JPH0219703B2

JPH0219703B2 -

Info

Publication number: JPH0219703B2
Application number: JP13603782A
Authority: JP
Inventors: Hideo Tsunoda
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1982-08-04
Filing date: 1982-08-04
Publication date: 1990-05-02
Also published as: JPS5925576A

Description

【発明の詳細な説明】［発明の技術分野］この発明は、たとえば直流モータの速度制御な
どに用いるスイツチングレギユレータに関する。

［発明の技術的背景とその問題点］一般に、直流モータの速度制御を行なう場合、
スイツチングレギユレータが用いられる。

このスイツチングレギユレータは、コイルとコ
ンデンサからなる共振回路、およびこの共振回路
を励起するためのスイツチング半導体を備え、こ
のスイツチング半導体のオン、オフ駆動と、その
オン、オフのデユーテイ設定とにより、可変レベ
ルの電圧を出力することができる。たとえば、特
開昭56−150968号公報に示されるもの、あるいは
第１図に示すものがある。

第１図において、Einは直流電源で、その直流
電源Einの電圧をコイルLpとコンデンサＣからな
る共振回路に印加している。そして、コンデンサ
Ｃに対し、スイツチング半導体たとえばNPN型
トランジスタQ₁のコレクタ・エミツタ間、およ
びダンパダイオードD₁をそれぞれ並列に接続し
ている。さらに、コイルLpに対し、インダクタ
ンスLlを介してダイオードD₂および平滑コンデ
ンサCsからなる整流回路を接続し、その整流回
路の出力端に負荷Ｒを接続している。

なお、LpおよびLlは、一次コイルおよび二次
コイルからなるトランスを等価的に示したもの
で、Lpが一次インダクタンス、Llが漏れインダ
クタンスである。また、負荷Ｒは、直流モータの
ダミー負荷である。

すなわち、トランジスタQ₁をオンすると、そ
のトランジスタQ₁のコレクタ電流icが第２図ａに
示すように徐々に増加し、同様にインダクタンス
Llに流れるインダクタ電流ilも第２図ｂに示すよ
うに徐々に増加する。そして、トランジスタQ₁
をオフすると、そのコレクタ電流ilが零になる
（厳密には零になるまでに時間遅れがある）。この
とき、インダクタ電流ilはそのまま流れようと
し、やがて零まで減衰する。一方、コンデンサＣ
の端子電圧Vcは第２図ｃに示すようにトランジ
スタQ₁のオフと同時に急激に上昇し、飽和点に
到達後、徐々に減少する。この場合、コイルLp
に流れる電流ipは一度はコレクタ電流icと同一方
向に流れるが、コンデンサＣの端子電圧Vcが飽
和すると逆方向に放電を開始する。この放電によ
つてコンデンサＣの端子電圧Vcが零付近になる
と、第２図ｄに示すようにコイル電流ipは最大値
となり、また元の方向に流れ出す。端子電圧Vc
が零になると、インダクタ電流ilは第２図ｂに示
すようにまた徐々に流れ出す。

こうして、トランジスタQ₁をオン、オフ駆動
することにより、コイルLpとコンデンサＣから
なる共振回路が励起され、インダクタ電流ilに応
じた所定レベルの電圧が整流および平滑され、負
荷Ｒに供給される。

このスイツチングレギユレータにおいて、出力
電圧（負荷Ｒへの供給電圧）のレベルを変化させ
るには、第３図ｃに示すような三角波電圧を発生
させ、その三角波電圧と基準電圧Ｈとをコンパレ
ータで比較することにより第３図ｂに示すような
電圧パルスを得、その電圧パルスをスイツチング
信号としてトランジスタQ₁に印加する。そして、
基準電圧Ｈのレベルを調節し、電圧パルスのオ
ン、オフデユーテイ（高レベル期間と零レベル期
間の比）を変化させればよい。

