する必要が生じてきて
おり、従来より第８図（ａｌおよび（ｂ）に示すような
ものが採用されている。これを同図および第９図（ａｌ
、 ｆｂｌに基づいて説明すると、同図において、符号
１で示すものは半導体素子（図示せず）を封止するモー
ルド樹脂、２はこのモールド樹脂ｌ内の半導体素子（図
示せず）に接続された外部接続用のリード、３は前記モ
ールド樹脂ｌの上面に接着剤４を介して接着され前記半
導体素子（図示せず）からの発熱を外部に放散するアル
ミニラム製の放熱フィンである。なお、この放熱フィン
３は、厚さｌ ａｍをもつ１０個のフィン３ａからなり
、全体の外形寸法が長さ２３．５ｍｍ、幅７．５ ｍｓ
高さ５龍の寸法に設定されている。
を高めることから発熱素子を冷却する必要が生じてきて
おり、従来より第８図（ａｌおよび（ｂ）に示すような
ものが採用されている。これを同図および第９図（ａｌ
、 ｆｂｌに基づいて説明すると、同図において、符号
１で示すものは半導体素子（図示せず）を封止するモー
ルド樹脂、２はこのモールド樹脂ｌ内の半導体素子（図
示せず）に接続された外部接続用のリード、３は前記モ
ールド樹脂ｌの上面に接着剤４を介して接着され前記半
導体素子（図示せず）からの発熱を外部に放散するアル
ミニラム製の放熱フィンである。なお、この放熱フィン
３は、厚さｌ ａｍをもつ１０個のフィン３ａからなり
、全体の外形寸法が長さ２３．５ｍｍ、幅７．５ ｍｓ
高さ５龍の寸法に設定されている。
ところで、この種半導体装置の放熱フィンにおいては、
放熱効果を高めるためにできるだけフィン表面積を広く
設定する必要がある。
放熱効果を高めるためにできるだけフィン表面積を広く
設定する必要がある。
因に、第９図（ａｌおよび（ｂｌに示す放熱フィンの表
面積は約８６５ ａｍ”となり、フィン効率は９５〜９
８％である。
面積は約８６５ ａｍ”となり、フィン効率は９５〜９
８％である。
一方、電子回路装置においては、ケース（図示せず）内
に収納される放熱ファン（図示せず）によって半導体装
置（図示せず）を冷却することが行われている。
に収納される放熱ファン（図示せず）によって半導体装
置（図示せず）を冷却することが行われている。
ところが、従来の半導体装置においては、放熱フィン３
が押し出し成形法によって形成されており、このため放
熱フィン３の製作にあたりフィン３ａの厚さやフィン間
の寸法が制約を受け、半導体装置の集積度に応じて放熱
フィン３の表面積を広く設定することができなかった。
が押し出し成形法によって形成されており、このため放
熱フィン３の製作にあたりフィン３ａの厚さやフィン間
の寸法が制約を受け、半導体装置の集積度に応じて放熱
フィン３の表面積を広く設定することができなかった。
この結果、冷却能力を十分に保証することができず、近
年における半導体素子の高集積度化に応じることができ
ないという問題があった。
年における半導体素子の高集積度化に応じることができ
ないという問題があった。
また、電子回路装置においては、所定の冷却能力を維持
するために多数の放熱ファン（図示せず）を必要とする
ことから、装置全体が大型化し、近年における半導体装
置の高密度実装化に応しることができないという不都合
があった。
するために多数の放熱ファン（図示せず）を必要とする
ことから、装置全体が大型化し、近年における半導体装
置の高密度実装化に応しることができないという不都合
があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、冷却
能力を十分に保証することができ、もって近年における
半導体素子の高集積度化に応じることができる半導体装
置を提供するものである。
能力を十分に保証することができ、もって近年における
半導体素子の高集積度化に応じることができる半導体装
置を提供するものである。
また、この発明の別の発明は、装置全体の小型化を図る
ことができ、もって近年における半導体装置の高密度実
装化に応じることができる電子回路装置を提供するもの
である。
ことができ、もって近年における半導体装置の高密度実
装化に応じることができる電子回路装置を提供するもの
である。
本発明に係る半導体装置は、半導体素子を封止するモー
ルド樹脂内に冷却媒体が通過する管体を埋設し、この管
体の両端部に延設された外部露呈端部をリード曲げ方向
に折曲形成したものである。
ルド樹脂内に冷却媒体が通過する管体を埋設し、この管
体の両端部に延設された外部露呈端部をリード曲げ方向
に折曲形成したものである。
また、本発明の別の発明に係る電子回路装置は、冷却媒
体が通過する管体の各外部露呈端部を回路基板に挿通さ
せ、この挿通端部に前記管体と共に冷却媒体の循環回路
を形成する管体を接続したものである。
体が通過する管体の各外部露呈端部を回路基板に挿通さ
せ、この挿通端部に前記管体と共に冷却媒体の循環回路
を形成する管体を接続したものである。
本発明においては、管体に冷却媒体を供給することによ
り半導体素子を直接冷却することができる。
