JPH02197818A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH02197818A JPH02197818A JP10764289A JP10764289A JPH02197818A JP H02197818 A JPH02197818 A JP H02197818A JP 10764289 A JP10764289 A JP 10764289A JP 10764289 A JP10764289 A JP 10764289A JP H02197818 A JPH02197818 A JP H02197818A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電界効果形液晶表示素子の製造方法に関するも
のである。
のである。
電界効界形液晶表示素子の一つであるツィステッドネマ
チック形（ＴＮ形）液晶表示素子の一例を第２図に示す
、同図に示す液晶表示素子は、それぞれ透明なガラスな
どからなる第１の基板１と第２図の基板１′とが所定の
間隔、例えば５〜１５−でほぼ平行に配置され、その周
囲は１例えばフリットガラス、有機接着剤等からなる接
着部材２で封着され、これらによって形成される内部空
間にネマチック相液晶３が封入されている。所定の間隔
は、例えばファイバーガラス、ガラス粉末等のスペーサ
ー４によって得られる。なお、特別にスペーサー４を使
用せず、封着部材２をスペーサーとして兼用しても良い
。
チック形（ＴＮ形）液晶表示素子の一例を第２図に示す
、同図に示す液晶表示素子は、それぞれ透明なガラスな
どからなる第１の基板１と第２図の基板１′とが所定の
間隔、例えば５〜１５−でほぼ平行に配置され、その周
囲は１例えばフリットガラス、有機接着剤等からなる接
着部材２で封着され、これらによって形成される内部空
間にネマチック相液晶３が封入されている。所定の間隔
は、例えばファイバーガラス、ガラス粉末等のスペーサ
ー４によって得られる。なお、特別にスペーサー４を使
用せず、封着部材２をスペーサーとして兼用しても良い
。
上記第１及び第２の基板１．１′は、それぞれその対向
する内面上に所定のパターンの電極５゜５′が形成され
、更に液晶に接する面に、その面付近の液晶分子を所望
の一定方向に配向させる液晶配向制御面６，６′が形成
された液晶配向制御［７，７′が被膜されている。この
ような配向制御面６．６′はそれぞれ電極を有する基板
面上に例えば有機高分子物質の配向制御膜７，７′を被
膜しその表面を綿、布などで一定方向にこするいわゆる
ラビング処理を施すことなどにより作られる。
する内面上に所定のパターンの電極５゜５′が形成され
、更に液晶に接する面に、その面付近の液晶分子を所望
の一定方向に配向させる液晶配向制御面６，６′が形成
された液晶配向制御［７，７′が被膜されている。この
ような配向制御面６．６′はそれぞれ電極を有する基板
面上に例えば有機高分子物質の配向制御膜７，７′を被
膜しその表面を綿、布などで一定方向にこするいわゆる
ラビング処理を施すことなどにより作られる。
液晶配向方向に関して、第１の基板１の液晶配向制御面
６には第１の一定方向を、第２の基板１′の液晶配向制
御面６′には第２の一定方向をそれぞれ選びそれぞれの
方向を異ならせることにより、前記基板１．１′間に挾
持されたネマチック相液晶３の分子は、第１の方向から
第２の方向に向かってねじれて配向される。第１の方向
と第２の方向とのなす角度すなわち液晶分子のツイスト
角度は任意に選ばれるが、一般にはほぼ９０度が選ばれ
る。
６には第１の一定方向を、第２の基板１′の液晶配向制
御面６′には第２の一定方向をそれぞれ選びそれぞれの
方向を異ならせることにより、前記基板１．１′間に挾
持されたネマチック相液晶３の分子は、第１の方向から
第２の方向に向かってねじれて配向される。第１の方向
と第２の方向とのなす角度すなわち液晶分子のツイスト
角度は任意に選ばれるが、一般にはほぼ９０度が選ばれ
る。
基板１，１′の外側には、それぞれ第１の偏光板８及び
第２の偏光板８′が配置される。この場合２枚の偏光板
８．８′の偏光軸のなす角度は通常液晶分子のツイスト
角度（前記第１の方向と第２の方向とのなす角度）と同
じ角度又は、零度（すなわちそれぞれの偏光軸が平行で
ある）が選ばれる。そして通常液晶配向面配向方向と偏
光板の偏光軸とは互いに平行もしくは直交するよう配置