すなわち、基準電圧Ｈのレベルを下げれば電圧
パルスのオフ期間W₂が長くなり、それに伴つて
共振回路の電圧（コンデンサＣの端子電圧Vc、
またはトランジスタQ₁のコレクタ・エミツタ間
電圧）の波形幅W₁が長くなり、出力電圧のレベ
ルが高まる。逆に、基準電圧Ｈのレベルを上げれ
ば電圧パルスのオフ期間W₂が短くなり、それに
伴つて共振回路の電圧（以下、共振電圧と称す）
の波形幅W₁が短くなり、出力電圧のレベルが下
がる。

ところで、このスイツチングレギユレータにお
いて、トランジスタQ₁のオンは、トランジスタ
Q₁の保護の上から、また効率向上やノイズ低減
の面から、共振電圧が零レベルのときに行なうの
が最適である。

しかしながら、負荷Ｒの大きさが変動すると、
インダクタ電流ilが変化し、共振電圧の波形幅
W₁が変化する。

たとえば、負荷Ｒが大きくなると、インダクタ
電流ilが増加し、それに伴つて共振電圧の波形幅
W₁が長くなる。この場合の共振電圧の波形を第
４図に示す。

こうして、共振電圧の波形幅W₁が長くなると、
共振電圧が零レベルまで下がらないうちにトラン
ジスタQ₁がオンする事態が生じ、効率の低下や
ノイズの増大を招き、最悪の場合はトランジスタ
Q₁の破壊を生じる。

また、負荷Ｒが大きくなると、インダクタ電流
ilが減少し、共振電圧の波形は第５図に示すよう
に零レベルの近傍まで一旦下がつて再び上昇する
不良波形となる。

この場合、共振電圧が再び上昇したときにトラ
ンジスタQ₁がオンする事態が生じ、上記同様に
効率の低下やノイズの増大を招き、最悪の場合は
トランジスタQ₁の破壊を生じる。

［発明の目的］この発明は上記のような事情に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、負荷の変動に
かかわらずスイツチング半導体の最適なオンタイ
ミングを確保することができ、これによりスイツ
チング半導体の破壊を未然に防止し、しかも常に
高効率および低ノイズの電圧出力を可能とするス
イツチングレギユレータを提供することにある。

［発明の概要］この発明は、コイルとコンデンサからなる共振
回路、この共振回路を励起するためのスイツチン
グ半導体を備え、このスイツチング半導体をオ
ン、オフ駆動することにより所定の電圧を出力す
るスイツチングレギユレータにおいて、スイツチ
ング半導体のオフからオンへの変化時における共
振回路の電圧波形が立上がりであるか立下がりで
あるかを検出する波形検出手段と、スイツチング
半導体の温度の上昇を検出する温度検出手段と、
この温度検出手段及び波形検出手段の出力を入力
し、スイツチング半導体の温度上昇を温度検出手
段が検出したときに、波形検出手段が共振回路の
電圧波形の立上がりであることを検出した場合、
スイツチング半導体のオン、オフ周波数を小さく
なるように制御し、波形検出手段が共振回路の電
圧波形の立下がりであることを検出した場合、ス
イツチング半導体のオン、オフ周波数を大きくな
るように制御するオン、オフ制御手段とを備えた
スイツチングレギユレータである。

［発明の実施例］以下、この発明の一実施例について図面を参照
して説明する。

第６図において、１は交流電源で、その電源１
に主回路１０を接続する。この主回路１０は、電
源１の交流電圧を直流に変換し、その直流電圧を
スイツチングによつて所定周波数および電圧の交
流に変換し、それを整流し、駆動電力として直流
モータ２に供給するものである。

また、９０は主制御部であるところのマイクロ
コンピユータで、このマイクロコンピユータ９０
に駆動制御部３０、回転数設定部１００、温度検
出回路１１０、波形検出回路１２０を接続する。

駆動制御部３０は、マイクロコンピユータ９０
からの指令に応じて主回路１０をスイツチング駆
動するものである。

回転数設定部１００は、モータ２の回転数を設
定するためのもので、設定データはマイクロコン
ピユータ９０に供給される。

温度検出回路１１０は、主回路１０におけるス
イツチング半導体の温度を検出するもので、検出
データはマイクロコンピユータ９０に供給され
る。

波形検出回路１２０は、主回路１０における共
振回路の電圧波形が立上がりであるか立下がりで
あるかを検出するもので、検出データはマイクロ
コンピユータ９０に供給される。

