JPH02197532A - 金属電極からRuを回収する方法 - Google Patents
金属電極からRuを回収する方法Info
- Publication number
- JPH02197532A JPH02197532A JP1722889A JP1722889A JPH02197532A JP H02197532 A JPH02197532 A JP H02197532A JP 1722889 A JP1722889 A JP 1722889A JP 1722889 A JP1722889 A JP 1722889A JP H02197532 A JPH02197532 A JP H02197532A
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- Japan
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- ruthenium
- oxide
- titanium
- metal
- recovering
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- Pending
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- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明の方法は、Ruおよび、またはその酸化物を含む
被覆層を剥離し得られた剥離物を酸化性雰囲気中800
〜1200℃に加熱し、次に還元性雰囲気中700〜1
200℃でルテニウム酸化物を金属ルテニウムに還元し
た後、アルカリ性次亜塩素酸ナトリウム溶液で溶解し分
離する金属電極からRuを回収する方法に係るものであ
る。
被覆層を剥離し得られた剥離物を酸化性雰囲気中800
〜1200℃に加熱し、次に還元性雰囲気中700〜1
200℃でルテニウム酸化物を金属ルテニウムに還元し
た後、アルカリ性次亜塩素酸ナトリウム溶液で溶解し分
離する金属電極からRuを回収する方法に係るものであ
る。
(従来技術とその問題点)
近年、チタン等の金属基体上にチタン等の酸化物および
、ルテニウムまたは、および酸化ルテニウム被覆を設け
た不溶性電極が種々の電気化学の分野、特に食塩電解工
業における不溶性電極として大量に使用されている。
、ルテニウムまたは、および酸化ルテニウム被覆を設け
た不溶性電極が種々の電気化学の分野、特に食塩電解工
業における不溶性電極として大量に使用されている。
このような金属電極は、かなりの長寿命を有するもので
あるが、使用中に電極被覆が徐々に消耗、低活性化し、
一定の性能を維持できなくなった際には、新しい電極に
取り替える必要がある。
あるが、使用中に電極被覆が徐々に消耗、低活性化し、
一定の性能を維持できなくなった際には、新しい電極に
取り替える必要がある。
こうした使用済の金属電極には、尚相当量の高価なルテ
ニウムが被覆中に残存し、これを回収し有効利用するこ
とは工業上重要である。
ニウムが被覆中に残存し、これを回収し有効利用するこ
とは工業上重要である。
従来、この種の技術に関連するものとして特開昭51−
68493号にはRuまたはその化合物を含む難溶性物
質を処理してRuを回収する方法が示されている。
68493号にはRuまたはその化合物を含む難溶性物
質を処理してRuを回収する方法が示されている。
しかし、これらの方法は剥離物に対するアルカリ溶融塩
処理、酸化溶液溶解工程に複雑かつ長時間の処理を要す
る。
処理、酸化溶液溶解工程に複雑かつ長時間の処理を要す
る。
さらにルテニウムと金属酸化物を分離する際、金属水酸
化物が析出し効率が悪く工業的に最適なルテニウム回収
方法とは言えない。
化物が析出し効率が悪く工業的に最適なルテニウム回収
方法とは言えない。
(発明の目的)
本発明は叙上の事情に鑑みなされたもので、その目的は
金属電極から簡便かつ効率良くルテニウムを回収する方
法を提供することにある。
金属電極から簡便かつ効率良くルテニウムを回収する方
法を提供することにある。
(発明の構成)
本発明はRuを回収する方法において、金属電極基体上
のRuおよび、またはその酸化物を含む被覆層を剥離し
、得られた剥離物を酸化性雰囲気中800〜1200℃
に加熱し剥離物に随伴してくるチタン等の金属電極基体
を酸化するとともに、酸化チタン中から酸化ルテニウム
を析出させた後、還元性雰囲気中700〜1200℃で
加熱し、ルテニウム酸化物を金属ルテニウムに還元した
後アルカリ性次亜塩素酸ナトリウム液で溶解、分離しル
テニウムを回収することを特徴とするものである。
のRuおよび、またはその酸化物を含む被覆層を剥離し
、得られた剥離物を酸化性雰囲気中800〜1200℃
に加熱し剥離物に随伴してくるチタン等の金属電極基体
を酸化するとともに、酸化チタン中から酸化ルテニウム
を析出させた後、還元性雰囲気中700〜1200℃で
加熱し、ルテニウム酸化物を金属ルテニウムに還元した
後アルカリ性次亜塩素酸ナトリウム液で溶解、分離しル
テニウムを回収することを特徴とするものである。
剥離物を酸化性雰囲気中800〜1200℃に加熱する
と、剥離物に随伴してくる電極基体のチタンが酸化され
るとともに、酸化チタン中から酸化ルテニウムが析出し
てくる。
と、剥離物に随伴してくる電極基体のチタンが酸化され
るとともに、酸化チタン中から酸化ルテニウムが析出し
てくる。
