JPH08136932A - 液晶に微少に傾斜した垂直配列を導入する方法、液晶電気光学素子及び液晶ライトバルブ - Google Patents
液晶に微少に傾斜した垂直配列を導入する方法、液晶電気光学素子及び液晶ライトバルブInfo
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- JPH08136932A JPH08136932A JP6274087A JP27408794A JPH08136932A JP H08136932 A JPH08136932 A JP H08136932A JP 6274087 A JP6274087 A JP 6274087A JP 27408794 A JP27408794 A JP 27408794A JP H08136932 A JPH08136932 A JP H08136932A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明の目的は、一工程の無機材料の斜方
蒸着によって液晶層に微小に傾斜した垂直配向を導入す
る方法を提供し、さらに、この方法を応用することによ
って、信頼性の高い液晶電気光学素子或いは液晶ライト
バルブを提供する事にある。 【構成】 図１に、本発明の一工程の無機材料の斜方蒸
着によって液晶層に微小に傾斜した垂直配向を導入する
方法の例を示す。配向膜は一工程の斜方蒸着によって形
成され、その基板に対して平行方向からみた入射角は４
５度以上７０度以下に、成膜時に蒸発源から基板と等距
離に垂直方向に設置した膜厚計によって計測した膜厚が
２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下となるように制御される。
液晶電気光学素子或いは液晶ライトバルブは、上記の配
向膜を用いる。
蒸着によって液晶層に微小に傾斜した垂直配向を導入す
る方法を提供し、さらに、この方法を応用することによ
って、信頼性の高い液晶電気光学素子或いは液晶ライト
バルブを提供する事にある。 【構成】 図１に、本発明の一工程の無機材料の斜方蒸
着によって液晶層に微小に傾斜した垂直配向を導入する
方法の例を示す。配向膜は一工程の斜方蒸着によって形
成され、その基板に対して平行方向からみた入射角は４
５度以上７０度以下に、成膜時に蒸発源から基板と等距
離に垂直方向に設置した膜厚計によって計測した膜厚が
２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下となるように制御される。
液晶電気光学素子或いは液晶ライトバルブは、上記の配
向膜を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶に微少に傾斜した
垂直配列を導入する方法に関するものである。垂直配列
を導入した液晶層は、電気光学素子の光変調層として用
いられる。特に、本発明は、画像投影装置、ビデオプロ
ジェクター等の高輝度画像投影装置に用いられる液晶ラ
イトバルブに応用した場合、利用価値が高い。
垂直配列を導入する方法に関するものである。垂直配列
を導入した液晶層は、電気光学素子の光変調層として用
いられる。特に、本発明は、画像投影装置、ビデオプロ
ジェクター等の高輝度画像投影装置に用いられる液晶ラ
イトバルブに応用した場合、利用価値が高い。
【０００２】
【従来の技術】液晶に垂直配列を導入する方法として
は、ＯＤＳ、ＤＭＯＡＰ等に代表される長鎖アルキルを
有するシランカップリング剤で表面を処理する方法、長
鎖アルコールや長鎖アミン等を表面に反応させる方法、
アルキル側鎖を有するポリイミド或いはポリアミド等の
高分子材料を被膜させる方法、等が知られている。これ
らの方法は、表面に露出する長鎖アルキル基と液晶分子
の相互作用によって、長鎖アルキル基の方位に沿って液
晶分子を整列させることで共通の手法である。
は、ＯＤＳ、ＤＭＯＡＰ等に代表される長鎖アルキルを
有するシランカップリング剤で表面を処理する方法、長
鎖アルコールや長鎖アミン等を表面に反応させる方法、
アルキル側鎖を有するポリイミド或いはポリアミド等の
高分子材料を被膜させる方法、等が知られている。これ
らの方法は、表面に露出する長鎖アルキル基と液晶分子
の相互作用によって、長鎖アルキル基の方位に沿って液
晶分子を整列させることで共通の手法である。
【０００３】これらを用いて、垂直配向を実現するにあ
たって、微少な傾斜を液晶配列に導入する必要がある
が、このためにシランカップリング剤で表面を処理する
方法や長鎖アルコールや長鎖アミン等を表面に反応させ
る方法に於いては、下地処理として一酸化珪素等を斜方
蒸着する、或いは酸化物を斜方からスパッタリングす
る、或いは基板を移動させながら酸化物をスパッタリン
グする、といった操作を行っている。
たって、微少な傾斜を液晶配列に導入する必要がある
が、このためにシランカップリング剤で表面を処理する
方法や長鎖アルコールや長鎖アミン等を表面に反応させ
る方法に於いては、下地処理として一酸化珪素等を斜方
蒸着する、或いは酸化物を斜方からスパッタリングす
る、或いは基板を移動させながら酸化物をスパッタリン
グする、といった操作を行っている。
【０００４】また、ポリイミドまたはポリアミド等を用
いる場合は、被膜を形成した後、布或いはバフ等によっ
てラビング処理を施している。さらに、特殊な方法とし
て、基板を斜めにセットした上で、これを回転させる機
構を組み込んだ蒸着装置を用い、回転の角速度を制御し
て入射方位に重み付けを行う、いわゆる回転斜方蒸着の
手法をもちいて、液晶分子の界面での傾斜を広範囲に制
御可能で、垂直に近い傾斜配向も実現され得るという報
告もなされている。（参考文献；K.Hiroshima:Japanese
journal of Applied Physics, 21,L761-L763(1982) ） 垂直配向を導入した液晶層は、ＥＣＢ効果を応用したカ
ラー表示等に用いる液晶電気光学素子に応用されてい
る。また、液晶ライトバルブは、米国特許３５９２５２
７等に開示されているように、典型的に光導電層、光反
射層、液晶層を組み合わせた形態のデバイスであり、特
に光変調層である液晶層として前記のネマティック液晶
を垂直配向させたＥＣＢモードを用いた液晶ライトバル
ブは、高いコントラストがえられるため、これを光増幅
のために用いた高輝度画像投影装置が製品化されてい
