JPS61196559A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS61196559A JPS61196559A JP60036972A JP3697285A JPS61196559A JP S61196559 A JPS61196559 A JP S61196559A JP 60036972 A JP60036972 A JP 60036972A JP 3697285 A JP3697285 A JP 3697285A JP S61196559 A JPS61196559 A JP S61196559A
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- Japan
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- conductive
- region
- conductive supporting
- mold layer
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/461—Leadframes specially adapted for cooling
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- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
- H10W40/77—Auxiliary members characterised by their shape
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。
従来、パワートランジスタアレー等の半導体素子と放熱
板とが絶縁された樹脂封止型半導体装置は、動作時に発
熱するだめこの熱を外部に放出する放熱構造を採用して
いる。第３図はその一例を示すものであシ、図中１は、
両面にメタライズ層２を形成したアルミナ基板である。
板とが絶縁された樹脂封止型半導体装置は、動作時に発
熱するだめこの熱を外部に放出する放熱構造を採用して
いる。第３図はその一例を示すものであシ、図中１は、
両面にメタライズ層２を形成したアルミナ基板である。
一方のメタライズ層２上には、半導体素子３及びリード
フレーム４の一端部が装着されている。
フレーム４の一端部が装着されている。
リードフレーム４と半導体素子３の電極間には、アルミ
細線からなるデンディング線５が架設されている。他方
のメタライズ層２は、金属放熱板６上に装着されている
。なお、同図中７は、リードフレーム４の一端部を外部
に導出し、がっ、金属放熱板６０所定領域を外部に露出
するようにしてアルミナ基板１、半導体素子３等を一体
に封止したモールド層である。このように構成された樹
脂封圧型半導体装置は、リードフレーム４を半田によっ
てアルミナ基板１に固着する必要がちるため製造工程が
複雑になる。また、アルミナ基板１が高価なため製造コ
ストが高くなる問題がある。
細線からなるデンディング線５が架設されている。他方
のメタライズ層２は、金属放熱板６上に装着されている
。なお、同図中７は、リードフレーム４の一端部を外部
に導出し、がっ、金属放熱板６０所定領域を外部に露出
するようにしてアルミナ基板１、半導体素子３等を一体
に封止したモールド層である。このように構成された樹
脂封圧型半導体装置は、リードフレーム４を半田によっ
てアルミナ基板１に固着する必要がちるため製造工程が
複雑になる。また、アルミナ基板１が高価なため製造コ
ストが高くなる問題がある。
第４図は、従来の樹脂封止型半導体装置の他の例を示し
ている。図中１０は、アルミ鋼張絶縁基板である。アル
ミ銅張絶縁基板１０上には、接着剤層１ノを介して銅箔
１２が貼着されている。銅箔１２上には、リードフレー
ム１３のマウントヘッド部が固着されている。マウント
ヘッド部上には、半導体索子１４が装着されている。半
導体素子１４の電極とリードフレーム１３間には、ビン
ディング線１５が架設されている。
ている。図中１０は、アルミ鋼張絶縁基板である。アル
ミ銅張絶縁基板１０上には、接着剤層１ノを介して銅箔
１２が貼着されている。銅箔１２上には、リードフレー
ム１３のマウントヘッド部が固着されている。マウント
ヘッド部上には、半導体索子１４が装着されている。半
導体素子１４の電極とリードフレーム１３間には、ビン
ディング線１５が架設されている。
なお、同図中１６は、リードフレーム１３の一端部を外
部に導出し、かつ、アルミ鋼張絶縁板１００所定領域を
外部に露出するようにして銅箔１２、半導体素子１４等
を一体に封止したそ一ルド層である。このような樹脂封
止型半導体装置は、リードフレーム１３を半田によって
銅箔１２上に固着するため製造工程が複雑になる。
部に導出し、かつ、アルミ鋼張絶縁板１００所定領域を
外部に露出するようにして銅箔１２、半導体素子１４等
を一体に封止したそ一ルド層である。このような樹脂封
止型半導体装置は、リードフレーム１３を半田によって
銅箔１２上に固着するため製造工程が複雑になる。
また、アルミ鋼張絶縁板１ｏが高価なため製造コストが
高くなる問題がある。
高くなる問題がある。
第５図は、これらの問題を解消するために開発された樹
脂封止型半導体装置である。図中２０は、半導体素子２
１をマウント部に装着すると共に、半導体素子２１との
間にメンディング線２２を架設して回路配線を構成した
リードフレームである。リードフレーム２０の素子非装
着面と所定の絶縁間隔を保って金属基板２３が配置され
ている。リードフレーム２００所定領域及び金属基板２
３０所定面が外部に導出するようにして高熱伝導樹脂か
らなるモールド層２４により、半導体素子２１、デンデ
ィング線２２等が封止されている。このような樹脂封止
型半導体装置は、第６図囚俤）に示す如く、トランスフ
ァーモールド法によりモールド層２４を形成する際の樹