される。このような表示素子は、第１の基板側からみた
ときに正常の表示を行う場合、第２の偏光板８′の裏面
に反射体９を配置した反射形表示素子、又は更に第２の
偏光板と反射体９との間に所望の厚さのアクリル樹脂板
、ガラス板等の導光体を挿入し、その側面の適宜個所に
図示しない光源を配置した夜間用表示素子として広く利
用されている。
第２の偏光板８′が配置される。この場合２枚の偏光板
８．８′の偏光軸のなす角度は通常液晶分子のツイスト
角度（前記第１の方向と第２の方向とのなす角度）と同
じ角度又は、零度（すなわちそれぞれの偏光軸が平行で
ある）が選ばれる。そして通常液晶配向面配向方向と偏
光板の偏光軸とは互いに平行もしくは直交するよう配置
される。このような表示素子は、第１の基板側からみた
ときに正常の表示を行う場合、第２の偏光板８′の裏面
に反射体９を配置した反射形表示素子、又は更に第２の
偏光板と反射体９との間に所望の厚さのアクリル樹脂板
、ガラス板等の導光体を挿入し、その側面の適宜個所に
図示しない光源を配置した夜間用表示素子として広く利
用されている。
ここで液晶分子のツイスト角度９０度、２枚の偏光板８
．８′の偏光軸交差角度９０度の反射形の場合の液晶表
示素子の表示動作原理について説明する。今、液晶層に
電界が存在しないときは、外来光（この液晶表示素子の
第１の偏光板８へ入射する周囲光）はまず第１の偏光板
８を透過したときその偏光軸に沿った直線偏光光となり
液晶層３へ入射されるが、液晶分子は、その層の間で９
０度ツイストしているので液晶層を通過したときは、前
記偏光光の偏光面は９０度旋光され、第２の偏光板８′
を透過する。これが反射板９で反射され上記と逆の順序
で第２偏光板８′、液晶層３゜第１偏光板８を透過して
液晶表示素子外へ放射される。従って観察者には、液晶
表示素子に入射され、反射板で反射されて再び液晶表示
素子から出て来た偏光光を観察することが出来る。
．８′の偏光軸交差角度９０度の反射形の場合の液晶表
示素子の表示動作原理について説明する。今、液晶層に
電界が存在しないときは、外来光（この液晶表示素子の
第１の偏光板８へ入射する周囲光）はまず第１の偏光板
８を透過したときその偏光軸に沿った直線偏光光となり
液晶層３へ入射されるが、液晶分子は、その層の間で９
０度ツイストしているので液晶層を通過したときは、前
記偏光光の偏光面は９０度旋光され、第２の偏光板８′
を透過する。これが反射板９で反射され上記と逆の順序
で第２偏光板８′、液晶層３゜第１偏光板８を透過して
液晶表示素子外へ放射される。従って観察者には、液晶
表示素子に入射され、反射板で反射されて再び液晶表示
素子から出て来た偏光光を観察することが出来る。
このような表示素子において所定の選択された電極５．
５′に所定の電圧を印加し、液晶層の所定の領域に電界
を与えると、その領域における液晶分子は電界の方向に
沿って配向される。その結果、その領域においては液晶
分子の旋光能が失われるので、その領域では偏光面は旋
光しないため。
５′に所定の電圧を印加し、液晶層の所定の領域に電界
を与えると、その領域における液晶分子は電界の方向に
沿って配向される。その結果、その領域においては液晶
分子の旋光能が失われるので、その領域では偏光面は旋
光しないため。
第１の偏光板８で偏光された光は第２の偏光板８′で遮
断される。このため、観察者にはその領域は暗くみえる
。
断される。このため、観察者にはその領域は暗くみえる
。
なお、２枚の偏光板８．８′の偏光軸が平行の場合の液
晶表示素子にあっては、液晶層の電界の存在しないとこ
ろは暗く、電界の印加された領域は明るくみえる。
晶表示素子にあっては、液晶層の電界の存在しないとこ
ろは暗く、電界の印加された領域は明るくみえる。
従って、所望の選択された電極に電圧を印加することに
よって所望の表示を行うことができるのである。
よって所望の表示を行うことができるのである。
前記の如く、ツイスト構造の液晶表示素子では、両ガラ
ス基板間に封止される液晶はその液晶分子がガラス基板
面にほぼ平行に配向されるとともに。
ス基板間に封止される液晶はその液晶分子がガラス基板
面にほぼ平行に配向されるとともに。
液晶層において液晶分子が所定の角度、一般的にはほぼ
９０度のねじれをもつ様に配向される必要がある。この
液晶配向特性は液晶に対向する側のガラス基板面に形成
された配向制御面６，６′を有する配向制御膜７，７′
によって遂行される。