り半導体素子を直接冷却することができる。
また、本発明の別の発明においては、循環回路に冷却媒
体を循環させることにより半導体装置を直接冷却するこ
とができる。
体を循環させることにより半導体装置を直接冷却するこ
とができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る半導体装置を示す斜視図、第２図
１８）および（ｂｌは同じく本発明における半導体装置
の正面図と側面図、第３図は管体の一実施例を示す斜視
図で、同図以下において第８図（ａ）、 （ｂｌおよび
第９図ｔａｇ、 （ｂｌと同一の部材については同一の
符号を付し、詳細な説明は省略する。同図において、符
号１１および１２は冷却媒体としての冷却水が通過する
２つの管体で、前記モールド樹脂ｌ内に各々が互いに並
列するように埋設されている。
１８）および（ｂｌは同じく本発明における半導体装置
の正面図と側面図、第３図は管体の一実施例を示す斜視
図で、同図以下において第８図（ａ）、 （ｂｌおよび
第９図ｔａｇ、 （ｂｌと同一の部材については同一の
符号を付し、詳細な説明は省略する。同図において、符
号１１および１２は冷却媒体としての冷却水が通過する
２つの管体で、前記モールド樹脂ｌ内に各々が互いに並
列するように埋設されている。
この管体１１，１２の両端部に延設された外部露呈端部
は、前記リード２の曲げ方向に折曲形成されている。そ
して、これら両管体１１，１２の樹脂埋設部は軸線方向
に延在する直管によって構成されており、各外周面には
軸線方向に所定の間隔をもって３つのフランジ１３．１
４が設けられている。これによって、前記管体１１．１
２の前記モールド樹脂１からの抜けを防止し、かつ放熱
性を高めるように構成されている。
は、前記リード２の曲げ方向に折曲形成されている。そ
して、これら両管体１１，１２の樹脂埋設部は軸線方向
に延在する直管によって構成されており、各外周面には
軸線方向に所定の間隔をもって３つのフランジ１３．１
４が設けられている。これによって、前記管体１１．１
２の前記モールド樹脂１からの抜けを防止し、かつ放熱
性を高めるように構成されている。
このように構成された半導体装置においては、管体１１
，１２に冷却水を供給することにより半導体素子（図示
せず）が直接冷却されることになり、冷却能力を十分に
保証することができる。
，１２に冷却水を供給することにより半導体素子（図示
せず）が直接冷却されることになり、冷却能力を十分に
保証することができる。
また、本発明においては、管体１１，１２によって例え
ば回路基板（図示せず）上に半導体装置を保持すること
ができる。
ば回路基板（図示せず）上に半導体装置を保持すること
ができる。
なお、本実施例においては、管体１１，１２の樹脂埋設
部が直管である場合を示したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、第４図に示すように管体１５の全体
が波形状の曲管であっても実施例と同様の効果を奏する
。
部が直管である場合を示したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、第４図に示すように管体１５の全体
が波形状の曲管であっても実施例と同様の効果を奏する
。
また、本実施例においては、管体１１，１２の外周面に
フランジ１３．１４からなる凸部を設けた例を示したが
、本発明は管体１１１２に凹凸部（図示せず）を設けて
も、管体１１．１２のモールド樹脂ｌからの抜けを防止
することができる。
フランジ１３．１４からなる凸部を設けた例を示したが
、本発明は管体１１１２に凹凸部（図示せず）を設けて
も、管体１１．１２のモールド樹脂ｌからの抜けを防止
することができる。
さらに、本発明におけるフランジ１３．１４の個数は前
述した実施例に限定されず、第５図に示すように管体１
６のフランジ１７が４個以上であってもよく、その個数
は適宜変更することが自由である。
述した実施例に限定されず、第５図に示すように管体１
６のフランジ１７が４個以上であってもよく、その個数
は適宜変更することが自由である。
さらにまた、本発明における管体１１．１２の個数も前
述した実施例に限定されるものでないことは勿論である
。
述した実施例に限定されるものでないことは勿論である
。
この他、本実施例においては、冷却媒体とじて冷却水を
使用する例を示したが、本発明は例えば冷却空気からな
る冷却媒体を使用しても何等差し支えない。
使用する例を示したが、本発明は例えば冷却空気からな
る冷却媒体を使用しても何等差し支えない。
因に、本発明における樹脂モールド型の半導体装置を製
造するには、リードフレーム上に半導体素子を接合し、
次に半導体素子の電極とリードフレームのインナーリー
ドを例えば銅等のワイヤによって接続した後、例えばエ
ポキシ樹脂等のモールド樹脂１によって半導体素子およ
び管体１１，１２を金型内で封止してから外部接続用の
り−ド２を折り曲げることにより行う。この場合、管体
１１゜１２の両外部露呈端部はモールド成形前後の何れ