このスイツチングレギユレータの詳細な回路を
第７図に示す。

主回路１０は、交流電源１の電源電圧をサージ
入力抑制用のフイルタ１１を介してダイオードブ
リツジ１２に取込み、そのダイオードブリツジ１
２の整流出力を抵抗１３を介して平滑コンデンサ
１４に供給している。さらに、平滑コンデンサ１
４に対し、トランス１５の一次コイル１５ａとコ
ンデンサ１６からなる直列共振回路を接続し、そ
のコンデンサ１６に対しスイツチング半導体たと
えばNPN型トランジスタ１７のコレクタ・エミ
ツタ間、およびダンパダイオード１８をそれぞれ
並列に接続している。そして、トランス１５の二
次コイル１５ｂにダイオード１９、コイル２０、
および平滑コンデンサ２１からなる整流回路を接
続し、その整流回路の出力電圧を直流モータ（負
荷）２に供給するようにしている。また、後述の
駆動回路６０から供給される電圧パルスを抵抗２
２を介して抵抗２３に取込み、その抵抗２３に生
じる電圧を上記トランジスタ１７のベース・エミ
ツタ間に印加している。

すなわち、トランジスタ１７がオン、オフする
と、一次コイル１５ａとコンデンサ１６の共振回
路が励起され、一次コイル１５ａに高周波電流が
流れる。そして、高周波電流に基づいて二次コイ
ル１５ｂに所定周波数および電圧の交流が生じ、
その交流電圧がダイオード１９、コイル２０、お
よび平滑コンデンサ２１で整流され、出力電圧と
なる。

駆動制御部３０は、積分回路４０、信号処理回
路５０、駆動回路６０、信号伝達回路７０、基準
電圧発生回路８０からなる。

ここで、積分回路４０は、直流電圧Vddをコン
デンサ４１に取込み、このコンデンサ４１の電圧
を抵抗４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄおよびコ
ンデンサ４３の直列回路に印加する。そして、
PNP型トランジスタ４４ａのエミツタ・コレク
タ間と抵抗４５ａとの直列回路を上記抵抗４２ａ
に対して並列に接続し、PNP型トランジスタ４
４ｂのエミツタ・コレクタ間と抵抗４５ｂとの直
列回路を上記抵抗４２ａ，４２ｂに対して並列に
接続し、PNP型トランジスタ４４ｃのエミツ
タ・コレクタ間と抵抗４５ｃとの直列回路を上記
抵抗４２ａ，４２ｂ，４２ｃに対して並列に接続
する。さらに、トランジスタ４４ａ，４４ｂ，４
４ｃのベースに信号伝達回路７０からの出力信号
Ａ，Ｂ，Ｃをそれぞれ印加する。そして、コンデ
ンサ４３の電圧を出力として信号処理回路５０に
供給する。

すなわち、信号Ａ，Ｂ，Ｃに応じてトランジス
タ４４ａ，４４ｂ，４４ｃが選択的にオンするこ
とにより、出力電圧の時定数が変化する。

信号処理回路５０は、積分回路４０と共に発振
回路を構成しており、積分回路４０の出力電圧を
取込んで所定周波数の三角波電圧を発生する。ま
た、信号処理回路５０は、駆動回路６０と共にパ
ルス電圧発生回路を構成しており、上記発生した
三角波電圧と基準電圧発生回路８０からの基準電
圧Ｈとを比較し、その比較出力によつて駆動回路
６０を制御し、その駆動回路６０において所定パ
ルス幅の電圧パルスを発生させる。