９０度のねじれをもつ様に配向される必要がある。この
液晶配向特性は液晶に対向する側のガラス基板面に形成
された配向制御面６，６′を有する配向制御膜７，７′
によって遂行される。
この配向制御膜７，７′の材質としては一般に有機高分
子が用いられている。さらにこの有機高分子として種々
のものが提案されているが、イミド環およびキナゾリン
環の少なくとも一方を含む有機高分子を用いたものは、
良好な配向制御力を有し、しかも高温処理によってもそ
の能力が低下しない配向制御膜が得られ優れたものであ
る。
子が用いられている。さらにこの有機高分子として種々
のものが提案されているが、イミド環およびキナゾリン
環の少なくとも一方を含む有機高分子を用いたものは、
良好な配向制御力を有し、しかも高温処理によってもそ
の能力が低下しない配向制御膜が得られ優れたものであ
る。
シール材２としては一般にフリットガラスまたは有機系
の接着剤が用いられる。そこでシール材２としてフリッ
トガラスを用いた場合、フリットガラスを溶解させるた
めには低融点フリットガラスを用いても約４００℃の高
温熱処理が必要となる。このため配向制御膜７．７′と
してたとえば耐熱性を有する前記イミド環°およびキナ
ゾリン環の少なくとも一方を含む有機高分子よりなる配
向制御膜７．７′を用いた場合、本来その有機高分子膜
が４００℃以上の耐熱性を有するものであってもガラス
基板１，１′と接する部分ではそれより低い温度で劣化
し、前記４００℃の熱処理で一定方向につけられた摩耗
溝が損傷するかあるいは高分子膜自体が揮散してしまい
、配向制御膜７．７′の液晶を配向させる性質が失なわ
れてしまう欠点があった。
の接着剤が用いられる。そこでシール材２としてフリッ
トガラスを用いた場合、フリットガラスを溶解させるた
めには低融点フリットガラスを用いても約４００℃の高
温熱処理が必要となる。このため配向制御膜７．７′と
してたとえば耐熱性を有する前記イミド環°およびキナ
ゾリン環の少なくとも一方を含む有機高分子よりなる配
向制御膜７．７′を用いた場合、本来その有機高分子膜
が４００℃以上の耐熱性を有するものであってもガラス
基板１，１′と接する部分ではそれより低い温度で劣化
し、前記４００℃の熱処理で一定方向につけられた摩耗
溝が損傷するかあるいは高分子膜自体が揮散してしまい
、配向制御膜７．７′の液晶を配向させる性質が失なわ
れてしまう欠点があった。
たとえば有機高分子膜としてポリイミドイソインドロキ
ナゾリンジオン膜（以下ＰＩＩＱ膜とよぶ）を用いた場
合、ＰＩ ＩＱ自体は熱天秤分析。
ナゾリンジオン膜（以下ＰＩＩＱ膜とよぶ）を用いた場
合、ＰＩ ＩＱ自体は熱天秤分析。
赤外分析などにより約４５０℃の耐熱性をもつことがわ
かっている。しかし、第２図の如くソーダガラス基板１
，１′に透明電極５．５′を形成し、その上に約１００
０人のＰＩＩＱ膜を形成し、布などでラビングして摩耗
溝をもうけて配向制御膜７．７′とした場合、約３５０
℃の熱処理で液晶分子を配向させる能力が失なわれた。
かっている。しかし、第２図の如くソーダガラス基板１
，１′に透明電極５．５′を形成し、その上に約１００
０人のＰＩＩＱ膜を形成し、布などでラビングして摩耗
溝をもうけて配向制御膜７．７′とした場合、約３５０
℃の熱処理で液晶分子を配向させる能力が失なわれた。
この熱劣化する部分はガラス基板１．１′と配向側Ｗ膜
７．７′が直接接触している部分である。
７．７′が直接接触している部分である。
一方シール材２として有機高分子系シール材を用いた場
合は、熱処理温度が比較的低いため耐熱性は大きな問題
とはならない。しかし有機高分子系シール材は水を透過
させるため、液晶表示素子に用いた場合、耐湿寿命が問
題となる。有機高分子を配向制御膜として用いた場合、
第２図において配向制御［７，７’とガラス基板１．１
′の加湿時の接着性が悪いため、配向制御膜７，７′と
ガラス基板１．１′の間にシール材２を通して外部より
浸透した水分が入りガラス基板１．１′の沿面抵抗を下
げる。このため液晶表示素子に電圧を印加して電極部を
点灯させたとき電極周辺の本来点灯すべきでない場所も
点灯するという不良現象（以下にじみ不良とよぶ）が発
生する。
合は、熱処理温度が比較的低いため耐熱性は大きな問題
とはならない。しかし有機高分子系シール材は水を透過
させるため、液晶表示素子に用いた場合、耐湿寿命が問
題となる。有機高分子を配向制御膜として用いた場合、