の工程で折り曲げ形成してもよく、また管体１１．１２
の成形時に同時形成することもできる。さらに、管体１
１，１２はモールド樹脂ｌの熱膨張係数と略等しい熱膨
張係数をもつ材料（例えば樹脂系パイプ）によって形成
されていることが望ましい。すなわち、モールド樹脂封
止時には、管体１１．１２が通常１８０℃に加熱された
後自然冷却されることから、両部材（管体１１，１２と
モールド樹脂１）の熱膨張係数が大きく異なると熱歪に
よって両部材が破損してしまうからである。
造するには、リードフレーム上に半導体素子を接合し、
次に半導体素子の電極とリードフレームのインナーリー
ドを例えば銅等のワイヤによって接続した後、例えばエ
ポキシ樹脂等のモールド樹脂１によって半導体素子およ
び管体１１，１２を金型内で封止してから外部接続用の
り−ド２を折り曲げることにより行う。この場合、管体
１１゜１２の両外部露呈端部はモールド成形前後の何れ
の工程で折り曲げ形成してもよく、また管体１１．１２
の成形時に同時形成することもできる。さらに、管体１
１，１２はモールド樹脂ｌの熱膨張係数と略等しい熱膨
張係数をもつ材料（例えば樹脂系パイプ）によって形成
されていることが望ましい。すなわち、モールド樹脂封
止時には、管体１１．１２が通常１８０℃に加熱された
後自然冷却されることから、両部材（管体１１，１２と
モールド樹脂１）の熱膨張係数が大きく異なると熱歪に
よって両部材が破損してしまうからである。
次に、本発明の別の発明に係る電子回路装置について説
明する。
明する。
第６図（ａｌ、 ｆｂ）および（Ｃ）は電子回路装置を
示す平面図、側面図、下面図である。同図において、符
号２１で示すものはガラスエポキシ系樹脂からなる回路
基板で、表面上には多数組の半導体装置Ａ。
示す平面図、側面図、下面図である。同図において、符
号２１で示すものはガラスエポキシ系樹脂からなる回路
基板で、表面上には多数組の半導体装置Ａ。
抵抗器（図示せず）およびコンデンサ等の電子部品が実
装されている。この回路基板２１には前記管体１１．１
２が挿通されており、この挿通端部には前記管体１１．
１２と共に冷却水の循環回路を形成する管体Ｂが接続さ
れている。この管体Ｂは、前記半導体装置Ａのうち各々
が互いに隣り合う２つの半導体装置Ａ＋、Ａｚの管体１
１の一側外部露呈端部１１ａを接続する配管２２と、こ
の配管２２の側方に配設され前記半導体装置Ａ、＾２の
管体１２の一側外部露呈端部１２ａを接続する配管２３
と、前記半導体装置Ａ２の管体１１．１２の他側外部露
呈端部１１ｂ、 １２ｂを接続する配管２４と、前記半
導体装置Ａ、の管体１１．１２の他側外部露呈端部１１
ｂ、１２ｂに各々接続する排出配管２５．供給配管２６
とによって構成されている。
装されている。この回路基板２１には前記管体１１．１
２が挿通されており、この挿通端部には前記管体１１．
１２と共に冷却水の循環回路を形成する管体Ｂが接続さ
れている。この管体Ｂは、前記半導体装置Ａのうち各々
が互いに隣り合う２つの半導体装置Ａ＋、Ａｚの管体１
１の一側外部露呈端部１１ａを接続する配管２２と、こ
の配管２２の側方に配設され前記半導体装置Ａ、＾２の
管体１２の一側外部露呈端部１２ａを接続する配管２３
と、前記半導体装置Ａ２の管体１１．１２の他側外部露
呈端部１１ｂ、 １２ｂを接続する配管２４と、前記半
導体装置Ａ、の管体１１．１２の他側外部露呈端部１１
ｂ、１２ｂに各々接続する排出配管２５．供給配管２６
とによって構成されている。
このように構成された電子回路装置においては、管体１
１，１２と配管２２〜２４と排出配管２５．供給配管２
６からなる循環回路に冷却水を循環させることにより半
導体装置Ａを直接冷却することができる。
１，１２と配管２２〜２４と排出配管２５．供給配管２
６からなる循環回路に冷却水を循環させることにより半
導体装置Ａを直接冷却することができる。
したがって、本発明の別の発明においては、所定の冷却
能力を維持するために従来必要とした放熱ファン（図示
せず）が不要になるから、装置全体の小型化を図ること
ができる。
能力を維持するために従来必要とした放熱ファン（図示
せず）が不要になるから、装置全体の小型化を図ること
ができる。
因に、前記した構成による電子回路装置を製造するには
、回路基板２１に半導体装置Ａ等の電子部品を実装する
と共に管体ＩＬ １２を挿通させ、次に配管２２によっ
て半導体装置ＡＩ＋Ａ２の管体１１の一端部１１ａを接
続すると共に、配管２３によって半導体装置Ａ、、 Ａ
ｍの管体１２の一側外部露呈端部１２ａを接続した後、
配管２４によって半導体装置Ａ２の管体１１゜１２の他
側外部露呈端部１１ｂ、１２ｂを接続してから供給配管
２５および排出配管２６によって半導体装置Ａ１の管体
１１．１２の他側外部露呈端部１１ｂ、 １２ｂに各々
接続することにより行う。
、回路基板２１に半導体装置Ａ等の電子部品を実装する
と共に管体ＩＬ １２を挿通させ、次に配管２２によっ
て半導体装置ＡＩ＋Ａ２の管体１１の一端部１１ａを接