酸化性雰囲気中での加熱により剥離物に随伴してくる電
極基体のチタンを酸化する理由は、金属状チタンの存在
する剥離物をそのまま還元性雰囲気中で処理すると金属
チタンがチタン酸化物の還元の役割をし、Ti0z +
’ri−27’ioに類する反応が生じ、チタン酸化物
の結晶構造をルテニウム金属と同様のヘキサゴナル型に
してしまい、その後の溶解でルテニウムを溶出しに<ク
シてしまう。
極基体のチタンを酸化する理由は、金属状チタンの存在
する剥離物をそのまま還元性雰囲気中で処理すると金属
チタンがチタン酸化物の還元の役割をし、Ti0z +
’ri−27’ioに類する反応が生じ、チタン酸化物
の結晶構造をルテニウム金属と同様のヘキサゴナル型に
してしまい、その後の溶解でルテニウムを溶出しに<ク
シてしまう。
酸化チタン中からの酸化ルテニウムの析出は、TiO□
−RuO7の相平衡に伴う析出ではないかと推察できる
。
−RuO7の相平衡に伴う析出ではないかと推察できる
。
温度は700〜1200℃が好ましい。700℃以下で
は金属チタンの酸化反応は起こるが酸化ルテニウムの析
出が起こらないためである。1200℃以上で加熱した
ものはルテニウム回収率が低くなるという実験結果に基
づいている。
は金属チタンの酸化反応は起こるが酸化ルテニウムの析
出が起こらないためである。1200℃以上で加熱した
ものはルテニウム回収率が低くなるという実験結果に基
づいている。
以下実施例と従来例について説明する。
(実施例)
チタン基体電極より剥離した二酸化ルテニウムを含む剥
離物(Ru 3.60wt%)500gを耐火ルツボに
入れ、大気中1000℃で1時間加熱した。
離物(Ru 3.60wt%)500gを耐火ルツボに
入れ、大気中1000℃で1時間加熱した。
常温まで冷却後、H2雰囲気中950℃で1時間加熱し
た。
た。
取り出した剥離物を、Na0H−NaCJO混合液に入
れ、金属ルテニウムを溶解した。
れ、金属ルテニウムを溶解した。
濾過分離により残渣と分離しRu液を回収したところ回
収率は94%であった。
収率は94%であった。
その他の結果(回収率)を表−1に示す。
(以下余白)
表−1
(従来例)
二酸化Ruと二酸化チタンの複合酸化物(Ru5、02
wt%)5kgをKOH+KNO,を用い800℃で融
解したところ、K OH8,4kg5K N O30,
9kgを要しRuの回収率は86%であった。
wt%)5kgをKOH+KNO,を用い800℃で融
解したところ、K OH8,4kg5K N O30,
9kgを要しRuの回収率は86%であった。
上記実施例及び従来例で明らかなように本発明の方法は
回収率が86〜94%と従来例に比較して高いことがわ
かる。
回収率が86〜94%と従来例に比較して高いことがわ
かる。
また従来例では溶融塩処理工程、酸性溶液溶解工程等の
複雑かつ長時間の処理を必要としていた。
複雑かつ長時間の処理を必要としていた。
(発明の効果)
以上詳述したように本発明によれば従来に比し、効率良
<Ruを金属電極より分離回収することができ、しかも
従来のように複雑かつ長時間の処理を必要としない為、
経済的にしかも短時間に回収することができるという効
果がある。
<Ruを金属電極より分離回収することができ、しかも
従来のように複雑かつ長時間の処理を必要としない為、
経済的にしかも短時間に回収することができるという効
果がある。
出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (1)
- 1、金属電極基体上のルテニウムおよび、またはその酸
化物を含む被覆層を剥離し、得られた剥離物を酸化性雰
囲気中800〜1200℃に加熱し剥離物に随伴してく
るチタン等の金属状態のものを酸化するとともに酸化チ
タン中から酸化ルテニウムを析出させた後、還元性雰囲
気中700〜1200℃で加熱し、ルテニウム酸化物を
金属ルテニウムに還元した後、アルカリ性、次亜塩素酸
ナトリウム溶液で溶解し分離することを特徴とする金属
電極からRuを回収する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1722889A JPH02197532A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 金属電極からRuを回収する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1722889A JPH02197532A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 金属電極からRuを回収する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02197532A true JPH02197532A (ja) | 1990-08-06 |
Family
ID=11938093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1722889A Pending JPH02197532A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 金属電極からRuを回収する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02197532A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002088494A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Furuya Kinzoku:Kk | 金属電極から白金族金属を回収する方法 |