第２図において配向制御［７，７’とガラス基板１．１
′の加湿時の接着性が悪いため、配向制御膜７，７′と
ガラス基板１．１′の間にシール材２を通して外部より
浸透した水分が入りガラス基板１．１′の沿面抵抗を下
げる。このため液晶表示素子に電圧を印加して電極部を
点灯させたとき電極周辺の本来点灯すべきでない場所も
点灯するという不良現象（以下にじみ不良とよぶ）が発
生する。
たとえば、第２図の如くソーダガラス基板１．１′に透
明電極５．５′を形成し、その上に約１０００人のＰＩ
ＩＱ膜を形成し布などでラビングして摩耗溝をもうけて
配向制御１１１９７．７′とし、エポキシ系接着剤でシ
ールし、アゾキシ系の液晶を母体とし正の誘電異方性を
もつエステル系液晶を添加した液晶３を注入して素子を
構成し、この素子を７０℃、９５％の条件で加湿試験を
したところ、約５０時間でにじみ不良が発生した。これ
は通常の環境条件に換算すると６ケ月〜１ケ年の寿命で
あり実用上問題となる。
明電極５．５′を形成し、その上に約１０００人のＰＩ
ＩＱ膜を形成し布などでラビングして摩耗溝をもうけて
配向制御１１１９７．７′とし、エポキシ系接着剤でシ
ールし、アゾキシ系の液晶を母体とし正の誘電異方性を
もつエステル系液晶を添加した液晶３を注入して素子を
構成し、この素子を７０℃、９５％の条件で加湿試験を
したところ、約５０時間でにじみ不良が発生した。これ
は通常の環境条件に換算すると６ケ月〜１ケ年の寿命で
あり実用上問題となる。
本発明は上記従来の欠点に鑑みなされたもので、配向制
御膜の耐熱性およびガラス基板との接着性の向上を図り
得る液晶表示素子の製造方法を提供することを目的とす
る。
御膜の耐熱性およびガラス基板との接着性の向上を図り
得る液晶表示素子の製造方法を提供することを目的とす
る。
上記目的゛を達成するために本発明においては、液晶表
示素子の製造方法において、下地膜としてガラス基板に
シリコンの有機溶液を塗布後焼成し酸化ケイ素膜を形成
し、この上に有機高分子膜を形成し、これをラビングす
ることにより配向制御膜を形成するものである。
示素子の製造方法において、下地膜としてガラス基板に
シリコンの有機溶液を塗布後焼成し酸化ケイ素膜を形成
し、この上に有機高分子膜を形成し、これをラビングす
ることにより配向制御膜を形成するものである。
（作用〕
上記のようにすれば、各膜厚調整が容易で、均一な勝を
得ることが出来るので、配向制御膜の耐熱性およびガラ
ス基板との接着性の向上を、基板の大きさに拘らず量産
性良く安価に達成出来る。
得ることが出来るので、配向制御膜の耐熱性およびガラ
ス基板との接着性の向上を、基板の大きさに拘らず量産
性良く安価に達成出来る。
以下本発明を図示の実施例に基づき説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面Ｖである。
なお第２図と同じまたは相当部材には同じ符号を付しそ
の説明を省略する。又、偏光板及び反射体は省略する。
の説明を省略する。又、偏光板及び反射体は省略する。
第１図に示すようにガラス基板１．１′と透明電極５，
５′の間に金属酸化物の下地ｆｉＩ！！１０．１０′を
形成し、その上に有機高分子よりなる配向制御膜７，７
′を形成してなる。このように下地［１０，１０′を形
成することにより配向制御膜７．７′の耐熱性およびガ
ラス基板１．１′との接着性が向上する。前記下地膜１
ｏ、１０′の形成法としては、周知の方法、たとえば蒸
着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、溶液に浸漬した後に焼成
する浸漬法および回転塗布した後に焼成する回転塗布法
などによって形成する。
５′の間に金属酸化物の下地ｆｉＩ！！１０．１０′を
形成し、その上に有機高分子よりなる配向制御膜７，７
′を形成してなる。このように下地［１０，１０′を形
成することにより配向制御膜７．７′の耐熱性およびガ
ラス基板１．１′との接着性が向上する。前記下地膜１
ｏ、１０′の形成法としては、周知の方法、たとえば蒸
着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、溶液に浸漬した後に焼成
する浸漬法および回転塗布した後に焼成する回転塗布法
などによって形成する。
最初にフリットシールした液晶表示素子について前記下
地膜１０．１０’の材料として２〜３の金属酸化物につ
いて実験した結果を説明する。