続すると共に、配管２３によって半導体装置Ａ、、 Ａ
ｍの管体１２の一側外部露呈端部１２ａを接続した後、
配管２４によって半導体装置Ａ２の管体１１゜１２の他
側外部露呈端部１１ｂ、１２ｂを接続してから供給配管
２５および排出配管２６によって半導体装置Ａ１の管体
１１．１２の他側外部露呈端部１１ｂ、 １２ｂに各々
接続することにより行う。
なお、本実施例においては、１枚の回路基板２１からな
るものに適用する場合を示したが、本発明の別の発明は
第７図に示すようにケー人３１内に収納された多数の回
路基板２１を積層してなる電子回路装置にも実施例と同
様に通用可能である。
るものに適用する場合を示したが、本発明の別の発明は
第７図に示すようにケー人３１内に収納された多数の回
路基板２１を積層してなる電子回路装置にも実施例と同
様に通用可能である。
以上説明したように本発明によれば、半導体素子を封止
するモールド樹脂内に冷却媒体が通過する管体を埋設し
たので、管体に冷却媒体を供給することにより半導体素
子を直接冷却することができる。したがって、冷却能力
を十分に保証することができるから、近年における半導
体素子の高集積度化に応じることができる。また、管体
の両端部に延設された外部露呈端部をリード曲げ方向に
折曲形成したので、管体によって例えば回路基板等に半
導体装置を保持することができ、その保持能力を十分に
保証することができる。
するモールド樹脂内に冷却媒体が通過する管体を埋設し
たので、管体に冷却媒体を供給することにより半導体素
子を直接冷却することができる。したがって、冷却能力
を十分に保証することができるから、近年における半導
体素子の高集積度化に応じることができる。また、管体
の両端部に延設された外部露呈端部をリード曲げ方向に
折曲形成したので、管体によって例えば回路基板等に半
導体装置を保持することができ、その保持能力を十分に
保証することができる。
一方、この発明の別の発明は、冷却媒体が通過する管体
の外部露呈端部を回路基板に挿通させ、この神道端部に
前記管体と共に冷却媒体の循環回路を形成する管体を接
続したので、循環回路に冷却媒体を循環させることによ
り半導体装置を直接冷却することができる。したがって
、所定の冷却能力を維持するために従来必要とした放熱
ファンが不要になるから、装置全体の小型化を図ること
ができ、近年における半導体装置の高密度実装化に応じ
ることができる。
の外部露呈端部を回路基板に挿通させ、この神道端部に
前記管体と共に冷却媒体の循環回路を形成する管体を接
続したので、循環回路に冷却媒体を循環させることによ
り半導体装置を直接冷却することができる。したがって
、所定の冷却能力を維持するために従来必要とした放熱
ファンが不要になるから、装置全体の小型化を図ること
ができ、近年における半導体装置の高密度実装化に応じ
ることができる。
第１図は本発明に係る半導体装置を示す斜視図、第２図
（ａｌおよび（ｂ）は同じく本発明における半導体装置
の正面図と側面図、第３図は管体の一実施例を示す斜視
図、第４図および第５図は他の実施例における管体を示
す斜視図、第６図＋ａｌ、 （ｂ）および（Ｃ１は本発
明の別の発明に係る電子回路装置を示す平面図、側面図
、下面図、第７図はその使用例を示す斜視図、第８図（
ａｌおよび（ｂ）は従来の半導体装置を示す正面図と側
面図、第９図（ａｌおよび（ｂ）はその放熱板を示す正
面図と側面図である。 １・・・・モールド樹脂、２・・・・リード、１１．１
２ ・・・・管体、２１・・・・回路基板、２２〜２
４・・・・配管、２５・・・・排出配管、２６・・・・
供給配管、Ａ・・・・半導体装置、Ｂ・・・・管体。 代 理 人 大岩増雄 囚 （自発） ２６発明の名称 半導体装置および電子回路装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号。 名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４６代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三
菱電機株式会社内 氏名 （７３７５）弁理士大岩増雄 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書７頁１７行〜１９行の「本発明における管体毛 比１２の個数〆・・・勿論である。」を［本発明におけ
る管体１１．１２の個数およびリード２とモールド樹脂
１に対する位置関係も前述した実施例に限定されるもの
でないことは勿論である。すなわち、管体１１．１２の
個数は例えば３個、４個、・・・とじてもよく、モール
ド樹脂１内の管体１１．１２をリード２の下方に位置付
けるもの、あるいはこの管体１１．１２をモールド樹脂
１の幅方向に延在させて位置付けるものであってもよい
のである。」と補正する。 以 上
（ａｌおよび（ｂ）は同じく本発明における半導体装置
の正面図と側面図、第３図は管体の一実施例を示す斜視
図、第４図および第５図は他の実施例における管体を示