駆動回路６０は、直流電圧Vddをコンデンサ６
１に取込み、そのコンデンサ６１の電圧をNPN
型トランジスタ６２のコレクタ・エミツタ間を介
してパルストランス６３の一次コイルに印加する
とともに、コンデンサ６１の電圧を抵抗６４，６
５，６６の直列回路に印加する。さらに、抵抗６
４，６５の相互接続点を信号処理回路５０の出力
端に接続し、抵抗６６に生じる電圧をトランジス
タ６２のベース・エミツタ間に印加する。そし
て、パルストランス６３の二次コイルに生じる電
圧をスイツチング用の駆動信号として上記主回路
１０に供給する。なお、６７は安定化用のコンデ
ンサである。

すなわち、駆動回路６０は、信号処理回路５０
の出力端が高レベルのときにトランジスタ６２を
オンしてパルストランス６３の一次コイルに電流
を流し、信号処理回路５０の出力端が低レベルの
ときはトランジスタ６２をオフしてパルストラン
ス６３の一次コイルへの電流を遮断し、この通電
オン、オフによつてパルストランス６３の二次コ
イルに電圧パルスを発生する。

信号伝達回路７０は、マイクロコンピユータ９
０の出力ポートO₀，O₁，O₂にそれぞれインバー
タ回路７１ａ，７１ｂ，７１ｃの入力端を接続
し、そのインバータ回路７１ａ，７１ｂ，７１ｃ
の出力をそれぞれ抵抗７２ａ，７２ｂ，７２ｃを
介して取出し、信号Ａ，Ｂ，Ｃとして上記積分回
路４０に供給する。

基準電圧発生回路８０は、直流電圧Vddを抵抗
８１，８２，８３，８４，８５の直列回路に印加
し、抵抗８１，８２の相互接続点に得られる電圧
を基準電圧Ｈとして信号処理回路５０に供給す
る。さらに、抵抗８６ａとNPN型トランジスタ
８７ａのコレクタ・エミツタ間の直列回路を抵抗
８３，８４，８５に対して並列に接続し、抵抗８
６ｂとNPN型トランジスタ８７ｂのコレクタ・
エミツタ間の直列回路を抵抗８４，８５に対して
並列に接続し、抵抗８６ｃとNPN型トランジス
タ８７ｃのコレクタ・エミツタ間の直列回路を抵
抗８５に対して並列に接続する。そして、トラン
ジスタ８７ａ，８７ｂ，８７ｃのベースをマイク
ロコンピユータ９０の出力ポートO₃，O₄，O₅に
それぞれ接続する。

すなわち、マイクロコンピユータ９０の出力ポ
ートO₃，O₄，O₅の出力信号に応じてトランジス
タ８７ａ，８７ｂ，８７ｃが選択的にオンするこ
とにより、基準電圧Ｈのレベルが変化する。

温度検出回路１１０は、温度検出器としてサー
ミスタ１１０ａを有しており、そのサーミスタ１
１０ａを主回路１０におけるトランジスタ１７の
近傍に設けている。

波形検出回路１２０は、主回路１０におけるト
ランス１５の二次コイル１５ｂに生じる電圧を取
込むことにより、主回路１０における共振電圧
（コンデンサ１６の端子電圧、またはトランジス
タ１７のコレクタ・エミツタ間電圧）の波形が立
上がりであるか立下がりであるかを検出する。

マイクロコンピユータ１００は、回転数設定部
１００で設定される回転数に応じた３ビツトの信
号を出力ポートO₃，O₄，O₅から３ビツトの信号
を出力するとともに、温度検出回路１１０の検出
温度と波形検出回路１２０の検出結果とに応じた
３ビツトの信号を出力ポートO₀，O₁，O₂から出
力する。

つぎに、上記のような構成において動作を説明
する。

電源投入時、マイクロコンピユータ９０は、主
回路１０の回転定数を考慮して予め定めている所
定周波数の三角波電圧を発生させるべく、出力ポ
ートO₀，O₁，O₂から３ビツトの信号を出力する。
この出力信号は信号伝達回路７０で信号Ａ，Ｂ，
Ｃに変換され、積分回路４０に供給される。積分
回路４０は、信号Ａ，Ｂ，Ｃに応じた時定数を選
定し、その時定数をもつて変化する電圧を信号処
理回路５０に供給する。信号処理回路５０は、積
分回路４０の出力電圧を使つて所定周波数の三角
波電圧［第８図ｃの波形ａ］を発生する。