る。
いる場合は、被膜を形成した後、布或いはバフ等によっ
てラビング処理を施している。さらに、特殊な方法とし
て、基板を斜めにセットした上で、これを回転させる機
構を組み込んだ蒸着装置を用い、回転の角速度を制御し
て入射方位に重み付けを行う、いわゆる回転斜方蒸着の
手法をもちいて、液晶分子の界面での傾斜を広範囲に制
御可能で、垂直に近い傾斜配向も実現され得るという報
告もなされている。（参考文献；K.Hiroshima:Japanese
journal of Applied Physics, 21,L761-L763(1982) ） 垂直配向を導入した液晶層は、ＥＣＢ効果を応用したカ
ラー表示等に用いる液晶電気光学素子に応用されてい
る。また、液晶ライトバルブは、米国特許３５９２５２
７等に開示されているように、典型的に光導電層、光反
射層、液晶層を組み合わせた形態のデバイスであり、特
に光変調層である液晶層として前記のネマティック液晶
を垂直配向させたＥＣＢモードを用いた液晶ライトバル
ブは、高いコントラストがえられるため、これを光増幅
のために用いた高輝度画像投影装置が製品化されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】液晶に垂直配向を導入
する場合、完全に基板に垂直な配列を得る事は、前記の
従来用いられている方法によっても比較的たやすい。し
かしながら、完全な垂直配列の液晶層に電界を印加する
と、電界と液晶分子の負の誘電異方性とのカップリング
によるトルクによって液晶層内で変形が起こる場合に、
液晶分子の方位が規制されないため、分子の方位が異な
る複数の領域が混在した状態を生じ、その境界に回位線
が発生する。この回位線は直視型のディスプレイに於い
てもコントラストを低下させる要因となり、さらには高
輝度プロジェクター等に用いられる液晶ライトバルブに
応用した場合には、解像度、コントラスト、何れをも著
しく低下させてしまう。
する場合、完全に基板に垂直な配列を得る事は、前記の
従来用いられている方法によっても比較的たやすい。し
かしながら、完全な垂直配列の液晶層に電界を印加する
と、電界と液晶分子の負の誘電異方性とのカップリング
によるトルクによって液晶層内で変形が起こる場合に、
液晶分子の方位が規制されないため、分子の方位が異な
る複数の領域が混在した状態を生じ、その境界に回位線
が発生する。この回位線は直視型のディスプレイに於い
てもコントラストを低下させる要因となり、さらには高
輝度プロジェクター等に用いられる液晶ライトバルブに
応用した場合には、解像度、コントラスト、何れをも著
しく低下させてしまう。
【０００６】よって、前記したように、下地の異方性処
理を行ったり、ラビングによる後処理を行ったりして傾
斜した垂直配向を得ていた。しかしながら、下地の異方
性処理を行った上にカップリング処理を行う事は、明ら
かに煩雑な工程を経る必要があり、工業的には非常に問
題の多い方法であった。加えて、カップリング処理を施
された表面は接着剤との密着性が極端に低下し、結果的
に素子の信頼性を確保する事が困難となっていた。
理を行ったり、ラビングによる後処理を行ったりして傾
斜した垂直配向を得ていた。しかしながら、下地の異方
性処理を行った上にカップリング処理を行う事は、明ら
かに煩雑な工程を経る必要があり、工業的には非常に問
題の多い方法であった。加えて、カップリング処理を施
された表面は接着剤との密着性が極端に低下し、結果的
に素子の信頼性を確保する事が困難となっていた。
【０００７】また、ラビングによって微少な傾斜を導入
する方法は、垂直配向を与える配向膜材料は長鎖アルキ
ル基を側鎖に持つものであり、そのため膜が非常に軟ら
かく、ラビングによる条痕が生じやすく、ラビング条件
に対する要求が非常に厳しい。また、安定した傾斜を得
る事が困難で、さらにはラビングによるゴミの発生、付
着といったラビング工程自身が抱える問題も生じてい
た。
する方法は、垂直配向を与える配向膜材料は長鎖アルキ
ル基を側鎖に持つものであり、そのため膜が非常に軟ら
かく、ラビングによる条痕が生じやすく、ラビング条件
に対する要求が非常に厳しい。また、安定した傾斜を得
る事が困難で、さらにはラビングによるゴミの発生、付
着といったラビング工程自身が抱える問題も生じてい
た。
【０００８】回転斜方蒸着による方法は、非常に特殊な
装置を必要とする上に、回転中心が基板中央にある必要
があるため、処理枚数が真空工程１回につき１枚でしか
なく、さらには基板サイズが大きくなると中心と周辺の
差異が大きくなって配向の均一性が失われるなど、全く
工業的とは言いかねる手法である。
装置を必要とする上に、回転中心が基板中央にある必要
があるため、処理枚数が真空工程１回につき１枚でしか
なく、さらには基板サイズが大きくなると中心と周辺の
差異が大きくなって配向の均一性が失われるなど、全く
工業的とは言いかねる手法である。
【０００９】このため、一般には前二者の有機材料を用
いる方法が行われているのであるが、これらは前記した
ような製造上の課題の他に、有機材料を用いている事に
よる信頼性の不足が大きな問題となる。特に、液晶ライ
トバルブを高輝度画像投影装置へ応用する場合等に於い
ては、強力な読み出し光をもちいる必要がある。しか
し、液晶を垂直配向させるために一般に用いられる前記
の有機配向膜は、有機物であるが故に本質的に耐光性が
悪いため、強力な読み出し光を用いる高輝度画像投影装
置へ応用すると、液晶ライトバルブの寿命が極端に短く
なり、必然的に短期間での液晶ライトバルブの交換が必
要になる、といった課題が生じていた。
いる方法が行われているのであるが、これらは前記した
ような製造上の課題の他に、有機材料を用いている事に
よる信頼性の不足が大きな問題となる。特に、液晶ライ
トバルブを高輝度画像投影装置へ応用する場合等に於い
ては、強力な読み出し光をもちいる必要がある。しか
し、液晶を垂直配向させるために一般に用いられる前記
の有機配向膜は、有機物であるが故に本質的に耐光性が
悪いため、強力な読み出し光を用いる高輝度画像投影装
置へ応用すると、液晶ライトバルブの寿命が極端に短く
なり、必然的に短期間での液晶ライトバルブの交換が必
要になる、といった課題が生じていた。
【００１０】回転斜方蒸着を用いれば、耐光性は確保さ
れるものの、工業的には応用する事が困難な事は前記の
通りである。