脂の注入圧力によシリードフレーム２０が変形し、所定
のリード間耐圧が得られな 。
脂封止型半導体装置である。図中２０は、半導体素子２
１をマウント部に装着すると共に、半導体素子２１との
間にメンディング線２２を架設して回路配線を構成した
リードフレームである。リードフレーム２０の素子非装
着面と所定の絶縁間隔を保って金属基板２３が配置され
ている。リードフレーム２００所定領域及び金属基板２
３０所定面が外部に導出するようにして高熱伝導樹脂か
らなるモールド層２４により、半導体素子２１、デンデ
ィング線２２等が封止されている。このような樹脂封止
型半導体装置は、第６図囚俤）に示す如く、トランスフ
ァーモールド法によりモールド層２４を形成する際の樹
脂の注入圧力によシリードフレーム２０が変形し、所定
のリード間耐圧が得られな 。
い問題がある。
本発明は、熱特性が安定して信頼性が高いと共に、リー
ド間耐圧が高く、シかも安硬な樹脂封止型半導体装置を
提供することをその目的とするものである。
ド間耐圧が高く、シかも安硬な樹脂封止型半導体装置を
提供することをその目的とするものである。
本発明は、モールド層の内部及びモールド層から導出し
た所定領域の導電性支持板の肉厚を他の領域よりも厚く
シ、かつ、導電性支持板の素子非装着に所定間隔で対向
して放熱板を設けたことにより、熱特性が安定して信頼
性が高いと共に、リード間耐圧が高く、シかも安価な樹
脂封止製半導体装置である。
た所定領域の導電性支持板の肉厚を他の領域よりも厚く
シ、かつ、導電性支持板の素子非装着に所定間隔で対向
して放熱板を設けたことにより、熱特性が安定して信頼
性が高いと共に、リード間耐圧が高く、シかも安価な樹
脂封止製半導体装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図（Ａ） （Ｂ） （Ｃ）は、本発明の一実施例
の構成を示す説明図である。図中３０は、所定パターン
の厚肉領域３１と薄肉リード領域３２とからなる導電性
支持板である。厚肉領域３１の肉厚は例えば１．５ ｍ
に設定され、薄肉リード領域３２の肉厚は０．６ ｗｘ
に設定されている。厚肉領域３１の主面には、所定の仕
様を満足した半導体素子３３が高融点半田（３００〜３
５０℃）を介して装着されている。導電性支持板３０の
近傍には、厚肉領域と薄肉領域からなる導電性細片３４
が導電性支持板３０とほぼ同一平面上に配置されている
。厚肉領域及び薄肉領域の肉厚は、導電性支持板３０と
ほぼ同様の値に設定されている。半導体素子３３の電極
と導電性細片３４との間には、例えば２００μｍφのＡ
Ｌ線からなる導電性細線３５が超音波？ンディングによ
り架設されている。導電性支持板３０の素子非装着面と
対向する側には、所定の間隔を設けて放熱板３６が設け
られている。半導体素子３３、導電性細線３５、導電性
支持板３０、導電性細片３４及び放熱板３６は、第２図
（４）■）に示す如く、導電性支持板３０及び導電性細
片３４の厚肉領域３１の所定部分と薄肉リード領域３２
、薄肉領域を外部に導出すると共に、放熱板３６の所定
の面を外部に露出するようにして高熱伝導性の樹脂から
なるモールド層３７によシ一体に封止されている。なお
、放熱板３６は、放熱性に優れた金属で形成されている
。
。第１図（Ａ） （Ｂ） （Ｃ）は、本発明の一実施例
の構成を示す説明図である。図中３０は、所定パターン
の厚肉領域３１と薄肉リード領域３２とからなる導電性
支持板である。厚肉領域３１の肉厚は例えば１．５ ｍ
に設定され、薄肉リード領域３２の肉厚は０．６ ｗｘ
に設定されている。厚肉領域３１の主面には、所定の仕
様を満足した半導体素子３３が高融点半田（３００〜３
５０℃）を介して装着されている。導電性支持板３０の
近傍には、厚肉領域と薄肉領域からなる導電性細片３４
が導電性支持板３０とほぼ同一平面上に配置されている
。厚肉領域及び薄肉領域の肉厚は、導電性支持板３０と
ほぼ同様の値に設定されている。半導体素子３３の電極
と導電性細片３４との間には、例えば２００μｍφのＡ
Ｌ線からなる導電性細線３５が超音波？ンディングによ
り架設されている。導電性支持板３０の素子非装着面と
対向する側には、所定の間隔を設けて放熱板３６が設け
られている。半導体素子３３、導電性細線３５、導電性
支持板３０、導電性細片３４及び放熱板３６は、第２図
（４）■）に示す如く、導電性支持板３０及び導電性細
片３４の厚肉領域３１の所定部分と薄肉リード領域３２
、薄肉領域を外部に導出すると共に、放熱板３６の所定
の面を外部に露出するようにして高熱伝導性の樹脂から
なるモールド層３７によシ一体に封止されている。なお
、放熱板３６は、放熱性に優れた金属で形成されている
。
このように構成された樹脂封止型半導体装置ＬＡによれ
ば、モールド層３７内に埋設された導電性支持板３０及
び導電性細片３４は、十分に厚肉の領域に設されている
。また、導電性支持板３０と放熱板３６との間には、適
度な間隔が設けられている。このためモールド層３７を
形成する際のトランスファーモールド処理によって発生
する圧力による影響を抑えて、導電性支持板３０及び導
電性細片３４が変形するのを防止することができる。こ
のため、導電性支持板３０、導電性細片３４、放熱板３
６の配置を所定のものに保って絶縁耐圧の低下を防止す
ることができる。また、これにより安定した放熱特性を
得ることができると共に、導電性細線３５の剥れを防止
して素子の信頼性を向上させることができる。また、外
部リードとなる外部に導出された導電性細片３４は、モ
ールド層３７の付根部で厚肉であるため、その配置状態
を所定のものに正しく保持して、隣接するものとの間隔
を適正なリードピッチに保つことができる。
ば、モールド層３７内に埋設された導電性支持板３０及
び導電性細片３４は、十分に厚肉の領域に設されている
。また、導電性支持板３０と放熱板３６との間には、適
度な間隔が設けられている。このためモールド層３７を