地膜１０．１０’の材料として２〜３の金属酸化物につ
いて実験した結果を説明する。
実施例１
ソーダガラス基板にアルコールを主体とする溶剤に水酸
化シリコンを希釈した溶液中に浸漬し、引き上げた後５
００℃で焼成して約１５００人の酸化ケイ素膜を形成し
た後透明電極を形成し、その上に約１０００人のＰＩＩ
Ｑ配向制御膜を形成した。
化シリコンを希釈した溶液中に浸漬し、引き上げた後５
００℃で焼成して約１５００人の酸化ケイ素膜を形成し
た後透明電極を形成し、その上に約１０００人のＰＩＩ
Ｑ配向制御膜を形成した。
実施例２
ソーダガラス基板を約３００℃に加熱し、１ｘ１、０−
’ｔｏｒｒ以下の圧力で二酸化ケイ素を蒸着源とし電子
ビーム蒸着を行ない約１５００人の酸化ケイ素膜を形成
した後、その上に透明電極を形成し、さらにその上に約
１０００人のＰＩＩＱ配向制御膜を形成した。
’ｔｏｒｒ以下の圧力で二酸化ケイ素を蒸着源とし電子
ビーム蒸着を行ない約１５００人の酸化ケイ素膜を形成
した後、その上に透明電極を形成し、さらにその上に約
１０００人のＰＩＩＱ配向制御膜を形成した。
実施例３
ソーダガラス基板をアルコールを主体とする溶剤に水酸
化シリコンと水酸化アルミニウムを希釈しその固形分濃
度比が５＝１であるようにした溶液中に浸漬し、引き上
げた後５００℃で焼成して約１０００人の酸化ケイ素と
酸化アルミニウムの混合物よりなる膜を形成した後透明
電極を形成し、その上に約１０００人のＰＩＩＱ配自制
御膜を形成した。
化シリコンと水酸化アルミニウムを希釈しその固形分濃
度比が５＝１であるようにした溶液中に浸漬し、引き上
げた後５００℃で焼成して約１０００人の酸化ケイ素と
酸化アルミニウムの混合物よりなる膜を形成した後透明
電極を形成し、その上に約１０００人のＰＩＩＱ配自制
御膜を形成した。
実施例４
ソーダガラス基板をアルコールを主体とする溶剤に塩化
チタンを希釈した溶液中に浸漬し、引き上げた後に５０
０℃で焼成して約８００人の酸化チタン膜を形成した後
透明電極を形成し、その上に約１ｏｏｏ人のＰＩＩＱ配
向制御膜を形成した。
チタンを希釈した溶液中に浸漬し、引き上げた後に５０
０℃で焼成して約８００人の酸化チタン膜を形成した後
透明電極を形成し、その上に約１ｏｏｏ人のＰＩＩＱ配
向制御膜を形成した。
実施例５
ソーダガラス基板をアルコールを主体とする溶剤に水酸
化シリコンを希釈した溶液中に浸漬し、引き上げた後に
５００℃で焼成し約１０００人の酸化ケイ素膜を形成し
た後透明電極を形成し、その上に約１５００人のＩ）
Ｉ Ｉ Ｑ配向制御膜を形成した。
化シリコンを希釈した溶液中に浸漬し、引き上げた後に
５００℃で焼成し約１０００人の酸化ケイ素膜を形成し
た後透明電極を形成し、その上に約１５００人のＩ）
Ｉ Ｉ Ｑ配向制御膜を形成した。
このように前記実施例１〜５によって形成されたＰＩＩ
Ｑの耐熱性は約４５０℃付近まで液晶分子を配向させる
能力を失なわなかった。
Ｑの耐熱性は約４５０℃付近まで液晶分子を配向させる
能力を失なわなかった。
そこで、シール材６として低融点フリットガラスを用い
、フリットガラスの組成として、たとえばに３；ｒ、Ｏ
ｓ ： ２８ｍｏＱ％、ＰｂＯ：６１ｍｏＱ％、Ｚｎｏ
：５ｍｏｎ％、ＣｕＯ：５ｍｏＲ％、ＢｉｚＯａ：１
ｒａｏ Ｑ％を基本組成とし、前記基本組成１００重量
部に対して５ｉＯｚ：１，５重量部、ＡΩ２０８：２．
０重量部混合したものを使用した場合は、４００℃で３
０分間焼成してガラス基板１．２をシールする必要があ
る。前記の如〈従来例では約３５０℃の加熱で液晶分子
の配向が乱れたのに対し、本実施例による配向制御膜を
用いた場合は４５０℃の加熱でも配向性は損われない。
、フリットガラスの組成として、たとえばに３；ｒ、Ｏ
ｓ ： ２８ｍｏＱ％、ＰｂＯ：６１ｍｏＱ％、Ｚｎｏ
：５ｍｏｎ％、ＣｕＯ：５ｍｏＲ％、ＢｉｚＯａ：１
ｒａｏ Ｑ％を基本組成とし、前記基本組成１００重量
部に対して５ｉＯｚ：１，５重量部、ＡΩ２０８：２．
０重量部混合したものを使用した場合は、４００℃で３
０分間焼成してガラス基板１．２をシールする必要があ
る。前記の如〈従来例では約３５０℃の加熱で液晶分子
の配向が乱れたのに対し、本実施例による配向制御膜を
用いた場合は４５０℃の加熱でも配向性は損われない。
このようにフリットガラスを用いた場合、従来例では良
好な表示品質を有する液晶表示素子が得られなかったの
に対し１本実施例では良好な表示品質を達成することが