れるものの、工業的には応用する事が困難な事は前記の
通りである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで、この発明は、垂
直配向を導入する液晶配向膜を、無機物を基板の法線方
向から傾斜した方向から真空蒸着によって形成し、該配
向膜の形成される条件は基板に平行な方向からみた入射
角ψ（度）が４５度以上７０度以下であり、且つ成膜時
に蒸発源から基板と等距離に垂直方向に設置した膜厚計
によって計測した膜厚ｄ（ｎｍ）が２０以上５００以下
とする事により形成した。
直配向を導入する液晶配向膜を、無機物を基板の法線方
向から傾斜した方向から真空蒸着によって形成し、該配
向膜の形成される条件は基板に平行な方向からみた入射
角ψ（度）が４５度以上７０度以下であり、且つ成膜時
に蒸発源から基板と等距離に垂直方向に設置した膜厚計
によって計測した膜厚ｄ（ｎｍ）が２０以上５００以下
とする事により形成した。
【００１２】本発明の方法は、カップリング剤を用いる
場合の下地処理と同等の工程であるところの斜方蒸着を
一回行うのみで、微少に傾斜した垂直配向を実現する画
期的な方法である。また、上記の配向方法を用いた信頼
性の高い液晶電気光学素子を実現し、特に高輝度プロジ
ェクター等に応用可能な液晶ライトバルブを実現した。
場合の下地処理と同等の工程であるところの斜方蒸着を
一回行うのみで、微少に傾斜した垂直配向を実現する画
期的な方法である。また、上記の配向方法を用いた信頼
性の高い液晶電気光学素子を実現し、特に高輝度プロジ
ェクター等に応用可能な液晶ライトバルブを実現した。
【００１３】
【作用】上記の方法を用いる事により、簡便な単一の工
程で、完全に無機膜のみで液晶層に微少に傾斜した垂直
配向を導入する事が出来、その結果液晶電気光学素子、
特に液晶ライトバルブの耐光性が格段に向上し、これを
高輝度画像投影装置に応用する場合、煩雑な素子の交換
の頻度が低く、且つ信頼性が高い製品が実現される、と
いう効果をもたらす。
程で、完全に無機膜のみで液晶層に微少に傾斜した垂直
配向を導入する事が出来、その結果液晶電気光学素子、
特に液晶ライトバルブの耐光性が格段に向上し、これを
高輝度画像投影装置に応用する場合、煩雑な素子の交換
の頻度が低く、且つ信頼性が高い製品が実現される、と
いう効果をもたらす。
【００１４】従来、本発明の斜方蒸着膜に係る蒸着角度
４５度以上７０度以下の領域は、水平配向を与えると言
われていた。これは、日本学術振興協会第１４２委員会
編，日刊工業新聞社発行「液晶デバイスハンドブック」
pp. 242-247 等に示されている。しかし、これらの結果
は、参考文献（Ｗ. Ａ. Ｃrossland et al., "Ｔilt an
gle measurements ofnematic phases of cyano-bipheni
ls aligend by obliquely evaporated films"Ｊ. Ｐhy
s. Ｄ：Ａppl. Ｐhys., Ｖol. 9, 1976)等に記述され
ている通り、本発明に係る膜厚領域よりも薄い領域で得
られたものである。本発明は、従来水平配向領域である
と思われていた前記の入射角領域の単層斜方蒸着膜の膜
厚を大きくすることにより、垂直配向能を発揮するよう
になることを示した、画期的なものである。
４５度以上７０度以下の領域は、水平配向を与えると言
われていた。これは、日本学術振興協会第１４２委員会
編，日刊工業新聞社発行「液晶デバイスハンドブック」
pp. 242-247 等に示されている。しかし、これらの結果
は、参考文献（Ｗ. Ａ. Ｃrossland et al., "Ｔilt an
gle measurements ofnematic phases of cyano-bipheni
ls aligend by obliquely evaporated films"Ｊ. Ｐhy
s. Ｄ：Ａppl. Ｐhys., Ｖol. 9, 1976)等に記述され
ている通り、本発明に係る膜厚領域よりも薄い領域で得
られたものである。本発明は、従来水平配向領域である
と思われていた前記の入射角領域の単層斜方蒸着膜の膜
厚を大きくすることにより、垂直配向能を発揮するよう
になることを示した、画期的なものである。
【００１５】
【実施例】以下に図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。 （実施例１）図１は、本発明に係る液晶に微少に傾斜し
た垂直配列を導入する方法を説明するために記載した配
向膜の成膜のための蒸着装置の模式図である。
る。 （実施例１）図１は、本発明に係る液晶に微少に傾斜し
た垂直配列を導入する方法を説明するために記載した配
向膜の成膜のための蒸着装置の模式図である。
【００１６】配向膜を形成するための装置は、メインポ
ンプ106 として拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライ
オポンプ等を用いた蒸着装置である。真空チャンバー10
1 内には、少なくとも蒸発源102 、基板を所定の角度に
保持する機構104 、膜厚計105 が備えられている。本実
施例に於いては、メインポンプ106 としては油拡散ポン
プを、蒸発源102 としてはスリット状の開口を持つ抵抗
加熱ボートを、膜厚計105 としては水晶振動子膜厚計を
用いた。ただし、これらは本発明の本質には何等寄与し
ないものであって、同様の機能を有する他の装置に換え
ても何等問題はない。
ンプ106 として拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライ
オポンプ等を用いた蒸着装置である。真空チャンバー10
1 内には、少なくとも蒸発源102 、基板を所定の角度に
保持する機構104 、膜厚計105 が備えられている。本実
施例に於いては、メインポンプ106 としては油拡散ポン
プを、蒸発源102 としてはスリット状の開口を持つ抵抗
加熱ボートを、膜厚計105 としては水晶振動子膜厚計を
用いた。ただし、これらは本発明の本質には何等寄与し
ないものであって、同様の機能を有する他の装置に換え
ても何等問題はない。
【００１７】配向膜を形成せんとする基板は、複数個の
基板を配向膜を形成せんとする面を同一面上に揃えて保
持する保持冶具103 にセットした上で、蒸発源からの蒸
発材料の飛散方向に対して所定の角度に保持できるよ