この場合、仮に出力ポートO₀，O₁，O₂の出力
信号が全て論理“０”であるとすれば、信号伝達
回路７０の信号Ａ，Ｂ，Ｃはインバータ回路７１
ａ，７１ｂ，７１ｃで反転されて全て論理“１”
となる。すると、積分回路４０において、トラン
ジスタ４４ａ，４４ｂ，４４ｃが全てオフとな
り、抵抗４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄの合成
抵抗値とコンデンサ４３の容量とに応じた時定数
が選定される。この時定数は一番大きい。

また、出力ポートO₀，O₁の出力信号が論理
“０”、出力ポートO₂の出力信号が論理“１”で
あるとすれば、信号伝達回路７０の信号Ａ，Ｂが
論理“１”、信号Ｃが論理“０”となる。このと
き、積分回路４０において、トランジスタ４４
ａ，４４ｂがオフ、トランジスタ４４ｃがオンと
なり、ほぼ抵抗４２ｄの抵抗値とコンデンサ４３
の容量とに応じた時定数が選定される。この時定
数は一番小さい。

そして、信号処理回路５０において発生する三
角波電圧は、基準電圧発生回路８０からの基準電
圧Ｈと比較され、その比較結果に応じたパルス幅
の電圧パルス［第８図ｂの実線波形］が駆動回路
６０において発生する。

駆動回路６０で発生した電圧パルスは、主回路
１０のトランジスタ１７に供給され、そのトラン
ジスタ１７をオン、オフ駆動する。

トランジスタ１７がオン、オフすると、一次コ
イル１５ａとコンデンサ１６からなる共振回路が
励起され、一次コイル１５ａに高周波電流が流れ
る。これにより、二次コイル１５ｂに所定周波数
および電圧の交流が生じ、その交流電圧が整流さ
れて直流モータ（負荷）２に供給される。この場
合、コンデンサ１６またはトランジスタ１７のコ
レクタ・エミツタ間に生じる共振電圧は、第８図
ａの波形ｄとなる。

直流モータ（負荷）２への供給電圧を変化させ
るには、回転数設定部１００の設定回転数を変え
ればよい。

設定回転数を変えると、マイクロコンピユータ
９０が出力ポートO₃，O₄，O₅の出力信号の状態
を変化させる。

この場合、出力ポートO₃，O₄，O₅の出力信号
が全て論理“０”であるとすれば、基準電圧発生
回路８０のトランジスタ８７ａ，８７ｂ，８７ｃ
が全てオフし、抵抗８２，８３，８４，８５の直
列回路に生じる電圧が基準電圧Ｈとなる。

また、出力ポートO₃，O₄の出力信号が論理
“０”、出力ポートO₅の出力信号が論理“１”で
あるとすれば、基準電圧発生回路８０のトランジ
スタ８７ａ，８７ｂがオフ、トランジスタ８７ｃ
がオンとなり、ほぼ抵抗８２，８３，８４の直列
回路に生じる電圧が基準電圧Ｈとなる。

このようにして基準電圧Ｈを変化させることに
より、駆動回路６０において発生する電圧パルス
のオン、オフデユーテイが変化し、そのオフ期間
W₂が長いほど、つまりトランジスタ１７のオフ
期間が長いほど、主回路１０の出力電圧が高ま
る。

ところで、大きな負荷の直流モータ２が接続さ
れると、共振電圧の波形幅W₁が長くなり、共振
電圧が零レベルまで下がらないうちに電圧パルス
が立上がつてトランジスタ１７がオンするという
事態が生じる。

このとき、トランジスタ１７はコレクタ・エミ
ツタ間電圧がかかつた状態でオンするため、発熱
して温度が上昇する。この温度上昇はサーミスタ
１１０ａの抵抗値変化として温度検出回路１１０
で検出され、その検出温度がマイクロコンピユー
タ９０に供給される。