できた。
好な表示品質を有する液晶表示素子が得られなかったの
に対し１本実施例では良好な表示品質を達成することが
できた。
次に有機高分子系接着剤でシールした液晶表示素子の場
合について説明する。
合について説明する。
実施例６
ソーダガラス基板をアルコールを主体とする溶剤に水酸
化シリコンを希釈した溶液中に浸漬し、引き上げた後に
５００℃で焼成して約１５００人の酸化ケイ素膜を形成
した後透明電極を形成し、その上にＰＩＩＱ配向制御膜
を形成する。その後エポキシ系接着剤でシールし、アゾ
キシ系液晶を母体として正の誘電異方性をもつエステル
系液晶を添加した液晶材料を注入して液晶表示素子を形
成した。
化シリコンを希釈した溶液中に浸漬し、引き上げた後に
５００℃で焼成して約１５００人の酸化ケイ素膜を形成
した後透明電極を形成し、その上にＰＩＩＱ配向制御膜
を形成する。その後エポキシ系接着剤でシールし、アゾ
キシ系液晶を母体として正の誘電異方性をもつエステル
系液晶を添加した液晶材料を注入して液晶表示素子を形
成した。
実施例７
ソーダガラス基板を約３００℃に加熱しＩＸＩ、０″″
’ｔｏｒ＋・以下の圧力で二酸化ケイ素を蒸着源として
電子ビーム蒸着を行ない約」５００人の酸素ケイ素膜を
形成した後透明電極を形成し、その上にＰＩ ＩＱ配向
制御膜を形成する。その後エポキシ系接着剤でシールし
、アゾキシ系液晶を母体として正の誘電異方性をもつエ
ステル系液晶を添加した液晶材料を注入して液晶表示素
子を形成した。
’ｔｏｒ＋・以下の圧力で二酸化ケイ素を蒸着源として
電子ビーム蒸着を行ない約」５００人の酸素ケイ素膜を
形成した後透明電極を形成し、その上にＰＩ ＩＱ配向
制御膜を形成する。その後エポキシ系接着剤でシールし
、アゾキシ系液晶を母体として正の誘電異方性をもつエ
ステル系液晶を添加した液晶材料を注入して液晶表示素
子を形成した。
このように前記実施例６．７によって得られた液晶表示
索子を７０℃９５％の条件で加湿試験したところ３００
時間以上でもにじみ不良が発生しなかった、これは通常
の環境条件に換算すると５年以上の寿命に相当する。前
記したように従来例では１年以下の寿命であるのに対し
、本実施例で寿命が大巾に改良され、液晶表示素子を電
子式卓上計算機、電子時計などに応用する場合、実用上
問題とならない寿命時間となる。
索子を７０℃９５％の条件で加湿試験したところ３００
時間以上でもにじみ不良が発生しなかった、これは通常
の環境条件に換算すると５年以上の寿命に相当する。前
記したように従来例では１年以下の寿命であるのに対し
、本実施例で寿命が大巾に改良され、液晶表示素子を電
子式卓上計算機、電子時計などに応用する場合、実用上
問題とならない寿命時間となる。
上記実施例は配向制御膜にＰＸＸＱを用いた場合につい
て述べたが、次に配向制御膜としてポリイミドを用いた
実施例について説明する。
て述べたが、次に配向制御膜としてポリイミドを用いた
実施例について説明する。
実施例８
ソーダガラス基板をアルコールを主体とする溶剤に水酸
化シリコンを希釈した溶液中に浸漬し、引き上げた後５
００℃で焼成して約１５００人の酸化ケイ素膜を形成し
た後透明電極を形成し、その上に約１０００人のポリイ
ミド配向制御膜を形成した。
化シリコンを希釈した溶液中に浸漬し、引き上げた後５
００℃で焼成して約１５００人の酸化ケイ素膜を形成し
た後透明電極を形成し、その上に約１０００人のポリイ
ミド配向制御膜を形成した。
実施例９
ソーダガラス基板を約３００℃に加熱し、１×１０−ｆ
ｉｔｏｒｒ以下の圧力で二酸化ケイ素を蒸着源と（電子
ビーム蒸着を行ない約１０００人の酸化ケイ素膜を形成
した後、その上に透明電極を形成し、さらにその上に約
１０００人のポリイミド膜を形成した。このように前記
実施例８，９によって形成されたポリイミドの耐熱性は
約４５０℃付近まで液晶分子を配向させる能力を失わな
かった。なお実施例で示した酸化ケイ素下地膜がない場
合の耐熱性は約３５０℃であった。
ｉｔｏｒｒ以下の圧力で二酸化ケイ素を蒸着源と（電子
ビーム蒸着を行ない約１０００人の酸化ケイ素膜を形成
した後、その上に透明電極を形成し、さらにその上に約
１０００人のポリイミド膜を形成した。このように前記
実施例８，９によって形成されたポリイミドの耐熱性は
約４５０℃付近まで液晶分子を配向させる能力を失わな
かった。なお実施例で示した酸化ケイ素下地膜がない場
合の耐熱性は約３５０℃であった。
実施例１０