う、位置決め及び回転機構を備えた保持装置104 にセッ
トされた。
基板を配向膜を形成せんとする面を同一面上に揃えて保
持する保持冶具103 にセットした上で、蒸発源からの蒸
発材料の飛散方向に対して所定の角度に保持できるよ
う、位置決め及び回転機構を備えた保持装置104 にセッ
トされた。
【００１８】本実施例に於ける実験に於いては、配向膜
を形成する条件は、基板に平行な方向からみた入射角ψ
（度）を５４度、５７度、６０度、６９度、７８度、８
７度と変化させ、且つ、成膜時に蒸発源から基板と等距
離に垂直方向に設置した膜厚計によって計測した膜厚ｄ
（ｎｍ）を２０、６０、１００、１４０と変化させて、
これをセル組みし、配向状態を観察した。
を形成する条件は、基板に平行な方向からみた入射角ψ
（度）を５４度、５７度、６０度、６９度、７８度、８
７度と変化させ、且つ、成膜時に蒸発源から基板と等距
離に垂直方向に設置した膜厚計によって計測した膜厚ｄ
（ｎｍ）を２０、６０、１００、１４０と変化させて、
これをセル組みし、配向状態を観察した。
【００１９】実験結果を図６に示す。これから明らかな
ように、１層の斜方蒸着によって、ある入射角ψの範囲
及び膜厚ｄの範囲に於いて垂直配向が与えられる事がわ
かる。なお、本実施例に於いて提示した図６の結果は、
蒸発源として一酸化珪素のパウダーを用いた。なお、蒸
発源としては一酸化珪素及び二酸化珪素を含む酸化珪
素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、等
の酸化物、弗化マグネシウム等の弗化物或いは硫化亜鉛
等の硫化物、シリコン或いはゲルマニウム等のIV属元素
の単体または混合物または化合物を主成分とする原料、
の何れを用いても全く問題はなかった。何となれば、本
発明に於いて実現される微小な傾斜を持つ垂直配向は、
本発明に於いて提示されている成膜条件下での斜方蒸着
によって得られる表面の構造によって与えられるのであ
って、実際には蒸着によって成膜が可能なほとんど全て
の物質が使用可能であると考えられるのであるが、その
内の有機物に於いては液晶との極性相互作用によって配
向状態が左右されて所望の微小な傾斜が得られない事が
あり、また、金属等の導体を用いると表面を電荷が流れ
てしまうことにより全面で均一なｏｎ／ｏｆｆしか得ら
れなくなるため、必然的に使用可能な材料は無機の誘電
体または半導体となり、そのうち蒸着によって所望の構
造が簡単に得られる前記の材料群のうちの何れかを使用
する事が望ましいと言う事が出来るからである。
ように、１層の斜方蒸着によって、ある入射角ψの範囲
及び膜厚ｄの範囲に於いて垂直配向が与えられる事がわ
かる。なお、本実施例に於いて提示した図６の結果は、
蒸発源として一酸化珪素のパウダーを用いた。なお、蒸
発源としては一酸化珪素及び二酸化珪素を含む酸化珪
素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、等
の酸化物、弗化マグネシウム等の弗化物或いは硫化亜鉛
等の硫化物、シリコン或いはゲルマニウム等のIV属元素
の単体または混合物または化合物を主成分とする原料、
の何れを用いても全く問題はなかった。何となれば、本
発明に於いて実現される微小な傾斜を持つ垂直配向は、
本発明に於いて提示されている成膜条件下での斜方蒸着
によって得られる表面の構造によって与えられるのであ
って、実際には蒸着によって成膜が可能なほとんど全て
の物質が使用可能であると考えられるのであるが、その
内の有機物に於いては液晶との極性相互作用によって配
向状態が左右されて所望の微小な傾斜が得られない事が
あり、また、金属等の導体を用いると表面を電荷が流れ
てしまうことにより全面で均一なｏｎ／ｏｆｆしか得ら
れなくなるため、必然的に使用可能な材料は無機の誘電
体または半導体となり、そのうち蒸着によって所望の構
造が簡単に得られる前記の材料群のうちの何れかを使用
する事が望ましいと言う事が出来るからである。
【００２０】セル組時の対向する配向膜層に於ける斜方
蒸着方向は、略反平行または略平行方向に設定される。
本実施例の実験に於いては、設定方向は反平行方向であ
る。設定方向が略反平行または略平行方向ではない場
合、液晶分子配列にツイスト変形が導入されるため、電
界印加時に所望の位相変調特性を得る事が困難になる。
ただし、これによって垂直配向能自身が否定されるもの
ではない。設定方向が略反平行の場合、電界無印加時の
配列は殆ど変形のない状態となり、また、設定方向が略
平行の場合はスプレー変形のみを含む状態となって、何
れも非常に安定な状態を得る事が出来、さらに、何れの
場合も電界印加時に液晶分子の倒れる方向は完全に一方
向に規定されるため前記した回位線の発生等の支障は生
じない。なお、設定方向は完全な反平行または平行方向
である必要はなく、数度程度のズレは光学的に、また電
気光学的に全く問題がなく、工業的に応用が可能であ
る。
蒸着方向は、略反平行または略平行方向に設定される。
本実施例の実験に於いては、設定方向は反平行方向であ
る。設定方向が略反平行または略平行方向ではない場
合、液晶分子配列にツイスト変形が導入されるため、電
界印加時に所望の位相変調特性を得る事が困難になる。
ただし、これによって垂直配向能自身が否定されるもの
ではない。設定方向が略反平行の場合、電界無印加時の
配列は殆ど変形のない状態となり、また、設定方向が略
平行の場合はスプレー変形のみを含む状態となって、何
れも非常に安定な状態を得る事が出来、さらに、何れの
場合も電界印加時に液晶分子の倒れる方向は完全に一方
向に規定されるため前記した回位線の発生等の支障は生
じない。なお、設定方向は完全な反平行または平行方向
である必要はなく、数度程度のズレは光学的に、また電
気光学的に全く問題がなく、工業的に応用が可能であ
る。
【００２１】図６からわかるように、本実施例に於ける
実験条件内では、垂直配向を与える範囲は、入射角ψに
於いては６９度以下、膜厚に於いては２０ｎｍ以上が必
要であった。ただし、あまり低い入射角の領域では、液
晶分子の配列に導入される傾斜が小さくなり、液晶に電
界を印加した場合に、電界と液晶分子の負の誘電異方性
とのカップリングによるトルクによって液晶層内で変形
が起こる際に液晶分子の方位が規制されずに分子の方位
が異なる複数の領域が混在した状態を生じ、その境界に