| JP2002194581A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Furuya Kinzoku:Kk | 金属電極からの白金族金属の回収方法 |
| JP2002212650A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-31 | Furuya Kinzoku:Kk | 金属電極からの白金族金属の回収方法 |
| US6596583B2 (en) | 2000-06-08 | 2003-07-22 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming and integrated circuit structures containing ruthenium and tungsten containing layers |
| DE112007002803T5 (de) | 2006-11-21 | 2009-10-01 | Furuya Metal Co., Ltd. | Verfahren zur Rückgewinnung von Ruthenium |
| JP2012241198A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Dowa Holdings Co Ltd | 白金族金属を含有するブラストサンドからの白金族金属回収方法 |
| CN104561559A (zh) * | 2015-01-30 | 2015-04-29 | 贵研资源(易门)有限公司 | 从含钌废料中分离提纯钌的方法 |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1722889A patent/JPH02197532A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6596583B2 (en) | 2000-06-08 | 2003-07-22 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming and integrated circuit structures containing ruthenium and tungsten containing layers |
| US6833576B2 (en) | 2000-06-08 | 2004-12-21 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming and integrated circuit structures containing ruthenium and tungsten containing layers |
| US7253076B1 (en) * | 2000-06-08 | 2007-08-07 | Micron Technologies, Inc. | Methods for forming and integrated circuit structures containing ruthenium and tungsten containing layers |
| JP2002088494A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Furuya Kinzoku:Kk | 金属電極から白金族金属を回収する方法 |
| JP2002194581A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Furuya Kinzoku:Kk | 金属電極からの白金族金属の回収方法 |
| JP2002212650A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-31 | Furuya Kinzoku:Kk | 金属電極からの白金族金属の回収方法 |
| DE112007002803T5 (de) | 2006-11-21 | 2009-10-01 | Furuya Metal Co., Ltd. | Verfahren zur Rückgewinnung von Ruthenium |
| US8454914B2 (en) | 2006-11-21 | 2013-06-04 | Furuya Metal Co., Ltd. | Method for recovering ruthenium |
| JP2012241198A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Dowa Holdings Co Ltd | 白金族金属を含有するブラストサンドからの白金族金属回収方法 |
| CN104561559A (zh) * | 2015-01-30 | 2015-04-29 | 贵研资源(易门)有限公司 | 从含钌废料中分离提纯钌的方法 |
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