ソーダガラス基板をアルコールを主体とする溶剤に水酸
化シリコンを希釈した溶液中に浸漬し、引き上げた後５
００℃で焼成して約８００人の酸化ケイ素膜を形成した
後透明電極を形成し、その上に約８００人のポリイミド
配向制御膜を形成する。その後エポキシ系接着剤でシー
ルし、アゾキシ系液晶を母体として正の誘電異方性をも
つエステル系液晶を添加した液晶材料を注入して液晶表
示素子を形成した。
化シリコンを希釈した溶液中に浸漬し、引き上げた後５
００℃で焼成して約８００人の酸化ケイ素膜を形成した
後透明電極を形成し、その上に約８００人のポリイミド
配向制御膜を形成する。その後エポキシ系接着剤でシー
ルし、アゾキシ系液晶を母体として正の誘電異方性をも
つエステル系液晶を添加した液晶材料を注入して液晶表
示素子を形成した。
実施例１１
ソーダガラス基板を約３００℃に加熱しｌＸｌ０−’ｔ
ｏｒｒ以下の圧力で二酸化ケイ素を蒸着源とし電子ビー
ム蒸着を行ない約１３００人の酸化ケイ素膜を形成した
後透明電極を形成し、その上に約４００人のポリイミド
配向制御膜を形成する。その後エポキシ系接着剤でシー
ルし、アゾキシ系液晶を母体とし℃正の誘電異方性をも
つエステル系液晶を添加した液晶材料を注入して液晶表
示素子を形成した。
ｏｒｒ以下の圧力で二酸化ケイ素を蒸着源とし電子ビー
ム蒸着を行ない約１３００人の酸化ケイ素膜を形成した
後透明電極を形成し、その上に約４００人のポリイミド
配向制御膜を形成する。その後エポキシ系接着剤でシー
ルし、アゾキシ系液晶を母体とし℃正の誘電異方性をも
つエステル系液晶を添加した液晶材料を注入して液晶表
示素子を形成した。
このように前記実施例１０．１１によって得られた液晶
表示素子を７０″ｃ、９５％の条件で加湿試験したとこ
ろ３００時間以上でもにじみ不良が発生しなかった。
表示素子を７０″ｃ、９５％の条件で加湿試験したとこ
ろ３００時間以上でもにじみ不良が発生しなかった。
なお実施例で示した酸化ケイ素下地膜がない場合約５０
時間でにじみ不良が発生した。
時間でにじみ不良が発生した。
なお、上記実施例は一例を示したもので、下地膜７とし
ての金属酸化物は酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化
チタンを単独またはそれらの混合したものによって効果
が得られる。また配向制御［５として、上記実施例はＰ
ＩＩＱ及びポリイミドについて説明したが、有機高置・
子、その内でも特にイミド環およびキナゾリン環の少く
とも一方を含むものであればよい。また実験の結果５配
向制御膜５の膜厚は１００人〜５０００人、下地膜７の
膜厚は１０人〜１００μ膳の範囲内であれば素子として
十分であった。
ての金属酸化物は酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化
チタンを単独またはそれらの混合したものによって効果
が得られる。また配向制御［５として、上記実施例はＰ
ＩＩＱ及びポリイミドについて説明したが、有機高置・
子、その内でも特にイミド環およびキナゾリン環の少く
とも一方を含むものであればよい。また実験の結果５配
向制御膜５の膜厚は１００人〜５０００人、下地膜７の
膜厚は１０人〜１００μ膳の範囲内であれば素子として
十分であった。
以上の説明から明らかな如く、本発明になる液晶表示素
子の製造方法はガラス基板の上に酸化ケイ素よりなる下
地膜を形成し、その上に透明電極および有機高分子より
なる配向制御膜を形成しでなるので、配向制御膜の耐熱
性およびガラス基板との接着性が向上する。また前記の
如くド地膜はガラス基板と透明電極の間に形成されてい
るので、電圧降下がなく、電圧−輝度特性の立上りおよ
び応答性を害さない、また電極に電托を印加した時、電
極エッチ部の一部で電界方向が垂直でないために液晶分
子の初期傾斜角と反対方向に立ち上がる現象が電極エツ
ジ部で発生し、これにより電極のエッチ部に視野角の異
なる部分が生じ、４表示品質が劣化する、いわゆるエツ
ジドメインが特に大きくなることもない。
子の製造方法はガラス基板の上に酸化ケイ素よりなる下
地膜を形成し、その上に透明電極および有機高分子より
なる配向制御膜を形成しでなるので、配向制御膜の耐熱
性およびガラス基板との接着性が向上する。また前記の
如くド地膜はガラス基板と透明電極の間に形成されてい
るので、電圧降下がなく、電圧−輝度特性の立上りおよ
び応答性を害さない、また電極に電托を印加した時、電