回位線が発生する。この回位線は直視型のディスプレイ
に於いてもコントラストを低下させる要因となる。その
ため、入射角ψに於いては４５度以上が必要である。こ
れに関しては、図２を用いて説明する。図２は、ψを５
０度、５４度、５７度と変化させた場合に与えられる傾
斜角を測定し、これをプロットしたグラフである。な
お、測定に用いた配向膜のｄは６０及び１００ｎｍであ
り、蒸着時の入射方向が互いに反平行方向になるように
組み立て、液晶を挟持したセルを作製した。測定は、液
晶層内での分子の平均方位を、クリスタルローテーショ
ン法によって求める事により行った。図２で得られる外
挿値から、ψは少なくとも４５度程度以上でなければ、
配列に微小な傾斜を導入する事が出来ない事がわかる。
実験条件内では、垂直配向を与える範囲は、入射角ψに
於いては６９度以下、膜厚に於いては２０ｎｍ以上が必
要であった。ただし、あまり低い入射角の領域では、液
晶分子の配列に導入される傾斜が小さくなり、液晶に電
界を印加した場合に、電界と液晶分子の負の誘電異方性
とのカップリングによるトルクによって液晶層内で変形
が起こる際に液晶分子の方位が規制されずに分子の方位
が異なる複数の領域が混在した状態を生じ、その境界に
回位線が発生する。この回位線は直視型のディスプレイ
に於いてもコントラストを低下させる要因となる。その
ため、入射角ψに於いては４５度以上が必要である。こ
れに関しては、図２を用いて説明する。図２は、ψを５
０度、５４度、５７度と変化させた場合に与えられる傾
斜角を測定し、これをプロットしたグラフである。な
お、測定に用いた配向膜のｄは６０及び１００ｎｍであ
り、蒸着時の入射方向が互いに反平行方向になるように
組み立て、液晶を挟持したセルを作製した。測定は、液
晶層内での分子の平均方位を、クリスタルローテーショ
ン法によって求める事により行った。図２で得られる外
挿値から、ψは少なくとも４５度程度以上でなければ、
配列に微小な傾斜を導入する事が出来ない事がわかる。
【００２２】さらに、あまり厚い膜厚の蒸着膜を形成す
る事は、工数増を招き工業的に好ましくない。そのた
め、実用的には、膜厚に於いては５００ｎｍ以下である
事が望ましい。これらの結果から、垂直配向を導入する
液晶配向膜を、無機物を基板の法線方向から傾斜した方
向から真空蒸着によって形成し、該配向膜の形成される
条件は基板に平行な方向からみた入射角ψ（度）が４５
度以上７０度以下であり、且つ成膜時に蒸発源から基板
と等距離に垂直方向に設置した膜厚計によって計測した
膜厚ｄ（ｎｍ）が２０以上５００以下とする事により形
成することで、カップリング剤を用いる場合の下地処理
と同様の工程であるところの斜方蒸着を一回行うのみ
で、微少に傾斜した垂直配向を実現する事ができる事が
わかる。
る事は、工数増を招き工業的に好ましくない。そのた
め、実用的には、膜厚に於いては５００ｎｍ以下である
事が望ましい。これらの結果から、垂直配向を導入する
液晶配向膜を、無機物を基板の法線方向から傾斜した方
向から真空蒸着によって形成し、該配向膜の形成される
条件は基板に平行な方向からみた入射角ψ（度）が４５
度以上７０度以下であり、且つ成膜時に蒸発源から基板
と等距離に垂直方向に設置した膜厚計によって計測した
膜厚ｄ（ｎｍ）が２０以上５００以下とする事により形
成することで、カップリング剤を用いる場合の下地処理
と同様の工程であるところの斜方蒸着を一回行うのみ
で、微少に傾斜した垂直配向を実現する事ができる事が
わかる。
【００２３】本発明の方法は、非常に簡便な１工程の成
膜によって微小な傾斜を有する垂直配向を液晶層に導入
する事が出来る画期的な方法であって、しかも完全に無
機物のみで配向膜が形成されているため、その信頼性、
特に耐光性は非常に高い。本発明に係る方法を用いる事
で、液晶電気光学素子、特に高輝度プロジェクター等に
用いられる液晶ライトバルブの信頼性を格段に向上させ
る事が出来る。以下、本発明に係る方法を用いた液晶電
気光学素子、及び液晶ライトバルブについて説明する。
膜によって微小な傾斜を有する垂直配向を液晶層に導入
する事が出来る画期的な方法であって、しかも完全に無
機物のみで配向膜が形成されているため、その信頼性、
特に耐光性は非常に高い。本発明に係る方法を用いる事
で、液晶電気光学素子、特に高輝度プロジェクター等に
用いられる液晶ライトバルブの信頼性を格段に向上させ
る事が出来る。以下、本発明に係る方法を用いた液晶電
気光学素子、及び液晶ライトバルブについて説明する。
【００２４】（実施例２）図３は、本発明に係る液晶電
気光学素子の構造を示す模式図である。液晶分子を挟持
するための基板301a、301b として、厚さ１．１ｍｍの透
明ガラス基板を用いた。両基板の表面にはＩＴＯ透明電
極層302a、302bを設けた。
気光学素子の構造を示す模式図である。液晶分子を挟持
するための基板301a、301b として、厚さ１．１ｍｍの透
明ガラス基板を用いた。両基板の表面にはＩＴＯ透明電
極層302a、302bを設けた。
【００２５】これらの基板は、透明電極上に配向膜303
a、303bを形成した後、スペーサー304 を介して貼り合
わせ、間隙に液晶層305 を挟持した。配向膜303a、303b
は実施例１に示した条件内から選択した条件で形成され
れば良いが、本実施例では蒸発源として一酸化珪素のパ
ウダーを用い、基板に平行な方向からみた入射角ψ
（度）を５４度、成膜時に蒸発源から基板と等距離に垂
直方向に設置した膜厚計によって計測した膜厚ｄ（ｎ
ｍ）を１００ｎｍとした。ただし、実施例１に示したよ
うに、本発明に係る配向膜の製膜条件は本実施例の条件
に限定されるものではなく、所定の条件を満たせば変更
しても問題ない。使用したスペーサーは間隙を規定する
ために平均直径５．０μｍの二酸化珪素球（商品名：真
絲球ＳＷ、触媒化成（株）製）を混入した接着剤を用い
た。間隙に挟持した液晶としてはメルク社製ＺＬＩ−４
７８８−１００を用いた。ただし、液晶材料に対しては
誘電異方性が負の組成物であれば成分、電気的特性、光
学的特性、粘弾的特性等に何等の限定はない。また、間
隙については、制限は全くない。
a、303bを形成した後、スペーサー304 を介して貼り合
わせ、間隙に液晶層305 を挟持した。配向膜303a、303b
は実施例１に示した条件内から選択した条件で形成され
れば良いが、本実施例では蒸発源として一酸化珪素のパ