す斜視図、第６図＋ａｌ、 （ｂ）および（Ｃ１は本発
明の別の発明に係る電子回路装置を示す平面図、側面図
、下面図、第７図はその使用例を示す斜視図、第８図（
ａｌおよび（ｂ）は従来の半導体装置を示す正面図と側
面図、第９図（ａｌおよび（ｂ）はその放熱板を示す正
面図と側面図である。 １・・・・モールド樹脂、２・・・・リード、１１．１
２ ・・・・管体、２１・・・・回路基板、２２〜２
４・・・・配管、２５・・・・排出配管、２６・・・・
供給配管、Ａ・・・・半導体装置、Ｂ・・・・管体。 代 理 人 大岩増雄 囚 （自発） ２６発明の名称 半導体装置および電子回路装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号。 名 称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４６代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三
菱電機株式会社内 氏名 （７３７５）弁理士大岩増雄 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書７頁１７行〜１９行の「本発明における管体毛 比１２の個数〆・・・勿論である。」を［本発明におけ
る管体１１．１２の個数およびリード２とモールド樹脂
１に対する位置関係も前述した実施例に限定されるもの
でないことは勿論である。すなわち、管体１１．１２の
個数は例えば３個、４個、・・・とじてもよく、モール
ド樹脂１内の管体１１．１２をリード２の下方に位置付
けるもの、あるいはこの管体１１．１２をモールド樹脂
１の幅方向に延在させて位置付けるものであってもよい
のである。」と補正する。 以 上
Claims (2)
- （１）モールド樹脂によって封止された半導体素子と、
この半導体素子に接続された外部接続用のリードとを備
えた半導体装置において、前記モールド樹脂内に冷却媒
体が通過する管体を埋設し、この管体の両端部に延設さ
れた外部露呈端部をリード曲げ方向に折曲形成したこと
を特徴とする半導体装置。 - （２）請求項１記載の半導体装置を回路基板上に実装し
てなる電子回路装置において、前記管体の各外部露呈端
部を前記回路基板に挿通させ、この挿通端部に前記管体
と共に冷却媒体の循環回路を形成する管体を接続したこ
とを特徴とする電子回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14222788A JPH021960A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 半導体装置および電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14222788A JPH021960A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 半導体装置および電子回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021960A true JPH021960A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15310372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14222788A Pending JPH021960A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 半導体装置および電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH021960A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0768711A3 (en) * | 1995-10-13 | 1998-07-08 | AT&T Corp. | Microelectronic package with device cooling |
| WO2013140503A1 (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体システム |
Citations (1)
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| JPS6151861A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Hitachi Ltd | 半導体素子パツケ−ジ |
-
1988
- 1988-06-09 JP JP14222788A patent/JPH021960A/ja active Pending
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