形成する際のトランスファーモールド処理によって発生
する圧力による影響を抑えて、導電性支持板３０及び導
電性細片３４が変形するのを防止することができる。こ
のため、導電性支持板３０、導電性細片３４、放熱板３
６の配置を所定のものに保って絶縁耐圧の低下を防止す
ることができる。また、これにより安定した放熱特性を
得ることができると共に、導電性細線３５の剥れを防止
して素子の信頼性を向上させることができる。また、外
部リードとなる外部に導出された導電性細片３４は、モ
ールド層３７の付根部で厚肉であるため、その配置状態
を所定のものに正しく保持して、隣接するものとの間隔
を適正なリードピッチに保つことができる。
このためリード間耐圧を向上させることができる。更に
、従来のように高価な部品を構成材料に使用する必要が
ないので製造コストを低減させることができる。
、従来のように高価な部品を構成材料に使用する必要が
ないので製造コストを低減させることができる。
以上説明した如く、本発明に係る樹脂封止型半導体装置
によれば、熱特性を安定にして信頼性を向上すると共に
、リード間耐圧を高くし、更に製造コストを低減するこ
とができるものである。
によれば、熱特性を安定にして信頼性を向上すると共に
、リード間耐圧を高くし、更に製造コストを低減するこ
とができるものである。
第１図（Ａ） （Ｂ） （Ｃ）は、本発明の一実施例の
構成を示す説明図、第２１囚の）は、同実施例の要部を
示す説明図、第３図乃至第５図は、従来の樹脂封止型半
導体装置の構成を示す説明図、第６図（４）の）は、従
来の樹脂封止型半導体装置の欠点を示す説明図である。 ３０・・・導電性支持板、３１・・・厚肉領域、３２・
・・薄肉リード領域、３３・・・半導体素子、３４・・
・導電性細片、３５・・・導電性細線、３６・・・放熱
板、３７・・・モールド層、４０・・・樹脂封止型半導
体装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ＷＥ３図
構成を示す説明図、第２１囚の）は、同実施例の要部を
示す説明図、第３図乃至第５図は、従来の樹脂封止型半
導体装置の構成を示す説明図、第６図（４）の）は、従
来の樹脂封止型半導体装置の欠点を示す説明図である。 ３０・・・導電性支持板、３１・・・厚肉領域、３２・
・・薄肉リード領域、３３・・・半導体素子、３４・・
・導電性細片、３５・・・導電性細線、３６・・・放熱
板、３７・・・モールド層、４０・・・樹脂封止型半導
体装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦ＷＥ３図
Claims (1)
- 少なくとも１つの能動もしくは受動領域を有する半導
体素子と、この半導体素子に形成された電極と、厚肉領
域及び薄肉リード領域とからなり、かつ、厚肉領域の片
面に前記半導体素子を装着した導電性支持板と、この導
電性支持板とほぼ同一平面に配置され、厚肉領域及び薄
肉領域からなる導電性細片と、この導電性細片と前記電
極とを電気的に結ぶ導電性細線と、前記導電性支持板の
素子非装着面に対向して設けられた放熱板と、この放熱
板の所定領域を露出し、前記導電性細線、半導体素子、
導電性支持板及び導電性細片の厚肉領域の所定部分を埋
設するようにして設けられたモールド層とを具備するこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60036972A JPS61196559A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60036972A JPS61196559A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196559A true JPS61196559A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12484660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60036972A Pending JPS61196559A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61196559A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63151055A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Matsushita Electronics Corp | 複合型半導体装置 |
| JP2003264265A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JP2010032510A (ja) * | 2008-07-21 | 2010-02-12 | Robert Bosch Gmbh | 半導体構成素子のためのケーシング |
-
1985
- 1985-02-26 JP JP60036972A patent/JPS61196559A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63151055A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Matsushita Electronics Corp | 複合型半導体装置 |
| JP2003264265A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JP2010032510A (ja) * | 2008-07-21 | 2010-02-12 | Robert Bosch Gmbh | 半導体構成素子のためのケーシング |
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