ウダーを用い、基板に平行な方向からみた入射角ψ
（度）を５４度、成膜時に蒸発源から基板と等距離に垂
直方向に設置した膜厚計によって計測した膜厚ｄ（ｎ
ｍ）を１００ｎｍとした。ただし、実施例１に示したよ
うに、本発明に係る配向膜の製膜条件は本実施例の条件
に限定されるものではなく、所定の条件を満たせば変更
しても問題ない。使用したスペーサーは間隙を規定する
ために平均直径５．０μｍの二酸化珪素球（商品名：真
絲球ＳＷ、触媒化成（株）製）を混入した接着剤を用い
た。間隙に挟持した液晶としてはメルク社製ＺＬＩ−４
７８８−１００を用いた。ただし、液晶材料に対しては
誘電異方性が負の組成物であれば成分、電気的特性、光
学的特性、粘弾的特性等に何等の限定はない。また、間
隙については、制限は全くない。
【００２６】出来上がったセルをクロスニコル中に設置
し、電界を印加して透過率の変化を測定したところ、図
４に示すような結果を得た。なお、測定には白色光を使
用した。図４からわかるように、本発明に係る方法によ
って配向された液晶電気光学素子は、非常に良好な急峻
性と高いコントラストを実現した。また、一般に垂直配
向型の液晶素子に於いて頻繁に発生する回位線の生成に
よるコントラスト不良等は全く生ぜず、非常に高品位の
表示が可能である事がわかった。
し、電界を印加して透過率の変化を測定したところ、図
４に示すような結果を得た。なお、測定には白色光を使
用した。図４からわかるように、本発明に係る方法によ
って配向された液晶電気光学素子は、非常に良好な急峻
性と高いコントラストを実現した。また、一般に垂直配
向型の液晶素子に於いて頻繁に発生する回位線の生成に
よるコントラスト不良等は全く生ぜず、非常に高品位の
表示が可能である事がわかった。
【００２７】本実施例に於いて製作した液晶電気光学素
子は、各基板のＩＴＯ電極を分割しておらず、面シャッ
ター等に用いられると考えられるが、コントラストは１
０００：１以上であり、非常に性能の良いシャッターが
実現された。実施例の素子はまた、ＥＣＢ効果を用いて
いる事から、波面の変調、或いは色フィルターとしても
応用可能な事は言を待たない。
子は、各基板のＩＴＯ電極を分割しておらず、面シャッ
ター等に用いられると考えられるが、コントラストは１
０００：１以上であり、非常に性能の良いシャッターが
実現された。実施例の素子はまた、ＥＣＢ効果を用いて
いる事から、波面の変調、或いは色フィルターとしても
応用可能な事は言を待たない。
【００２８】更に、本発明に係る配向方法は、非常に急
峻性の良いＥＣＢセルを実現可能であり、各基板のＩＴ
Ｏ電極を分割して、マトリクス駆動を行う事も十分可能
であることがわかる。また、同様に、アクティブマトリ
クスと組み合わせる事も可能である。前記したように、
本発明の方法は急峻の良いＥＣＢセルが実現可能である
事から、特にアクティブマトリクスとの組み合わせに於
いて、マトリクス型のカラーディスプレイを実現する事
が可能である。
峻性の良いＥＣＢセルを実現可能であり、各基板のＩＴ
Ｏ電極を分割して、マトリクス駆動を行う事も十分可能
であることがわかる。また、同様に、アクティブマトリ
クスと組み合わせる事も可能である。前記したように、
本発明の方法は急峻の良いＥＣＢセルが実現可能である
事から、特にアクティブマトリクスとの組み合わせに於
いて、マトリクス型のカラーディスプレイを実現する事
が可能である。
【００２９】斯様にして製作した液晶電気光学素子は、
配向膜層に完全無機膜を用いているため、特に耐光性が
高く、また、通常の垂直配向技術を用いた場合よりも簡
便な工程で、シールの密着強度も高く、信頼性の高いデ
バイスであった。 （実施例３）次に、本発明に係る配向技術を液晶ライト
バルブに応用した場合の実施例について説明する。
配向膜層に完全無機膜を用いているため、特に耐光性が
高く、また、通常の垂直配向技術を用いた場合よりも簡
便な工程で、シールの密着強度も高く、信頼性の高いデ
バイスであった。 （実施例３）次に、本発明に係る配向技術を液晶ライト
バルブに応用した場合の実施例について説明する。
【００３０】図５は、本発明に係る液晶ライトバルブの
構造を示す模式図である。液晶分子を挟持するための基
板501a、501b として、両面をHe-Ne レーザー波長に於て
平行平面度λ/5以下に研磨した厚さ５mmの透明ガラス基
板を用いた。両基板の表面にはＩＴＯ透明電極層502a、5
02b を設けた。光による書き込み側の透明電極層502a上
には５μｍの厚さの水素化アモルファスシリコン（a-S
i:H）光導電層506 を形成した。光導電層上には、ミラ
ー層として誘電体多層膜ミラー507 を形成した。ただ
し、ミラー層は互いに絶縁された金属膜が配列された構
造等であっても問題ない。
構造を示す模式図である。液晶分子を挟持するための基
板501a、501b として、両面をHe-Ne レーザー波長に於て
平行平面度λ/5以下に研磨した厚さ５mmの透明ガラス基
板を用いた。両基板の表面にはＩＴＯ透明電極層502a、5
02b を設けた。光による書き込み側の透明電極層502a上
には５μｍの厚さの水素化アモルファスシリコン（a-S
i:H）光導電層506 を形成した。光導電層上には、ミラ
ー層として誘電体多層膜ミラー507 を形成した。ただ
し、ミラー層は互いに絶縁された金属膜が配列された構
造等であっても問題ない。
【００３１】これらの基板は、透明電極502a上及びミラ
ー層507 上に配向膜503a、503bを形成した後、スペーサ
ー504 を介して貼り合わせ、間隙に液晶層505 を挟持し
た。本発明に係る配向膜503a、503bについては、実施例
２に於ける配向膜の形成と同等であり、説明を省略す
る。使用したスペーサー504 は間隙を規定するために平
均直径５．０μｍの二酸化珪素球（商品名：真絲球Ｓ
Ｗ、触媒化成（株）製）を混入した接着剤を用いた。間
隙に挟持した液晶としてはメルク社製ＺＬＩ−４７８８
−１００を用いた。ただし、液晶材料に対しては誘電異
方性が負の組成物であれば成分、電気的特性、光学的特
性、粘弾的特性等に何等の限定はない。また、間隙につ
いては、制限は全くない。
ー層507 上に配向膜503a、503bを形成した後、スペーサ
ー504 を介して貼り合わせ、間隙に液晶層505 を挟持し
た。本発明に係る配向膜503a、503bについては、実施例
２に於ける配向膜の形成と同等であり、説明を省略す