また、共振電圧の波形が立上がりであるか立下
がりであるかが波形検出回路１２０で常に検出さ
れており、その検出結果がマイクロコンピユータ
９０に供給される。

マイクロコンピユータ９０は、温度検出回路１
１０の検出温度が所定以上となつた時は、マイク
ロコンピユータ９０は、主回路１０におけるスイ
ツチング半導体がオフからオンに変化した時に共
振回路の電圧波形が“立上がり”であるか“立下
がり”かを波形検出回路１２０の出力から読み取
る。そして、そのときの波形検出回路１２０の検
出結果が“立下がり”であれば、負荷Ｒが大きく
て共振電圧が零レベルにならないうちにトランジ
スタ１７がオンしたと判定し、出力ポートO₀，
O₁，O₂の出力信号により信号伝達回路７０に指
令を与えて積分回路４０の時定数を大きくする。
この場合、温度検出回路１１０の検出温度が高い
ほど時定数を大きくする。

積分回路４０の時定数が大きくなると、信号処
理回路５０において発生する三角波電圧の周波数
が低くなり、それに伴つて駆動回路６０において
発生する電圧パルスの周期T₁が長くなる。

こうして、電圧パルスの周期T₁が長くなれば、
その電圧パルスのオフ期間W₂も長くなり、電圧
パルスの立上がりタイミングつまりトランジスタ
１７のオンタイミングは共振電圧が零レベルまで
下がつた時点に対応するようになる。

したがつて、大きな負荷の直流モータ２が接続
されても、それにかかわらずトランジスタ１７の
最適なオンタイミングを確保することができ、こ
れによりトランジスタ１７の破壊を未然に防止
し、しかも常に高効率および低ノイズの電圧出力
が可能である。

また、上記とは逆に小さな負荷の直流モータ２
が接続されると、共振電圧は第８図ａの波形ｃお
よびその途中からの破線変化で示すように、零レ
ベルの近傍まで一旦下がつて再び上昇する不良波
形となり、共振電圧が＋EVとなつたときに電圧
パルスが立上がつてトランジスタ１７がオンする
という事態が生じる。

マイクロコンピユータ９０は、温度検出回路１
１０の検出温度が所定以上となつた時は、マイク
ロコンピユータ９０は、主回路１０におけるスイ
ツチング半導体がオフからオンに変化した時に共
振回路の電圧波形が“立上がり”であるか“立下
がり”かを波形検出回路１２０の出力から読み取
る。そして、そのときの波形検出回路１２０の検
出結果が“立上がり”であれば、負荷Ｒが小さく
て共振電圧が零レベルでないときにトランジスタ
１７がオンしたと判定し、出力ポートO₀，O₁，
O₂の出力信号により信号伝達回路７０に指令を
与えて積分回路４０の時定数を小さくする。この
場合、温度検出回路１１０の検出温度が高いほど
時定数を小さくする。

積分回路４０の時定数が小さくなると、信号処
理回路５０において発生する三角波電圧の周波数
が高くなり［第８図ｃの波形ａから波形ｂへと変
化］、それに伴つて駆動回路６０において発生す
る電圧パルスの周期が第８図ｂのようにT₁から
T₂へと短くなる。

こうして、電圧パルスの周期が短くなれば、そ
の電圧パルスのオフ期間も第８図ｂのようにW₂
からW₂′へと短くなり、電圧パルスの立上がりタ
イミングつまりトランジスタ１７のオンタイミン
グは共振電圧が零レベルの近傍に下がつた時点
（破線のように再び上昇する前）に対応する。

したがつて、負荷２の減小にかかわらずトラン
ジスタ１７の最適なオンタイミングを確保するこ
とができ、これによりトランジスタ１７の破壊を
未然に防止し、しかも常に高効率および低ノイズ
の電圧出力が可能である。

なお、上記実施例では、直流モータの速度制御
への適用について説明したが、可変電圧を必要と
するものであれば、他の装置にも適用可能であ
る。

また、本実施例においてスイツチング半導体の
温度上昇を、スイツチング半導体のオン、オフ周
波数の変更条件としているのは、共振回路の電圧
波形が“立上がり”か“立下がり”かの検出の容
易性、スイツチング半導体のオン、オフ周波数の
安定性等を考慮したものである。