極エッチ部の一部で電界方向が垂直でないために液晶分
子の初期傾斜角と反対方向に立ち上がる現象が電極エツ
ジ部で発生し、これにより電極のエッチ部に視野角の異
なる部分が生じ、４表示品質が劣化する、いわゆるエツ
ジドメインが特に大きくなることもない。
図は液晶表示素子を示し、第１図は従来例の断面図、第
２図は本発明製造方法の一実施例による液晶表示素子を
示す断面図である。 １．１′・・・ガラス基板、５．５′・・・透明電極、
７．７′・・・配向制御膜、２・・・シール材、１０．
１０′・・・下地膜。 Ｍ１図
２図は本発明製造方法の一実施例による液晶表示素子を
示す断面図である。 １．１′・・・ガラス基板、５．５′・・・透明電極、
７．７′・・・配向制御膜、２・・・シール材、１０．
１０′・・・下地膜。 Ｍ１図
Claims (1)
- １、液晶表示素子の製造方法において、下地膜として、
ガラス基板にシリコンの有機溶液を塗布後焼成し酸化ケ
イ素膜を形成し、この上に有機高分子膜を形成し、これ
をラビングすることにより配向制御膜を形成することを
特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10764289A JPH02197818A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10764289A JPH02197818A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 液晶表示素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP118078A Division JPS5495264A (en) | 1978-01-11 | 1978-01-11 | Liquid crystal display element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02197818A true JPH02197818A (ja) | 1990-08-06 |
| JPH0529891B2 JPH0529891B2 (ja) | 1993-05-06 |
Family
ID=14464370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10764289A Granted JPH02197818A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02197818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006011436A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | 液晶封入用のガラス基板及びその製造方法、並びに、液晶表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333123A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Ig Tech Res Inc | 金属薄板材成形ロ−ル装置 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP10764289A patent/JPH02197818A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6333123A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Ig Tech Res Inc | 金属薄板材成形ロ−ル装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006011436A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | 液晶封入用のガラス基板及びその製造方法、並びに、液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529891B2 (ja) | 1993-05-06 |
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