る。使用したスペーサー504 は間隙を規定するために平
均直径５．０μｍの二酸化珪素球（商品名：真絲球Ｓ
Ｗ、触媒化成（株）製）を混入した接着剤を用いた。間
隙に挟持した液晶としてはメルク社製ＺＬＩ−４７８８
−１００を用いた。ただし、液晶材料に対しては誘電異
方性が負の組成物であれば成分、電気的特性、光学的特
性、粘弾的特性等に何等の限定はない。また、間隙につ
いては、制限は全くない。
【００３２】出来上がったセルをクロスニコルの投影光
学系中に設置し、投影実験を行ったところ、非常に良好
な解像度と高いコントラストを実現した。コントラスト
は実測３０００：１以上であった。また、一般に垂直配
向型の液晶素子に於いて頻繁に発生する回位線の生成に
よるコントラスト不良等は全く生ぜず、非常に高品位の
表示が可能である事がわかった。
学系中に設置し、投影実験を行ったところ、非常に良好
な解像度と高いコントラストを実現した。コントラスト
は実測３０００：１以上であった。また、一般に垂直配
向型の液晶素子に於いて頻繁に発生する回位線の生成に
よるコントラスト不良等は全く生ぜず、非常に高品位の
表示が可能である事がわかった。
【００３３】斯様にして製作した液晶ライトバルブは、
配向膜層に完全無機膜を用いているため、強力な読み出
し光に暴露されても一般の有機配向膜のようにダメージ
を被る事はなく、而して耐光性が高く、また、通常の垂
直配向技術を用いた場合よりも簡便な工程で、シールの
密着強度も高く、非常に信頼性の高いデバイスであっ
た。
配向膜層に完全無機膜を用いているため、強力な読み出
し光に暴露されても一般の有機配向膜のようにダメージ
を被る事はなく、而して耐光性が高く、また、通常の垂
直配向技術を用いた場合よりも簡便な工程で、シールの
密着強度も高く、非常に信頼性の高いデバイスであっ
た。
【００３４】本実施例に於いて示した液晶ライトバルブ
を応用する事により、非常に信頼性、耐久性が高く、非
常に高輝度な液晶プロジェクターが実現される。また、
液晶ライトバルブの製造工程が簡便になり、高輝度液晶
プロジェクターのコストダウンも可能となった。
を応用する事により、非常に信頼性、耐久性が高く、非
常に高輝度な液晶プロジェクターが実現される。また、
液晶ライトバルブの製造工程が簡便になり、高輝度液晶
プロジェクターのコストダウンも可能となった。
【００３５】
【発明の効果】本発明を用いることにより、簡便な単一
の工程で、完全に無機膜のみで液晶層に微少に傾斜した
垂直配向を導入する事が出来、その結果液晶電気光学素
子、特に液晶ライトバルブの耐光性が格段に向上し、こ
れを高輝度画像投影装置に応用する場合、煩雑な素子の
交換の頻度が低く、且つ信頼性が高い製品が実現され
る、という効果をもたらす。
の工程で、完全に無機膜のみで液晶層に微少に傾斜した
垂直配向を導入する事が出来、その結果液晶電気光学素
子、特に液晶ライトバルブの耐光性が格段に向上し、こ
れを高輝度画像投影装置に応用する場合、煩雑な素子の
交換の頻度が低く、且つ信頼性が高い製品が実現され
る、という効果をもたらす。
【図１】図１は、本発明に係る液晶に微少に傾斜した垂
直配列を導入する方法を説明するために記載した、配向
膜の成膜のための蒸着装置の模式図である。
直配列を導入する方法を説明するために記載した、配向
膜の成膜のための蒸着装置の模式図である。
【図２】図２は、ψを５０度、５４度、５７度と変化さ
せた場合に与えられる傾斜角を測定し、これをプロット
したグラフである。
せた場合に与えられる傾斜角を測定し、これをプロット
したグラフである。
【図３】図３は、本発明に係る液晶電気光学素子の構造
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図４】図４は、本発明に係る液晶電気光学素子の電圧
−透過率特性をプロットしたグラフである。
−透過率特性をプロットしたグラフである。
【図５】図５は、本発明に係る液晶ライトバルブの構造
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図６】斜方蒸着の入射角及び膜厚を変化させた場合の
垂直配向性を示す実験結果を表した図である。
垂直配向性を示す実験結果を表した図である。
１０１ 真空チャンバー １０２ 蒸発源 １０３ 保持冶具 １０４ 基板を所定の角度に保持する機構 １０５ 膜厚計 １０６ メインポンプ ３０１ａ、３０１ｂ 基板 ３０２ａ、３０２ｂ 透明電極 ３０３ａ、３０３ｂ 配向膜層 ３０４ スペーサー ３０５ 液晶層 ５０１ａ、５０１ｂ 基板 ５０２ａ、５０２ｂ 透明電極 ５０３ａ、５０３ｂ 配向膜層 ５０４ スペーサー ５０５ 液晶層 ５０６ 光導電層 ５０７ ミラー層
Claims (14)
- 【請求項１】 一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶
素子であって、液晶層と隣接する界面に配向膜が形成さ
れてなり、該配向膜は無機物を基板の法線方向から傾斜
した一定の方向から真空蒸着によって形成され、該配向
膜の形成される条件は基板に平行な方向からみた入射角
ψ（度）が４５度以上７０度以下であり、且つ成膜時に
蒸発源から基板と等距離に垂直方向に設置した膜厚計に
よって計測した膜厚ｄ（ｎｍ）が２０以上５００以下で
あることを特徴とする、液晶に微少に傾斜した垂直配列
を導入する方法。 - 【請求項２】 該配向膜は一酸化珪素及び二酸化珪素を
含む酸化珪素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タ
ンタル、等の酸化物で形成された事を特徴とする、請求
項１記載の液晶に微少に傾斜した垂直配列を導入する方
法。 - 【請求項３】 該配向膜は弗化マグネシウム等の弗化物
或いは硫化亜鉛等の硫化物で形成された事を特徴とする
請求項１記載の液晶に微少に傾斜した垂直配列を導入す
る方法。 - 【請求項４】 該配向膜はシリコン或いはゲルマニウム
等のIV属元素の単体または混合物または化合物を主成分
とする原料を用いて形成された事を特徴とする請求項１
記載の液晶に微少に傾斜した垂直配列を導入する方法。 - 【請求項５】 電極を有する一対の基板間に液晶が挟持
され、液晶層と隣接する界面に配向膜が形成され、該配
向膜は無機物を基板の法線方向から傾斜した一定の方向
から真空蒸着によって形成され、該配向膜の形成される