すなわち、スイツチング半導体のオン、オフと
共振回路の電圧波形とがわずかにずれた状態では
共振回路の電圧波形の“立上がり”“立下がり”
を判別検出することは困難であり、また、スイツ
チング半導体のオン、オフを共振回路の電圧波形
に正確にマツチングさせた場合、負荷変動により
常にスイツチング半導体のオン、オフ周波数が変
更され、安定性に欠けるという問題がある。

これに対して、スイツチング半導体の温度上昇
をまねく状態ではスイツチング半導体のオフ、オ
ンと共振回路の電圧波形とのずれがある程度大き
くなつているため、共振回路の電圧波形の“立上
がり”“立下がり”の検出は極めて容易かつ正確
に検出できる。

また、スイツチング半導体は、温度上昇により
破壊されるものであり、温度上昇時にスイツチン
グ半導体のオン、オフと共振回路の共振周波数間
の“ずれ”を補正することでスイツチング半導体
は保護および効率の向上、低ノイズの達成は十分
可能である。

［発明の効果］以上述べたようにこの発明によれば、コイルと
コンデンサからなる共振回路を励起するためのス
イツチング半導体をオン、オフ駆動することによ
り所定の電圧を出力するスイツチングレギユレー
タにおいて、スイツチング半導体の温度上昇が検
出されたときに、スイツチング半導体のオフから
オンへの変化時における共振回路の電圧波形が立
上がりであれば、スイツチング半導体のオン、オ
フの周波数を小さくなるように制御し、共振回路
の電圧波形が立下がりであれば、スイツチング半
導体のオン、オフの周波数を小さくなるように制
御するため、負荷の変動にかかわらずスイツチン
グ半導体のオン、オフタイミングを共振回路の共
振電圧とマツチングさせることができ、これによ
りスイツチング半導体の破壊を未然に防止し、し
かも高効率で低ノイズの電圧出力を可能とするス
イツチングレギユレータを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のスイツチングレギユレータの一
例の構成を示す図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄは第１
図のスイツチングレギユレータの動作を説明する
ための信号波形図、第３図ａ，ｂ，ｃは第１図の
スイツチングレギユレータの出力電圧制御を説明
するための信号波形図、第４図および第５図はそ
れぞれ第１図のスイツチングレギユレータの共振
電圧波形の例を示す図、第６図はこの発明の一実
施例の全体的な構成を示す図、第７図は同実施例
の詳細な構成を示す図、第８図ａ，ｂ，ｃは同実
施例の動作を説明するための信号波形図である。２……負荷（直流モータ）、１０……主回路、
３０……駆動制御部、４０……積分回路、５０…
…信号処理回路、６０……駆動回路、７０……信
号伝達回路、８０……基準電圧発生回路、９０…
…マイクロコンピユータ、１１０……温度検出回
路、１２０……波形検出回路。

Claims

【特許請求の範囲】１コイルとコンデンサからなる共振回路、およ
びこの共振回路を励起するためのスイツチング半
導体を備え、このスイツチング半導体をオン、オ
フ駆動することにより所定の電圧を出力するスイ
ツチングレギユレータにおいて、前記スイツチング半導体のオフからオンへの変
化時における前記共振回路の電圧波形が立上がり
であるか立下がりであるかを検出する波形検出手
段と、前記スイツチング半導体の温度の上昇を検出す
る温度検出手段と、この温度検出手段の出力と前記波形検出手段の
出力を入力し、前記スイツチング半導体の温度が
上昇したことを前記温度検出手段が検出したとき
に、前記波形検出手段が前記共振回路の電圧波形
の立上がりであることを検出した場合、前記スイ
ツチング半導体のオン、オフの周波数を小さくな
るように制御し、前記波形検出手段が前記共振回
路の電圧波形の立下がりであることを検出した場
合、前記スイツチング半導体のオン、オフの周波
数を大きくなるように制御するオン、オフ制御手
段とを備えたことを特徴とするスイツチングレギ
ユレータ。