条件は基板に平行な方向からみた入射角ψ（度）が４５
度以上７０度以下であり、且つ成膜時に蒸発源から基板
と等距離に垂直方向に設置した膜厚計によって計測した
膜厚ｄ（ｎｍ）が２０以上５００以下とした、界面の液
晶分子の方位に微少な傾斜を持つ垂直配向が導入された
事を特徴とする液晶電気光学素子。 - 【請求項６】 該液晶分子の微少な傾斜の方向は、略反
平行または略平行な方位に設定された事を特徴とする請
求項５記載の液晶電気光学素子。 - 【請求項７】 該配向膜は一酸化珪素及び二酸化珪素を
含む酸化珪素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タ
ンタル、等の酸化物、弗化マグネシウム等の弗化物或い
は硫化亜鉛等の硫化物で形成された事を特徴とする請求
項５記載の液晶電気光学素子。 - 【請求項８】 前記液晶電気光学素子に於いて、該配向
膜はシリコン或いはゲルマニウム等のIV属元素の単体ま
たは混合物または化合物を主成分とする原料を用いて形
成された事を特徴とする請求項５記載の液晶電気光学素
子。 - 【請求項９】 相対する該配向膜層間で該入射角ψ
（度）または該膜厚ｄ（ｎｍ）の何れか一方、或いは両
方が異なっている事を特徴とする請求項５記載の液晶電
気光学素子。 - 【請求項１０】 光による書き込み手段、光による読み
出し手段及び電圧印加手段を具備し、透明電極上に光導
電層及びミラー層が形成されたガラス基板と、透明電極
の形成されたガラス基板の、それぞれの対向する表面に
液晶配向膜が形成された一組のガラス基板が対向配置さ
れ、その間隙に液晶組成物が封入されて液晶光変調層が
形成されてなる液晶ライトバルブに於いて、該液晶配向
膜が、無機物を基板の法線方向から傾斜した一定の方向
から真空蒸着によって形成され、該配向膜の形成される
条件は基板に平行な方向からみた入射角ψ（度）が４５
度以上７０度以下であり、且つ成膜時に蒸発源から基板
と等距離に垂直方向に設置した膜厚計によって計測した
膜厚ｄ（ｎｍ）が２０以上５００以下とし、該液晶光変
調層に微少に傾斜した垂直配列が導入されてなる事を特
徴とする液晶ライトバルブ。 - 【請求項１１】 該液晶層に用いられる液晶組成物は誘
電異方性が負の常温でネマチック相を呈する組成物であ
り該微少な傾斜方向は、略反平行または略平行な方位に
設定された事を特徴とする請求項１０記載の液晶ライト
バルブ。 - 【請求項１２】 前記液晶ライトバルブにおいて、該配
向膜は一酸化珪素及び二酸化珪素を含む酸化珪素、酸化
チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、等の酸化
物、弗化マグネシウム等の弗化物或いは硫化亜鉛等の硫
化物で形成された事を特徴とする請求項１０記載の液晶
ライトバルブ。 - 【請求項１３】 前記液晶ライトバルブに於いて、該配
向膜はシリコン或いはゲルマニウム等のIV属元素の単体
または混合物または化合物を主成分とする原料を用いて
形成された事を特徴とする、請求項１０記載の液晶ライ
トバルブ。 - 【請求項１４】 相対する該配向膜層間で該入射角ψ
（度）または該膜厚ｄ（ｎｍ）の何れか一方、或いは両
方が異なっている事を特徴とする請求項１０記載の液晶
ライトバルブ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6274087A JPH08136932A (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 液晶に微少に傾斜した垂直配列を導入する方法、液晶電気光学素子及び液晶ライトバルブ |
| US08/554,681 US5745205A (en) | 1994-11-08 | 1995-11-07 | Method of introducing slightly titlting homeotropic orientation into liquid crystal, liquid crystal electro-optical device, and liquid crystal light valve |
| EP95307993A EP0712024B1 (en) | 1994-11-08 | 1995-11-08 | Method of introducing slightly tilting homeotropic orientation into liquid crystal, liquid crystal electro-optical device, and liquid crystal light valve |
| DE69531587T DE69531587T2 (de) | 1994-11-08 | 1995-11-08 | Verfahren zur Erzeugung einer schwach geneigten homeotropen Ausrichtung von Flüssigkristallen, elektrooptische Flüssigkristall-Vorrichtung und Flüssigkristall-Lichtventil |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6274087A JPH08136932A (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 液晶に微少に傾斜した垂直配列を導入する方法、液晶電気光学素子及び液晶ライトバルブ |
| US08/554,681 US5745205A (en) | 1994-11-08 | 1995-11-07 | Method of introducing slightly titlting homeotropic orientation into liquid crystal, liquid crystal electro-optical device, and liquid crystal light valve |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08136932A true JPH08136932A (ja) | 1996-05-31 |
Family
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